3 Der Bipolartransistor
|
|
- Benedikt Winkler
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 3 Der Bipolartransistor 3.1 Einführung Aufbau Ein Bipolartransistor (engl.: Bipolar Junction Transistor, BJT) besteht aus zwei gegeneinander geschalteten pn-übergängen (Dioden) mit einer gemeinsamen, sehr kleinen (p oder n) Zone in der Mitte, der sogenannten Basis (B). Die beiden anderen Zonen heißen Kollektor (C) und Emitter (E), siehe Abb Im regulären Betrieb (Durchlassbetrieb) wird die BE-Diode in Durchlass-, die BC-Diode in Sperrrichtung betrieben. npn pnp Abbildung 3.1: Prinzipdarstellungen eines npn und pnp-bipolartransistors (Elektronenstromrichtung). Anm.: Die Diodendarstellung dient nur als Gedankenmodell. Ein Transistor kann nicht diskret aus zwei Dioden aufgebaut werden. Verstärkungseffekt (anhand npn-bjt) Bei leitender BE-Diode wird die Basis mit Elektronen überschwemmt, die in die Raumladungszone (RLZ) der gesperrten BC-Diode gelangen. Durch das durch U CE hervorgerufene Feld wird der Hauptanteil dieser Elektronen Richtung Kollektor abgesaugt. Beachten Sie: Der Effekt tritt nur bei in Flussrichtung vorgespannter BE-Diode sowie in Sperrrichtung betriebener BC-Diode auf. I C wird hauptsächlich von U BE und nicht von U CE bestimmt! U CE muss nur die minimale Spannung U CE, min überschreiten ab der die Ladungsträger abtransportiert werden. Der Strom der in Durchlassrichtung betriebenen BE-Diode wird praktisch fast komplett in den Kollektor transferiert. (Nur ein kleiner Teil gelangt in die Basis.) Für den pnp-transistor gelten entsprechend umgekehrte Verhältnisse. 21
2 3 Der Bipolartransistor 3.1. Einführung 22 Schaltsymbole Abbildung 3.2: Schaltsymbole eines npn und pnp-bipolartransistors mit eingezeichneten Strömen und Spannung (technische Stromrichtung) Bipolartransistorgleichungen (Vergleiche: Analogie zur Diodenkennlinie Glg. 2.1) Kennlinien I E = I B + I C (3.1) I C = BI B (3.2) I C = I s (e U BE U T 1) (3.3) Es gibt zwei Möglichkeiten den Zusammenhang zwischen den Eingangsgrößen U BE oder I B mit den Ausgangsgrößen U CE und I C vollständig mit Transistorkennlinien zu beschreiben. 1. Möglichkeit: Zwei Kennlinien Transferkennlinie I C = f(u BE ) Ausgangskennlinienfeld I C = f(u CE ) mit U BE als Parameter 2. Möglichkeit: Drei Kennlinien ( können in 4-Quadrantenkennlinienfeld zusammengefasst werden) Eingangskennlinie I B = f(u BE ) Stromsteuerkennlinie I C = I B Ausgangskennlinienfeld I C = f(u CE ) mit I B als Parameter Beachten Sie: Die Eingangskennlinie entspricht nicht der Diodenkennlinie der BE-Diode. In Transfer- und Ausgangskennlinie steckt die gleiche Information: Verknüpfung der Parameter U BE, U CE und I C. Es wird nur eine andere Größe als Parameter verwendet.
