Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik"

Transkript

1 Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2018/19 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:

2 1 Einführung EF.1 Zählen sie alle Elemente (Zweipole) auf, die in einer linearen Schaltung auftreten dürfen. EF.2 Wie ermittelt man den Innenwiderstand einer linearen Schaltung bezüglich eines Klemmenpaares? EF.3 Was ist die Leerlaufspannung eines linearen (Teil-)Netzwerks. Skizze! EF.4 Was ist der Kurzschlussstrom eines linearen (Teil-)Netzwerks. Skizze! EF.5 Zeichnen Sie die Ersatzschaltbilder einer Ersatzspannungsquelle sowie einer Ersatzstromquelle, benennen Sie die vorkommenden Bauelemente und geben Sie den Zusammenhang dieser an. EF.6 Welche Bedingung muss erfüllt sein, damit das Superpositionsprinzip gilt? EF.7 Beschreiben Sie kurz das Superpositionsgesetz zur Ermittlung des Stromes/ der Spannung im Zweig einer linearen Schaltung. 1

3 2 Diode D.1 Zeichnen Sie qualitativ eine Diodenkennlinie und kennzeichnen Sie die drei charakteristischen Bereiche. D.2 Geben Sie die Gleichung der Diodenkennlinie an und erklären Sie alle vorkommenden Größen. In welchen Bereichen ist diese Gleichung gültig? D.3 Gegeben ist die Serienschaltung einer Diode mit einem Widerstand. Skizzieren Sie diese Schaltung, benennen Sie alle Elemente, Ströme und Spannungen und analysieren Sie diese Schaltung qualitativ grafisch. Geben Sie die Funktion der Lastgeraden sowie deren Schnittpunkte mit der Abszisse und der Ordinate an. D.4 Gegeben ist die Parallelschaltung einer Diode mit einem Widerstand. Skizzieren Sie diese Schaltung, benennen Sie alle Elemente, Ströme und Spannungen und analysieren Sie diese Schaltung qualitativ grafisch. Geben Sie die Funktion der Lastgeraden sowie deren Schnittpunkte mit der Abszisse und der Ordinate an. D.5 Gegeben ist die Serienschaltung einer Diode mit einem Widerstand. Skizzieren Sie diese Schaltung, benennen Sie alle Elemente, Ströme und Spannungen. Erklären sie, wie Sie die Kennlinie dieser Serienschaltung grafisch ermitteln können. Beschriften Sie alle Kennlinien eindeutig und geben Sie deren Funktionen an. D.6 Gegeben ist die Parallelschaltung einer Diode mit einem Widerstand. Skizzieren Sie diese Schaltung, benennen Sie alle Elemente, Ströme und Spannungen. Erklären sie, wie Sie die Kennlinie dieser Parallelschaltung grafisch ermitteln können. Beschriften Sie alle Kennlinien eindeutig und geben Sie deren Funktionen an. D.7 Was ist bei der Parallelschaltung von Dioden (z.b. Leuchtdioden) zu beachten? Grafische Erklärung! Was muss eingebaut werden, damit die Dioden ordnungsgemäß betrieben werden können? D.8 Leiten Sie den differenziellen Widerstand einer Diode her. Wovon hängt dieser ab? D.9 Woran erkennen Sie die Temperaturabhängigkeit der Diodenkennlinie? Begründen Sie dies mathematisch anhand der Diodengleichung. 2

4 2 Diode 3

5 3 Bipolartransistor T.1 Skizzieren Sie den Aufbau eines npn- sowie eines pnp-bipolartransistors und erläutern Sie anhand der Skizzen die Funktionsweise eines npn-bipolartransistors. Warum kommt es zur Stromverstärkung? T.2 Skizzieren Sie: Eingangskennlinie, Transferkennlinie, Stromsteuerkennlinie und Ausgangskennlinienfeld. Geben Sie gegebenenfalls Gleichungen an, die diese Verläufe beschreiben. Unter welchen Bedingungen werden diese Kennlinien aufgezeichnet? T.3 Zeichnen Sie das 4-Quadranten-Kennlinienfeld eines Transistors. Beschreiben Sie die Methode, mit der Sie das Kennlinienfeld aufnehmen würden. T.4 Zeichnen Sie das Kleinsignal-Ersatzschaltbild eines Transistors inklusive Earlyleitwert und geben Sie die Bestimmungsgleichungen der darin vorkommenden Symbole an. T.5 Was versteht man unter einer Arbeitspunkteinstellung eines Transistors und warum ist diese überhaupt nötig? Nach welchen Kriterien wählen Sie den Arbeitspunkt? T.6 Skizzieren Sie ein 4-Quadrantenkennlinienfeld und zeichnen Sie den Arbeitspunkt für die unten dargestellte Schaltung in jede der drei Kennlinien ein. Zeichnen Sie die durch R C festgelegte Arbeitsgerade in den passenden Quadranten ein. Überlagern Sie nun dem Arbeitspunkt ein Kleinsignal und bestimmen Sie U CE grafisch. 4

