5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung
|
|
- Ida Dieter
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 50 Verschiebung des AP zufolge Temperaturschwankungen Schwankungen der Versorgungsspannung U 0 Aufgabe 22 Berechnung des Temperatureinflusses mithilfe des KSESB Berechnen Sie den Einfluss äußerer Temperaturschwankungen auf den Kollektorstrom für die stromgegengekoppelte Emitterschaltung a) allgemein, mit (endlichem) R E und ohne R E (d.h. R E 0) um die temperaturstabilisierende Wirkung des R E zu zeigen, b) mit den Bauteilwerten aus Aufgabe 20. Berücksichtigen Sie die Temperaturabhängigkeit der Transferkennlinie des BC 546 B mit U BE ( T )= 1.55 mv/k T. U T =25mV 5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung Wir wollen an dieser Stelle drei Fälle zur Dimensionierung der gleichstromgegengekoppelten Emitterschaltung, vgl. Abb. 5.2 erwähnen und diskutieren: 1. Vorgabe des Spannungsabfalls am Emitter, z.b. U RE = 1 V und des Kollektorstromes im AP vgl. Aufgabe Vorgabe der Aussteueramplituden und Forderung, dass der Emitterwiderstand R E möglichst groß sein soll, um eine bestmögliche temperaturstabilisierende Wirkung zu erreichen. 3. Vorgabe der maximal zulässigen Arbeitspunktverschiebung in einem gewissen Temperaturbereich. Aufgabe 23 Möglichst großer Emitterwiderstand bei vorgegebenen Aussteueramplituden Gegeben ist die gleichstromgegengekoppelte Emitterschaltung, vgl. Abb Gegeben: BC 546 B, Datenblatt (!) U 0 =15V Gefordert: Symmetrische Aussteueramplituden U a =6V R E möglichst groß
2 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 51 a) Überlegen Sie sich mithilfe des Datenblattes die Betriebsgrenzen im Ausgangskennlinienfeld. (U CE, min, I C, max, P V, max,) b) Schränken Sie die Grenzen für U CE, min und I C, max zusätzlich (sinnvoll) ein und zeichnen Sie die Arbeitsgerade ein. c) Dimensionieren Sie die Widerstände R E, R C, R 1 und R 2. Annahme: I 2 =10 I B. Hinweis: Sie müssen dafür den Kollektorstrom I C, 0 im AP berechnen. Berechnen Sie des Weiteren die Kollektor-Emitterspannung U CE, 0 im AP. d) Wählen Sie geeignete Widerstände aus der E-12 Normreihe aus: Aufgabe 24 Vorgabe der maximal zulässigen Arbeitspunktverschiebung In diesem Beispiel ist abzuschätzen wie die Widerstände in der gleichstromgegengekoppelten Emitterschaltung zu dimensionieren sind um folgende Rahmenbedingungen zu erfüllen: I C, 0 = C, U 0 =15V ±1% maximal erlaubte Verschiebung des AP für Anwendungen im Industriebereich (-40 C bis 85 C, vlg. en.wikipedia.org: Operating temperature) BC 546 B, Datenblatt (!) a) Schätzen Sie den Widerstand R E ab. b) Dimensionieren Sie den Widerstand R C so, dass der Aussteuerbereich möglichst gut ausgenützt wird. Annahme: U RE =1V. c) Berechnen Sie die Widerstände R 1 und R 2. d) Berechnen Sie den minimalen und maximalen Kollektorstrom.
3 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.4. Spannungsgegenkopplung Spannungsgegengekoppelte Emitterschaltung Betriebsparameter KSESB Aufgabe 25 Spannungsgegengekoppelte Emitterschaltung BC 546 B, U 0 =15V,R i =50Ω, R 1 =1kΩ, R 2 =2kΩ, R C =1kΩ, R L =1kΩ a) Berechnen Sie die Arbeitspunktgrößen I C, 0 und U C, 0. b) Berechnen Sie die Betriebsparameter A 0, r e und r a und versuchen Sie die analytischen Ausdrücke durch Abschätzung zu vereinfachen.