3 3 Der Bipolartransistor 3.1. Einführung 23 Messschaltung zur Bestimmung von npn-transistorkennlinien Je nach gewünschter Kennlinie werden die Spannungsquellen variiert oder auf einen bestimmten Wert eingestellt. Transferkennlinie Ausgangskennlinienfeld Eingangskennlinie Stromsteuerkennlinie Ausgangskennlinienfeld Quadrantenkennlinienfeld Anmerkung: I C ist in der Realität geringfügig von U CE abhängig. Man beobachtet, dass sich die extrapolierten Kennlinien näherungsweise in einem Punkt schneiden. (Early-Effekt) Early-Spannung
4 3 Der Bipolartransistor 3.1. Einführung 24 Kleinsignalersatzschaltbild Linearisierung der Transistorgleichungen im Arbeitspunkt Eingangskennlinie Transferkennlinie Ausgangskennlinie Die Kleinsignalspannungen und -ströme werden im Folgenden klein geschrieben U BE = u BE I B = i B U CE = u CE I C = i C und werden durch folgende Zusammenhänge im KSESB Abb. 3.3 miteinander verknüpft: u BE = r BE i B i c Su BE i C = g EA u CE i C = i C + i C i E = i B + i C (3.4) Abbildung 3.3: Kleinsignalersatzschaltbild eines Bipolartransistors
5 3 Der Bipolartransistor 3.1. Einführung 25 Arbeitspunkteinstellung Der Arbeitspunkt legt die Großsignalgrößen I B, 0, U BE, 0, I C, 0 und U CE, 0 sowie die Kleinsignalgrößen r BE, S und g EA fest. bestimmt maximal möglichen Aussteuerbereich soll für große Aussteueramplituden in die Mitte des Aussteuerbereiches (U CE, min...u 0 ) gelegt werden Hier: Ansich guter AP, da großer Aussteuerbereich. Durch eine größere Eingangsspannung u BE würden sowohl die Verzerrungen in der zweiten Halbwelle zunehmen als auch Verzerrungen bzw. sogar Signalbegrenzung in beiden Halbwellen auftreten können. R C kleiner steilere Arbeitsgerade u CE gegenüber u BE um 180 phasenverschoben und aufgrund Nichtlinearität der Eingangskennlinie i.a. verzerrt R C größer flachere Arbeitsgerade Signalbegrenzung Signalverzerrung Sättigungslinie schlechte Ausnutzung des Aussteuerbereichs Verzerrung und Begrenzung in erster Halbwelle
6 3 Der Bipolartransistor 3.1. Einführung 26 Aufgabe 12 Bipolartransistor Beantworten Sie folgende Fragen a) Skizzieren Sie den Aufbau eines npn- sowie pnp-bipolartransistors. b) Erläutern Sie anhand der Skizzen dessen Funktionsweise. Warum kommt es zur Stromverstärkung? c) Skizzieren Sie: Eingangskennlinie, Transferkennlinie, Stromsteuerkennlinie und Ausgangskennlinienfeld. Geben Sie gegebenenfalls Gleichungen an, die diese Verläufe beschreiben. Unter welchen Bedingungen werden diese Kennlinien aufgezeichnet? d) Zeichnen Sie das 4-Quadrantenkennlinienfeld eines Transistors. Beschreiben Sie die Methode mit der Sie das Kennlinienfeld aufnehmen würden. e) Geben Sie das Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Transistors an, und bestimmen Sie die darin vorkommenden Symbole. f) Was versteht man unter einer Arbeitspunkteinstellung eines Transistors und warum ist diese überhaupt nötig? g) Skizzieren Sie ein 4-Quadrantenkennlinienfeld und zeichnen Sie den Arbeitspunkt für die unten dargestellte Schaltung in jede der drei Kennlinien ein. Überlagern Sie nun dem Arbeitspunkt ein Kleinsignal und bestimmen Sie U CE grafisch. Was passiert wenn Sie u BE und/oder R C vergrößern oder verkleinern?
7 3 Der Bipolartransistor 3.1. Einführung 27
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2018/19 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
Mehr3.2 Arbeitspunkteinstellung
3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 28 3.2 Arbeitspunkteinstellung Wiederholung: Der Arbeitspunkt legt die Großsignalgrößen,,,,, und U CE, sowie die Kleinsignalgrößen r BE, S und g EA
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrTNF. Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13. Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel
TNF Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13 Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet: www.ime.jku.at
MehrÜbung Halbleiterschaltungstechnik
Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2016/17 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder
MehrE l e k t r o n i k III
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k III Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2003/04 Elektronik III
MehrHalbleiter und Nanostrukturen - Fragen zum Bipolartransistor, Praktikum, Prof. Förster
Halbleiter und Nanostrukturen - Fragen zum Bipolartransistor, Praktikum, Prof. Förster Christoph Hansen chris@university-material.de Dieser Text ist unter dieser Creative Commons Lizenz veröffentlicht.
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
MehrA1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.
Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage
MehrTRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA
TRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung... 1 2. Messverfahren... 1 3. Bemerkung zur Fehlerrechnung... 1 4. Stromverstärkungsfaktor... 2 5. Eingangskennlinie...