6 4 Bipolartransistor - Arbeitspunkteinstellung TAP.1 Zeichnen Sie die zwei Schaltungen zur einfachen Spannungs- und Stromeinstellung und erläutern Sie deren Vor- und Nachteile anhand der Kennlinien zu Stromverstärkung und Transferverhalten. TAP.2 Zeichnen Sie die Schaltung zur Arbeitspunkteinstellung mit Basisvorwiderstand und erläutern Sie deren Vor- und Nachteile anhand der Transferkennlinie. Geben Sie dort die Funktion der Arbeitsgeraden an. TAP.3 Zeichnen Sie die Schaltung zur Arbeitspunkteinstellung mit Basis-Spannungsteiler (ohne Gegenkopplung) und erläutern Sie deren Vor- und Nachteile anhand der Transferkennlinie. Geben Sie dort die Funktion der Arbeitsgeraden an. TAP.4 Zeichnen Sie die Schaltung zur Arbeitspunkteinstellung mit Basisspannungsteiler und stromgesteuerter Spannungsgegenkopplung (vulgo Stromgegenkopplung ) und erläutern Sie deren Vor- und Nachteile anhand der Transferkennlinie. Geben Sie dort die Funktion der Arbeitsgeraden an. TAP.5 Zeichnen Sie die Schaltung zur Arbeitspunkteinstellung mit spannungsgesteuerter Stromgegenkopplung (vulgo Spannungsgegenkopplung ) und erläutern Sie deren Vor- und Nachteile anhand der Transferkennlinie. Geben Sie dort die Funktion der Arbeitsgeraden an. 5

7 5 Emitterschaltung - Kleinsignalverhalten ES.1 Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild einer Emitterschaltung mit stromgesteuerter Spannungsgegenkopplung ( vulgo Stromgegenkopplung ) inklusive Early-Leitwert. Sehen Sie einen Kondensator zur Verringerung der Gegenkopplung bei Wechselsignalen vor. Benennen Sie alle Bauelemente und geben Sie die beiden Ausdrücke für den Strom der gesteuerten Quelle an. ES.2 Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild einer Emitterschaltung mit spannungsgesteuerter Stromgegenkopplung (vulgo Spannungsgegenkopplung ) inklusive Early-Leitwert. Benennen Sie alle Bauelemente und geben Sie die beiden Ausdrücke für den Strom der gesteuerten Quelle an. ES.3 Skizzieren Sie einen belasteten Verstärkervierpol ( Black Box mit Eingangstor und Ausgangstor), welcher am Eingang mit einem Generator gespeist wird, und geben Sie die Definitionen von Eingangswiderstand und Betriebsverstärkung an. ES.4 Skizzieren Sie einen unbelasteten Verstärkervierpol ( Black Box mit Eingangstor und Ausgangstor), welcher am Eingang mit einem Generator gespeist wird, und geben Sie die Definition der Leerlaufverstärkung an. ES.5 Skizzieren Sie einen Verstärkervierpol ( Black Box mit Eingangstor und Ausgangstor) mit passender Beschaltung für die Berechnung des Ausgangswiderstandes und geben Sie die Definition des Ausgangswiderstandes an. ES.6 Erklären Sie den Early-Leitwert und die Early-Spannung anhand des Ausgangskennlinienfeldes eines Transistors.

8 6 Verstärkerschaltungen VS.1 Zeichnen Sie eine Emitterschaltung mit stromgesteuerter Spannungsgegenkopplung (vulgo Stromgegenkopplung ) inklusive Generator und Last. Ist die Spannungsverstärkung eher hoch oder niedrig? Ist sie positiv oder negativ? Wie wirkt sich ein Kondensator aus, welcher parallel zum Emitterwiderstand geschaltet wird? VS.2 Zeichnen Sie eine Kollektorschaltung inklusive Generator und Last. Was können Sie über die Spannungsverstärkung aussagen? Ist sie positiv oder negativ? VS.3 Zeichnen Sie eine Basisschaltung inklusive Generator und Last. Ist die Spannungsverstärkung eher hoch oder niedrig? Ist sie positiv oder negativ?

