TT520N22KOF. Technische Information / technical information. Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module

Ähnliche Dokumente
Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

N Kenndaten Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

Datenblatt / Data sheet

DD100N16S. Technische Information / technical information. Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module

Technische Information / Technical Information

г.минск тел.8(017) DD 400 S 17 K6 B2 RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 4 kv

Datenblatt / Data sheet

Marketing Information D 56 S D 56 U

Datenblatt / Data sheet D690S

Datenblatt / Data sheet D450S

Technische Information / technical information DD710N16K

Technische Information / technical information Schnelle beschaltungslose Diode Fast Hard Drive Diode D1331SH Key enn Par daten ameter s

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4

Marketing Information FD 600 R 16 KF4

Technische Information / Technical Information

Technische Information / Technical Information

TT250N. Technische Information / technical information. Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module

Marketing Information TT 425 N

FZ 1800 R 17 KF6C B2

Marketing Information FZ 800 R 16 KF4

Technische Information / Technical Information D 901 S T. tvj = -40 C... tvj max f = 50Hz. tc = 85 C, f = 50Hz tc = 60 C, f = 50Hz

Marketing Information BSM 50 GD 170 DL

Technische Information / Technical Information FZ2400R17KF6C B2. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information D 1641 SX 45T. tvj = 0 C... tvj max f = 50Hz. tc = 60 C. f = 50Hz I FRMSM 3200 A

FS35R12W1T4. Mechanical Features AlèOé Substrat für kleinen thermischen. AlèOé Substrate for Low Thermal Resistance Widerstand

TDB6HK360N16P. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules

BSM 75 GD 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Technische Information / Technical Information D 1331 SH 45T

Technische Information / technical information

Marketing Information FZ 1800 R 16 KF4

BSM 200 GB 60 DLC. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FZ 1800 R 12 KL4C. Technische Information / Technical Information. Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

FB10R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

BSM10GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

Leistungsgleichrichterdioden Power Rectifier Diodes D 251 N

FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

FB15R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

BSM50GP120. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

FB20R06KL4. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

BSM150GB120DLC. Technische Information / technical information. IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values

FF1200R17KE3. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules. Höchstzulässige Werte / maximum rated values

FP10R12KE3. Technische Information / Technical Information. Vorläufig Preliminary. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Type V CE I C Package Ordering Code BSM 150 GB 120 DN2 1200V 210A HALF-BRIDGE 2 C67076-A2108-A70


FP15R12KE3G. Technische Information / Technical Information. Vorläufige Daten Preliminary data. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Typenbezeichnungen und Abkürzungen Short Form Catalog 2012

FB20R06KL4B1. Technische Information / technical information. Vorläufig preliminary. Elektrische Eigenschaften / electrical properties

FP40R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

FP75R12KE3. Technische Information / Technical Information. Elektrische Eigenschaften / Electrical properties. IGBT-Module IGBT-Modules

ø GEO GEX Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

FZ1200R33KF2C. Technische Information / technical information. Vorläufige Daten preliminary data

KBU 4AYM. Kunststoffgehäuse

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274

FF225R17ME4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules

5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351

FP75R12KT4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules

2PS1200R17KE3-4G. Technical Information. Vorläufige Daten preliminary data. Key data 1x 571A AC at 690V AC, forced air (fan not implemented)

GEX Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

EMI Suppression Capacitors X2 / 275 and 300 Vac B3292 B32922 X2 MKP/SH 40/100/21/C

BPX 80 BPX NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX

Kuhnke Technical Data. Contact Details

B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C B81133 X2 MKT/SH 40/100/21/C. EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac Not for new design

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

SFH 900 SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches

Opto Semiconductors. Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 5 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 5 mm Radial Package

FF450R12IE4. Technische Information / technical information. IGBT-Module IGBT-modules

fastpim 1 H fast switching H bridge module Features: - 1 Phase Input Rectifier Bridge - 1 Phase fast switching IGBT + FRED full H bridge - NTC

BPY 62. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62. Wesentliche Merkmale

Ein- und Ausgangsspannung V / Leistung: 800 VA / Abmessungen: 203 x 147 x 445mm / Gewicht: 20kg / Normenzertifikate: EN 60950, EN

SFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900

TECHNISCHE DATEN Hochleistungsrelais TECHNICAL DATA High Power Relay

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Kollektor-D

CONTROLLER RECEIVER REPEATER PAIRING SLIM CLIP

SIMID Size 1210 (EIA) or 3225 (IEC) Rated inductance 0,0082 to 100 µh Rated current 65 to 800 ma

1. Auftraggeber client Firmenname: company name: 1.2. Straße: street: 1.3. Ort: place: 1.4. Telefon: phone: 1.5. Fax: fax:

