Kleinsignalverhalten bipolarer Transistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Einstellung des Arbeitspunktes
|
|
- Innozenz Kästner
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten bipolarer Transistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Einstellung des Arbeitspunktes Will man einen bipolaren (npn- oder pnp-) Transistor als Spannungs-, Strom- oder Leistungsverstärker einsetzen, so ist zunächst ein dafür geeigneter Arbeitspunkt einzustellen. Bipolare Transistoren benötigen dazu, im Gegensatz zu Feldeffekttransistoren, einen Basisgleichstrom in Durchlaßrichtung der Basis-Emitterdiode. Bild 1: npn- und pnp-transistor mit Dioden-Äquivalent Dieser, in Verbindung mit der Kollektor-Emitterspannung und dem Kollektor- (gegebenenfalls auch dem Emitter-) Widerstand, bestimmen den Arbeitspunkt. Er ist der Angriffspunkt für die Aussteuerung des Transistors mit Wechselgrößen. Die einfachste Einstellung des Basisgleichstromes erfolgt durch die Stromeinprägung an der Basis-Emitterdiode über einen gegenüber dem Basis-Emitter-Durchlaßwiderstand hochohmigen Vorwiderstand R B. Dazu und für die Kollektor-Emitterspannung U CE wird die Hilfsgleichspannung U 0 benötigt. Bild 2: Polung bei npn- und pnp Transistor Bereits in dieser einfachen Schaltung nach Abbildung 2 kann man die Gleichstromverstärkung des Transistors definieren: B = I C /I B (siehe Abbildung 3. Würde man dem günstig gewählten Basisgleichstrom I B noch einen Wechselstrom i B (t) überlagern, so erhielte man auch eine Wechselstromverstärkung: β = î C /î B. Allerdings kann man die Stromverstärkungen nach den einfachsten Schaltungen von Abbildung 2 nicht verwerten.
2 Bild 3: Links: Typischer Verlauf des Kollektorstroms als Funktion des Basisstroms, rechts: Typischer Verlauf der statischen und dynamischen Stromverstärkung bei einem Kleinsignal- Transistor Man benötigt mindestens noch einen Kollektorwiderstand R C oder einen Emitterwiderstand R E. Hierfür und für alle Folgeschaltungen dieser Anleitung werden nur noch npn- Transistoren verwendet: Bild 4: Links: Emitterschaltung mit Kollektorwiderstand, Mitte: Kollektorschaltung mit Emitterwiderstand, rechts: Ausgangskennlinien mit Widerstandsgeraden. Die Widerstandsgerade ergibt sich aus der Maschenregel. Es gilt für die Emitterschaltung U 0 = I C R C + U CE I C = 1 R C U CE + U 0 R C tanα ˆ= 1 R C für die Kollektorschaltung U 0 = I E R E + U CE I E = 1 R E U CE + U 0 R E tanα ˆ= 1 R E Grenzfälle I C = 0 : U CE = U 0 I E = 0 : U CE = U 0 U CE 0 : I C I Cm U CE 0 : I E I Em Da I C I E ist, gilt die Widerstandsgerade vom Abbildung 4 für beide obigen Fälle. Ihr Schnittpunkt mit der durch I B aktivierten Transistorkennlinie I C (I B ) = f(u CE ) - im Abbildung 4 dicker eingezeichnet - legt den Arbeitspunkt A fest. Er wird nachher, bei Wechselstromaussteuerung auf der Widerstandsgeraden hin- und hergeschoben. Der Arbeitspunkt muß daher im Kennlinienfeld I C = f(u CE ) so plaziert werden, daß die erwünschte Wechselstrom- und Wechselspannungssteuerung möglich ist, ohne daß z.b. harmonische Schwingungen durch Anecken an den Grenzen des Kennlinienfeldes (Abbildung 4: unten bei U 0 oder oben, nahe I Cm oder I Em ) verzerrt werden. Allerdings ist die Emitterschaltung (Abbildung 4 in dieser einfachen Ausführung wegen der Temperaturdrift der Basis-Emitterdiode von etwa -2mV pro Grad Temperaturerhöhung bei I C = const.) nicht brauchbar.