9 7 Stromquellen/-spiegel und Differenzverstärker SD.1 Zeichnen Sie die Schaltung einer einfachen Stromquelle bestehend aus einer Emitterschaltung mit Basisspannungsquelle und stromgesteuerter Spannungsgegenkopplung (vulgo Stromgegenkopplung ). Erklären Sie die Funktion der Schaltung und geben Sie I a(u BE ) an (Ausgangsstrom als Funktion der Basis-/Emitterspannung). SD.2 Zeichnen Sie die Schaltung einer einfachen Stromquelle bestehend aus einer Emitterschaltung mit Basisspannungsquelle und stromgesteuerter Spannungsgegenkopplung (vulgo Stromgegenkopplung ). Erklären Sie die Funktion der Schaltung und geben Sie I a(u CE ) an (Ausgangsstrom als Funktion der Kollektor-/Emitterspannung). SD.3 Zeichnen Sie die Schaltung einer einfachen Stromquelle bestehend aus einer Emitterschaltung mit Basisspannungsquelle und stromgesteuerter Spannungsgegenkopplung (vulgo Stromgegenkopplung ). Zeichnen Sie zusätzlich eine schaltungstechnische Variante zur Stabilisierung gegenüber Schwankungen der Temperatur und eine schaltungstechnische Variante zur Stabilisierung gegenüber Schwankungen der Versorgungsspannung. SD.4 Zeichnen Sie die Schaltung eines einfachen Stromspiegels, erklären Sie die Funktion der Schaltung und zeigen Sie I a = I e. SD.5 Zeichnen Sie die Schaltung eines einfachen Differenzverstärkers und erklären Sie die Funktion der Schaltung. Geben Sie die Definitionen von Differenzverstärkung, Differenzeingangswiderstand und Differenzausgangswiderstand an. SD.6 Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild eines einfachen Differenzverstärkers und berechnen Sie für einen idealen Differenzverstärker (ideale Stromquelle mit R i ) Differenzverstärkung, Differenzeingangswiderstand und Differenzausgangswiderstand (ohne Early-Effekt).

10 8 Feldeffekt-Transistoren FET.1 Zeichnen Sie die Schaltsymbole für vier verschiedene MOSFETs (n-kanal/p-kanal, selbstleitend/selbstsperrend) und zeichnen Sie für einen davon Transferkennlinie und Ausgangskennlinienfeld. FET.2 Wie lauten die Gleichungen für Transferkennlinie und Ausgangskennlinie eines nmosfet? FET.3 Wie lauten die Gleichungen für Transferkennlinie und Ausgangskennlinie eines pmosfet? FET.4 Zeichnen Sie das allgemeine Kleinsignalersatzschaltbild eines MOSFET und geben Sie eine Formel für die Steilheit S an. FET.5 Zeichnen Sie die Schaltung für ein CMOS NAND-Gatter und geben Sie tabellarisch dessen Funktion an. FET.6 Zeichnen Sie die Schaltung für ein CMOS NOR-Gatter und geben Sie tabellarisch dessen Funktion an.

Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik

Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,

Mehr

3 Der Bipolartransistor

3 Der Bipolartransistor 3 Der Bipolartransistor 3.1 Einführung Aufbau Ein Bipolartransistor (engl.: Bipolar Junction Transistor, BJT) besteht aus zwei gegeneinander geschalteten pn-übergängen (Dioden) mit einer gemeinsamen, sehr

Mehr

Matr. Nr.: Kennzahl: b) Bestimmen Sie den Strom durch beide Dioden durch grafische Netzwerkanalyse. (15 Punkte)

Matr. Nr.: Kennzahl: b) Bestimmen Sie den Strom durch beide Dioden durch grafische Netzwerkanalyse. (15 Punkte) 1. PROBETEST ZU HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK, WS 2017/18 DATUM Punktemaximum: 100 Testdauer: 90 min Vorname: Nachname: Matr. Nr.: Kennzahl: Hinweis zum Test: Alle nötigen Zwischenschritte angeben! Ergebnisse

