F4-30R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
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- Timo Winter
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1 EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = 00V IC nom = / ICRM = 0 Typischenwendungen Typicalpplications Hilfsumrichter uxiliaryinverters InduktivesErwärmenundSchweißen InductiveHeatingandWelding Solarnwendungen Solarpplications USV-Systeme UPSSystems ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiederinduktivesDesign Lowinductivedesign NiedrigeSchaltverluste LowSwitchingLosses TrenchIGBT3 TrenchIGBT3 NiedrigesVCEsat LowVCEsat MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures l2o3 Substrat mit kleinem thermischen l2o3substratewithlowthermalresistance Widerstand KompaktesDesign Compactdesign Lötverbindungstechnik SolderContactTechnology Robuste Montage durch integrierte Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code ContentoftheCode ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) Digit ULapproved(E83335) 1
2 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VCES 00 V TC = 80 C, Tvj max = 175 C TC = 25 C, Tvj max = 175 C IC nom tp = 1 ms ICRM 0 TC = 25 C, Tvj max = 175 Ptot 15 W VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage Gateladung Gatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazität Inputcapacitance Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload nstiegszeit,induktivelast Risetime,inductiveload bschaltverzögerungszeit,induktivelast Turn-offdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse bschaltverlustenergiepropuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschlußverhalten SCdata Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IC =, VGE = 15 V IC =, VGE = 15 V IC =, VGE = 15 V IC VCE sat 1,55 1,70 1,80 2,00 V V V IC = 0, m, VCE = VGE, VGEth 4,9 5,8,5 V VGE = -15 V V QG 0, µc RGint 0,0 Ω f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,5 nf f = 1 MHz,, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,051 nf VCE = 00 V, VGE = 0 V, ICES 1,0 m VCE = 0 V, VGE = 20 V, IGES 400 n IC =, VCE = 0 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω IC =, VCE = 0 V VGE = ±15 V RGon = 15 Ω IC =, VCE = 0 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω IC =, VCE = 0 V VGE = ±15 V RGoff = 15 Ω IC =, VCE = 0 V, LS = 45 nh VGE = ±15 V, di/dt = 1000 / () RGon = 15 Ω IC =, VCE = 0 V, LS = 45 nh VGE = ±15 V, du/dt = 4200 V/ () RGoff = 15 Ω VGE 15 V, VCC = 30 V VCEmax = VCES -LsCE di/dt tp 8, tp, td on tr td off tf Eon Eoff ISC 0,023 0,023 0,023 0,023 0,028 0,029 0,15 0,1 0,18 0,12 0,15 0,175 0,0 0,75 0,80 0,2 0,83 0, proigbt/perigbt RthJC 0,80 0,90 K/W proigbt/perigbt λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) RthCH 0,75 K/W Tvj op C 2
3 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent Grenzlastintegral I²t-value VRRM 00 V IF tp = 1 ms IFRM 0 VR = 0 V, tp = 10 ms, VR = 0 V, tp = 10 ms, CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Durchlassspannung Forwardvoltage Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge bschaltenergiepropuls Reverserecoveryenergy Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper Thermalresistance,casetoheatsink TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions IF =, VGE = 0 V IF =, VGE = 0 V IF =, VGE = 0 V IF =, - dif/dt = 1000 / (Tvj=150 C) VR = 0 V VGE = -15 V IF =, - dif/dt = 1000 / (Tvj=150 C) VR = 0 V VGE = -15 V IF =, - dif/dt = 1000 / (Tvj=150 C) VR = 0 V VGE = -15 V I²t VF IRM Qr Erec 90,0 82,0 1,0 1,55 1,50 20,0 24,0 2,0 1,20 2,00 2, 0,17 0,35 0,41 ²s ²s 2,00 V V V prodiode/perdiode RthJC 1,10 1,25 K/W prodiode/perdiode λpaste=1w/(m K)/λgrease=1W/(m K) µc µc µc RthCH 0,80 K/W Tvj op C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance bweichungvonr100 DeviationofR100 Verlustleistung Powerdissipation B-Wert B-value B-Wert B-value B-Wert B-value ngabengemäßgültigerpplicationnote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. TC = 25 C R25 5,00 kω TC = 100 C, R100 = 493 Ω R/R -5 5 % TC = 25 C P25 20,0 mw R2 = R25 exp [B25/50(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/80(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K R2 = R25 exp [B25/100(1/T2-1/(298,15 K))] B25/ K 3