4 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.5. Kollektorschaltung Kollektorschaltung Abbildung 5.4: Kollektorschaltung mit Spannungseinstellung Aufgabe 26 Kollektorschaltung a) Dimensionieren Sie die Widerstände R 1, R 2 und R E für folgenden Arbeitspunkt: I C, 0 =50mA U RE, 0 = U 0 /2 U 0 =15V I 2 =10I B B =300 b) Wählen Sie geeignete Widerstände aus der E-12 Normreihe aus und berechnen Sie den AP, der sich für diese Werte einstellt c) Berechnen Sie die Betriebsparameter (r e,a 0,r a ) der Kollektorschaltung. (R i =50Ω)
5 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.6. Basisschaltung Basisschaltung Abbildung 5.5: Basisschaltung Abbildung 5.6: Alternative Darstellung der Basisschaltung Aufgabe 27 Basisschaltung a) Dimensionieren Sie die Widerstände R 1, R 2, R C und R E für folgenden Arbeitspunkt: I C, 0 =10mA U CE, 0 =5V U RE, 0 =1V U 0 =15V I 2 =100I B B =300 b) Wählen Sie geeignete Widerstände aus der E-12 Normreihe aus und berechnen Sie den AP, der sich für diese Werte einstellt
6 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.6. Basisschaltung 55 c) Berechnen Sie die Betriebsparameter (r e,a 0,r a ) der Basisschaltung mit und ohne C B für hinreichend hohe Frequenzen. Aufgabe 28 Zusammenfassung Einfache Verstärkerschaltungen Vervollständigen Sie die folgende Tabelle
7 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.6. Basisschaltung 56 ohne CE Emittersch. (Stromgegk.) mit CE Emittersch. (Spgegk.) Kollektorsch. ohne CB Basissch. mit CB Schaltung A0 re ra
8 6 Zweistufige Verstärkerschaltungen Abbildung 6.1: Zweistufiger Transistorverstärker 1. Stufe 2. Stufe Abbildung 6.2: KSESB: Zweistufiger Transistorverstärker Aufgabe 29 Zweistufiger Transistorverstärker R i =50Ω R L =10Ω a) Berechnen Sie die Verstärkung u a /U g des zweistufigen Transistorverstärkers aus Abb Verwenden Sie hierfür die Werte der Kleinsignalparameter, die Sie aus den Aufgaben 21 (Emitterschaltung) und 26 (Kollektorschaltung) erhalten haben. b) Zeichnen Sie das KSESB der gesamten Schaltung (mit Early-Widerständen) und berechnen Sie die Verstärkung u a /U g mit und ohne Early-Widerstand. 57
3.2 Arbeitspunkteinstellung
3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 28 3.2 Arbeitspunkteinstellung Wiederholung: Der Arbeitspunkt legt die Großsignalgrößen,,,,, und U CE, sowie die Kleinsignalgrößen r BE, S und g EA
MehrTransistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung
Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrMusterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
MehrTNF. Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13. Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel
TNF Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13 Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet: www.ime.jku.at
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrA1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrTNF. Musterlösungen Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13. Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel
TNF Musterlösungen Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 212/13 Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 44 Linz, Internet:
MehrPSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang
Mehr3 Der Bipolartransistor
3 Der Bipolartransistor 3.1 Einführung Aufbau Ein Bipolartransistor (engl.: Bipolar Junction Transistor, BJT) besteht aus zwei gegeneinander geschalteten pn-übergängen (Dioden) mit einer gemeinsamen, sehr
MehrLabor Elektronik. Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker. Teilnehmer: ... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...)