Mehr

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 363 Abbildungen 4y Springer Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole 1 1 Grundlagen der Halbleiterphysik

Mehr

3.2 Arbeitspunkteinstellung

3.2 Arbeitspunkteinstellung 3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 28 3.2 Arbeitspunkteinstellung Wiederholung: Der Arbeitspunkt legt die Großsignalgrößen,,,,, und U CE, sowie die Kleinsignalgrößen r BE, S und g EA

Mehr

U L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-

U L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs- Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen

Mehr

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik 2., bearbeitete und erweiterte Auflage Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 390 Abbildungen und CD-ROM < _j Springer Inhaltsverzeichnis

Mehr

Aufgabe 1 Bipolare Transistoren

Aufgabe 1 Bipolare Transistoren 2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild

Mehr

I C. T A p` A p I B U BE U B U CE. 1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker

I C. T A p` A p I B U BE U B U CE. 1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker 1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker Eine Verstärkung von kleinen Gleichspannungssignalen (1-10mV) ist mit einem Transistor nicht möglich, da einerseits die Arbeitspunkteinstellung

Mehr

Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!

Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt

Mehr

Sourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET

Sourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET BEISPIEL 5.5: Sourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET R D C R G Versorgungsspannung: U 0 = 12 V Schwellenspannung: U th = 3 V Steuerfaktor: β = 2 ma/v 2 Widerstandswert: R G = 1 MW (a) Dimensionieren

Mehr

Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,

Mehr

Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2

Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer

Mehr

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder

Mehr

Transistorschaltungen

Transistorschaltungen Transistorschaltungen V DD in Volt 3 2 V Ein - UTh,P V Ein - UTh,N 1-1 0 1 2 3 U Th,P U Th,N V Ein in Volt a) Schaltung b) Übertragungsfunktion Bipolar Transistorschaltung im System I Ein C Ein? V CC I

Mehr

15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider!

15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider! 15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider! 1 Na, wie sieht es aus mit Eurem Schaltungsblick? Schade, das spart Rechenarbeit, aber Sie müssen sich natürlich sicher sein. 2 Aufgabe

Mehr

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik 2., bearbeitete und erweiterte Auflage Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 390 Abbildungen und CD-ROM Spri inger Liste der verwendeten

Mehr

11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik

11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 1 Aufgabe (Klausur WS07/08: 40 min, 22 Punkte) - die Killeraufgabe, aber warum? Bootstrapschaltung und Kleinsignal-Transistormodell Gegeben ist die in

Mehr

Schaltungstechnik

Schaltungstechnik KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle

Mehr

5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung

5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung 5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 50 Verschiebung des AP zufolge Temperaturschwankungen Schwankungen der Versorgungsspannung U 0 Aufgabe 22 Berechnung des Temperatureinflusses

Mehr

Aufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?

Aufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters? Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters

Mehr

A1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe

A1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen

Mehr

A1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung

A1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung A1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung 05.05.2009 1 Kreuzen Sie die richtige Antwort an: 1.1 Mit welcher Schaltung erreicht man die gewünschte Ausgangsspannung U a lt. Diagramm. (U e und U st lt. Diagramm)

Mehr

Schaltungstechnik 1 (Wdh.)

Schaltungstechnik 1 (Wdh.) Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik Schaltungstechnik 1 (Wdh.) Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Freitag, den 04.04.2003 9.00 10.30 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.:

Mehr

Musterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten

Musterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit

Mehr

Klausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 2007/2008 1

Klausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 2007/2008 1 Klausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 007/008 Hinweis: Die Darstellung der Lösungswege muß vollständig, klar und kontrollierbar sein. Achten Sie dazu bitte insbesondere bei Ersatzschaltbildern auf

Mehr

Musterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...

Musterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der

Mehr

Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen

Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild

Mehr

6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)

6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C) 6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise

Mehr

Fragen zur Selbstkontrolle, Vorlesung Halbleiterschaltungstechnik (Bachelor und Diplom)

Fragen zur Selbstkontrolle, Vorlesung Halbleiterschaltungstechnik (Bachelor und Diplom) Fragen zur Selbstkontrolle, Vorlesung Halbleiterschaltungstechnik (Bachelor und Diplom) Wichtige Vorbemerkung: Diese Fragen dienen zur Selbstkontrolle und sollen die Vorbereitung auf die Vorlesungsprüfung

Mehr

Der Bipolar-Transistor

Der Bipolar-Transistor Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,

Mehr

1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12

1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12 Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten

Mehr

Einführung in die Halbleiter Schaltungstechnik

Einführung in die Halbleiter Schaltungstechnik Holger Gäbel Einführung in die Halbleiter Schaltungstechnik 4., bearbeitete und erweiterte Auflage ~ Springer Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole................................ 1 1 Grundlagen

Mehr

Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)

Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen

Mehr

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik

Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik 3., bearbeitete und erweiterte Auflage Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 436 Abbildungen und CD-ROM Springer Liste der verwendeten Symbole

Mehr

Beispielklausur 3 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 3 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines mit Bor (dritte Hauptgruppe) dotierten Halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau (ca. 100meV oberhalb der Valenzbandenergie),

Mehr

Uwe Naundorf. Analoge Elektronik. Grundlagen, Berechnung, Simulation. Hüthig Verlag Heidelberg

Uwe Naundorf. Analoge Elektronik. Grundlagen, Berechnung, Simulation. Hüthig Verlag Heidelberg Uwe Naundorf Analoge Elektronik Grundlagen, Berechnung, Simulation Hüthig Verlag Heidelberg Inhaltsverzeichnis 1 Bauelemente 1 1.1 Nichtlinearer Widerstand 1 1.1.1 Allgemeine Beschreibung 1 1.1.2 Großsignalverhalten

Mehr

Schaltungstechnik I. Übungsklausur, 18/

Schaltungstechnik I. Übungsklausur, 18/ Schaltungstechnik I Übungsklausur, 18/19.01.2010 Es gibt 90 Punkte und 90 Minuten Zeit. Also ein Punkt pro Minute. Erlaubte Hilfsmittel sind: Schreibutensilien und 5 Blätter DIN-A4 Formelsammlung Wir wünschen

Mehr

R 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω

R 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω Probeklausur Elektronik, W 205/206. Gegeben ist die folgende Schaltung: R U q R 3 R 2 R 4 U L 2 mit Uq= 0 V R= 800 Ω R2=, kω R3= 480 Ω R4= 920 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen Gesetze

Mehr

Gleichstromtechnik. Vorlesung 13: Superpositionsprinzip. Fakultät für Elektro- und Informationstechnik, Manfred Strohrmann

Gleichstromtechnik. Vorlesung 13: Superpositionsprinzip. Fakultät für Elektro- und Informationstechnik, Manfred Strohrmann Gleichstromtechnik Vorlesung 13: Superpositionsprinzip Fakultät für Elektro- und Informationstechnik, Manfred Strohrmann Motivation Einige Schaltungen weisen mehr als eine Quelle auf, Beispiel Ersatzschaltbild

Mehr

3 Halbleiterdioden... 46

3 Halbleiterdioden... 46 1 Einführung in die Physik der Halbleiter... 1 1.1 Leitungsmechanismus... 1 1.2 Eigenleitung.... 2 1.3 Störstellenleitung... 5 1.4 Elektronentheoretische Deutung des Stromes in Metallen und Halbleitern..

Mehr

Operationsverstärker. 24. Mai Martin Albert

Operationsverstärker. 24. Mai Martin Albert Operationsverstärker - Martin Albert - - 24. Mai 2006 - Gliederung Einführung Grundlagen Grundlegende Schaltungen spezielle Typen 2 Gliederung Einführung Begriff OPV Grundlagen Transistor Grundschaltungen

Mehr

Übung Halbleiterschaltungstechnik

Übung Halbleiterschaltungstechnik Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2016/17 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:

Mehr

Aufgabe 1 Bipolare Transistoren

Aufgabe 1 Bipolare Transistoren 2 Aufgabe 1 Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b1 T2 i c1 T1 i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i 1 R

Mehr

Aufgabe 2 Nichtlineares Zweitor

Aufgabe 2 Nichtlineares Zweitor Name:.................................. Matrikel-Nr.:................... 5 Aufgabe Nichtlineares Zweitor (6 Punkte) Gegeben sei die Hybridbeschreibung eines nichtlinearen Zweitors H: 6 u = i U T ln β 0

Mehr

TNF. Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13. Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel

TNF. Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13. Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel TNF Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13 Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet: www.ime.jku.at

