480, 481, 482 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 480 481 482 fet06092 fet06091 fet06090 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 537 10.95
480, 481, 482 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Hermetisch dichtes Metallgehäuse 480: Gehäusegleich mit 216 481: Gehäusegleich mit BPX 43, BPY 63 482: Gehäusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen Lichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb IR-Gerätefernsteuerungen Features GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process Anode is electrically connected to the case High reliability Matches all Si-Photodetectors Hermetically sealed package 480: Same package as 216 481: Same package as BPX 43, BPY 63 482: Same package as BPX 38, BPX 65 Applications Photointerrupters IR remote control of various equipmet Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package 480-2 Q62703-Q1662 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlüsse im 2.54-mm- 480-3 Q62703-Q1663 Raster ( 1 / 10 ), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehäuseboden 481 Q62703-Q1088 18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm 481-1 Q62703-Q1664 ( 1 / 10 ), cathode marking: projection at package 481-2 Q62703-Q1665 482 Q62703-Q1089 482-1 Q62703-Q1667 482-2 Q62703-Q1668 482-3 Q62703-Q1669 482-M E7800 Q62703-Q2186 Semiconductor Group 538
480, 481, 482 Grenzwerte (T C = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, t p = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance T op ; T stg 55... + 100 C T j 100 C V R 5 V I F 200 ma I FSM 2.5 A P tot 470 mw R thja 450 R thjc 160 K/W K/W Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission Spektrale Bandbreite bei 50 % von I max Spectral bandwidth at 50 % of I max Abstrahlwinkel Half angle 480 481 482 Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktive Chipfläche Dimension of the active chip area λ peak 880 nm λ 80 nm ϕ ϕ ϕ ± 6 ± 15 ± 30 Grad deg. A 0.16 mm 2 L B L W 0.4 0.4 mm Semiconductor Group 539
480, 481, 482 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top 480 481 482 Schaltzeiten, I e von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei, R L = 50 Ω Switching times, I e from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %,, R L = 50 Ω Kapazität Capacitance V R = 0 V, f = 1 MHz Durchlaßspannung Forward voltage, t p = 20 ms I F = 1 A, t p = 100 µs Sperrstrom Reverse current V R = 5 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux, t p = 20 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, Temperature coefficient of I e or Φ e, Temperaturkoeffizient von V F, Temperature coefficient of V F, Temperaturkoeffizient von λ, Temperature coefficient of λ, H H H 4.0... 4.8 2.8... 3.7 2.1... 2.7 mm mm mm t r, t f 0.6/0.5 µs C o 25 pf V F V F 1.50 ( 1.8) 3.00 ( 3.8) V V I R 0.01 ( 1) µa Φ e 12 mw TC I 0.5 %/K TC V 2 mv/k TC λ + 0.25 nm/k Semiconductor Group 540
480, 481, 482 Gruppierung der I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Grouping of radiant intensity I e in axial direction at a steradian of Ω = 0.01 sr 480-2, t p = 20 ms I e min 40 I e max 480-3 63 1) Die Messung der und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, daβ bei der messung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.b. Lichtschranken groβer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meβverfahren ergibt sich für den Anwender eine besser verwertbare Gröβe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 7800, der an die Typenbezeichnung angehängt ist. 1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by E 7800 added to the type designation. 481 481-1 10 10 20 481-2 16 I F = 1 A, t p = 100 µs I e typ. 540 630 220 130 220 482, t p = 20 ms I e min 3.15 I e max 482-1 3.15 6.3 482-2 5 10 482-3 8 482-M E 7800 1) 1.6... 3.2 I F = 1 A, t p = 100 µs I e typ. 40 65 80 Semiconductor Group 541
480, 481, 482 Radiation characteristics, 480 I rel = f (ϕ) Radiation characteristics, 481 I rel = f (ϕ) Radiation characteristics, 482 I rel = f (ϕ) Semiconductor Group 542
480, 481, 482 Relative spectral emission I rel = f (λ) I e I e 100 ma = f (I F ) Single pulse, t p = 20 µs Max. permissible forward current I F = f (T A, T C ) Forward current, I F = f (V F ) Single pulse, t p = 20 µs Permissible pulse handling capability I F = f (τ), T C = 25 C, duty cycle D = parameter Semiconductor Group 543