Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken für den Nahbereich (bis 5 mm Abstand) IR-GaAs-Lumineszenzdiode Si-NPN-Fototransistor Flaches Kunststoffgehäuse Tageslichtsperrfilter Hoher Kollektor-Emitter-Strom 0.25... 1.0 Geringe Sättigungsspannung Kein Übersprechen Anwendungen Positionsmelder Endabschalter Drehzahlüberwachung Bewegungssensor Features Designed for short distances up to 5 mm GaAs infrared emitter Silicon NPN phototransistor detector Flat plastic package Daylight filter against undesired light effects High collector-emitter current o.25... 1.0 Low saturation voltage No cross talk Applications Position reporting Devices and end position switches Speed monitoring arious types of motion transmitters SFH 900 feo06270 Semiconductor Group 625 10.95
Typ Type SFH 900 SFH 900-1 1) SFH 900-2 SFH 900-3 SFH 900-4 1) 1) Nur auf Anfrage lieferbar. 1) Available only on request. Grenzwerte (T A = 40 o C) Maximum Ratings Bestellnummer Ordering Code Q62702-P1187 Q62702-P935 Q62703-P141 Q62703-P1088 Q62703-P1087 Sender (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Sperrspannung Reverse voltage orwärtsgleichstrom Forward current orwärtsstoβstrom, t p 10 µs Surge current erlustleistung Power dissipation Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Kollektor-Sperrspannung Emitter-collector voltage Kollektorstrom Collector current erlustleistung Total power dissipation R 6 I F 50 I FSM 1.5 A P tot 80 mw CEO 30 ECO 7 I C 10 P tot 100 mw Semiconductor Group 626
Reflexlichtschranke Light reflection switch Lagertemperatur Storage temperature range Umgebungstemperatur Ambient temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature range Löttemperatur (Lötstelle 3 mm vom Gehäuse entfernt bei Lötzeit t 3 s) Soldering temperature (Dip soldering time t 3 s at 3 mm from package) mit Wärmeabführung vom Gehäuse with heat sink between case and soldering erlustleistung Total power dissipation Kennwerte (T A = 25 o C) Characteristics Sender (IR-GaAs-Lumineszenzdiode) Emitter (GaAs infrared diode) Durchlaβspannung Forward voltage I F = 50 Durchbruchspannung Breakdown voltage I R = 10 µa Sperrstrom Reverse current R = 6 Kapazität Capacitance R = 0, f = 1 MHz Wärmewiderstand Thermal resistance T stg 40... + 85 o C T A 40... + 85 o C T j 100 o C T S T S 235 260 o C o C P tot 150 mw F 1.25 ( 1.65) BR 6 I R 0.01 ( 10) µa C O 40 pf R thja 750 K/W Semiconductor Group 627
Kennwerte (T A = 25 o C) Characteristics Empfänger (Si-Fototransistor) Detector (silicon phototransistor) Kapazität Capacitance CE = 5, f = 1 MHz Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emitter leakage current CE = 10 Fotostrom (Fremdlichtempfindlichkeit) Photocurrent (outside light density) CE = 5, E = 1000 Lx Wärmewiderstand Thermal resistance Reflexlichtschranke Light Reflection Switch Kollektor-Emitterstrom Collector-emitter current Kodak neutral white test card, 90% reflexion I F = 10 ; CE = 5 ; d = 1 mm SFH 900 SFH 900-1 1) SFH 900-2 SFH 900-3 SFH 900-4 1) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage Kodak neutral white test card, 90% reflexion I F = 10 ; d = 1 mm; SFH 900, I C = 85 µa SFH 900-1 1), I C = 85 µa SFH 900-2, I C = 135 µa SFH 900-3, I C = 215 µa SFH 900-4 1), I C = 335 µa 1) Nur auf Anfrage lieferbar. 1) Available only on request. C CE 11 pf O 20 ( 200) na I P 3.5 R thja 600 mw CE sat CE sat CE sat CE sat CE sat > 0.25 0.25... 0.50 0.40... 0.80 0.63... 1.25 1.0 Semiconductor Group 628
Schaltzeiten (T A = 25 o C, CC = 5, I C = 1 1), R L = 1 kω) Switching Times Einschaltzeit Turn-on time Anstiegzeit Rise time Ausschaltzeit Turn-off time Abfallzeit Fall time 1) 1) t ein 65 µs t r 50 µs t aus 55 µs t f 50 µs I C eingestellt über den Durchlaβstrom der Sendediode, den Reflexionsgrad und den Abstand des Reflektors vom Bauteil (d) I C as a function of the forward current of the emitting diode, the degree of reflection and the distance between reflector and component (d) Output characteristics (typ.) I C = f ( CE ) spacing to reflector: d = 1 mm, 90% reflection, T A = 25 o C Transistor capacitance (typ.) C CE = f ( CE ), T A = 25 o C, f = 1 MHz Semiconductor Group 629
IC Collector current --------------- = f ( d ) Forward voltage (typ.) of the diode I Cmax F = f (I F ) Permissible power dissipation for diode and transistor P tot = f (T A ) Relative spectral emission of emitter (GaAs) and detector (Si) Emitter: I rel = f (λ), Detector: S rel = f (λ) Permissible pulse handling capability I F = f (t p ), D = parameter, T A = 25 o C Collector current, spacing d to reflector = 1 mm, 90% reflection Max. permissible forward current I F = f (T A ) Switching characteristics t = f (R L ), T A = 25 o C, I F = 10 Output characteristics, I C = f ( CE ) spacing to reflector: d = 1 mm, 90% reflection, T A = 25 o C Semiconductor Group 630