Mehr

NTB Druckdatum: ELA I

NTB Druckdatum: ELA I GLEICHSTROMLEHRE Einführende Grundlagen - Teil 1 Elektrische Ladung Elektrische Stromdichte N elektrische Ladung Stromstärke Anzahl Elektronen Elementarladung elektrische Stromdichte Querschnittsfläche

Mehr

Grundschaltungen der Analogtechnik

Grundschaltungen der Analogtechnik Grundschaltungen der Analogtechnik Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) mit Kondensator Zweipuls-Mittelpunktschaltung (M2) Zweipuls Brückenschaltung (B2) Zweipuls Brückenschaltung

Mehr

Schaltungen & Systeme

Schaltungen & Systeme Prof. Dr. P. Pogatzki en für Kommunikationstechniker an der 2/26 Aufgabe 1: Gegeben ist die folgende Schaltung bestehend aus idealen passiven Elementen. R2 R=50 Ohm Port P1 C1 C=1.0 pf L1 L=1.0 nh R=0

Mehr

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,

Mehr

Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung

Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen

Mehr

4.Übung Schaltungstechnik SS2009

4.Übung Schaltungstechnik SS2009 . Aufga: Kollektorschaltung als Impedanzwandler Lernziele erechnung der Schatungsparameter einer Kollektorschaltung. insatz der Kollektorschaltung als Impedanzwandler. Aufganstellung R +U b R g R g U g

Mehr

4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung

4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung Kapitel 4 Schaltungselemente 4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung Eine gebräuchliche Schaltung mit Gegenkopplung ist in Bild 4.1 dargestellt. Gegengekoppelt wird durch Einfügen

Mehr

Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009

Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009 Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2

Mehr

Beispielklausur 5 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 5 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur, sowie die

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Bipolare Transistoren

Mehr

Kapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines

Kapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines Kapitel 2 Grundschaltungen 2.1 Allgemeines Die bisherige Beschreibung der Transistoren hatte sich auf den Fall beschränkt, dass die Emitter- bzw. Source-Elektrode die dem Eingang und dem Ausgang gemeinsame

Mehr

Fachprüfung. Schaltungen & Systeme BA

Fachprüfung. Schaltungen & Systeme BA Fachprüfung Schaltungen & Systeme BA 15. Juli 2004 Prüfer: Prof. Dr. P. Pogatzki Bearbeitungszeit: 2 Stunden Name:... Matr.-Nr.:... Unterschrift:... Punkte Aufgabe.1.2.3.4.5.6.7.8.9 Summe 1. 2. 3. 4. 5.

Mehr

Kennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1

Kennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1 Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5

Mehr

Übung zum Elektronikpraktikum

Übung zum Elektronikpraktikum Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt Raum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 2 13. September - 1. Oktober 2010 2: Der Transistoreffekt Ein

Mehr

6. Vorverstärkerschaltungen

6. Vorverstärkerschaltungen 6.1 Transistorkennlinien und Arbeitsbereich 6.1.1 Eingangskennlinie I B =f(u BE ) eines NPN-Transistors Die Eingangskennlinie beschreibt das Verhalten des Transistors zwischen der Basis und dem Emitter.

Mehr

Beispielklausur 1 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 1 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur, sowie die

Mehr

Musterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...

Musterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Nachklausur Grundlagen der Elektrotechnik I-A 6. April 2004 Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 135 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben

Mehr

Grundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen

Grundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von

Mehr

4.3 Der Bipolartransistor

4.3 Der Bipolartransistor 4.3 Der Bipolartransistor Der Transistor wurde 1947 vom Forscherteam Shockley, Bardeen und Brattain erfunden (zunächst als Spitzentransistor, ein Jahr später dann als Flächentransistor). Er war das erste

Mehr

Wir wünschen Ihnen bei der Bearbeitung viel Erfolg!

