IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800

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Franz Dresdner
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IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot LED

8 nm Sehr hohe Strahldichte Anwendungsklasse nach DIN 4 4 GQG Anwendungen Sensorik Lichtvorhänge Features High Power Infrared LED Anode is electrically connected to the case Peak wavelength typ.

1 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Emissionswellenlänge typ. 8 nm Sehr hohe Strahldichte Anwendungsklasse nach DIN 4 4 GQG Anwendungen Sensorik Lichtvorhänge Features High Power Infrared LED Anode is electrically connected to the case Peak wavelength typ. 8 nm Very high radiance DIN humidity category in acc. with DIN 4 4 GQG Applications Sensor technology Light curtains Sicherheitshinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot- Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 682- und 6247 behandelt werden. Safety Advices Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC 682- and IEC yp ype Bestellnummer Ordering Code Q6A293 4 (typ. 7) Strahlstärkegruppierung ) (I F = ma, t p = 2 ms) Radiant Intensity Grouping ) I e (mw/sr) ) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr / measured at a solid angle of Ω =. sr AENION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device 26--

2 Grenzwerte ( A = 2 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Vorwärtsgleichstrom Forward current Stoßstrom, t p = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung hermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse hermal resistance junction - case Kennwerte ( A = 2 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission I F = ma Spektrale Bandbreite bei % von I max Spectral bandwidth at % of I max I F = ma Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, R L = Ω Switching times, Ι e from % to 9% and from 9% to %, I F = ma, R L = Ω Wert Value op, stg C V R V I F 2 ma I FSM A P tot 47 mw R thja R thjc 4 6 Wert Value K/W K/W λ peak 8 nm λ 3 nm ϕ ± 23 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm² t r, t f 2 ns

3 Kennwerte ( A = 2 C) Characteristics (cont d) Durchlassspannung Forward voltage I F = ma, t p = 2 ms I F = A, t p = µs Sperrstrom Reverse current V R = V Gesamtstrahlungsfluss otal radiant flux I F = ma, t p = 2 ms emperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma emperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma emperaturkoeffizient von V F, I F = ma emperature coefficient of V F, I F = ma emperaturkoeffizient von λ, I F = ma emperature coefficient of λ, I F = ma V F V F. (<.8) 2.4 (< 3.) I R Wert Value not designed for reverse operation V V µa Φ e typ mw C I. %/K C V.7 mv/k C λ +.2 nm/k

4 Strahlstärke I e in Achsrichtung ) gemessen bei einem Raumwinkel Ω =. sr Radiant Intensity I e in Axial Direction at a solid angle of Ω =. sr Strahlstärke Radiant intensity I F = ma, t p = 2 ms Strahlstärke Radiant intensity I F = A, t p = µs I e min 4 I e max 8 Werte Values -P -Q mw/sr mw/sr I e typ 4 mw/sr ) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende:. mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4, mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.b. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 78, der an die ypenbezeichnung angehängt ist. ) Only one group in one packing unit, (variation lower 2:) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture:. mm; distance of aperture to case back side: 4. mm). his ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. hese reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. his measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. his aperture measurement is denoted by E 78 added to the type designation

5 Relative Spectral Emission I rel = f (λ) I rel % OHL74 Radiant Intensity Single pulse, t p = 2 µs I I e e ( ma) - -2 I e I e ma = f (I F ) OHL7 Max. Permissible Forward Current I F = f ( A ) 2 I ma F 2 = 4 K/W R thja OHF2644 R thjc = 6 K/W Forward Current I F = f (V F ) Single pulse, t p = 2 µs I F A nm λ 9 OHL ma I F Permissible Pulse Handling Capability I F = f (τ), C = 2 C, duty cycle D = parameter IF 4 ma D = tp t P OHF264 I F C D = V3 V F t p s

6 Maßzeichnung Package Outlines 2.4 (.) spacing ø.4 (.8) (.6) Chip position ø4.3 (.69) ø4. (.6). (.43).9 (.3). (.43).9 (.3) 4. (.7) 2. (.492) 3.6 (.42) 3. (.8) ø. (.27) ø.2 (.2) GEY662 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Gehäuse / Package Anschlussbelegung Pin configuration 8 A3 DIN 487 (O-8), Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im 2.4-mm-Raster (/ ) 8 A3 DIN 487 (O-8), clear epoxy resin, lead spacing 2.4-mm(/ ) = Kathode / cathode 2 = Anode / anode Abstrahlcharakteristik Radiation Characteristics I rel = f (ϕ) ϕ..8 OHR

7 Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (W) (nach CECC 82) W Soldering (acc. to CECC 82) 3 C C C. Welle. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY98 ca 2 K/s K/s 2 K/s C... 3 C 2 K/s Zwangskühlung forced cooling 2 s 2 t Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. he information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. erms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components, may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

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