Labor Elektronik Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker Teilnehmer:... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...) Datum der Simulation: 09.12.2008 Datum der Messung: 23.12.2008 Allgemeines: Labor Elektronik,...,
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 2: Der Differenzverstärker
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 2: Der Differenzverstärker Oliver Neumann Sebastian Wilken 10. Mai 2006 Inhaltsverzeichnis 1 Eigenschaften des Differenzverstärkers 2 2 Verschiedene Verstärkerschaltungen
MehrAFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand
Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe
MehrDiplomprüfung Elektronik WS 2006/07 Dienstag,
FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik WS 6/7 Dienstag, 3..7 Prof. Dr. Höcht (Prof. Dr. Kortstock) Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.:
MehrÜbung Halbleiterschaltungstechnik
Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2016/17 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:
MehrAbschlussprüfung Schaltungstechnik 2
Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer
MehrTransistor Verstärker. Roland Küng, 2011
Transistor Verstärker Roland Küng, 2011 1 Design Flow 2.Sem. Rep. Arbeitspunkt (Bias) Kleinsignal-Ersatz BJT FET BJT FET 3 Grundschaltungen NF: Koppel- C s HF: Miller Mehrstufig ASV 4.Sem. 2 Repetition
Mehr1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
MehrAuswertung Operationsverstärker
Auswertung Operationsverstärker Marcel Köpke & Axel Müller 31.05.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Emitterschaltung eines Transistors 3 1.1 Arbeitspunkt des gleichstromgegengekoppelter Transistorverstärker....
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrTransistorschaltungen
Transistorschaltungen V DD in Volt 3 2 V Ein - UTh,P V Ein - UTh,N 1-1 0 1 2 3 U Th,P U Th,N V Ein in Volt a) Schaltung b) Übertragungsfunktion Bipolar Transistorschaltung im System I Ein C Ein? V CC I
MehrArbeitspunkteinstellung
Gliederung Arbeitspunkteinstellung Ableitung der NF-Kleinsignal-Ersatzschaltung (KSE) Berechnung der NF-Kleinsignal-Parameter u, r e, r a Bestimmung des Frequenzganges und Berechnung der notwendigen Größe
MehrMathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen
Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung
MehrKapitel 3. Arbeitspunkteinstellung
Kapitel 3 Arbeitspunkteinstellung Bei den bislang erfolgten Analysen wurde der Transistor um einen Arbeitspunkt AP herum ausgesteuert. Durch flankierende Schaltungsmaßnahmen wird erst das Einstellen dieses
MehrÜbungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrVerstärker in Emitter-Schaltung
Verstärker in Emitter-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 2.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis 1
MehrP2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER. Vorbereitung
Physikalisches Anfängerpraktikum Teil 2 P2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER Vorbereitung Gruppe 34 Marc Ganzhorn Tobias Großmann 16. Juli 2006 1 Einleitung In diesem Versuch sollen die beiden
MehrC03 Transistor. 2. Zur Vorbereitung: Die Kennlinien des Transistors. 1 Eingangskennlinie Ausgangskennlinie Rückwirkungskennlinie
C03 Transistor 1 Ziele In diesem Versuch werden Eigenschaften und Anwendungen eines npn-transistors (BD 135) untersucht. Dazu werden Sie Schaltungen aufbauen und ausprobieren und seine Kennlinien nutzen
MehrDie Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor
Die Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor In der Schaltungstechnik stellt sich immer wieder das Problem der Arbeitspunkteinstellung eines Bipolartransistors (BJT). Bauteiltoleranzen des Transistors
MehrAufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrÜbungsaufgaben EBG für Mechatroniker
Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:
MehrTransistor BJT I. Roland Küng, 2009
Transistor BJT I Roland Küng, 2009 Aufbau-Bezeichnungen Typ NPN Typ PNP Aufbau Praktisch Typ NPN B Schicht dünn E Schicht hoch dotiert (viel Phosphor bei n, Bor bei p) B E C Funktionsweise I E hoch dotiert
MehrWintersemester 2012/13
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Unterlagen, Taschenrechner Wintersemester 2012/13 Schriftliche Prüfung im Fach Elektronik/Mikroprozessortechnik,
MehrAufgaben Elektronik III
Aufgaben Elektronik III 1. Ein Anreicherungs-MOSFET wird durch I D = 1mA { U GS 0,5 V U DS 1 2 U DS im Anlauf beschrieben (λ = 0). a) Bitte finden Sie heraus, ob es sich um einen PMOS oder NMOS Transistor
MehrÜbung zum Elektronikpraktikum
Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt Raum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 2 13. September - 1. Oktober 2010 2: Der Transistoreffekt Ein
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik. Aufgabe Reihenschaltung von Halbleiterdioden
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.3.1. - Reihenschaltung von Halbleiterdioden In integrierten
MehrAfuTUB-Kurs Aufbau. Technik Klasse A 06: Transistor & VerstÃďrker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. https://dk0tu.de.