Wir wünschen Ihnen bei der Bearbeitung viel Erfolg! Semesterabschlussklausur Wintersemester 200/2006: WERKSTOFFE UND BAUELEMENTE DER ELEKTROTECHNIK I (Bauelemente) Name: Matrikelnummer: Lesen Sie bitte vor dem Beginn der Bearbeitung die einzelnen Aufgaben

Mehr

Kapitel 3. Arbeitspunkteinstellung

Kapitel 3. Arbeitspunkteinstellung Kapitel 3 Arbeitspunkteinstellung Bei den bislang erfolgten Analysen wurde der Transistor um einen Arbeitspunkt AP herum ausgesteuert. Durch flankierende Schaltungsmaßnahmen wird erst das Einstellen dieses

Mehr

Schaltungstechnik 1. Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek. Mittwoch, den Uhr

Schaltungstechnik 1. Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek. Mittwoch, den Uhr Grundlagenorientierungsprüfung für Elektroingenieure Schaltungstechnik 1 Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Mittwoch, den 27.02.2002 9.00 10.30 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.: Hörsaal: Platz-Nr.:

Mehr

Diplomvorprüfung SS 2009 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten

Diplomvorprüfung SS 2009 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Diplomvorprüfung SS 2009 Fach: Elektronik,

Mehr

Heiner Herberg. Elektronik. Einführung für alle Studiengänge. Mit 529 Abbildungen. Herausgegeben von Otto Mildenberger. vieweg

Heiner Herberg. Elektronik. Einführung für alle Studiengänge. Mit 529 Abbildungen. Herausgegeben von Otto Mildenberger. vieweg Heiner Herberg Elektronik Einführung für alle Studiengänge Mit 529 Abbildungen Herausgegeben von Otto Mildenberger vieweg VI Inhaltsverzeichnis 1 Einführung 1 1.1 Grandlegende Gesetze 1 1.1.1 Ohmsche Gesetz

Mehr

Transistorverstärker in Emitterschaltung

Transistorverstärker in Emitterschaltung Transistorverstärker in Emitterschaltung Bild 1 zeigt den Transistor BD139 in Emitterschaltung, der die Wechselspannung u e verstärken und über einen Lautsprecher (R C = 16 Ω) ausgeben soll. Weitere Daten:

Mehr

A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.

A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet. Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage

Mehr

Wir wünschen Ihnen bei der Bearbeitung viel Erfolg!

Wir wünschen Ihnen bei der Bearbeitung viel Erfolg! Semesterabschlussklausur Wintersemester 200/2007: WERKSTOFFE UND BAUELEMENTE DER ELEKTROTECHNIK I (Bauelemente) Name: Matrikelnummer: Es sind außer Ihrem Schreibzeug, einfachem Zeichenmaterial, einem nicht

Mehr

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe 18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,

Mehr

Aufgaben Elektronik III

Aufgaben Elektronik III Aufgaben Elektronik III 1. Ein Anreicherungs-MOSFET wird durch I D = 1mA { U GS 0,5 V U DS 1 2 U DS im Anlauf beschrieben (λ = 0). a) Bitte finden Sie heraus, ob es sich um einen PMOS oder NMOS Transistor

Mehr

Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente

Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente Ziel des Versuchs: Im ersten Teil des Versuchs wird eine einfache Spannungsverstärkerschaltung untersucht. Die Frequenzabhängigkeit der Spannungsverstärkung

Mehr

Analogtechnik multimedial

Analogtechnik multimedial Analogtechnik multimedial + cb-ufh Dr.-Ing. Hermann Deitert Prof. Dr.-Ing. habil. Mathias Vogel Mit 85 Bildern, 68 Übungen mit Lösungen und einer CD-ROM Fachbuchverlag Leipzig im Carl Hanser Verlag Inhaltsverzeichnis

Mehr

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren 1 von 19 15.03.2008 11:41 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Damit in einer Anwendung ein Transistor bestimmte, geforderte Eigenschaften aufweist, muss der Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor

Mehr

Institut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik,

Institut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik, Feldeffekttransistoren 1 JFET Sperrschicht - FET (Junction FET) Sperrschicht breitet sich mit Ansteuerung in den Kanal aus und sperrt diesen Es gibt zwei Arten n-kanal, p-kanal 2 JFET Schaltzeichen 3 Das

Mehr

Professur für Leistungselektronik und Messtechnik

Professur für Leistungselektronik und Messtechnik Aufgabe 1: Diode I (leicht) In dieser Aufgabe sollen verschiedene Netzwerke mit Dioden analysiert werden. I = 1 A R = 2 Ω T = 25 C Diodenkennlinie: Abbildung 5 Abbildung 1: Stromteiler mit Diode a) Ermitteln

Mehr

Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen

Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen

Mehr

Kapitel 1. Kleinsignalparameter

Kapitel 1. Kleinsignalparameter Kapitel 1 Kleinsignalparameter Der Name analoge Schaltung drückt aus, dass das Ausgangssignal dieser Schaltung immer stufenlos dem Eingangssignal folgt, d. h. in irgendeiner Form eine Proportionalität

Mehr

Wir wünschen Ihnen bei der Bearbeitung viel Erfolg! Beginnen Sie bitte jede Aufgabe auf einem neuen Blatt!

