SFH 56 IR-mpfänger/Demodulator-Baustein IR-Receiver/Demodulator Device SFH 56 X.3 9.7 6.3 5.9.9. 9. 3. 3..5 max. V OUT V S GND Surface not flat.3 B.65.5.5 ø.5 B.54 X.5.54 = 7.6.7. 3x R.75 4.3 3.7 6. 5.5 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Fotodiode mit integriertem Verstärker Angepaßt an verschiedene Trägerfrequenzen Gehäuse schwarz eingefärbt: Verguß optimiert für eine Wellenlänge von 95 nm Hohe Störsicherheit Geringe Stromaufnahme 5 V Betriebsspannung Hohe mpfindlichkeit TTL und CMOS kompatibel Verwendbar bis zu einem Tastverhältnis 4 % GX684 Features Photodiode with hybride integrated circuit Available for several carrier frequencies Black epoxy resin, daylight filter optimized for 95 nm High immunity against ambient light Low power consumption 5 V supply voltage High sensitivity (internal shield case) TTL and CMOS compatibility Continuous transmission possible (t pi /T ) fex684 Anwendungen mpfänger für IR-Fernsteuerungen Applications IR-remote control preamplifier modules Typ Trägerfrequ. Bestellnr. Typ Trägerfrequ. Bestellnr. Type Carrier Frequency khz Ordering Code Type Carrier Frequency khz Ordering Code SFH 56-3 3 Q67-P96 SFH 56-38 38 Q67-P99 SFH 56-33 33 Q67-P97 SFH 56-4 4 Q67-P SFH 56-36 36 Q67-P98 SFH 56-56 56 Q67-P Semiconductor Group 5.97
SFH 56 Input Control Circuit k Ω V S PIN AGC Bandpass Demodulator 3 OUT GND OHF98 Blockschaltbild Block Diagram Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operation and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature range Löttemperatur Lötstelle mm vom Gehäuse; Lötzeit t 5 s Soldering temperature soldering joint mm distance from package, soldering time t 5 s Betriebsspannung Pin Supply voltage Betriebsstrom Pin Supply current Ausgangsspannung Pin 3 Output voltage Ausgangsstrom Pin 3 Output current Verlustleistung Total power dissipation T A 85 C Wert Value T A, T stg 5... + 85 C T j C T S 6 C V S.3... + 6. V I CC 5 ma V OUT.3... + 6. V I OUT 5 ma inheit Unit P tot 5 mw Semiconductor Group
SFH 56 Kennwerte (T A = 5 C) Characteristics Bezeichnung Description Betriebsspannung Supply voltage Bestrahlungsstärke (Testsignal, s. Figure ) Threshold irradiance (test signal, see Fig. ) Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit Range of spectral sensitivity S = % of S max Halbwinkel Half angle Stromaufnahme Pin Current consumption V s = 5 V, v = V s = 5 V, v = 4 Ix, sunlight Ausgangsspannung Pin 3 Output voltage I OUT =.5 ma, e =.7 mw/m, f = f, T p /T = Wert Value V S typ. 5. (4.5... 5.5) (3-4 khz) ) (56 khz) ) e max ) typ..35 (<.5) typ. (<.6) 3 inheit Unit V mw/m W/m λ s max 95 nm λ 83... nm ϕ ± 45 deg. I CC.6 (< ) I CC. ma ma V OUT low < 5 mv ) In Verbindung mit einer typ. SFH 45 bei Betrieb mit I F =.5 A wird eine Reichweite von ca. 35 m erreicht. ) Together with an IRD SFH 45 under operation conditions of I F =.5 A a distance of 35 m is possible. Semiconductor Group 3
_< SFH 56 SFH 56/57 *) 4.7 µf *) 33 Ω > k Ω optional +5V 3 µc *) only necessary to suppress power supply disturbances GND OHF97 Figure xterne Beschaltung xternal circuit e t *) t pi V O T *) t pi 4 µ s is recommended for optimal function V OH V OL t po t po = t pi ± 6 µs OHF95 t Figure Testsignal Test signal Semiconductor Group 4
SFH 56 Relative sensitivity / e = f (f / f ) Sensitivity vs. dark ambient T p out = f ( e ) λ = 95 nm, optical test signal Sensitivity vs. supply voltage disturbances, = f ( V S RMS ). OHF87 OHF89 OHF9 / e T p out µ s input burst duration mw/m f = f khz Hz.6 8 6 4...7.9....3 f / f - mw/m e - - mv V 3 s RMS Sensitivity vs. electric field disturbance = f (), field strength of disturbance, f = f. mw/m.6.. OHF9. kv/m. Sensitivity vs. duty cycle e = f (t p / T) 9. mw/m 8. 7. 6. 5. 4. 3... OHF88..5..5..5.3.35 5 t p / T Vertical directivity ϕ y - -3 - ϕ.6.4.. OHF46-4.6 4-5 5-6 6-7. 7-8 8-9 9 -.6 - -...6 3 Relative luminous intensity S rel = f (λ), T A = 5 o C S rel. OHF93 Sensitivity vs. bright ambient = f (), λ = 95 nm, ambient mw/m OHF9 Horizontal directivity ϕ x - ϕ -.6.4 OHF47..6-3. 3.. 8 85 9 95 5 nm 5 λ - - - W/m -4.6 4-5 5-6 6-7. 7-8 8-9 9 -.6 - -...6 Semiconductor Group 5
SFH 56 Output pulse T on, T off = f( e ). ms OHF34 T on,t off Ton.6 T off. λ = 95 nm - 5 3 mw/m e Semiconductor Group 6