FF800R17KP4_B2. 4 kv AC 1min Isolationsfestigkeit 4 kv AC 1min Insulation AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

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1 IHM-ModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4 IHM-modulewithsoft-switchingTrench-IGBT4 / V Š» = 7V I ÒÓÑ = 8 / I ç = 6 Typischenwendungen Typicalpplications Hochleistungsumrichter High Power Converters Mittelspannungsantriebe Medium Voltage Converters Motorantriebe Motor Drives Traktionsumrichter Traction Drives Windgeneratoren Wind Turbines ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures Niedriges V ŠÙÈÚ Low V ŠÙÈÚ Verstärkte Diode für Rückspeisebetrieb Enlarged Diode for regenerative operation MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures 4 kv C min Isolationsfestigkeit 4 kv C min Insulation lsic Bodenplatte für erhöhte thermische lsic Base Plate for increased Thermal Cycling Lastwechselfestigkeit Capability Hohe Last- und thermische Wechselfestigkeit High Power and Thermal Cycling Capability Hohe Leistungsdichte High Power Density Standardgehäuse Standard Housing ModuleLabelCode BarcodeCode28 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit materialno:37842

2 IGBT-Wechselrichter/IGBT-inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 7 V TC = 8 C, Tvj = 5 C TC = 25 C, Tvj = 5 C IC nom IC 8 tp = ms ICRM 6 TC = 25 C, Tvj = 5 C Ptot 4,85 kw VGES +/-2 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 8, VGE = 5 V IC = 8, VGE = 5 V VCE sat,9 2,3 2,2 V V IC = 32, m, VCE = VGE, VGEth 5,2 5,8 6,4 V VGE = -5 V V QG 8,3 µc RGint,9 Ω f = MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cies 65, nf f = MHz,, VCE = 25 V, VGE = V Cres 2, nf VCE = 7 V, VGE = V, ICES 5, m VCE = V, VGE = 2 V, IGES 4 n IC = 8, VCE = 9 V VGE = ±5 V RGon =,8 Ω td on,59,63 nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload IC = 8, VCE = 9 V VGE = ±5 V RGon =,8 Ω tr,4,6 bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 8, VCE = 9 V VGE = ±5 V RGoff =,8 Ω td off,,5 Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 8, VCE = 9 V VGE = ±5 V RGoff =,8 Ω tf,32,5 EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 8, VCE = 9 V, LS = 5 nh VGE = ±5 V, di/dt = 57 / (Tvj=25 C) RGon =,8 Ω Eon bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse IC = 8, VCE = 9 V, LS = 5 nh VGE = ±5 V, du/dt = 33 V/ (Tvj=25 C) RGoff =,8 Ω Eoff Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink VGE 5 V, VCC = V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp, ISC 34 pro IGBT / per IGBT RthJC 25,5 K/kW pro IGBT / per IGBT λpaste = W/(m K) / λgrease = W/(m K) RthCH 23, K/kW 2

3 Diode-Wechselrichter/Diode-inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 7 V IF 8 tp = ms IFRM 6 VR = V, tp = ms, I²t 24 k²s CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 8, VGE = V IF = 8, VGE = V IF = 8, - dif/dt = 57 / (Tvj=25 C) VR = 9 V VGE = -5 V VF IRM,55,6 5 2, V V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 8, - dif/dt = 57 / (Tvj=25 C) VR = 9 V VGE = -5 V Qr 24 4 µc µc bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy IF = 8, - dif/dt = 57 / (Tvj=25 C) VR = 9 V VGE = -5 V Erec 6 28 Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase pro Diode / per diode RthJC 37, K/kW Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink pro Diode / per diode λpaste = W/(m K) / λgrease = W/(m K) RthCH 3, K/kW 3