Technik Klasse A 06: Transistor & VerstÃďrker Amateurfunkgruppe der TU Berlin https://dk0tu.de WiSe 2017/18 SoSe 2018 cbea This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike
MehrAufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt
MehrVervollständigen Sie das Schema mit Stromversorgung und Widerstandsmessgerät!
Übungen Elektronik Versuch 1 Elektronische Bauelemente In diesem Versuch werden die Eigenschaften und das Verhalten nichtlinearer Bauelemente analysiert. Dazu werden die Kennlinien aufgenommen. Für die
MehrGrundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4
Technische Informatik Prof. Dr. M. Bogdan Institut für Informatik Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Abgabe: bis zum 06.01.2016 im weißen Briefkasten der TI Nähe Raum P 518 1 Hinweise: -
MehrOperationsverstärker. 24. Mai Martin Albert
Operationsverstärker - Martin Albert - - 24. Mai 2006 - Gliederung Einführung Grundlagen Grundlegende Schaltungen spezielle Typen 2 Gliederung Einführung Begriff OPV Grundlagen Transistor Grundschaltungen
MehrVerstärker in Kollektor-Schaltung
Verstärker in Kollektor-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 16.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis
MehrKennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1
Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
MehrDimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern
Dimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern mit NPN Transistor Schaltung Werte: V 1 = BC141; R L = 1 kω U B = 15 V Vorgaben: Der Arbeitspunkt des Transistors ist so einzustellen, dass U
MehrPraktikum: Schaltungstechnik II Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann
Fachbereich Ingenieurwissenschaften Institut für Informatik, Automatisierung und Elektronik Praktikum: Schaltungstechnik II Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Versuch: ST II-1, 90 min Thema: Transistorschaltungen
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren
1 von 19 15.03.2008 11:41 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Damit in einer Anwendung ein Transistor bestimmte, geforderte Eigenschaften aufweist, muss der Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor
MehrPraktikum Versuch Bauelemente. Versuch Bauelemente
1 Allgemeines Seite 1 1.1 Grundlagen 1.1.1 db-echnung Da in der Elektrotechnik häufig mit sehr großen oder sehr kleinen Werten gerechnet wird, benutzt man für diese vorzugsweise die logarithmische Darstellung.
MehrVersuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente
Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente Ziel des Versuchs: Im ersten Teil des Versuchs wird eine einfache Spannungsverstärkerschaltung untersucht. Die Frequenzabhängigkeit der Spannungsverstärkung
MehrDHBW-MaEp EL1 Bayer r110
DHBW-MaEp EL Bayer 206-2 r0 Matrikel-Nr.: EL Angewandte Elektronik Klausur 206-2 Bayer Blatt / 0 Anzahl Blätter inkl. Deckblatt, Anhang 0 DHBW Mannheim, Außenstelle Eppelheim MA-TMT5AM2 EL Angewandte Elektronik
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrAufgabe 1 - Knotenspannungsanalyse
KLAUSUR Grundlagen der Elektrotechnik 02.03.2011 Prof. Ronald Tetzlaff Dauer: 150 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 Σ Punkte 11 7 10 11 11 50 Aufgabe 1 - Knotenspannungsanalyse Gegeben ist das Netzwerk mit den folgenden
Mehr6. Vorverstärkerschaltungen
6.1 Transistorkennlinien und Arbeitsbereich 6.1.1 Eingangskennlinie I B =f(u BE ) eines NPN-Transistors Die Eingangskennlinie beschreibt das Verhalten des Transistors zwischen der Basis und dem Emitter.
