Display with controlling function Anzeige mit Funktionskontrolle

212-8-17 Multi TOPLED with LED and Phototransistor-Detector Multi TOPLED mit LED und Fototransistor-Detektor Version 1. SFH 722 Features: Besondere Merkmale: Display function can be controlled by built-in phototransistor Anzeigefunktion kann durch eingebauten Fototransistor überwacht werden Yellow LED Gelbe LED Dominant wavelength: 89 nm Dominantwellenlänge: 89 nm Silicon phototransistor Silizium-Fototransistor Low saturation voltage Geringe Sättigungsspannung Emitter and detector electrically isolated Emitter und Diode galvanisch getrennt Applications Anwendungen Display with controlling function Anzeige mit Funktionskontrolle Ordering Information Bestellinformation Type: Luminous Intensity Package: Ordering Code Typ: Lichtstärke Gehäuse: Bestellnummer = 2 ma, t p = 2 ms I v [mcd] SFH 722 63... 2 SMT Multi TOPLED Q61A2743 212-8-17 1

Version 1. SFH 722 Maximum Ratings Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur T op ; T stg -4... C Emitter Sender Forward current Durchlassstrom Reverse voltage Sperrspannung Total power dissipation Verlustleistung Thermal resistance junction - ambient, mounted on PC-board (FR4) Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine Thermal resistance junction - solder point, mounted on PC-board (FR4) Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötpad, bei Montage auf FR4 Platine (DC) 3 ma V R V P tot 8 mw R thja 8 K / W 6 1) R thjs K / W 34 1) Detector (Silicon phototransistor) Empfänger (Si-Fototransistor) Collector current Kollektorstrom Collector-emitter voltage Kollektor-Emitter-Spannung Collector surge current Kollektorspitzenstrom (τ < µs) Total power dissipation Verlustleistung I C 1 ma V CE 3 V I CS 7 ma P tot 9 mw 1) : This value is valid only when the power dissipation of the photo transistor is limited to max. 2. mw. 1) : Dieser Wert gilt nur, wenn die Verlustleistung des Fototransistors auf max. 2, mw begrenzt ist. 212-8-17 2

Version 1. SFH 722 Characteristics (T A = 2 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Emitter Sender Emission wavelength Zentrale Emissionswellenlänge ( = 2 ma, t P = 2 ms) Dominant wavelength Dominantwellenlänge ( = 2 ma, t P = 2 ms) Spectral bandwidth at % of I max Spektrale Bandbreite bei % von I max ( = 2 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Forward voltage Durchlassspannung ( = 2 ma, t p = 2 ms) Reverse current Sperrstrom (V R = 3 V) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F ( = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of λ peak Temperaturkoeffizient von λ peak ( = 2 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of λ dom Temperaturkoeffizient von λ dom ( = 2 ma, t p = 2 ms) λ peak 91 nm λ dom 89 nm Δλ 1 nm ϕ ± 6 V F 2 ( 2.6) V I R.1 ( ) µa TC V -2. mv / K TC λ peak.13 nm / K TC λ dom.96 nm / K Detector (Silicon phototransistor) Empfänger (Si-Fototransistor) Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λ S max 99 nm 212-8-17 3

Version 1. SFH 722 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit (S = % of S max ) Capacitance Kapazität (V CE = V, f = 1 MHz, E = ) Dark current Dunkelstrom (V CE = 2 V) Sensitivity to ambient light Fremdlichtempfindlichkeit (E V = lx, Normlicht A / standard light A, V CE = V) λ 44... 11 nm C CE pf I CE 1 (< 2) na I CE typ 6 μa MULTILED MULTILED Crosstalk: collector-emitter current Übersprechen: Kollektor-Emitterstrom ( = 2 ma, V CE = V) Collector-emitter saturation voltage Collector-emitter saturation voltage ( = 2 ma, I C =.3 x I CE min ) I CE min..... ma V CEsat <.4 V 212-8-17 4

Version 1. SFH 722 Diagrams Diagramme LED LED Relative Spectral Emission Relative spektrale Emission I rel = f(λ), T A = 2 C, = 2 ma, V(λ) = Standard Eye Response Curve OHL61 I rel % 8 V λ 6 4 yellow super-red 2 4 4 6 6 nm 7 λ 212-8-17