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
MehrKennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1
Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5
MehrINSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11
NSTTUT FÜR ANGEWANDTE PHYSK Physikalisches Praktikum für Studierende der ngenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11 Transistorverstärker 1 Ziel Der Transistor ist ein viel verwendetes
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
MehrDiplomvorprüfung SS 2009 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Diplomvorprüfung SS 2009 Fach: Elektronik,
MehrUniversität POsnabrück Dr. Wolfgang Bodenberger Vorlesung Elektronik 1 Fachbereich Physik. Bi - Polar - Transistoren
Universität POsnabrück Dr. Wolfgang Bodenberger Vorlesung Elektronik 1 Fachbereich Physik Bi Polar Transistoren 3.Aktive Bauelemente Das Zeitalter der Halbleiterelektronik begann 1948 mit der Fertigstellung
Mehr1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
MehrE l e k t r o n i k I
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Bipolare Transistoren
MehrMatr. Nr.: Kennzahl: b) Bestimmen Sie den Strom durch beide Dioden durch grafische Netzwerkanalyse. (15 Punkte)
1. PROBETEST ZU HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK, WS 2017/18 DATUM Punktemaximum: 100 Testdauer: 90 min Vorname: Nachname: Matr. Nr.: Kennzahl: Hinweis zum Test: Alle nötigen Zwischenschritte angeben! Ergebnisse
MehrVORBEREITUNG: TRANSISTOR
VORBEREITUNG: TRANSISTOR FREYA GNAM, GRUPPE 26, DONNERSTAG 1. TRANSISTOR-KENNLINIEN Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen
MehrDiplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,
Mehr1 Grundlagen. 1.1 Aufbau eines Bipolartransistors Allgemeiner Aufbau Aufbau eines npn-bipolartransistors
1 Grundlagen 1.1 Aufbau eines Bipolartransistors 1.1.1 Allgemeiner Aufbau Der zweite wichtige Transistortyp neben dem Feldeffekttransistor ist der Bipolartransistor. Seine Funktionsweise beruht auf beiden
Mehr5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung
5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 50 Verschiebung des AP zufolge Temperaturschwankungen Schwankungen der Versorgungsspannung U 0 Aufgabe 22 Berechnung des Temperatureinflusses
Mehr4.3 Der Bipolartransistor
4.3 Der Bipolartransistor Der Transistor wurde 1947 vom Forscherteam Shockley, Bardeen und Brattain erfunden (zunächst als Spitzentransistor, ein Jahr später dann als Flächentransistor). Er war das erste
Mehr5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren
Fachbereich Physik Elektronikpraktikum 5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Stichworte zur Vorbereitung: Aufbau und Funktion, Löcherleitung, Elektronenleitung, Eingangskennlinien, Ausgangskennlinien,
MehrGrundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4
Technische Informatik Prof. Dr. M. Bogdan Institut für Informatik Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Abgabe: bis zum 06.01.2016 im weißen Briefkasten der TI Nähe Raum P 518 1 Hinweise: -
Mehr1. Diode und Transistor
1. Diode und Transistor Vergleichen Sie Diode und Transistor aus Bild 1. a) Wie groß sind jeweils die Elektronenströme? b) Wie groß sind jeweils die Löcherströme? E B C 18-3 N = A 17-3 10 cm 16-3 Basislänge
Mehrpn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau
Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
MehrVorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen
Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen
MehrÜbung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung
Universität Stuttgart Übung 2 Einschwingvorgänge 2 Diode Linearisierung Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Aufgabe 2.1
Mehr10-1. Leybold-Heraeus: Grundlagen der Elektronik Tietze-Schenk: Halbleiter-Schaltungstechnik (Springer-Verlag, 1990)
10-1 Elektronik Vorbereitung: Halbleiter und deren charakteristische Eigenschaften, einfache Halbleiterbauelemente: Heißleiter NTC, Photowiderstand LDR, Eigenleitung, Störstellenleitung, pn-übergang, Aufbau
MehrTransistorgrundschaltungen Versuch P1-50, 51, 52
Vorbereitung Transistorgrundschaltungen Versuch P1-50, 51, 52 Iris Conradi Gruppe Mo-02 17. Dezember 2010 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis Vorbemerkungen 3 1 Transistor-Kennlinien 5 1.1 Eingangskennlinie...............................