Wir wünschen Ihnen bei der Bearbeitung viel Erfolg! Beginnen Sie bitte jede Aufgabe auf einem neuen Blatt! Semesterabschlussklausur Werkstoffe und Bauelemente der Elektrotechnik I 19.02.200 Semesterabschlussklausur Wintersemester 2003/200: WERKSTOFFE UND BAUELEMENTE DER ELEKTROTECHNIK I (Bauelemente) Name:

Mehr

Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker

Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:

Mehr

E l e k t r o n i k III

E l e k t r o n i k III Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k III Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2003/04 Elektronik III

Mehr

Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor

Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für

Mehr

Elektrische Grundlagen der Informationstechnik. Laborprotokoll: Nichtlineare Widerstände

Elektrische Grundlagen der Informationstechnik. Laborprotokoll: Nichtlineare Widerstände Fachhochschule für Technik und Wirtschaft Berlin Elektrische Grundlagen der Informationstechnik Laborprotokoll: Nichtlineare Widerstände Mario Apitz, Christian Kötz 2. Januar 21 Inhaltsverzeichnis 1 Vorbeitung...

Mehr

C03 Transistor. 2. Zur Vorbereitung: Die Kennlinien des Transistors. 1 Eingangskennlinie Ausgangskennlinie Rückwirkungskennlinie

C03 Transistor. 2. Zur Vorbereitung: Die Kennlinien des Transistors. 1 Eingangskennlinie Ausgangskennlinie Rückwirkungskennlinie C03 Transistor 1 Ziele In diesem Versuch werden Eigenschaften und Anwendungen eines npn-transistors (BD 135) untersucht. Dazu werden Sie Schaltungen aufbauen und ausprobieren und seine Kennlinien nutzen

Mehr

Abschlussprüfung. Elektronische Bauelemente. Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor. Name: Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing.

Abschlussprüfung. Elektronische Bauelemente. Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor. Name: Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Name: Abschlussprüfung Elektronische Bauelemente WS2010/11 Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 26.1.2011 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder

Mehr

1. Gleichstrom 1.2 Aktive und passive Zweipole, Gleichstromschaltkreise

1. Gleichstrom 1.2 Aktive und passive Zweipole, Gleichstromschaltkreise Elektrischer Grundstromkreis Reihenschaltung von Widerständen und Quellen Verzweigte Stromkreise Parallelschaltung von Widerständen Kirchhoffsche Sätze Ersatzquellen 1 2 Leerlauf, wenn I=0 3 4 Arbeitspunkt

Mehr

Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik. Schaltungstechnik 1. Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek

Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik. Schaltungstechnik 1. Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik Schaltungstechnik 1 Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Freitag, den 25.02.2005 9.00 10.30 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.: Hörsaal:

Mehr

Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09

Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09 Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik WS 2008/09 Name: Vorname:

Mehr

Passive Bauelemente, Grundgrößen

Passive Bauelemente, Grundgrößen Passive Bauelemente, Grundgrößen 1. Wie lauten die beiden wichtigsten Parameter eines ohmschen Widerstandes? 2. Wie lauten die beiden wichtigsten Parameter eines Kondensators? 3. Wie lauten die beiden

Mehr

Transistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden.

Transistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden. Transistoren David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden http://hobbyelektronik.de.tl/der-erste-transistor-der-welt.htm Gliederung Was ist ein Transistor Geschichte Bipolartransistor

Mehr

Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.

Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen. Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Elektronische Bauelemente WS2012/13 Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 23.1.2013 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,

Mehr

Probeklausur Elektronik (B06)

Probeklausur Elektronik (B06) Probeklausur Elektronik (B06) Bitte vor Arbeitsbeginn ausfüllen Name: Vorname: Matrikel-Nummer: Fachsemester: Datum: Unterschrift: Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner ohne Textspeicher 1DIN A4-Blatt:

Mehr

Wechselstrom-Gegenkopplung

Wechselstrom-Gegenkopplung // Berechnung einer Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung Diese Transistor-Schaltung stellt eine Abwandlung der " Emitterschaltung mit Arbeitspunktstabilisierung durch Stromgegenkopplung " dar.

Mehr