3 1.2 Kleinsignalverstärkung von Wechselgrößen qualitativ Unter Kleinsignalverstärkung versteht man eine möglichst formgetreue, also unverzerrte Verstärkung von Signalen. In der Regel handelt es sich um kapazitive Kopplung der einzelnen Stufen, damit ein eingestellter Arbeitspunkt nicht durch die galvanische Kopplung mit Nachbarstufen verändert wird. Aber der nachfolgende Lastwiderstand R L verändert bei Wechselspannungsoder Wechselstromsteuerung die dafür gültige Widerstandsgerade; Beispiel: Emitterschaltung: Bild 5: Mit R L belastete Emitterstufe und zugehörige Ausgangskennlinien Für das gezeichnete Beispiel wäre es besser, den Arbeitspunkt bei etwas größerem Basisstrom anzusiedeln, damit der Wechselstromhub nach oben und unten hin etwa gleich groß ist. Leider erfüllt die Schaltung nach Abbildung 5 noch nicht die Anforderung der Temperaturkonstanz: Bei erhöhter Temperatur erhöht sich zwar nicht der nach Abbildung 5 eingeprägte Basistrom, wohl aber der Stromverstärkungsfaktor, so daß auch der Kollektorstrom (I C = BI B ) größer wird, wodurch sich der Arbeitspunkt temperaturabhängig verschiebt. Diese Schwierigkeit wird durch Stromgegenkopplung weitgehend vermieden (siehe Abbildung 6). Exakt bedeutet diese Stromgegenkopplung: der Ausgangsstrom I C I E erzeugt am Emitterwiderstand R E eine Gleichspannung, die der Spannung U BO entgegenwirkt, so daß U BE = U BO U RE ist. Bild 6: Stromgegenkopplung Am Eingang des Transistors benötigt man den Basisspannungsteiler R V mit R BO, so daß jeweils bei Si-Transistoren I E R E + 0, 6V U BO oder: I C I E U BO 0, 6V R E
4 Wirkungsweise: Erhöht sich mit steigender Temperatur I C und I E, so wächst auch I E R E und U BE wird kleiner, falls U BO durch ausreichend niederohmige Widerstände R V, R BO eingeprägt ist. Diese Gegensteuerung nennt man Gegenkopplung. Sie stabilisiert den Arbeitspunkt umso besser, je größer der Stromverstärkungsfaktor B des Transistors ist. Solange R E klein gegenüber R C ist, wird durch R E die Widerstandsgerade für R C kaum beieinflußt. Die Schaltung nach Abbildung 6 ist ein Spannungsverstärker. Durch R E wird nicht nur die Temperaturdrift, sondern auch die Wechselspannungsverstärkung verringert, also gegengekoppelt. Daher ist es oft nötig, R E zwar für die Stabilisierung des Arbeitspunktes, also für Gleichgrößen vorzusehen, ihn aber für Wechselgrößen durch kapazitive Überbrückung unwirksam zu machen: 1 ωc 0 k 1 ωc 0 E Bild 7: Kapazitive Überbrückung des den Arbeitspunkt stabilisierenden Widerstandes R E zwecks großer Wechselspannungsverstärkung 1.3 Die wichtigsten Parameter Obwohl der Basisstrom I B, i B (t) Steuergröße des bipolaren Transistors ist, wird gelegentlich auch die Spannungssteuerung betrachtet. Dazu wird der (bei FETs gängige) Begriff der Steilheit S verwendet: S = I C U BE UCE =const Die zugehörigen Kennlinien sind in Abbildung 8 dargestellt. Bild 8: Links: Übertragungs-, rechts: Ausgangskennlinienfeld, letzteres mit U BE als Parameter Man erkennt: Die Steilheit S ist keineswegs konstant. Dort wo bei kleinen Spannungen U CE die Ausgangskennlinien abknicken, spricht man von U CESat, der Sättigungsspannung.
