OSLON Black Series (85 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4715 Wesentliche Merkmale IR-Lichtquelle mit hohem Wirkungsgrad Niedriger Wärmewiderstand (Max. 11 K/W) Schwerpunktwellenlänge 85 nm ESD-sicher bis 2 kv nach JESD22-A114-E Erweiterte Korrosionsfestigkeit (s.a. Abschnitt Maßzeichnung) Die Produktqualifikation wurde basierend auf der Richtlinie AEC-Q11-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors, durchgeführt. Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras Überwachungssysteme Beleuchtung für Bilderkennungssysteme Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 6825-1 und 62471 behandelt werden. Features IR lightsource with high efficiency Low thermal resistance (Max. 11 K/W) Centroid wavelength 85 nm ESD safe up to 2 kv acc. to JESD22-A114-E Superior Corrosion Robustness (see chapter package outlines) The product qualification test plan is based on the guidelines of AEC-Q11-REV-C, Stress Test Qualification for Automotive Grade Discrete Semiconductors. Applications Infrared Illumination for cameras Surveillance systems Machine vision systems Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 6825-1 and IEC 62471. Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 4715 Q65111A2364 16 (typ. 25) Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 1 A, t p = 1 ms) Radiant Intensity Binning 1) I e (mw/sr) 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr / measured at a solid angle of Ω =.1 sr 212-3-27 1
Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Stoßstrom, t p = 5 µs, D = Surge current Leistungsaufnahme Power consumption Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle Thermal resistance junction - soldering point Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 1 A, t p = 1 ms Schwerpunktwellenlänge der Strahlung Centroid wavelength I F = 1 A, t p = 1 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = 1 A, t p = 1 ms Abstrahlwinkel Half angle Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, I F = 5 A, R L = 5 Ω Switching times, Ι e from 1% to 9% and from 9% to 1%, I F = 5 A, R L = 5 Ω Wert Value T op, T stg 4 + 125 C T J + 145 C V R 1 V I F 1 A I FSM 5 A P tot 1.8 W Einheit Unit R thjs 11 K/W Wert Value λ peak 86 nm λ centroid 85 nm Δλ 3 nm Einheit Unit ϕ ± 45 Grad deg. L B L W 1 1 mm² t r / t f 7 / 14 ns 212-3-27 2
Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter Durchlassspannung Forward voltage I F = 1 A, t p = 1 µs I F = 5 A, t p = 1 µs Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux I F = 1 A, t p = 1 µs Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e Temperature coefficient of I e or Φ e I F = 1 A, t p = 1 ms Temperaturkoeffizient von V F Temperature coefficient of V F I F = 1 A, t p = 1 ms Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ I F = 1 A, t p = 1 ms Wert Value V F 1.5 (< 1.8) V F 2. (< 2.9) Einheit Unit V V Φ e 59 mw TC I.3 %/K TC V 1 mv/k TC λ,centroid +.3 nm/k 212-3-27 3
Strahlstärke I e in Achsrichtung 1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =.1 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 1 ms Ι e min 16 Ι e max 25 Werte Values -BA -BB -CA -CB 2 32 25 4 32 5 Einheit Unit mw/sr mw/sr 1) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 1.6:1) / Only one bin in one packing unit (variation lower 1.6:1) Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) 4 3 2 5 ϕ 1 1. OHL447.8 6.6 7.4 8.2 9 1 1..8.6.4 2 4 6 8 1 12 212-3-27 4