4 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage InnereIsolation Internalisolation Kriechstrecke Creepagedistance Luftstrecke Clearance VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,nschlüsse- Chip Moduleleadresistance,terminals-chip Lagertemperatur Storagetemperature npresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp Gewicht Weight RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kv Basisisolierung(Schutzklasse1,EN1140) basicinsulation(class1,iec1140) Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal l2o3 CTI > ,5,3 10,0 5,0 min. typ. max. mm mm LsCE 20 nh TC=25 C,proSchalter/perswitch RCC'+EE' 8,00 mω Tstg C F N G 24 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf effektiv pro nschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to rms per connector pin. 4
5 usgangskennlinieigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V usgangskennlinienfeldigbt,wechselrichter(typisch) outputcharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150 C VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V IC [] IC [] ,0 0,3 0, 0,9 1,2 1,5 1,8 2,1 2,4 2,7 3,0 VCE [V] 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 VCE [V] ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicigbt,inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=15Ω,RGoff=15Ω,VCE=0V ,0 2,5 Eon, Eoff, Eon, Eoff, 42 2,0 3 IC [] E [] 1, ,0 12 0, VGE [V] 0, IC [] 5
6 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesigbt,inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=,VCE=0V TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceigbt,inverter ZthJH=f(t) 5,0 4,5 4,0 Eon, Eoff, Eon, Eoff, 10 ZthJH : IGBT 3,5 1 3,0 E [] 2,5 2,0 ZthJH [K/W] 1,5 0,1 1,0 0,5 0, RG [Ω] i: ri[k/w]: τi[s]: 1 0,12 0, ,274 0, ,37 0,05 4 0,514 0,2 0,01 0,0001 0,001 0,01 0, t [s] SichererRückwärts-rbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSO) reversebiassafeoperatingareaigbt,inverter(rbso) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=15Ω,Tvj=150 C IC, Modul 0 IC, Chip 54 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofdiode,inverter(typical) IF=f(VF) IC [] IF [] VCE [V] 0 0,0 0,2 0,4 0, 0,8 1,0 1,2 1,4 1, 1,8 2,0 2,2 VF [V]
7 SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=15Ω,VCE=0V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesdiode,inverter(typical) Erec=f(RG) IF=,VCE=0V 0,7 0, Erec, Erec, 0,7 0, Erec, Erec, 0,5 0,5 0,4 0,4 E [] 0,3 E [] 0,3 0,2 0,2 0,1 0,1 0, IF [] 0, RG [Ω] TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedancediode,inverter ZthJIH=f(t) NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 ZthJH: Diode Rtyp ZthJH [K/W] R[Ω] 0, i: ri[k/w]: τi[s]: 1 0,233 0, ,398 0, ,719 0,05 4 0,5 0,2 0,01 0,0001 0,001 0,01 0, t [s] TC [ C] 7
8 Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehäuseabmessungen/packageoutlines Infineon 8
9 9 TechnischeInformation/TechnicalInformation Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung dereignungdiesesproduktesfürihrenwendungsowiediebeurteilungdervollständigkeitderbereitgestelltenproduktdatenfürdiese nwendungobliegtihnenbzw.ihrentechnischenbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solchegewährleistungrichtetsichausschließlichnachmaßgabederimjeweiligenliefervertragenthaltenenbestimmungen.garantien jeglicherrtwerdenfürdasproduktunddesseneigenschaftenkeinesfallsübernommen.diengabenindengültigennwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeverwendungunddeneinsatzdiesesproduktesbetreffen,setzensiesichbittemitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirpplicationNotesbereit. ufgrunddertechnischennforderungenkönnteunserproduktgesundheitsgefährdendesubstanzenenthalten.beirückfragenzudenin diesemproduktjeweilsenthaltenensubstanzensetzensiesichbitteebenfallsmitdemfürsiezuständigenvertriebsbüroinverbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden nwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirummitteilung.wirweisendaraufhin,dasswirfürdiesefälle -diegemeinsamedurchführungeinesrisiko-undqualitätsassessments; -denbschlussvonspeziellenqualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameeinführungvonmaßnahmenzueinerlaufendenproduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdiebelieferungvonderumsetzungsolchermaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.nysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointriskandqualityssessments; -theconclusionofqualitygreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved.