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik. Aufgabe Parallelschaltung von Halbleiterdioden
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.3.1. - Parallelschaltung von Halbleiterdioden In integrierten
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
MehrKapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines
Kapitel 2 Grundschaltungen 2.1 Allgemeines Die bisherige Beschreibung der Transistoren hatte sich auf den Fall beschränkt, dass die Emitter- bzw. Source-Elektrode die dem Eingang und dem Ausgang gemeinsame
MehrVersuch C 13: Transistorverstärker 1. Literatur: Stichworte: 2. Grundlagen Abb. 1: 2.1 Transistor als Verstärker
- C13.1 - - C13.2 - Versuch C 13: Transistorverstärker 1. Literatur: W. Walcher, Praktikum der Physik Gerthsen-Kneser-Vogel, Physik Kohlrausch, Praktische Physik, Bd. 2 Unger/Schultz, Elektronische Bauelemente
Mehr1. Konstantstromquelle
ANGEWANDTE ELEKTONIK EECHNNGEN 1 1 1. Konstantstromquelle L L A S CE I L S A A I L L A S E(on) I L A A S A E(on) Der Laststrom I L hängt nur von S und A ab, nicht aber vom Lastwiderstand L. Wie groß darf
Mehr4. Bipolar-Transistoren
4. ipolar-transistoren 1. Funktionsweise eines npn-transistors 2. Kennlinien 3. Transistor-Grundschaltungen 4. Frequenzverhalten Funktionsprinzip eines npn-transistors andverlauf: p-asis ist steuerbare
MehrSS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker
Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische
Mehr4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung
Kapitel 4 Schaltungselemente 4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung Eine gebräuchliche Schaltung mit Gegenkopplung ist in Bild 4.1 dargestellt. Gegengekoppelt wird durch Einfügen
Mehrpn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau
Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,
MehrVorlesung Elektronik I 1 I 2 U 2
UniversitätPOsnabrück Fachbereich Physik Vorlesung Elektronik I Dr. W. Bodenberger Verstärker mit Transistoren Abgeschlossener Vierpol in h - Parameter Darstellung. / C 8 EA HF D 2 = H= A JA H, = HI JA
MehrVorbemerkung. [disclaimer]
Vorbemerkung Dies ist ein abgegebenes Praktikumsprotokoll aus dem Modul physik33. Dieses Praktikumsprotokoll wurde nicht bewertet. Es handelt sich lediglich um meine Abgabe und keine Musterlösung. Alle
MehrTransistorkennlinien und -schaltungen
ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik
MehrName:... Vorname:... Matr.-Nr.:...
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bitte den Laborbeteuer ankreuzen Reyk Brandalik Björn Eissing Steffen Rohner Karsten Gänger Lars Thiele
MehrDiplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik,
MehrPraktikum, Bipolartransistor als Verstärker
18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon
MehrTransistorverstärker in Emitterschaltung
Transistorverstärker in Emitterschaltung Bild 1 zeigt den Transistor BD139 in Emitterschaltung, der die Wechselspannung u e verstärken und über einen Lautsprecher (R C = 16 Ω) ausgeben soll. Weitere Daten:
MehrDie gegebene Schaltung kann dazu verwendet werden um kleine Wechselspannungen zu schalten.
1. Beispiel: Kleinsignalschalter/Diodenarbeitspunkt (33Punkte) Die gegebene Schaltung kann dazu verwendet werden um kleine Wechselspannungen zu schalten. Gegeben: Boltzmann-Konstante: k=1.38*10-23 J/K
MehrAufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?
Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters
Mehra) In einer Reihenschaltung gilt: R g = R 1 + R 2 + R 3 = 11, 01 MΩ Der Gesamtstrom ist dann nach dem Ohm schen Gesetz (U g = R g I g ): I g = Ug
Aufgabe 1: Die Abbildung zeigt eine Reihenschaltung a) und eine Parallelschaltung b) der Widerstände R 1 = 10 MΩ, R 2 = 10 kω und = 1 MΩ an einer konstant Spannungsquelle mit U g = 5 V (Batterie). (5)
MehrKenngrößen von Transistoren und Eintransistorschaltungen. Protokoll. Von Jan Oertlin und Julian Winter. 7. Dezember 2012.
Kenngrößen von Transistoren und Eintransistorschaltungen Protokoll Von Jan Oertlin und Julian Winter 7. Dezember 2012 Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 3 2 Transistorkenngrößen 3 2.1 Schaltung...........................................
