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- Dörte Schumacher
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1 Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse Narrow beam LED in MIDLED package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 SFH 464 SFH 464 SFH 464 gemäß OS-PCN A2 acc. to OS-PCN A2 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung ( mw) Emissionswellenlänge typ. 9 nm Enger Abstrahlwinkel ( 1 ) Geringe Bauhöhe Als Toplooker und Sidelooker einsetzbar SFH 464: Gurtung als Toplooker SFH 464: Gurtung als Sidelooker Anwendungen Infrarotbeleuchtung für Kameras IR-Datenübertragung Sensorik in der Automobiltechnik Fernsteuerung Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden. Features High Power ( mw) Infrared LED Peak wavelength typ. 9 nm Narrow halfangle ( 1 ) Low profile component Usable as top-looking and side-looking device SFH 464: Taping as Toplooker SFH 464: Taping as Sidelooker Applications Infrared Illumination for cameras IR Data Transmission Automotive sensors Remote controls Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Typ Type SFH 464 SFH 464 Bestellnummer Ordering Code Q611A9369 Q611A9367 Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 1 ma, t p = 2 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) 2 (typ. 6) 2 (typ. 6) 1) gemessen bei einem Raumwinkel =.1 sr / measured at a solid angle of =.1 sr
2 Grenzwerte (T A = 2 C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Stoßstrom, t p 3 s, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block Kennwerte (T A = 2 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = 1 ma Schwerpunkt-Wellenlänge der Strahlung Centroid wavelength I F = 1 ma Spektrale Bandbreite bei % von I max Spectral bandwidth at % of I max I F = 1 ma Abstrahlwinkel Half angle Symbol Symbol Wert Value T op, T stg C V R V I F 1 ma I FSM 1 A Einheit Unit P tot 18 mw R thja R thjs Symbol Symbol Wert Value K/W K/W peak 9 nm centroid 94 nm 42 nm Einheit Unit 1 Grad deg
3 Kennwerte (T A = 2 C) Characteristics (cont d) Bezeichnung Parameter Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von 1% auf 9% und von 9% auf 1%, bei I F = 1 ma, R L = Switching times, e from 1% to 9% and from 9% to 1%, I F = 1 ma, R L = Durchlassspannung Forward voltage I F = 1 ma, t p = 2 ms I F = 1 A, t p = 1 μs Sperrstrom Reverse current Gesamtstrahlungsfluss Total radiant flux I F = 1 ma, t p = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. e, I F = 1 ma Temperature coefficient of I e or e, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von V F, I F = 1 ma Temperature coefficient of V F, I F = 1 ma Temperaturkoeffizient von, I F = 1 ma Temperature coefficient of, I F = 1 ma Symbol Symbol A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm² t r, t f 12 ns V F V F I R Wert Value 1. ( 1.8) 2.3 (< 3.) not designed for reverse operation Einheit Unit V V A e typ mw TC I. %/K TC V 3 mv/k TC +.3 nm/k
4 Strahlstärke I e in Achsrichtung 1) gemessen bei einem Raumwinkel =.1 sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of =.1 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = 1 A, t p = 2 s 1) Symbol I e min I e max 2 Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1) / Only one bin in one packing unit (variation lower 2:1) Werte Values -T -U -V Einheit Unit mw/sr mw/sr I e typ mw/sr Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristics I rel = f () ϕ 1 1. OHF
5 Relative Spectral Emission I rel = f () I rel 1 % OHF4134 Radiant Intensity I e 1 ma = f (I F) Single pulse, t p = 2 s I I 1 1 e e (1 ma) I e OHF3821 Max. Permissible Forward Current I F = f (T A ), R thja = 34 K/W I F 11 ma OHF nm 12 λ Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 1 s I F 1 A OHF ma 1 I F Permissible Pulse Handling Capability I F = f (), T A = 2 C, duty cycle D = parameter OHF t P A I t F D P = IF T 1. T D = C TA V 2. V F t p s
6 Maßzeichnung Package Outlines Maße in mm / Dimensions in mm. Gehäuse / Package Anschlussbelegung Pin configuration MID mit klarem Silikonverguss / MID casted with clear Silicone Pad 1 = Anode / anode Pad 2 = Kathode / cathode
7 Gurtung / Polarität und Lage Method of Taping / Polarity and Orientation SFH 464 Verpackungseinheit 2/Rolle, ø18 mm oder 9/Rolle, ø33 mm Packing unit 2/reel, ø18 mm or 9/reel, ø33 mm Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch). SFH 464 Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch)
8 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad Design SFH 464 Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 2 Cu-Fläche > 16 mm Cu-area Lötstopplack Solder resist OHF2422 SFH 464 Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Cu-Fläche > 16 mm Cu-area Lötstopplack Solder resist OHF2421 Maße in mm / Dimensions in mm. Verarbeitungshinweis: Das Gehäuse ist mit Silikon vergossen. Mechanischer Stress auf der Bauteiloberfläche sollte so gering wie möglich gehalten werden. Handling indication: The package is casted with silicone. Mechanical stress at the surface of the unit should be as low as possible
9 Lötbedingungen Soldering Conditions Reflow Lötprofil für bleifreies Löten Reflow Soldering Profile for lead free soldering Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 (nach J-STD-2D.1) (acc. to J-STD-2D.1) 3 C T C 217 C t P t L T p OHA42 24 C 1 t S 1 2 C s 3 t Profileigenschaften Profile Feature Aufheizrate zum Vorwärmen* ) / Ramp-up rate to preheat* ) 2 C to 1 C Zeit t s von T Smin bis T Smax / Time t s from T Smin to T Smax 1 C to 2 C Bleifreier Aufbau / Pb-Free Assembly (SnAgCu) Empfehlung / Recommendation 2 K / s 3 K / s Grenzwerte / Max. Ratings 1 s min. 6 s max. 12 s Aufheizrate zur Spitzentemperatur* ) / 2 K / s 3 K / s Ramp-up rate to peak* ) 18 C to T P Liquidustemperatur T L / Liquidus temperature T L 217 C Zeit t L über T L / Time t L above T L 8 s max. 1 s Spitzentemperatur T P / Peak temperature T P 24 C max. 26 C Verweilzeit t P innerhalb des spezifizierten Spitzentemperaturbereichs T P - K / Time t P within the specified peak temperature range T P - K 2 s min. 1 s max. 3 s Abkühlrate* ) / Ramp-down rate* ) T P to 1 C 3 K / s 6 K / s maximum Zeitspanne von 2 C bis zur Spitzentemperatur / Time from 2 C to peak temperature max. 8 min. Alle Temperaturen beziehen sich auf die Bauteilmitte, jeweils auf der Bauteiloberseite gemessen / All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the package * Steigungsberechnung T/t: t max. s; erfüllt über den gesamten Temperaturbereich / slope calculation T/t: t max. s; fulfillment for the whole T-range
10 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93 Regensburg All Rights Reserved. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered
Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (940 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4641 SFH 4646
Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (94 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 SFH 4646 SFH 464 SFH 4646 gemäß OS-PCN-29-2-A2 acc. to OS-PCN-29-2-A2
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Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (8 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 SFH 46 SFH 46 SFH 46 gemäß OS-PCN-29-21-A2 acc. to OS-PCN-29-21-A2 Wesentliche
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Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse (8 nm) Narrow beam LED in MIDLED package (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 SFH 46 SFH 46 SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
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