10 Mouser Electronics uthorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon:
FS15R06VE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,83 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF150R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS15R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,04 nf
FS5RVT IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS10R12VT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 0,70 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,026 nf
FSRVT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF100R12YT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,26 nf
FFRYT3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS100R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 7,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,30 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS75R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,22 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF200R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
FF2R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS20R06VE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 1,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,034 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ600R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 39,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 2,60 nf
FZ6R12KS4 62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten 62mmC-seriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFZ400R12KE3_B1. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,10 nf
FZ4R12KE3_B1 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R06KE3_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 19,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,57 nf
FFR6KE_B 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT,EmitterControlledDiodeundMLastanschlüssen 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT,EmitterControlleddiodeandMpowerterminals IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFF300R06KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FFR6KE 6mmC-SerienModulmitTrench/FeldstopIGBTundEmitterControlledDiode 6mmC-Serienmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF300R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF3R12KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFZ2400R17KE3_B9. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 215 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 7,00 nf
FZ2R7KE3_B9 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrF4-150R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,63 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF300R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 21,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,85 nf
62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlledHighEfficiencyDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFF1200R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf
FFR7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ2400R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 170 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 8,00 nf
FZ24R2KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFZ3600R17KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 325 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 10,5 nf
FZ36R7KE3 IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFS35R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBTundHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbtandemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS50R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,50 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,13 nf
EconoPCK ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrF4-50R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-75R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-30R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFZ800R12KS4_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 52,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,40 nf
FZ8R2KS4_B2 HochleistungsmodulmitlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrF4-100R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,80 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,42 nf
F-RKS IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrFF450R17ME3. EconoDUAL 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoDUAL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS450R12KE4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 28,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,55 nf
FS45R12KE4 EconoPCK +B-SerieModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode EconoPCK +B-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andoptimizedEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
MehrFS150R06KE3. EconoPACK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
FSR6KE EconoPCK mitschnellemtrench/feldstopigbt³undemittercontrolleddiode EconoPCK withfasttrench/fieldstopigbt³andemittercontrolleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS200R06KE3. EconoPACK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
EconoPCK 3mitschnellemTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS35R12W1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS25R12W1T4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS450R12KE3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FS45R12KE3 -EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode -EconoPCK +withtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS50R12W2T4. VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS75R12W2T4. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFS150R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
FS5RKT3 EconoPCK 3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS30R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS50R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS35R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS25R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF200R12KT3_E. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 nf
62mmC-SerienModulmitgemeinsamenEmitter 62mmC-seriesmodulewithcommonemitter FF2R2KT3_E IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage
MehrFS450R17KE3. EconoPACK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPACK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode
FS45R17KE3 EconoPCK +ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode EconoPCK +modulewithtrench/fieldstopigbt³andemittercontrolled3diode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrFS75R12W2T4_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J VCES = V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFS25R12KT3. EconoPACK 2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPACK 2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode
EconoPCK 2ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 2withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmConHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS20R06W1E3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFS20R06W1E3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundNTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC / J VCES = 600V IC nom = / ICRM = 0 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS150R12KT3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 10,5 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,40 nf