MehrÜbungsserie, Operationsverstärker 1
1. April 1 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Operationsverstärker 1 Aufgabe 1. Komparator Die Bezeichnung Komparator steht für Vergleicher. Gegeben ist die Schaltung in Abb. 1a. Die u ref u ref
MehrVersuchsauswertung: Operationsverstärker
Praktikum Klassische Physik II Versuchsauswertung: Operationsverstärker (P-59,6,6) Christian Buntin, Jingfan Ye Gruppe Mo- Karlsruhe, 7. Mai Inhaltsverzeichnis Emitterschaltung eines Transistors. Einstufiger
MehrProbeklausur Elektronik (B06)
Probeklausur Elektronik (B06) Bitte vor Arbeitsbeginn ausfüllen Name: Vorname: Matrikel-Nummer: Fachsemester: Datum: Unterschrift: Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner ohne Textspeicher 1DIN A4-Blatt:
MehrINSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11
NSTTUT FÜR ANGEWANDTE PHYSK Physikalisches Praktikum für Studierende der ngenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11 Transistorverstärker 1 Ziel Der Transistor ist ein viel verwendetes
MehrReferat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005
Holger Markmann Referat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005... 1 Prinzipieller Aufbau eines OPs... 1 Grundschaltungen eines OPs mit dazugehörigen Kennlinien... 2 Frequenzverhalten eines OPs...
MehrHÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN
HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN Höhere Abteilung für Elektronik Technische Informatik Klasse / Jahrgang: 3BHELI Gruppe: 2 / a Übungsleiter: Prof. Dum Übungsnummer: V/3 Übungstitel: Transistor
MehrMessung kleiner Spannungssignale - Verstärker I
Messtechnik-Praktikum 13.05.08 Messung kleiner Spannungssignale - Verstärker I Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie einen Übertrager mit Eisenkern (Transformator) auf. Versuchen
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 Aufgabe 1 Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b1 T2 i c1 T1 i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i 1 R
MehrVORBEREITUNG: TRANSISTOR
VORBEREITUNG: TRANSISTOR FREYA GNAM, GRUPPE 26, DONNERSTAG 1. TRANSISTOR-KENNLINIEN Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen
MehrDer Transistor als Verstärker
6 Der Transistor als Verstärker Bei den Anwendungen von Transistoren als Schalter traten eigentlich nur zwei Betriebszustände auf: der sperrende und der gesättigte Transistor. Die Schaltungen waren bewusst
Mehr7 Stromquellen und Stromspiegel
7 Stromquellen und Stromspiegel 7.1 Prinzip einer Stromquelle Stromquelle Abbildung 7.1: Stromquelle Stromquellen sollen möglichst unabhängig von der Last (d.h. unabhängig von der Spannung, die an der
MehrAlle drei Baugruppen gehören zu den Standardbaugruppen der Elektronik werden in der Schule häufig angewendet und eignen sich für den Einstieg ins Fach
Drei wichtige Baugruppen der Elektronik. Der Schmitt-Trigger Ein Schwellwertschalter 2. Das S Flipflop Ein Speicher 3. Der astabile Multivibrator Ein Generator Alle drei Baugruppen gehören zu den Standardbaugruppen
MehrTRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA
TRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung... 1 2. Messverfahren... 1 3. Bemerkung zur Fehlerrechnung... 1 4. Stromverstärkungsfaktor... 2 5. Eingangskennlinie...
Mehr3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung
1 Bipolartransistor. 1.1 Dimensionierung 3.Transistor Christoph Mahnke 7.4.006 Für den Transistor (Nr.4) stand ein Kennlinienfeld zu Verfügung, auf dem ein Arbeitspunkt gewählt werden sollte. Abbildung
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Donnerstag, den 05. März 2015 um 16:31 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:15 Uhr
// // Konstantstromquelle mit einem pnp-transistor - Berechnung Mit dieser einfachen Schaltung kann am Kollektor des Transistors ein konstanter Strom I gewonnen werden. Das Prinzip ist sehr einfach: An
MehrFachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI
Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachhochschule Münster University of Applied Sciences Versuch: 3 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 3:
MehrVorlesung Elektronik - Eine kleine Backmischung. 12. Juli 2006
Vorlesung Elektronik - Eine kleine Backmischung 2. Juli 2006 Inhaltsverzeichnis Einführung 3 2 Grundformeln zur Berechnung 3 2. Allgemeine Halbleiterformeln.................................. 3 2.2 pn-übergang/diode.......................................
Mehr