FS75R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
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- Helene Burgstaller
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1 FSR7UE SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications Klimaanlagen irconditioning Motorantriebe MotorDrives Servoumrichter ServoDrives USV-Systeme UPSSystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures ErhöhteSperrspannungsfestigkeitauf65V Increasedblockingvoltagecapabilityto65V Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom CircuitCurrent TrenchIGBT TrenchIGBT Tvjop=5 C Tvjop=5 C MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures lo Substrat mit kleinem thermischen losubstratewithlowthermalresistance Widerstand KompaktesDesign Compactdesign PressFITVerbindungstechnik PressFITContactTechnology RobusteDuplex-RahmenKonstruktion RuggedDuplexframeconstruction ModuleLabelCode BarcodeCode8 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit dateofpublication:--9 ULapproved(E85)
2 FSR7UE IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 65 V TC = 8 C, Tvj = C TC = 5 C, Tvj = C IC nom IC tp = ms ICRM 5 TC = 5 C, Tvj = C Ptot W VGES +/- V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V IC =, VGE = 5 V VCE sat,55,7,,95 V V V IC =, m, VCE = VGE, VGEth 5, 5,8 6,5 V VGE = -5 V V QG, µc RGint, Ω f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cies,6 nf f = MHz,, VCE = 5 V, VGE = V Cres,5 nf VCE = 65 V, VGE = V, ICES, m VCE = V, VGE = V, IGES n IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGon = 5, Ω IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGon = 5, Ω IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGoff = 5, Ω IC =, VCE = V VGE = ±5 V RGoff = 5, Ω IC =, VCE = V, LS = 5 nh VGE = ±5 V, di/dt = / (Tvj=5 C) RGon = 5, Ω IC =, VCE = V, LS = 5 nh VGE = ±5 V, du/dt = 5 V/ (Tvj=5 C) RGoff = 5, Ω VGE 5 V, VCC = 6 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, tp, td on tr td off tf Eon Eoff ISC,6,6,7,,5,6,9,5,5,56,66,67,65,95,5,5,5,5 6 9 proigbt/perigbt RthJC,5,55 K/W proigbt/perigbt λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) RthCH,5 K/W dateofpublication:--9
3 FSR7UE Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 65 V IF tp = ms IFRM 5 VR = V, tp = ms, VR = V, tp = ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, VGE = V IF =, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V IF =, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V IF =, - dif/dt = / (Tvj=5 C) VR = V VGE = -5 V I²t VF IRM Qr Erec 66 6,55,5,5 68, 87, 9,, 5,9 6,8,9,55, ²s ²s,95 V V V prodiode/perdiode RthJC,,85 K/W prodiode/perdiode λpaste=w/(m K)/λgrease=W/(m K) µc µc µc RthCH,6 K/W NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr DeviationofR Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 5 C R5 5, kω TC = C, R = 9 Ω R/R -5 5 % TC = 5 C P5, mw R = R5 exp [B5/5(/T - /(98,5 K))] B5/5 K R = R5 exp [B5/8(/T - /(98,5 K))] B5/8 K R = R5 exp [B5/(/T - /(98,5 K))] B5/ K dateofpublication:--9
4 FSR7UE Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstreck Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL,5 kv Basisisolierung(Schutzklasse,EN6) basicinsulation(class,iec6) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal lo CTI >,7 6, 8,5 5, min. typ. max. mm mm LsCE 5 nh TC=5 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' R'+CC', 6, Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj max C Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper Tvj op - 5 C Tstg - 5 C SchraubeM6-Montagegem.gültigerpplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote mω M 8, - 9, Nm G g DerStromimDauerbetriebistauf5effektivpronschlusspinbegrenzt. Thecurrentundercontinuousoperationislimitedto5rmsperconnectorpin. dateofpublication:--9
5 FSR7UE usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=5 C VGE = 9 V VGE = 7 V VGE = 5 V VGE = V VGE = V VGE = 9 V IC [] IC [] ,,5,,5,,5, VCE [V],,5,,5,,5,,5,,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=5.Ω,RGoff=5.Ω,VCE=V Eon, Eoff, Eon, Eoff, 5 9 IC [] E [] VGE [V] IC [] dateofpublication:--9 5
6 FSR7UE SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=,VCE=V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t) 8 7 Eon, Eoff, Eon, Eoff, ZthJH : IGBT 6 5 E [] ZthJH [K/W], RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]:,8,5,87,5,5,5,76,,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=5.Ω,Tvj=5 C IC, Modul IC, Chip 5 5 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC [] IF [] VCE [V],,,,6,8,,,,6,8, VF [V] dateofpublication:--9 6
7 FSR7UE SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=5.Ω,VCE=V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=V Erec, Erec, Erec, Erec, E [] E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) ZthJH : Diode Rtyp ZthJH [K/W] R[Ω], i: ri[k/w]: τi[s]:,767,5,77,5,5,5,559,,,,, t [s] TC [ C] dateofpublication:--9 7
8 FSR7UE Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines In fin e o n dateofpublication:--9 8
9 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation FSR7UE dateofpublication:--9 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
FS10R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,70 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
FSRVT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS15R06VE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,83 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS100R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,30 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS15R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,04 nf
FS5RVT IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ600R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 39,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nf
FZ6R12KS4 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-seriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ400R12KE3_B1. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nf
FZ4R12KE3_B1 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R06KE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 19,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nf
FFR6KE_B 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT,EmitterControlledDiodeundMLastanschlüssen 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT,EmitterControlleddiodeandMpowerterminals IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF300R06KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FFR6KE 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBTundEmitterControlledDiode 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF300R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF3R12KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFS75R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,22 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF2R2KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFF150R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF1200R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf
FFR7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ2400R17KE3_B9. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 215 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 7,00 nf
FZ2R7KE3_B9 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ3600R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 325 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 10,5 nf
FZ36R7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ800R12KS4_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 52,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,40 nf
FZ8R2KS4_B2 HochleistungsmodulmitlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrF4-150R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,63 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ2400R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 170 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 8,00 nf