FS5RKT3 EconoPCK 3ModulmitschnellemTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoPCK 3withfasttrench/fieldstopIGBT3andEmitterControlledHighEfficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS35R12W1T4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 2V IC nom = 35 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF450R12ME3. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 32,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,50 nf
FF45R12ME3 EconoDUL ModulmitTrench/FeldstopIGBT3undHighEfficiencyDiode EconoDUL modulewithtrench/fieldstopigbt3andemittercontrolledhighefficiencydiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS3L50R07W2H3F_B11. VCES = 650V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
e EasyPCKModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/ NTC EasyPCKmodulewithfastTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = 5 / ICRM
MehrFS50R12W2T4_B11. VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 12V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF450R12KE4. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode
FF45R12KE4 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter / HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFS20R06W1E3_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFD300R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 20,0 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,40 nf
FD3RKS 6mmC-SerienModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchalten 6mmC-seriesmodulewiththefastIGBTforhigh-frequencyswitching IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrFD1200R17KE3-K_B2. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 110 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,50 nf
FDR7KE3-K_B2 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent
MehrDDB6U75N16W1R. TechnischeInformation/TechnicalInformation. VorläufigeDaten. IGBT-Module IGBT-modules. HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip MaximumRMSforwardcurrentperchip
MehrFF300R12ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF3R2ME4_B EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC / VCES = 2V IC nom = 3 /
MehrFF1200R12KE3. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules. VorläufigeDaten/PreliminaryData
FF2R2KE3 / VCES = 2V IC nom = 2 / ICRM = 24 Typischenwendungen Typicalpplications 3-Level-pplikationen 3-Level-pplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen HighFrequencySwitchingpplication Hochleistungsumrichter
MehrFS75R12KS4. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,10 nf. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,32 nf
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
MehrVorläufige Daten / Preliminary Data Typische Anwendungen Typical Applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features
/ VCES = V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications Motorantriebe MotorDrives Servoumrichter ServoDrives ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures NiedrigesVCEsat LowVCEsat TrenchIGBT4
MehrFF225R17ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Modul IGBT-Module
e EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandNTC / VCES = 7V IC nom = 225 / ICRM = 4 Typischenwendungen
MehrFS50R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 6V IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
MehrFF225R12ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC / VCES = 12V IC nom = 225 / ICRM =
MehrFF450R12ME4_B11. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF45R12ME4_B11 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundPressFIT/NTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandPressFIT/NTC / VCES = 12V IC nom
MehrFF225R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 2V IC nom = 225 / ICRM = 45 Typischenwendungen
MehrF4-50R12MS4. EconoDUAL 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUAL 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandNTC
EconoDUL ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchaltenundNTC EconoDUL modulewiththefastigbtforhigh-frequencyswitchingandntc VCES = V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications nwendungenmithohenschaltfrequenzen
MehrFZ1200R17KF6C_B2. IC = 1200 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 79,0 nf
FZ2R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF300R12ME4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FF3R2ME4 EconoDUL 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlledHEDiodeundNTC EconoDUL 3modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlledHEdiodeandNTC VCES = 2V IC nom = 3 / ICRM = 6 Typischenwendungen
MehrFZ800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FZ8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrFF800R12KL4C. IC = 800 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 56,0 nf
FF8R2KL4C 2IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 2IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrF12-35R12KT4G. EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4Diode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBT4andEmitterControlled4diode
EconoPACK 3ModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiode EconoPACK 3modulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlleddiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
MehrF4-75R12KS4_B11. VCES = 1200V IC nom = 75A / ICRM = 150A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK 2ModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPCK 2modulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitchingandPressFIT/NTC / VCES = 2V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF4-50R12KS4_B11. VCES = 1200V IC nom = 50A / ICRM = 100A. High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Kurzschlussstrom
EconoPCK ModulmitschnellemIGBTfürhochfrequentesSchaltenundPressFIT/NTC EconoPCK modulewiththefastigbtforhigh-frequencyswitchingandpressfit/ntc / VCES = V IC nom = 5 / ICRM = Typischenwendungen Typicalpplications
MehrFS75R07U1E4. TechnischeInformation/TechnicalInformation. ModuleLabelCode BarcodeCode128. IGBT-Module IGBT-modules
FSR7UE SmartPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC SmartPCKmodulewithtrench/fieldstopIGBTandEmitterControlledDiodeandPressFIT/NTC J VCES = 65V IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFZ1600R17KF6C_B2. IC = 1600 A, VGE = 15 V VCE sat. f = 1 MHz, Tvj = 25 C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 105 nf
FZ6R7KF6C_B2 7IGBTModulmitlowlossIGBTder2.tenGenerationundsofterEmitterControlledDiode 7IGBTModulewithlowlossIGBTof2ndgenerationandsoftEmitterControlledDiode IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedalues
MehrF3L75R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 75A / ICRM = 150A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = / ICRM = 5 Typischenwendungen
MehrFZ600R17KE3. 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode
FZ6R17KE3 62mmC-SerienModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode 62mmC-SeriesmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 17V IC nom = 6 / ICRM = 1 Typischenwendungen Typicalpplications
MehrF3L100R07W2E3_B11. VCES = 650V IC nom = 100A / ICRM = 200A. Rugged mounting due to integrated mounting Befestigungsklammern
EasyPCKModulmitTrench/FeldstoppIGBTundEmitterControlledDiodeundPressFIT/NTC EasyPCKmodulewithTrench/FieldstopIGBTandEmitterControlleddiodeandPressFIT/NTC / J CES = 65 IC nom = / ICRM = Typischenwendungen
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