Elektrische Eigenschften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DRM, V RRM 3200 3400 V repetitive peak forward off-state and reverse voltages 3600 3800 V Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = - 40 C...T vj max V DSM 3200 3400 V non-repetitive peak foward off-state voltage 3600 3800 V Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung T vj = + 25 C...T vj max V RSM 3300 3500 V non-repetitive peak reverse voltage 3700 3900 V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert I TRSMSM 750 A RMS on-state current Dauergrenzstrom T C = 85 C I TAVM 380 A average on-state current T C = 68 C 480 A Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25 C, t p = 10 ms I TSM 7200 A surge current T vj = T vj max, t p = 10 ms 6500 A Grenzlastintegral T vj = 25 C, t p = 10 ms I²t 259500 A²s I²t-value T vj = T vj max, t p = 10 ms 211250 A²s Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di T /dt) cr 100 A/µs critical rate of rise of on-state current f=50 Hz, v L = 10 V, i GM = 1 A di G /dt = 1 A/µs Kritische Spannungssteilheit T vj = T vj max, v D = 0,67 V DRM (dv D /dt) cr 1000 V/µs critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung T vj = T vj max, i T = 1200 A v T max. 2,8 V on-state voltage Schleusenspannung T vj = T vj max V T(TO) 1,2 V threshold voltage Ersatzwiderstand T vj = T vj max r T 1,2 mœ slope resistance Zündstrom T vj = 25 C, v D = 6 V I GT max. 250 ma gate trigger current Zündspannung T vj = 25 C, v D = 6 V V GT max. 1,5 V gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom T vj = T vj max, v D = 6 V I GD max. 10 ma gate non-trigger current T vj = T vj max,v D = 0,5 V DRM max. 5 ma Nicht zündende Steuerspannung T vj = T vj max,v D = 0,5 V DRM V GD max. 0,25 mv gate non-trigger voltage Haltestrom T vj = 25 C, v D = 6V, R A = 5 W I H max. 300 ma holding current Einraststrom T vj = 25 C, v D = 6V, R GK >=10 W I L max. 1500 ma latching current i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs, t g = 20 µs Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom T vj = T vj max i D, i R max. 100 ma forward off-state and reverse currents v D = V DRM, v R = V RRM Zündverzug DIN IEC 747-6 t gd max. 4,5 µs gate controlled delay time T vj = 25 C i GM = 1 A, di G /dt = 1 A/µs SZ-MA / 21. Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Seite/page 1
Elektrische Eigenschften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit T vj = T vj max, i TM =I TAVM t q circuit commutatet turn-off time v RM =100V, v DM = 0,67 V DRM dv D /dt = 20 V/µs, -di T /dt = 10 Aµs 4. Kennbuchstabe / 4th letter O typ. 350 µs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thjc thermal resitance, junction to case beidseitig / two-sided, Ž=180 sin max. 0,0450 C/W beidseitig / two-sided, DC max. 0,0410 C/W Anode / anode, Ž=180 sin max. 0,0690 C/W Anode / anode, DC max. 0,0650 C/W Kathode / cathode, Ž=180 sin max. 0,1140 C/W Kathode / cathode, DC max. 0,1100 C/W Übergangs- Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface R thck thermal resitance, case to heatsink beidseitig / two-sided max. 0,0050 C/W einseitig / single-sided max. 0,0100 C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur T vj max 125 C max. junction temperature Betriebstemperatur T c op -40...125 C operating temperature Lagertemperatur T stg -40...150 C storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Seite 3 case, see appendix page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft F 7,5...17,5 kn clamping force Gewicht G typ. 250 g weight Kriechstrecke 30 mm creepage distance Feuchteklasse DIN 40040 C humidity classification Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s² vibration resistance Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-MA / 21. Mai 1997, K.-A.Rüther A 108 / 97 Seite/page 2
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Kühlung cooling Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical ementes of transient thermal impedancez thjc for DC Pos.n 1 2 3 4 5 6 7 beidseitig R thn [ C/W] 0,00043 0,00557 0,019 0,016 two-sided τ n [s] 0,00027 0,00221 0,085 0,36 anodenseitig R thn [ C/W] 0,00034 0,00541 0,00486 0,0234 0,036 anode-sided τ n [s] 0,00024 0,0021 0,0376 0,158 2,47 kathodenseitig R thn [ C/W] 0,00026 0,00524 0,0132 0,0346 0,0468 cathode-sided τ n [s] 0,00019 0,00192 0,0562 0,65 2,91 n max Analytische Funktion / analytical function : Z thjc = R thn ( 1 - EXP ( - t / τ n )) n=1 SZ-MA / 21 Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Seite/page 4
2500 2000 1500 i T [A] 1000 500 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 4,5 v T [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic it=f(vt) Tvj = Tvj max SZ-MA / 21 Mai 1997, K.-A.Rüther A108/97 Z. Nr.: 2 Seite/page 5
1400 1300 180 1200 120 1100 90 1000 60 900 Θ = 30 800 P TAV [W] 700 600 500 400 300 200 100 0 0 100 200 300 400 500 600 I TAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P TAV =f(i TAV ) Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ SZ-MA / 02.07. 1997, K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 3 Seite/page 6
140 120 100 T C [ C] 80 60 Θ = 30 60 90 120 180 40 20 0 100 200 300 400 500 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C =f(i TAVM ) Beidseitige Kühlung / two sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen). Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately). SZ-MA / 02.07.1997 K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 4 Seite/page 7
1800 1600 DC 1400 180 120 1200 90 60 P TAV [W] 1000 800 Θ = 30 600 400 200 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 I TAV [A] Durchlaßverlustleistung / On-state power loss P TAV =f(i TAV ) Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ SZ-MA / 02.07. Juni 97, K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 5 Seite/page 8
140 120 100 T C [ C] 80 60 120 180 DC Θ = 30 60 90 40 20 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 I TAVM [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C =f(i TAVM ) Beidseitige Kühlung / two sided cooling Parameter: Stromflußwinkel Θ / current conduction angle Θ Berechnungsgrundlage P TAV ( Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses shold be considered separately) SZ-MA / 02.07.97 K.-A.Rüther A108/97 Z.Nr.: 6 Seite/page 9
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