Relative spektrale Emission Relative Spectral Emission I rel = f (λ) I rel 1 % 8 OHF4132 Durchlassstrom Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 1 μs I F 1 1 A OHF3847 Relativer Gesamtstrahlungsfluss Relative Total Radiant Flux Φ e /Φ e (1A) = f (I F ) Single pulse, t p = 1 μs 1 1 Φ e Φ e (1 A) 1 OHF3848 1 5 6 1-1 4 2 1-1 5-2 1 5 7 75 8 85 nm λ 95 1-2.5 1 1.5 2 V 2.5 V F 1-3 -2 1 5-1 1 5 1 A I F 1 1 Max. zulässiger Durchlassstrom Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ), R thjs = 11 K/W I F 1.1 A.9.8.7.6.5.4.3 OHF4369 Zulässige Impulsbelastbarkeit Permissible Pulse Handling Capability I F = f (t p ), T S = 85 C, Duty cycle D = parameter I F 5.5 A 4.5 4. 3.5 3. 2.5 2. 1.5 D = t P T t P T D =.5.1.2.5.1.2.5 1 OHF531 I F.2 1..1.5 2 4 6 8 1 C 13 T S 1-5 -4-3 1 1 1-2 1-1 1 t p 1 1 s 1 2 212-3-27 5
Maßzeichnung 1) Package Outlines Note: Die IRED enthält ein ESD-Schutzbauteil, das parallel zum Chip geschaltet ist. / IRED is protected by ESD device which is connected in parallel to chip. Note: Das Gehäuse ist für Ultraschallreinigung nicht geeignet. / Package is not suitalbe for ultra sonic cleaning. Korrosionsfestigkeit besser als EN 668-2-6 (Methode 4): mit erweitertem Korrosionstest: 4 C / 9%rh / 15ppm H2S / 336h Corrosion robustness better than EN 668-2-6 (method 4): with enhanced corrosion test: 4 C / 9%rh / 15ppm H2S / 336h Anodenkennung: Anode mark: Gewicht / Approx. weight: Anodenpad ist abgeschrägt und weist zur Kathode Anode pad has chamfered edge, which points to cathode 32 mg 1) Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch) 212-3-27 6
Gurtung / Polarität und Lage 1) Method of Taping / Polarity and Orientation Verpackungseinheit 6/Rolle, ø18 mm Packing unit 6/reel, ø18 mm 1) Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch) 212-3-27 7
Empfohlenes Lötpaddesign 1) Recommended Solder Pad Design Note: Um eine verbesserte Lötstellenkontaktierung zu erreichen, empfehlen wir, unter Standardstickstoffatmosphäre zu löten. / For superior solder joint connectivity results we recommend soldering under standard nitrogen atmosphere. 1) Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch) 212-3-27 8
Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 Reflow Lötprofil für bleifreies Löten Reflow Soldering Profile for lead free soldering (nach J-STD-2D.1) (acc. to J-STD-2D.1) 3 C T 25 2 24 C 217 C t P t L T p OHA4525 245 C 15 t S 1 5 25 C 5 1 15 2 25 s 3 t Profileigenschaften Profile Feature Aufheizrate zum Vorwärmen* ) / Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Zeit t s von T Smin bis T Smax / Time t s from T Smin to T Smax 15 C to 2 C Aufheizrate zur Spitzentemperatur* ) / Ramp-up rate to peak* ) 18 C to T P Bleifreier Aufbau / Pb-Free Assembly (SnAgCu) Empfehlung / Recommendation 2 K / s 3 K / s Grenzwerte / Max. Ratings 1 s min. 6 s max. 12 s 2 K / s 3 K / s Liquidustemperatur T L / 217 C Liquidus temperature T L Zeit t L über T L / Time t L above T L 8 s max. 1 s Spitzentemperatur T P / Peak temperature T P 245 C max. 26 C Verweilzeit t P innerhalb des spezifizierten Spitzentemperaturbereichs T P - 5 K / Time t P within the specified peak temperature range T P - 5 K Abkühlrate* ) / Ramp-down rate* ) T P to 1 C Zeitspanne von 25 C bis zur Spitzentemperatur / Time from 25 C to peak temperature 2 s min. 1 s max. 3 s 3 K / s 6 K / s maximum max. 8 min. Alle Temperaturen beziehen sich auf die Bauteilmitte, jeweils auf der Bauteiloberseite gemessen / All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the package * Steigungsberechnung ΔT/Δt: Δt max. 5 s; erfüllt über den gesamten Temperaturbereich / slope calculation ΔT/Δt: Δt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 212-3-27 9
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