MehrTransistor BJT I. Roland Küng, 2009
Transistor BJT I Roland Küng, 2009 Aufbau-Bezeichnungen Typ NPN Typ PNP Aufbau Praktisch Typ NPN B Schicht dünn E Schicht hoch dotiert (viel Phosphor bei n, Bor bei p) B E C Funktionsweise I E hoch dotiert
MehrC03 Transistor. 2. Zur Vorbereitung: Die Kennlinien des Transistors. 1 Eingangskennlinie Ausgangskennlinie Rückwirkungskennlinie
C03 Transistor 1 Ziele In diesem Versuch werden Eigenschaften und Anwendungen eines npn-transistors (BD 135) untersucht. Dazu werden Sie Schaltungen aufbauen und ausprobieren und seine Kennlinien nutzen
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild
MehrProbeklausur Elektronik (B06)
Probeklausur Elektronik (B06) Bitte vor Arbeitsbeginn ausfüllen Name: Vorname: Matrikel-Nummer: Fachsemester: Datum: Unterschrift: Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner ohne Textspeicher 1DIN A4-Blatt:
Mehr7. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag
+ - Grundlagen der echnertechnologie Sommersemester 200 Wolfgang Heenes. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag 0.06.200 Schaltungen mit Bipolartransistoren Aufgabe : Analyse einer Schaltung mit Bipolartransistor
MehrÜbungsserie, Bipolartransistor 1
13. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Bipolartransistor 1 Aufgabe 1. Invertierender Verstärker Die Abbildung 1 stellt einen invertierenden Verstärker dar. Es sei = 10 kω und = 1 kω.
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
MehrMusterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der
MehrA1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen
MehrDiplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09 Name: Vorname:
MehrPraktikum Versuch Bauelemente. Versuch Bauelemente
1 Allgemeines Seite 1 1.1 Grundlagen 1.1.1 db-echnung Da in der Elektrotechnik häufig mit sehr großen oder sehr kleinen Werten gerechnet wird, benutzt man für diese vorzugsweise die logarithmische Darstellung.
MehrAufgabe 1: Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte)
Aufgabe : Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte) Im Folgenden soll die Realisierung einer integrierten Spule zur Anwendung in einem Oszillator für ein 77 GHz KFZ-Radar betrachtet werden. Bei diesen
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 Aufgabe 1 Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b1 T2 i c1 T1 i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i 1 R
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrFototransistor. Der Fototransistor. von Philip Jastrzebski. Betreuer: Christian Brose Philip Jastrzebski 1
Der Fototransistor von Philip Jastrzebski Betreuer: Christian Brose 17.11.2008 Philip Jastrzebski 1 Gliederung: I. Aufbau & Funktionsweise Fotodiode Fototransistor V. Vor- und Nachteile VII. Bsp: Reflexkoppler
MehrAbschlussprüfung Schaltungstechnik 2
Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer
MehrEinführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik
Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 363 Abbildungen 4y Springer Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole 1 1 Grundlagen der Halbleiterphysik
MehrTRA - Grundlagen des Transistors
TRA Grundlagen des Transistors Anfängerpraktikum 1, 2006 Janina Fiehl Daniel Flassig Gruppe 87 Aufgabenstellung n diesem Versuch sollen wichtige Eigenschaften des für unsere nformationsgesellschaft vielleicht
MehrOriginaldokument enthält an dieser Stelle eine Grafik! Original document contains a graphic at this position!
FUNKTIONSWEISE Thema : HALBLEITERDIODEN Die Eigenschaften des PN-Überganges werden in Halbleiterdioden genutzt. Die p- und n- Schicht befinden sich einem verschlossenen Gehäuse mit zwei Anschlussbeinen.
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren
1 von 19 15.03.2008 11:41 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Damit in einer Anwendung ein Transistor bestimmte, geforderte Eigenschaften aufweist, muss der Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor
MehrDiplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,
MehrDiplomprüfung SS 2010
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Diplomprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Prof. Dr. G. Buch Prof. Dr. T. Küpper Zugelassene Hilfsmittel: alle
MehrElektrizitätslehre und Magnetismus
Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.