FZ24R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF100R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,26 nf
FFRYT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrF4-100R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,42 nf
F-RKS IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS25R12KT3. EconoPACK 2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPACK 2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode
EconoPCK 2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS450R12KE4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,55 nf
FS45R12KE4 EconoPCK +B-SerieModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode EconoPCK +B-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFS35R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBTundHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS50R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS150R06KE3. EconoPACK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
FSR6KE EconoPCK mitschnellemtrench/feldstopigbt³undemittercontrolleddiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbt³andemittercontrolleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS450R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FS45R12KE3 -EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPCK +withtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R17ME3. EconoDUAL 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoDUAL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R12KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
FF45R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS150R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
FS5RKT3 EconoPCK 3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS450R17KE3. EconoPACK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode
FS45R17KE3 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS200R06KE3. EconoPACK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoPCK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS50R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS20R06VE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS150R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
FS5RKT3 EconoPCK 3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF450R12ME3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FF45R12ME3 EconoDUL ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUL modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FD3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD1200R17KE3-K_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf
FDR7KE3-K_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
MehrFS35R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS25R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS20R06W1E3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrFF300R12ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF3R2ME4_B EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC / VCES = 2V IC nom = 3 /
MehrVorläufige Daten / Preliminary Data Typische Anwendungen Typical Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features
/ VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Motorantriebe MotorDrives Servoumrichter ServoDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigesVCEsat LowVCEsat TrenchIGBT4
MehrFS35R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 2V IC nom = 35 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF450R12ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R12ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC / VCES = 12V IC nom
MehrFS75R12W2T4_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFZ1200R17KF6C_B2. IC = 1200 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 79,0 nf
FZ2R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFS35R12W1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFZ800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FZ8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FF8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF225R17ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC / VCES = 7V IC nom = 225 / ICRM = 4 Typischenwendungen
MehrFS20R06W1E3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF225R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 2V IC nom = 225 / ICRM = 45 Typischenwendungen
MehrFS25R12W1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF225R12ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC / VCES = 12V IC nom = 225 / ICRM =
MehrFS150R07N3E4_B11. VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EconoPCK modulewithtrench/fieldstopigbtandemittercontrolleddiodeandpressfit/ntc / VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF1200R12KE3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules. VorläufigeDaten/PreliminaryData
FF2R2KE3 / VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = 24 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen HighFrequencySwitchingpplication Hochleistungsumrichter
MehrFS50R07N2E4_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK 2ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EconoPCK 2modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF300R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF3R2ME4 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 2V IC nom = 3 / ICRM = 6 Typischenwendungen
MehrFS75R12W2T4. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrF4-50R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL modulewiththefastigbtforhigh-frequencyswitchingandntc VCES = V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrFS50R12W2T4_B11. VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 12V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS50R12W2T4. VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS30R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS50R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFZ1600R17KF6C_B2. IC = 1600 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nf
FZ6R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF400R07KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode 6mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlledDiode VCES = 65V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter
MehrF12-35R12KT4G. EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrDDB6U75N16W1R. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip
MehrF4-75R12KS4_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPCK 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandPressFIT/NTC / VCES = 2V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-50R12KS4_B11. VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPCK modulewiththefastigbtforhigh-frequencyswitchingandpressfit/ntc / VCES = V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-75R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC VCES = 2V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrF4-75R12KS4_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPCK 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandPressFIT/NTC / VCES = 2V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFZ2400R12HP4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 2V IC nom = 24 / ICRM = 48 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Motorantriebe
MehrFZ2400R12HP4_B9. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / VCES = 2V IC nom = 24 / ICRM = 48 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter HighPowerConverters Motorantriebe
MehrFF300R07KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiode
FFR7KE 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode 6mmC-Seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlledDiode / VCES = 6V IC nom = / ICRM = 6 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 600V IC nom = / ICRM = 0 Typischenwendungen Typicalpplications
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