AC/DC-Schaltnetzteile 100 W AC/DC Switching Power Supplies 100 W. Merkmale / Features. Eingangsbereich V AC

AMW 25. Parameter / Basic data ELECTRIC MACHINES AND DRIVES ELEKTRISCHE MASCHINEN UND ANTRIEBE

Tachogeneratoren. Gehäuse ø95 mm, lagerlose Ausführung GTB 9. Merkmale. Kurze Reaktionszeit Leerlaufspannung mv pro U/min

drawbar eye series 2010

Hazards and measures against hazards by implementation of safe pneumatic circuits

3-Line Filters for Converters and Power Electronics B84143-G*-R110 B84143-G*-R112

SIFI-A Series. SIFI-A for normal insertion loss Rated voltage 250 V~, 50/60 Hz Rated current 1 A to 20 A

FP10R12W1T4_B11 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V I = 10 A, V Š = 15 V

EMI Suppression Capacitors X2 / 275 Vac

ø5.5 ø5.2 GET Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified.

AM 25 Parameter / Basic data

Standard: ÖVE/ÖNORM E Filler/Tape

FP25R12W2T4 T = 100 C, TÝÎ = 175 C T = 25 C, TÝÎ = 175 C I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V I = 25 A, V Š = 15 V

for Installations and Systems

DC/DC Converter 400 W

INSTALLATION AND OPERATING INSTRUCTIONS FOR LPS203-M LPS203-M 操 作 指 示

Transkript:

Key Parameters V DRM / V RRM I TAVM I TSM V T r T R thjc Base plate 22 V 52 A (T C =85 C) 18 A,85 V,35 mω,55 6 mm For type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog Merkmale Druckkontakt-Technologie für hohe Zuverlässigkeit Features Pressure contact technology for high reliability Advanced Medium Power Technology (AMPT) Advanced Medium Power Technology (AMPT) Industrie-Standard-Gehäuse Industrial standard package Elektrisch isolierte Bodenplatte Electrically insulated base plate Typische Anwendungen Typical Applications Sanftanlasser Soft starter Gleichrichter für Antriebsapplikationen Rectifier for drives applications Kurzschließer-Applikationen Crowbar applications Leistungssteller Power controllers Gleichrichter für UPS Rectifiers for UBS Batterieladegleichrichter Battery chargers Statische Umschalter Static switches Bypass-Schalter Bypass swich content of customer DMX code DMX code DMX code digit digit quantity serial number 1..5 5 SAP material number 6..12 7 Internal production order number 13..2 8 datecode (production year) 21..22 2 datecode (production week) 23..24 2 TT TD www.ifbip.com support@infineon-bip.com Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 1/11

... TD52N22KOF... Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state voltage Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage T vj = -4 C... T vj max V DRM,V RRM 22 V T vj = -4 C... T vj max V DSM 22 V T vj = +25 C... T vj max V RSM 23 V I TRMSM 15 A T C = 85 C I TAVM 52 A T vj = 25 C, t P = 1ms T vj = T vj max, t P = 1ms T vj = 25 C, t P = 1ms T vj = T vj max, t P = 1ms DIN IEC 747-6 f = 5Hz, i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs T vj = T vj max, v D =,67 V DRM 6.Kennbuchstabe / 6 th letter F I TSM 18 145 I²t 162 15125 (di T/dt) cr (dv D/dt) cr A A A²s A²s 2 A/µs 1 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Zündstrom gate trigger current Zündspannung gate trigger voltage Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage Haltestrom holding current Einraststrom latching current Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time T vj = T vj max, i T = 15 A v T 1,5 V T vj = T vj max V (TO),85 V T vj = T vj max r T,35 mω T vj = 25 C, v D = 12V I GT 25 ma T vj = 25 C, v D = 12V V GT 2,2 V T vj = T vj max, v D = 12V T vj = T vj max, v D =,5 V DRM I GD T vj = T vj max, v D =,5 V DRM V GD,25 V 1 5 ma ma T vj = 25 C, v D = 12V, R A = 1Ω I H 3 ma T vj = 25 C, v D = 12V, R GK 1Ω i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs, t g = 2µs T vj = T vj max v D = V DRM, v R = V RRM DIN IEC 747-6 T vj = 25 C, i GM = 1A, di G/dt = 1A/µs I L 15 ma i D, i R 1 ma t gd 4 µs prepared by: HR date of publication: 214-3-7 approved by: MS revision: 3.1 Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 2/11

