Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.2 BPW 34 FAS

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Transkript:

215-9-14 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.2 Features: Especially suitable for the wavelength range of 73 nm to 1 nm Short switching time (typ. 2 ns) DIL plastic package with high packing density Applications Photointerrupters IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape recorders, dimmers, remote controls of various equipment Automotive (eg rain sensor, headset) Besondere Merkmale: Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von 73 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte Anwendungen Lichtschranken IR-Fernsteuerung von Fernseh- und Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen Automotomobil (z.b. Regensensor, Headset) Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer BPW 34 FAS λ = 87 nm, E e = 1 mw/cm 2, V R = 5 V I P [µa] 5 ( 4) Q651A3121 215-9-14 1

Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Reverse voltage Sperrspannung (t < 2 min) Total power dissipation Verlustleistung Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte T op ; T stg -4... C V R 16 V V R 32 V P tot 15 mw Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Photocurrent Fotostrom Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche Half angle Halbwinkel Dark current Dunkelstrom (V R = V) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 87 nm) Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 87 nm) (typ (min)) I P 5 ( 4) µa (typ) λ S max 88 nm (typ) λ % (typ) 73... 1 nm (typ) A 7.2 mm 2 (typ) L x W 2.65 x 2.65 mm x mm (typ) ϕ ± 6 (typ (max)) I R 2 ( 3) na (typ) S λ typ.65 A / W (typ) η.93 Electro ns /Photon 215-9-14 2

Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Open-circuit voltage Leerlaufspannung (E e =.5 mw/cm 2, λ = 87 nm) Short-circuit current Kurzschlussstrom (E e =.5 mw/cm 2, λ = 87 nm) Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (V R = 5 V, R L = 5 Ω, λ = 85 nm, I P = 8 µa) Forward voltage Durchlassspannung (I F = ma, E = ) Capacitance Kapazität (V R = V, f = 1 MHz, E = ) (typ (min)) V O 32 ( 25) mv (typ) I SC 23 µa (typ) t r, t f.2 µs (typ) V F 1.3 V (typ) C 72 pf Temperature coefficient of V O (typ) TC V -2.6 mv / K Temperaturkoeffizient von V O Temperature coefficient of I SC Temperaturkoeffizient von I SC (λ = 87 nm) Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (V R = V, λ = 87 nm) Detection limit Nachweisgrenze (V R = V, λ = 87 nm) (typ) TC I.1 % / K (typ) NEP.39 pw / Hz ½ (typ) D * 6.8e12 cm x Hz ½ / W 215-9-14 3

Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ) S rel % 1) page 1) Seite OHF143 Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung I P (V R = 5 V) / V O = f(e e ) Ι P 1) Seite 1) page OHF1428 3 4 µa mv V O 8 7 2 3 6 V O 5 1 2 4 3 2 Ι P 1 4 6 8 nm 12 λ -1 1 2 2 µw/cm 4 E e Total Power Dissipation Verlustleistung P tot = f(t A ) Dark Current Dunkelstrom I R = f(v R ), E = 1) page 1) Seite P tot 16 mw 14 OHF958 Ι R 4 pa OHF8 12 3 8 2 6 4 2 2 4 6 8 C T A 5 15 V 2 V R 215-9-14 4

1) page Capacitance 1) Seite Kapazität C = f(v R ), f = 1 MHz, E = 1) page Dark Current 1) Seite Dunkelstrom I R = f(t A ), V R = V, E = OHF81 3 OHF82 C pf Ι R na 8 7 2 6 5 1 4 3 2-2 -1 1 V V R 2-1 2 4 6 8 C T A Directional Characteristics 1) Seite Winkeldiagramm S rel = f(ϕ) 1) page 4 3 2 ϕ 1. OHF142 5.8 6.6 7.4 8.2 9 1..8.6.4 2 4 6 8 12 215-9-14 5

Package Outline Maßzeichnung 1.2 (.47) 1.1 (.43)...1 (...4).3 (.12) Chip position 1.1 (.43).9 (.35) 4.5 (.177) 4.3 (.169) 6.7 (.264) 6.2 (.244)...5.9 (.35).7 (.28) 1.7 (.67) 1.5 (.59) 4. (.157) 3.7 (.146).2 (.8).1 (.4) 1.8 (.71) ±.2 (.8) Photosensitive area Cathode lead 2.65 (.4) x 2.65 (.4) GEOY6863 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Package SMT DIL, Epoxy Gehäuse SMT DIL, Harz 215-9-14 6

Taping Gurtung Cathode/Collector Side 1.5 (.59).8 (.31) 2 (.79) 4 (.157) 4.1 (.161) 1.75 (.69) 5.5 (.217) 6.9 (.272) 12 (.472) OHAY2287 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 215-9-14 7

Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 4 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T 25 2 24 C 217 C t P t L T p OHA4525 245 C 15 t S 5 25 C 5 15 2 25 s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Symbol Symbol t S T L t L Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s 12 2 3 217 Maximum 8 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to C Time 25 C to T P T P t P 245 26 2 3 All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range 3 6 48 C s K/s s 215-9-14 8

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Glossary 1) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert. 215-9-14

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