Mehr11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 1 Aufgabe (Klausur WS07/08: 40 min, 22 Punkte) - die Killeraufgabe, aber warum? Bootstrapschaltung und Kleinsignal-Transistormodell Gegeben ist die in
MehrDer Elektrik-Trick für die Oberstufe
1. Halbleiter 1.1 Was sind eigentlich Halbleiter Halbleiter sind Festkörper, die sich abhängig von ihrem Zustand als Leiter oder als Nichtleiter verhalten können. Halbleiterwerkstoffe HauptsächlicheAnwendung
MehrTransistorverstärker in Emitterschaltung
Transistorverstärker in Emitterschaltung Bild 1 zeigt den Transistor BD139 in Emitterschaltung, der die Wechselspannung u e verstärken und über einen Lautsprecher (R C = 16 Ω) ausgeben soll. Weitere Daten:
MehrTransistor. Arbeitspunkteinstellung
niversity of pplied Sciences ologne ampus Gummersbach Dipl.-ng. (FH) Dipl.-Wirt. ng. (FH) rbeitspunkteinstellung T-01 Der ist ein aktives auteil in der Halbleitertechnik. Er wird hauptsächlich in der Verstärkung
MehrBachelorprüfung FAB + MBB (Schwerpunkt Mechatronik) / Diplomprüfung MBD Seite 1 von 8. Wintersemester 2015/16 Elektronik
Bachelorprüfung FAB + MBB (Schwerpunkt Mechatronik) / Diplomprüfung MBD Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester
Mehr6. Vorverstärkerschaltungen
6.1 Transistorkennlinien und Arbeitsbereich 6.1.1 Eingangskennlinie I B =f(u BE ) eines NPN-Transistors Die Eingangskennlinie beschreibt das Verhalten des Transistors zwischen der Basis und dem Emitter.
MehrTransistorkennlinien 1 (TRA 1) Gruppe 8
Transistorkennlinien 1 (TRA 1) Gruppe 8 1 Einführung Dieser Versuch beschäftigt sich mit Transistoren und ihren Kennlinien. Ein Transistor besteht aus drei aufeinanderfolgenden Schichten, wobei die äußeren
Mehr4. Bipolar-Transistoren
4. ipolar-transistoren 1. Funktionsweise eines npn-transistors 2. Kennlinien 3. Transistor-Grundschaltungen 4. Frequenzverhalten Funktionsprinzip eines npn-transistors andverlauf: p-asis ist steuerbare
MehrInhalt. Begriffserklärung. Aufbau. Funktionsprinzip. Kennlinien. Grundschaltungen. Praxiswissen
Von Thomas Jakobi Inhalt Begriffserklärung Aufbau Funktionsprinzip Kennlinien Grundschaltungen Praxiswissen 2 Was sind Transistoren? 3 Begriffserklärung Name engl. transfer resistor veränderbarer Widerstand
MehrBeispielklausur 3 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte
Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines mit Bor (dritte Hauptgruppe) dotierten Halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau (ca. 100meV oberhalb der Valenzbandenergie),
Mehr4. Feldeffekttransistor
4. Feldeffekttransistor 4.1 Aufbau und Funktion eines Sperrschicht-FETs (J-FET) Eine ganz andere Halbleiterstruktur gegenüber dem Bipolartransistor weist der Feldeffektransistor auf. Hier wird ein dotierter
MehrPräsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl
Präsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl Übersicht Erklärung eines pn Übergangs Halbleiterdioden Photodioden Leuchtdioden Bipolartransistor JFET MOSFET pn Übergang y y y y y y Übergang von
MehrDotierter Halbleiter
FH München FK 03 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 007 Freitag, 0.7.007 Prof. Dr. Höcht (Prof. Dr. Kortstock) Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten 1 Homogene Halbleiter
MehrWintersemester 2012/13
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Unterlagen, Taschenrechner Wintersemester 2012/13 Schriftliche Prüfung im Fach Elektronik/Mikroprozessortechnik,
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrDiplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrFachprüfung. Schaltungen & Systeme BA
Fachprüfung Schaltungen & Systeme BA 15. Juli 2004 Prüfer: Prof. Dr. P. Pogatzki Bearbeitungszeit: 2 Stunden Name:... Matr.-Nr.:... Unterschrift:... Punkte Aufgabe.1.2.3.4.5.6.7.8.9 Summe 1. 2. 3. 4. 5.