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Thermische Eigenschaften Isolations-Prüfspannung insulation test voltage T vj = T vj max, i TM = I TAVM v RM = 1 V, v DM =,67 V DRM dv D/dt = 2 V/µs, -di T/dt = 1 A/µs 5.Kennbuchstabe / 5 th letter O RMS, f = 5 Hz, t = 1min RMS, f = 5 Hz, t = 1sec t q typ. 25 µs V ISOL 3, 3,6 kv kv Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case pro Modul / per Module, Θ = 18 sin pro Zweig / per arm, Θ = 18 sin pro Modul / per Module, DC pro Zweig / per arm, DC R thjc,29,58,275,55 Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per Module pro Zweig / per arm R thch,1,2 Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Mechanische Eigenschaften Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature T vj max 125 C T c op -4...+125 C T stg -4...+13 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal connection torque Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN6114) Basic insulation (class 1, IEC6114) Seite 4 page 4 Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm Toleranz / Tolerance ± 1% M2 12 Nm AlN DIN 46 244 A 2,8 x,8 f = 5 Hz G typ. 145 g file-no. E 83335 19 mm 5 m/s² Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 3/11

d 1 2 3 4 5 7 6 1 2 3 4 5 TT TD Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 4/11

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thjc für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thjc for DC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 R thn [],19,19,111,486,137 τ n [s] 3,12,56,11,86,76 Analytische Funktion / Analytical function: Z thjc n max n=1 R thn 1 - e t n Erhöhung des Z th DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ Rise of Z th DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ ΔZ th Θ rec / ΔZ th Θ sin Θ = 18 Θ = 12 Θ = 9 Θ = 6 Θ = 3 ΔZ th Θ rec [],466,76,988,1362,2118 ΔZ th Θ sin [],272,39,547,833,1577 Z th Θ rec = Z th DC + Z th Θ rec Z th Θ sin = Z th DC + Z th Θ sin Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 5/11

T vj max = +125 C T vj = +25 C T vj = -4 C v G [V] Z (th)jr [] Diagramme,6,4,2,,1,1,1 t [s] 1 1 1 Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thjc = f(t) Durchgangsverluste Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ 1 1 c a b 1,1 1 1 i G [ma] 1 1 Steuercharakteristik v G = f (i G) mit Zündbereichen für V D = 12 V Gate characteristic v G = f (i G) with triggering area for V D = 12 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (t g) : a - 2W/1ms b - 4W/1ms c - 6W/,5ms Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 6/11

T C [ C] P TAV [W] 14 12 1 8 6 Q = 3 rec 6 rec 9 rec 12 rec 18 sin 18 rec DC 4 2 Gehäusetemperatur bei Rechteck 2 4 6 8 1 I TAV [A] Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P TAV = f(i TAV) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 14 12 1 8 6 4 2 18 sin Q = 3 rec 6 rec 9 rec 12 rec 18 rec 2 4 6 8 1 I TAVM [A] DC Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(i TAVM) Strombelastung je Zweig / Current load per arm Berechnungsgrundlage P TAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) Calculation base P TAV (switching losses should be considered separately) Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 7/11

P tot [W] P tot [W], 4 35,6,4,2 R thca [] B2 I D + 3 25,8,1,12 - R-Last R-load L-Last L-load 2,15 15,2,3 1,4,6 5,8 1,2,18 1 3 5 7 9 11 T A [ C] 2 4 6 8 1 12 14 I D [A] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca 5,6,4 R thca [],2 B6 I D +,8 3 4,1 -,12 3,15 2 1,2,3,4,6,8 1 3 5 7 9 11 T A [ C] 4 8 12 16 2 I D [A] Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 8/11

P tot [W] P tot [W] 2,6,4,2 R thca ] W 1C I RMS 15,8,1,12 1,15,2 5,3,4,6,8 1 3 5 7 9 11 T A [ C] 2 4 6 8 1 12 14 16 I RMS [A] Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I RMS W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca 6 5,6,4,2 W 3C I RMS,8 R thca [] 4,1,12 3,15,2 2,3,4 1,6,8 1 3 5 7 9 11 T A [ C] 2 4 6 8 1 12 14 16 I RMS [A] Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I RMS W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot Parameter: Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance per chip cases to ambient R thca Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 9/11

I T(OV)M [A] Q r [µas] 1 1 i TM = 2A 1A 5A 2A 1A 5A 2A 1 1 1 -di/dt [A/µs] 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q r = f(-di/dt) T vj = T vjmax, v R,5 V RRM, v RM =,8 V RRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i TM 12. 1. a 8. T A = 35 C 6. 4. 2. b T A = 45 C,1 t [s],1 1 Grenzstrom / Maximum overload on-state current I T(OV)M = f(t), v RM =,8 V RRM a: Leerlauf / No-load conditions b: nach Belastung mit I TAVM / after load with I TAVM T A = 35 C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling T A = 45 C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 1/11

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen. Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit. Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. For those that are specifically interested we may provide application notes. Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint Risk and Quality Assessments; - the conclusion of Quality Agreements; - to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the realization of any such measures. If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. Date of Publication 214-3-7 Revision: 3.1 Seite/page 11/11