5 Der Wechselstrom- oder differentielle Widerstand r CE des Transistors nimmt bei zunehmendem Kollektorstrom ab, so wie die Steigung der Kennlinien, in Abbildung 8 rechts, zunehmen. r CE ist definiert zu: r CE = U CE I C UBE =const Hochohmige Ausgangswiderstände r CE erzielt man demnach dort, wo kleine I C zu großen U CE gehören. Bild 9: Eingangskennlinie eines Silizium-Transistors Der Eingangskennlinie entnimmt man, daß der differentielle oder Wechselstromwiderstand r BE der Basis-Emitterdiode im Durchlaß- (=Aussteuerungs-) Bereich (für Si) viel kleiner ist als der Gleichstromwiderstand R BE = U BE /I B. Die differentielle oder Wechselstromverstärkung β ist definiert zu β = I C I B UCE =const Somit kann man β und r BE auch ausdrücken durch S: β = r BE S und r BE = β S = β U T I C wobei U T die Temperaturspannung ist: U T = kt e 0, mit k = 1, J/K und e 0 = 1, C. Bei Zimmertemperatur ist U T 26mV. 1.4 Parameter in den Transistorgleichungen Die schon beschriebenen Größen I C, I B, U CE, U BE, aber auch die nachfolgenden Differentiale di C, di B, du CE, du BE sind sämtlich kleine Änderungen von Wechselgrößen, die man auch durch kleine Amplituden der Wechselspannungen und -Ströme darstellen kann Wir drücken die Transistorströme durch die Spannungen aus (Leitwertform): I B = f(u BE, U CE ) I C = f(u BE, U CE ) Daraus erhält man die vollständigen Differentiale:
6 di B = I B U BE du BE + I B U CE du CE di C = I C U BE du BE + I C U CE du CE Somit sind die Gleichungen des Transistors (in Leitwertform, da die Koeffizienten der Spannungen Leitwerte sind): I B = 1 r BE U BE + S r U CE I C = S U BE + 1 r CE U CE S r ist die Rückwärtssteilheit. Sie beschreibt die im Transistor wirksame Rückwirkung der Ausgangsspannung auf den Eingangsstrom und wird bei Niederfrequenz, ihrer Kleinheit wegen, oft vernachlässigt. 1.5 Eigenschaften einfacher Schaltungen Emitterschaltung ohne Gegenkopplung Bild 10: Emitterschaltung Spannungsverstärkung: v u = U CE U BE = S(R C r CE ) für R C r CE : v u SR C. Da S = I C /U T ist, gilt ebenfalls für R C r CE : v u I CR C U T Klein geschriebene Widerstände wie r CE oder r BE sind differentielle oder Wechselstromwiderstände. Man kann die Spannungsverstärkung auch mit den Eingangsgrößen ausdrücken: U CE = I C R C = I B βr C (Die Gleichspannungsquelle habe den Innenwiderstand null, daher ist U CE = I C R C ) U BE = I B r BE
7 so daß v u = U CE U BE = I BβR C I B r BE = βr C r BE = S R C Eingangswiderstand der Schaltung nach Abbildung 10: r in = r BE = U BE I B = U BE I C /β = β S Zugehöriger Ausgangswiderstand: r ex = R C r CE = R Cr CE R C + r CE R C fürr C r CE Emitterschaltung mit Gegenkopplung Bild 11: Stromgegenkopplung der Emitterschaltung Spannungsverstärkung: v u = U ex U in = S R C S R E R C /r CE Näherung für starke Gegenkopplung, d.h. für R C /R E S(R C r CE ): v u R C R E Geht R E gegen null, so strebt v u gegen den Wert ohne Gegenkopplun Eingangswiderstand: r in r BE + βr E meist R E. Die vollständige Schaltung enthält in der Regel auch den Eingangs-Spannungsteiler R v, R BO siehe Abbildung 6 oder Abbildung 7, so daß der damit resultierende Eingangswiderstand für Wechselgrößen: r in = (R v R BO ) (r BE + βr E )meist βr E ist. (R v R B deswegen, weil das obere Ende von R B wechselspannungsmäßig an Nullpotential liegt) Ausgangswiderstand: r ex R C
