Unipolare Transistoren

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Chantal Braun
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1 Uiolare Trasistore JFET errschichtfeldeffekttrasistore (JFET) J Juctio errschicht FET FeldEffektTrasistor MOFET MetalloxidFeldeffekttrasistore (IFET) MO MetallOxideemicoductor I Isulated ate Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 1 Uiolare Trasistore Bei Uiolare Trasistore werde die Übergäge ur i eier Polarität geutzt. JFET Kaal JFET Kaal JFET Uiolare Trasistore MOFET Areicherugsty Verarmugsty Kaal Kaal Kaal Kaal Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 2 1

Iformatik FU Berli 1 Uiolare Trasistore Bei Uiolare Trasistore werde die Übergäge ur i eier Polarität geutzt.

2 JFET Trasistor KaalJFET KaalJFET N raiabfluß ourcequelle atetor N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 3 JFET errschichte 12V 12V 9V 6V 3V 0V E F E N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 4 2

FU Berli 3 JFET errschichte 12V 12V 9V 6V 3V 0V E F E N

3 JFET errschichte I < I < I 12V 12V 12V N N N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 5 JFET Aschlußbelegug KaalJFET KaalJFET U B U B U U U U U U 0 V 0 V Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 6 3

JFET Aschlußbelegug KaalJFET KaalJFET U B U B U U U U U U

4 JFET Keliie I Abschürgreze urchbruch U 0V 1V 2V 3V 4V U U I = U r U = I Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 7 JFET Keliie Verstärker I U = 2V für de AP U 0V 1V 2V 3V 4V U U û V uˆ û u = uˆ Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 8 4

JFET Keliie Verstärker I U = 2V für de AP U 0V 1V 2V 3V 4V U U û V

5 JFET Verstärker U B R L U E R r r U A 0 V U Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 9 JFET Parameter teilheit I = U ma = 3 10 V ifferetieller Ausgagswiderstad U r = I ifferetieller Eigagswiderstad r Ω r = kΩ trom über die errschichte I err 520A Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 10 5

Ausgagswiderstad U r = I ifferetieller Eigagswiderstad r 10 10 10 14 Ω r = 80 200kΩ

6 JFET Parameter augsverstärkug Eigagswiderstad Ausgagswiderstad Verlustleistug RL r Vu = R r L L RL r re = R r L RL r ra = R r P tot = U I Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 11 JFET rezwerte U 30V max U 8V max I max 20mA P tot 200mW T 135 C Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 12 6

W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 11 JFET rezwerte U 30V max U 8V max I

7 MOFET Trasistore MOFET Trasistore MOFET Trasistore Areicherugsty (selbstserred) MOFET Trasistore Verarmugsty (selbstleited) Kaal Kaal Kaal Kaal Kaal Kaal MO MO Kaal ud Kaal gemeisam geutzt CMO ComlemetaryMO Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 13 MOFET Areicherugsty (selbstserred) KaalJFET KaalJFET Fehle eies Kaals deshalb selbstserred Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 14 7

ComlemetaryMO Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 13 MOFET Areicherugsty

8 MOFET Verarmugsty (selbstleited) KaalJFET KaalJFET Ausführug eies Kaals deshalb selbstleited Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 15 MOFET errschichte Kaal Verarmugsty (selbstleited) F E Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 16 8

Iformatik FU Berli 15 MOFET errschichte Kaal Verarmugsty

9 MOFET errschichte Kaal Areicherugsty (selbstserred) Elektroe als Mioritätsträger Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 17 MOFET Aschlußbelegug KaalMOFET KaalMOFET U U I U I U U U U U I U I U U U Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 18 9

Berli 17 MOFET Aschlußbelegug KaalMOFET KaalMOFET U U I U I U U U U U

10 MOFET Keliie Areicherugsty Kaal U I 6V U I 5V 4V 3V 2V U U Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 19 MOFET Keliie Verarmugsty Kaal I U I 3V 2V 1V U 0V 1V 2V 3V 4V U U U Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 20 10

MOFET Keliie Verarmugsty Kaal I U I 3V 2V 1V U 0V 1V 2V 3V 4V U

11 MOFET Parameter teilheit I = U ma = 5 12 V Ausgagswiderstad U r = I Eigagswiderstad r Ω r = 10 50kΩ C 2 5 F ateleckstrom I 0,110A Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 21 MOFET Parameter augsverstärkug Verlustleistug RL r Vu = R r P tot = U L I urchlaßwiderstad ON urchlaßwiderstad OFF R _ ON R 200Ω 10 _ OFF 10 Ω Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 22 11

MOFET Parameter augsverstärkug Verlustleistug RL r Vu = R r P tot = U L I urchlaßwiderstad ON

12 MOFET rezwerte U max 35V U max ± 10V I max 50mA P tot 150mW T 135 C Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 23 MOFET Verstärker U B R 1 R L U E R r r U A 0 V Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 24 12

Berli 23 MOFET Verstärker U B R 1 R L U E R r r U A 0 V

13 MOFET chalter U B U B U R U T U E U A U B U E U A U B N N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 25 MOFET Iverter U B U B U B x V? x V 0 V 0 V 0 V U B N N N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 26 13

14 MOFET Tristate C INV 5V Trasistor leitet X Y C X Y x x 1 0 N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 27 MOFET Trasmissiosgatter 1leitet 0geserrt A I INV 5V B I 0V U AB U AB Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 28 14

Berli 27 MOFET Trasmissiosgatter 1leitet 0geserrt A I INV 5V B I 0V

15 Trasistorschalter Trasistor ud MOFET U B U B I C 520mA I 1A I I 25mA U A H L U A I B 1060µA I E 520mA I B I C I 0 I 1A N N Liers PEVorlesug W2000/2001 Istitut für Iformatik FU Berli 29 15

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