TT320N16SOF. Technische Information / technical information. Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module. Key Parameters V DRM / V RRM 1600V

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1 Key Parameters V DRM / V RRM I TAVM I TSM V T0 r T R thjc sin180 Base plate 1600V 320 A (T C =85 C) 9500 A 0,77 V 0,58 mω 0,110 50mm For type designation please refer to actual short form catalog Merkmale Features Löt-Bond Technologie Solder-Bond Technology Industrie-Standard-Gehäuse Industrial standard package Elektrisch isolierte Bodenplatte Electrically insulated base plate Optional: Thermisches Interface Material (TIM) Option: Pre-applied thermal interface material (TIM) bereits aufgetragen Typische Anwendungen Typical Applications Sanftanlasser Soft starters Gleichrichter für Antriebsapplikationen Rectifier for drives applications Leistungssteller Power controllers Gleichrichter für UPS Rectifiers for UPS Batterieladegleichrichter Battery chargers Statische Umschalter Static switches content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity type designation serial number internal production order number material number date code (YY/WW) add on for date code 46 1 TT TD support@infineon-bip.com Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 1/11

2 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage _TIM TD320N16SOF TD320N16SOF_TIM T vj = -40 C... T vj max V DRM,V RRM 1600 V T vj = -40 C... T vj max V DSM 1600 V T vj = +25 C... T vj max V RSM 1700 V I TRMSM 520 A T C = 85 C I TAVM 320 A T vj = 25 C, t P = 10ms T vj = T vj max, t P = 10ms T vj = 25 C, t P = 10ms T vj = T vj max, t P = 10ms DIN IEC f = 50Hz, i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs T vj = T vj max, v D = 0,67 V DRM 6.Kennbuchstabe / 6 th letter F I TSM I²t (di T/dt) cr (dv D/dt) cr A A A²s A²s 100 A/µs 1000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time T vj = T vj max, i T = 750 A v T 1,47 V T vj = T vj max V (TO) 0,77 V T vj = T vj max r T 0,58 mω T vj = 25 C, v D = 12V I GT 150 ma T vj = 25 C, v D = 12V V GT 2 V T vj = T vj max, v D = 12V T vj = T vj max, v D = 0,5 V DRM I GD T vj = T vj max, v D = 0,5 V DRM V GD 0,25 V 10 5 ma ma T vj = 25 C, v D = 12V, R A = 1Ω I H 150 ma T vj = 25 C, v D = 12V, R GK 10Ω i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs, t g = 20µs T vj = T vj max v D = V DRM, v R = V RRM DIN IEC T vj = 25 C, i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs I L 380 ma i D, i R 60 ma t gd 2 µs prepared by: AG date of publication: approved by: MS revision: 3.7 Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 2/11

3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Thermische Eigenschaften Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM thermal resistance, case to heatsink, with TIM Mechanische Eigenschaften Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature Lagertemperatur mit TIM storage temperature with TIM T vj = T vj max, i TM = I TAVM v RM = 100 V, v DM = 0,67 V DRM dv D/dt = 20 V/µs, -di T/dt = 10 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5 th letter O RMS, f = 50 Hz, t = 1min RMS, f = 50 Hz, t = 1sec pro Modul / per Module, Θ = 180 sin pro Zweig / per arm, Θ = 180 sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC pro Modul / per Module pro Zweig / per arm pro Modul / per Module pro Zweig / per arm t q typ. 200 µs V ISOL 3,0 3,6 R thjc R thch 0,055 0,11 0,048 0,096 0,0275 0,0550 0,02 0,04 kv kv T vj max 130 C T c op C T stg C C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) Basic insulation (class 1, IEC61140) Seite 4 page 4 Al 2O 3 Toleranz / Tolerance ± 15% M1 5 Nm Toleranz / Tolerance ± 15% M2 9 Nm DIN A 2,8 x 0,8 f = 50 Hz G typ. 370 g file-no. E mm 50 m/s² Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 3/11

4 d Technische Information / TT TD Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 4/11

5 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thjc for DC Pos. n R thn [] 0, , , , τ n [s] 0, , , , Analytische Funktion / Analytical function: Z thjc n max n=1 R thn 1 - e t n Erhöhung des Z th DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Z th DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZ th Θ rec / ΔZ th Θ sin Θ = 180 Θ = 120 Θ = 90 Θ = 60 Θ = 30 ΔZ th Θ rec [] 0, , , , ,07987 ΔZ th Θ sin [] 0, , , , ,06704 Z th Θ rec = Z th DC + Z th Θ rec Z th Θ sin = Z th DC + Z th Θ sin Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 5/11

6 Diagramme Technische Information / Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thjc = f(t) Durchgangsverluste Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Steuercharakteristik v G = f (i G) mit Zündbereichen für V D = 12 V Gate characteristic v G = f (i G) with triggering area for V D = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (t g) : a - 20W/10ms b - 60W/500µs c - 120W/30µs Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 6/11

7 Gehäusetemperatur bei Rechteck Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P TAV = f(i TAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 7/11

8 Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 8/11

9 Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I RMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I RMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 9/11

10 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(-di/dt) T vj = T vjmax, v R 0,5 V RRM, v RM = 0,8 V RRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i TM Grenzstrom / Maximum overload on-state current I T(OV)M = f(t), v RM = 0,8 V RRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit I TAVM / after load with I TAVM T A = 35 C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling T A = 45 C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 10/11

11 Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication Revision: 3.7 Seite/page 11/11

12 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: HPSA1 TD320N16SOFHPSA1