8 1.5.3 Kollektorschaltung (Emitterfolger, Impedanzwandler) Bild 12: Emitterfolger, Spannungsverstärkung: v u 1 exakt: v u = /{S(R E r CE )} Eingangswiderstand für Wechselgrößen: r in = β S + βr E βr E Ausgangswiderstand für Wechselgrößen: r ex R E ( 1 S + R G β ) R G ist der Generator- (Innen-) Widerstand der vorausgehenden Schaltung. Wirkungsweise der Schaltung: Ist U in > 0, 6V, dann fließt ein Emitterstrom I E I C, der an R E die Spannung U in U BE = U ex entstehen läßt. Man beachte, daß U BE im Durchlaßbereich der Basis-Emitterdiode (siehe Abbildung 9) fast konstant bleibt! Der um βr E vergrößerte Eingangswiderstand r in ergibt sich wie folgt: Beispiel: û in = û BE + î E R E û BE + βî B R E daher r in = ûin î B r BE + βr E I C I E = 10mA; β = 300; R E = 1kΩ, R G = 10kΩ; S = 0, 4 ma V. Damit erhält man: r in 300kΩ r ex 34Ω } rin 8800 r ex 1 Der Quotient zeigt deutlich, daß die Kollektorstufe ein Impedanzwandler ist, also einen hochohmigen Eingangswiderstand in einen niederohmigen Ausgangswiderstand dieser Schaltung transformiert.
9 1.5.4 Darlington-Schaltung Bild 13: Darlington Schaltung Reichen Stromverstärkung oder Impedanzumsetzung eines Transistors in Kollektorschaltung nicht aus, so kann eine Schaltung nach Abbildung 13 mit zwei Transistoren und den Ersatzanschlüssen B, E, C verwendet werden. Stromverstärkung β = β 1 β 2 Eingangswiderstand r B E 2r U BE1 = 2β 1 β T 2 I C Ausgangswiderstand r C E 2r 3 CE2 Steilheit S = I C /2U T siehe Abbildung 13 Es gibt auch eine Komplementär-Darlingtonstufe bestehend aus einem pnp- und einem npn- Transistor: Bild 14: Darlingtonstufe mit npn und pnp Transistor Ersatzkennwerte dafür sind: Stromverstärkung β = β 1 β 2 Eingangswiderstand r in r BE1 = β U T /I C. Ausgangswiderstand r C E 1 2 r CE2 Steilheit S = I C /U T siehe Abbildung Basisschaltung Bild 15: Prinzip der Basisschaltung
10 Kennwerte: Spannungsverstärkung v u = S(R C r CE ) Eingangswiderstand r in 1 S Ausgangswiderstand r ex R C Stromverstärkung v i 1 Wirkungsweise der Basisschaltung: Die Eingangsspannung liegt wie bei der Emitterschaltung zwischen Basis und Emitter, daher haben wir hier die gleiche Spannungsverstärkung wie bei der Emitterschaltung, aber ohne deren Phasenumkehr. Hier aber liegt die Basis an Nullpotential, bei der Emitterschaltung jedoch der Emitter. Daher wird die vorausgehende Schaltung (hier der Generator) mit dem gesamten Emitterstrom belastet. Somit ist der Eingangswiderstand um den Faktor β geringer als bei der Emitterschaltung. Betrachtet man den Transistor alleine, ohne Zusatzbeschaltung, so hat er nicht nur den niedrigsten Eingangswiderstand, sondern auch den höchsten Ausgangswiderstand aller drei Grundschaltungen: r CB = β r CE Die Basisschaltung hat ihre Vorteile im Hochfrequenzbereich, wo sie meist verwendet wird. Schaltungsbeispiel einer Basisschaltung Bild 16: Durch C B muß die Basis wechselspannungsmäßig auf Nullpotential liegen. - Literaturangabe: Auszug aus dem Elektrotechnischen Grundlagen-Praktikum der Universität Karlsruhe, Institut für Theoretische Elektrotechnik und Messtechnik, Verfasser: Dr.-Ing. Gottlieb Strassacker
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrKleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren
MehrTransistorverstärker in Emitterschaltung
Transistorverstärker in Emitterschaltung Bild 1 zeigt den Transistor BD139 in Emitterschaltung, der die Wechselspannung u e verstärken und über einen Lautsprecher (R C = 16 Ω) ausgeben soll. Weitere Daten:
MehrKenngrößen von Transistoren und Eintransistorschaltungen. Protokoll. Von Jan Oertlin und Julian Winter. 7. Dezember 2012.