4 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Maximumjunctiontemperature TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Lagertemperatur Storagetemperature nzugsdrehmomentf.modulmontage Mountingtorqueformodulmounting nzugsdrehmomentf.elektr.nschlüsse Terminalconnectiontorque Gewicht Weight RMS, f = 5 Hz, t = min. VISOL 4, kv lsic Basisisolierung (Schutzklasse, EN64) basic insulation (class, IEC 64) Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink Kontakt - Kontakt / terminal to terminal ln 5, 5,,, CTI > 25 min. typ. max. mm mm LsCE 2 nh TC = 25 C, pro Schalter / per switch RCC'+EE',33 mω Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper Tvj max 5 C Tvj op C Tstg C Schraube M6 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M6 - mounting according to valid application note Schraube M4 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M4 - mounting according to valid application note Schraube M8 - Montage gem. gültiger pplikation Note screw M8 - mounting according to valid application note M 4,25-5,75 Nm G 5 g M,8 8, - - 2, Nm Nm 4

5 usgangskennlinieigbt-wechselr.(typisch) outputcharacteristicigbt-inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=5V usgangskennlinienfeldigbt-wechselr.(typisch) outputcharacteristicigbt-inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=25 C VGE = 2 V VGE = 5 V VGE = 2 V VGE = V VGE = 9 V VGE = 8 V IC [] 8 IC [] ,,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, VCE [V],,5,,5 2, 2,5 3, 3,5 4, 4,5 5, VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT-Wechselr.(typisch) transfercharacteristicigbt-inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=2V SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch) switchinglossesigbt-inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±5V,RGon=.8Ω,RGoff=.8Ω,VCE=9V IC [] VGE [V] E [] Eon, Eoff, IC [] 5

6 SchaltverlusteIGBT-Wechselr.(typisch) switchinglossesigbt-inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±5V,IC=8,VCE=9V TransienterWärmewiderstandIGBT-Wechselr. transientthermalimpedanceigbt-inverter ZthJC=f(t) 9 Eon, Eoff, ZthJC : IGBT 8 7 E [] ZthJC [K/kW] RG [Ω] i: rí[k/kw]: Í[s]: 4,29,2 2 5,8,45 3 4,624,539 4,783 6,94,,,, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT-Wr.(RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt-inv.(rbso) IC=f(VCE) VGE=±5V,RGoff=.8Ω,Tvj=25 C DurchlasskennliniederDiode-Wechselr.(typisch) forwardcharacteristicofdiode-inverter(typical) IF=f(VF) 8 IC, Modul IC, Chip IC [] IF [] VCE [V],,2,4,6,8,,2,4,6,8 2, 2,2 2,4 VF [V] 6

7 SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch) switchinglossesdiode-inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=.8Ω,VCE=9V SchaltverlusteDiode-Wechselr.(typisch) switchinglossesdiode-inverter(typical) Erec=f(RG) IF=8,VCE=9V 4 Erec, 35 Erec, E [] E [] IF [] RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode-Wechselr. transientthermalimpedancediode-inverter ZthJC=f(t) ZthJC : Diode ZthJC [K/kW] i: rí[k/kw]: Í[s]: 6,699,2 2 22,2,5 3 6,296,427 4,796 7,4,,, t [s] 7

8 Schaltplan/circuitdiagram Gehäuseabmessungen/packageoutlines 8

9 9 TechnischeInformation/technicalinformation Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.Die BeurteilungderEignungdiesesProduktesfürIhrenwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestellten ProduktdatenfürdiesenwendungobliegtIhnenbzw.Ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistung übernehmen.einesolchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenen Bestimmungen.GarantienjeglicherrtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.Diengaben indengültigennwendungs-undmontagehinweisendesmodulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenund insbesondereeinespezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsie zuständigenvertriebsbüroinverbindung(siehewww.infineon.com,vertrieb&kontakt).fürinteressentenhaltenwirpplication Notesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragen zudenindiesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigen VertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoder lebenserhaltendennwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnical departmentswillhavetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproduct datawithrespecttosuchapplication. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyis grantedexclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindforthe productanditscharacteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecific applicationofourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com,sales&contact). Forthosethatarespecificallyinterestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionplease contactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,please notify.pleasenote,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey, andthatwemaymakedeliverydependedontherealization ofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.