FSRKE_B IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage TÝÎ = 5 C V Š» V T = 8 C T = 5 C I ÒÓÑ I t«= ms, T = 8 C I ç 5 A T = 5 C PÚÓÚ 55 W A A V Š» +/- V Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Interner Gatewiderstand internal gate resistor Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn-off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC data Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = 5 V, TÝÎ = 5 C V Š ÙÈÚ,7,,5 V V I =, ma, V Š = V Š, TÝÎ = 5 C V ŠÚÌ 5, 5,8,5 V V Š = -5 V... +5 V Q,7 µc TÝÎ = 5 C R ÍÒÚ Â f = MHz, TÝÎ = 5 C, V Š = 5 V, V Š = V CÍþÙ 5, nf f = MHz, TÝÎ = 5 C, V Š = 5 V, V Š = V CØþÙ, nf V Š = V, V Š = V, TÝÎ = 5 C I Š» 5, ma V Š = V, V Š = V, TÝÎ = 5 C I Š» na I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V, L» = 5 nh V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, TÝÎ = 5 C I = A, V Š = V, L» = 5 nh V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C t«ù, V Š ù 5 V TÝÎù5 C, V = 9 V, V ŠÑÈà = V Š» -LÙ Š di/dt pro IGBT per IGBT tá ÓÒ,,9 tø,,5 tá ÓËË,,5 të,7,9 EÓÒ,7, EÓËË,, I» A RÚÌœ,5 K/W date of publication: -7- revision:.
FSRKE_B Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Grenzlastintegral I²t - value TÝÎ = 5 C Vçç V IŒ A t«= ms IŒç 5 A Vç = V, t«= ms, TÝÎ = 5 C I²t A²s Charakteristische Werte / characteristic values min. typ. max. Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, - diœ/dt = A/ Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, -diœ/dt = A/ Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C IŒ = A, -diœ/dt = A/ Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C Vç = V, V Š = -5 V, TÝÎ = 5 C pro Diode per diode VŒ,5,5 Iç 9, QØ 7,, EØþÊ,,,5 V V A A µc µc RÚÌœ,58 K/W Strommesswiderstand / shunt min. typ. max. Nennwiderstand rated resistance Temperaturkoeffizient temperature coefficient (tcr) Belastbarkeit pro Shunt-Widerstand load capacity per shunt-resistor Betriebstemperatur Shunt-Widerstand operation temperatur shunt-resistor Innerer Wärmewiderstand; DC thermal resistance; junktion to case TÊ = C Rèå, mâ C- C < ÔÔÑõŸ TÊ = 8 C P W TÚÝÎÓÔ C RÚÌœ,9 K/W date of publication: -7- revision:.
Modul / module Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Material Modulgrundplatte material of module baseplate Material für innere Isolation material for internal insulation Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance Vergleichszahl der Kriechwegbildung comparative tracking index Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Temperatur im Schaltbetrieb temperature under switching conditions Lagertemperatur storage temperature Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight FSRKE_B RMS, f = 5 Hz, t = min. Vš»,5 kv Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal pro Modul / per module ð«èùúþ = W/(m K) / ðãøþèùþ = W/(m K) Cu Alèé, 7,5 CTI > 5 min. typ. max. mm mm RÚÌ,9 K/W LÙ Š 5 nh T = 5 C, pro Schalter / per switch R óôššó,8 mâ TÝÎ ÑÈà 5 C TÝÎ ÓÔ - 5 C TÙÚÃ - 5 C Schraube / screw M5 M, -, Nm G g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. date of publication: -7- revision:.
FSRKE_B Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = 5 V Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch) output characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) TÝÎ = 5 C 5 5 5 5 TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 5 5 V Š = 9V V Š = 7V V Š = 5V V Š = V V Š = V V Š = 9V 9 9 5 5 5 5,,5,,5,,5,,5 V Š [V],,5,,5,,5,,5,,5 5, V Š [V] Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch) transfer characteristic IGBT-inverter (typical) I = f (V Š) V Š = V 5 Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-inverter (typical) EÓÒ = f (I ), EÓËË = f (I ) V Š = ±5 V, R ÓÒ =,7 Â, R ÓËË =,7 Â, V Š = V, TÝÎ = 5 C 5 TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 8 EÓÒ EÓËË 5 9 E [] 8 5 5 5 7 8 9 V Š [V] 5 5 5 5 date of publication: -7- revision:.
FSRKE_B Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch) switching losses IGBT-Inverter (typical) EÓÒ = f (R ), EÓËË = f (R ) V Š = ±5 V, I = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr. transient thermal impedance IGBT-inverter ZÚÌœ = f (t) 8 EÓÒ EÓËË ZÚÌœ : IGBT E [] 8 ZÚÌœ [K/W], 5 5 5 5 5 R [Â] Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA) reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA) I = f (V Š) V Š = ±5 V, R ÓËË =,7 Â, TÝÎ = 5 C i: rí[k/w]: τí[s]:,,9,,,79,,98,99,,,, t [s] Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch) forward characteristic of diode-inverter (typical) IŒ = f (VŒ) 5 5 5 5 5 TÝÎ = 5 C TÝÎ = 5 C 9 IŒ [A] 5 5 5 I, Modul I, Chip 5 8 V Š [V],,,,,8,,,,,8,,, VŒ [V] date of publication: -7- revision:. 5
FSRKE_B Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (IŒ) R ÓÒ =,7 Â, V Š = V, TÝÎ = 5 C Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch) switching losses diode-inverter (typical) EØþÊ = f (R ) IŒ = A, V Š = V, TÝÎ = 5 C 8 9 EØþÊ 7 EØþÊ 8 7 5 E [] 5 E [] 5 5 5 5 IŒ [A] 5 5 5 5 5 R [Â] Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr. transient thermal impedance diode-inverter ZÚÌœ = f (t) ZÚÌœ : Diode ZÚÌœ [K/W], i: rí[k/w]: τí[s]:,97,9,9,,9,,5,99,,,, t [s] date of publication: -7- revision:.
Schaltplan / circuit diagram FSRKE_B Gehäuseabmessungen / package outlines date of publication: -7- revision:. 7
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