Kenngrößen von Transistoren und Eintransistorschaltungen Protokoll Von Jan Oertlin und Julian Winter 7. Dezember 2012 Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 3 2 Transistorkenngrößen 3 2.1 Schaltung...........................................
MehrI C. T A p` A p I B U BE U B U CE. 1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker
1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker Eine Verstärkung von kleinen Gleichspannungssignalen (1-10mV) ist mit einem Transistor nicht möglich, da einerseits die Arbeitspunkteinstellung
MehrOperationsverstärker I Grundschaltungen und Eigenschaften 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker Operationsverstärker I Grundschaltungen und Eigenschaften 1 Theoretische Grundlagen STRASSACKER lautsprechershop.de 1.1 Einleitung Operationsverstärker (abgekürzt: OPs) sind kompliziert
MehrSS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker
Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrArbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung
Berechnung einer Emitterschaltung mit Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung Diese Schaltung verkörpert eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung zur Arbeitspunktstabilisierung. Verwendet
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
MehrTransistorkennlinien und -schaltungen
ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik
MehrDiplomvorprüfung WS 2009/10 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 2009/10 Fach: Elektronik,
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2018/19 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrWechselstrom-Gegenkopplung
// Berechnung einer Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung Diese Transistor-Schaltung stellt eine Abwandlung der " Emitterschaltung mit Arbeitspunktstabilisierung durch Stromgegenkopplung " dar.
Mehrvon Robert PAPOUSEK 4.2 Gegentaktverstärker: Bild 1:PRINZIP DER DARLINGTONSCHALTUNG
von Robert PAPOUSEK INHALTSVERZEICHNIS: 1.Anforderungen an Leistungsverstärker 2.Grundlagen 3.Leistungsstufen: 3.1 Parallelschalten von Transistoren 4. A- und B-Betrieb: 4.1 Eintaktverstärker 4.2 Gegentaktverstärker
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
Mehr0Elementare Transistorschaltungen
Teilanfang E1 0Elementare Transistorschaltungen VERSUCH Praktikanten: Rainer Kunz Rolf Paspirgilis Links Versuch E1 Elementare Transistorschaltungen Q In diesem Protokoll: O»Einleitung«auf Seite 3 O»Transistoren«auf
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
Mehr3.2 Arbeitspunkteinstellung
3 Der Bipolartransistor 3.2. Arbeitspunkteinstellung 28 3.2 Arbeitspunkteinstellung Wiederholung: Der Arbeitspunkt legt die Großsignalgrößen,,,,, und U CE, sowie die Kleinsignalgrößen r BE, S und g EA
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Freitag, den 06. März 2015 um 16:26 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:12 Uhr
Konstantstromquelle mit einem NPN-Transistor Diese Schaltung liefert einen konstanten Strom Ikonst, welcher durch RL fließt. Dabei spielt es in gewissen Grenzen keine Rolle, wie groß RL ist. Der Konstantstrom
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.4.. - Berechnung einer Transistorschaltung mit Emitterwiderstand
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder
Mehr4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung
Kapitel 4 Schaltungselemente 4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung Eine gebräuchliche Schaltung mit Gegenkopplung ist in Bild 4.1 dargestellt. Gegengekoppelt wird durch Einfügen
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrPraktikum Versuch Bauelemente. Versuch Bauelemente
1 Allgemeines Seite 1 1.1 Grundlagen 1.1.1 db-echnung Da in der Elektrotechnik häufig mit sehr großen oder sehr kleinen Werten gerechnet wird, benutzt man für diese vorzugsweise die logarithmische Darstellung.