Version 1. SFH 722 Forward Current Durchlassstrom = f(v F ), T A = 2 C 2 ma OHL232 Relative Luminous Intensity Relative Lichtstärke I v / I v ( ma)= f( ), T A = 2 C I V I V (2 ma) 1 OHL62 1-1 super-red yellow -1 1 1.4 1.8 2.2 2.6 3 V 3.4 V F Relative Luminous Intensity Relative Lichtstärke I v / I v (2 C) = f(t A ), = ma 2. I V I V (2 C) 1.6 1.2.8.4 yellow super-red yellow super-red OHL68-2 2 4 6 C T j -2 1 ma 2 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit = f(t p ), T A = 2 C, duty cycle D = parameter A -1 D =..1.2..1.2. OHL318 tp t D = P T T -2 - -4-3 -2-1 1 s 2 t p 212-8-17 6

Version 1. SFH 722 Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit = f(t p ), T A = 8 C, duty cycle D = parameter Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom, max = f(t A ) A P t t D = P T T OHL316 3 3 OHF11-1 D =..1.2..1.2. 2 2 1 Ptot, max. (Detector) = 2. mw = 9 mw P tot, max. (Detector) -2 - -4-3 -2-1 1 s 2 t p Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom, max = f(t S ) T A temp. ambient 2 4 6 8 C T 3 OHF8 3 2 P tot, max. (Detector) P tot, max. (Detector) = 2. mw = 9 mw 2 1 T S temp. solder point 2 4 6 8 C T 212-8-17 7

Version 1. SFH 722 Diagrams Diagramme Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit S rel = f(λ), T A = 2 C Phototransistor Fototransistor Photocurrent Fotostrom I PCE = f(v CE ), E e = Parameter, T A = 2 C % S rel OHF27 Ι ma PCE OHF129 mw 1 cm 2 8 7 6 mw. cm 2.2 mw cm 2 4-1 mw.1 cm 2 3 2 4 6 7 8 9 nm 1 λ -2 1 2 2 3 V 3 V CE 212-8-17 8

Version 1. SFH 722 Photocurrent Fotostrom I PCE / I PCE (2 C)= f(t A ), V CE = V Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(v CE ), E =,T A = 2 C 1.6 Ι PCE Ι PCE2 1.4 OHF124 Ι 1 na CEO OHF127 1.2 1..8-1.6.4-2.2-2 2 7 C TA -3 1 2 2 3 V 3 V CE Dark Current Dunkelstrom I CEO = f(t A ), V CE = V, E = Collector-Emitter Capacitance Kollektor-Emitter Kapazität C CE = f(v CE ), f = 1 MHz, E =, T A = 2 C Ι 3 na CEO OHF13. C CE pf OHF128 2 4. 3. 3. 1 2. 2. 1. 1.. -1-2 2 7 C TA -2-1 1 V 2 V CE 212-8-17 9

Version 1. SFH 722 IRED Radiation Characteristics / Phototransistor Directional Characteristics IRED Abstrahlcharakteristik / Phototransistor Winkeldiagramm I rel = f(ϕ) / S rel = f(ϕ) 4 3 2 OHL166 ϕ 1..8 6 7 8 9.6.4.2 1..8.6.4 2 4 6 8 12 Package Outline Maßzeichnung.8 (.31).6 (.24) 3. (.118) 2.6 (.2) 2.3 (.91) 2.1 (.83) 2 3 2.1 (.83) 1.7 (.67).9 (.3).7 (.28) 3.4 (.134) 3. (.118) A C C E (2.4 (.94)).1 (.4) typ 3.7 (.146) 3.3 (.13) 1 4 Package marking Emission color : super-red (SFH 331) 1.1 (.43). (.2).6 (.24).4 (.16).18 (.7).12 (.) GPLY6924 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 212-8-17

Version 1. SFH 722 Package Gehäuse SMT Multi TOPLED SMT Multi TOPLED Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign 3.3 (.13) 3.3 (.13) 2.6 (.2).4 (.16) 1.1 (.43) 4. (.177) 1. (.9). (.2) 7. (.29) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). Kathoden Markierung / Cu Fläche / 12 mm 2 per pad Cathode marking Cu-area Lötstoplack Solder resist OHLPY439 _< 212-8-17 11

Version 1. SFH 722 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 2 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T 2 2 24 C 217 C t P t L OHA42 T p 24 C 1 t S 2 C 1 2 2 s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 2 C to 1 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within C of the specified peak temperature T P - K Ramp-down rate* T P to C Time 2 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s 12 2 3 217 8 24 26 2 3 All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. s; fulfillment for the whole T-range Maximum 3 6 48 OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s 212-8-17 12

Version 1. SFH 722 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 212-8-17 13