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik. Aufgabe Reihenschaltung von Halbleiterdioden
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.3.1. - Reihenschaltung von Halbleiterdioden In integrierten
MehrStudienschwerpunkt Mechatronik/Vertiefungsrichtung Fahrzeugmechatronik Seite 1 von 8. Sommersemester 2018 Angewandte Elektronik
Studienschwerpunkt Mechatronik/Vertiefungsrichtung Fahrzeugmechatronik Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Sommersemester 2018 Angewandte
MehrUnterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 8 Mittwoch 6.7.8 Prof. Dr. Höcht Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: nterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
Mehr8. Endstufenschaltungen
8.1 Einleitung Wie im Kapitel über die Audiotechnik bereits diskutiert, ist es die Aufgabe des Leistungsverstärkers, auch Endstufe genannt, den Innenwiderstand der Schaltung so weit herabzusetzen, dass
MehrÜbungsaufgaben EBG für Mechatroniker
Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:
MehrDiplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrKlausur-Lösungen EL(M)
Beuth-Hochschule, Prof. Aurich -1/5- Prüfungstag: Do, 11.7.2013 Raum: T202 Zeit: 10:00-12:00 Studiengang: 2. Wiederholung (letzter Versuch)? ja / nein. Name: Familienname, Vorname (bitte deutlich) Matr.:
MehrTransistorkennlinien und -schaltungen
ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik
MehrEinführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik
Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik 2., bearbeitete und erweiterte Auflage Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 390 Abbildungen und CD-ROM < _j Springer Inhaltsverzeichnis
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L10 Kleinsignalanalyse von Transistorschaltungen
1 von 18 15.03.2008 11:42 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 a) b) Zur Verstärkung kleiner Signale (im allgemeinen < ca. 10mV) werden Bipolartransistoren oder Feldeffekttransistoren verwendet. Damit
MehrTransistor << Transfer Resistor FET Unipolarer. BJT Bipolarer. Feldeffekt-Transistor. (Sperrschicht-) Transistor Zonenfolge PNP oder NPN
Transistor
MehrKlausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 2007/2008 1
Klausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 007/008 Hinweis: Die Darstellung der Lösungswege muß vollständig, klar und kontrollierbar sein. Achten Sie dazu bitte insbesondere bei Ersatzschaltbildern auf
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrDiplomvorprüfung Elektronik SS 2008
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 6 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik SS 2008 Name: Vorname:
MehrAn eine n-typ Halbleiterprobe mit (n >> p) wird an zwei Kontakten eine Spannung U Bat angelegt und somit ein Stromfluss I durch die Probe erzeugt.
1. Aufgabe: Halbleitergrundlagen und Halleffekt An eine n-typ Halbleiterprobe mit (n >> p) wird an zwei Kontakten eine Spannung U Bat angelegt und somit ein Stromfluss I durch die Probe erzeugt. U Bat
MehrInhalt. Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe. Universität Stuttgart. 4 Halbleiterelektronik Bipolartransistor...
Universität Stuttgart Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Inhalt 4 Halbleiterelektronik Bipolartransistor... 4-18 4.3 Der
Mehr13. Vorlesung. Logix Klausuranmeldung nicht vergessen! Übungsblatt 3 Logikschaltungen. Multiplexer Demultiplexer Addierer.
13. Vorlesung Logix Klausuranmeldung nicht vergessen! Übungsblatt 3 Logikschaltungen Diode Transistor Multiplexer Demultiplexer Addierer 1 Campus-Version Logix 1.1 Vollversion Software und Lizenz Laboringenieur
MehrPraktikum zur Vorlesung Elektronik SS Serie
Praktikum zur Vorlesung Elektronik SS 2009 4.Serie 09.06.2009 Di. 09.06.09 14:00-16:00 Uhr, Mi. 10.06.09 14:00-16:00 Uhr, Fr. 12.06.09 10:00-12:00 Uhr Ort: Gebäude 02-413 (nfängerpraktikum) 1. Stock, Raum
MehrVERSUCH 8: HALBLEITER UND BIPOLAR- TRANSISTOR
63 8 A Halbleitereigenschaften VERSUCH 8: HALBLEITER UND BIPOLAR- TRANSISTOR Das wichtigsten Halbleitermaterialien sind Silizium und Germanium. Sie besitzen die chemische Wertigkeit 4, d.h. es stehen in
MehrFachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI
Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachhochschule Münster University of Applied Sciences Versuch: 3 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 3:
MehrAufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrEinführung in die Elektronik für Physiker
Hartmut Gemmeke Forschungszentrum Karlsruhe, IPE hartmut.gemmeke@kit.de Tel.: 07247-82-5635 Einführung in die Elektronik für Physiker 8. Anwendungen von Dioden und was ist ein Transistor Einweg-Gleichrichtung
Mehr