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik Abt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske Aufgaben zum Seminar Technische Informatik Aufgabe 2.4.. - Berechnung einer Transistorschaltung mit Emitterwiderstand
MehrGeregelte Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Geregelte Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor I R1 R 1 U R1 I B3 U CE3 I B4 V 3 V 4 U CE4 I A I R2 U E R 2 U R2 U CE2 V 2 I R3 I Z V 1 U Z R 3 UR3 Eine Stabilisierung für ein Netzteil entsprechend
Mehr3 Der Bipolartransistor
3 Der Bipolartransistor 3.1 Einführung Aufbau Ein Bipolartransistor (engl.: Bipolar Junction Transistor, BJT) besteht aus zwei gegeneinander geschalteten pn-übergängen (Dioden) mit einer gemeinsamen, sehr
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
erbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik ersuch 6 ntersuchungen an einem bipolaren Transistor Teilnehmer: Name orname Matr.-Nr. Datum
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
Mehr1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
MehrE l e k t r o n i k I
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Bipolare Transistoren
MehrKapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines
Kapitel 2 Grundschaltungen 2.1 Allgemeines Die bisherige Beschreibung der Transistoren hatte sich auf den Fall beschränkt, dass die Emitter- bzw. Source-Elektrode die dem Eingang und dem Ausgang gemeinsame
MehrDiplomprüfung WS 11/12 Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung Elektronik/Mikroprozessortechnik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Dauer: 90 Minuten Diplomprüfung WS 11/12 Elektronik/Mikroprozessortechnik
MehrDimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern
Dimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern mit NPN Transistor Schaltung Werte: V 1 = BC141; R L = 1 kω U B = 15 V Vorgaben: Der Arbeitspunkt des Transistors ist so einzustellen, dass U
Mehr8. Endstufenschaltungen
8.1 Einleitung Wie im Kapitel über die Audiotechnik bereits diskutiert, ist es die Aufgabe des Leistungsverstärkers, auch Endstufe genannt, den Innenwiderstand der Schaltung so weit herabzusetzen, dass
MehrOperationsverstärker (E 20)
Operationsverstärker (E 20) Ziel des Versuches In der physikalischen Messtechnik erfolgt die Verarbeitung elektrischer Signale (messen, steuern, regeln, verstärken) mit Hilfe elektronischer Schaltungen
MehrA1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.
Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage
MehrKennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1
Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5
MehrDiplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,
MehrMathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen
Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung
MehrAufbau eines Oszillators Theorie und Beispiele
Aufbau eines Oszillators Theorie und Beispiele Inhaltsverzeichnis 1 Theoretischer Aufbau eines Oszillators 2 Kenngrößen eines Schwingkreises 3.1 Beispiel1: Meissner-Schaltung 3.2 Beispiel2: Wien-Robinson
MehrInhalt. Begriffserklärung. Aufbau. Funktionsprinzip. Kennlinien. Grundschaltungen. Praxiswissen
Von Thomas Jakobi Inhalt Begriffserklärung Aufbau Funktionsprinzip Kennlinien Grundschaltungen Praxiswissen 2 Was sind Transistoren? 3 Begriffserklärung Name engl. transfer resistor veränderbarer Widerstand
Mehrv p v n Diplomprüfung Elektronik SS 2006 Montag,
FH München FB 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 6 Montag, 7.7.6 Prof. Dr. Höcht Prof. Dr. Kortstock Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Name: Vorname: Sem.: Dauer der Prüfung: 9 Minuten Homogene
MehrKapitel 3. Arbeitspunkteinstellung
Kapitel 3 Arbeitspunkteinstellung Bei den bislang erfolgten Analysen wurde der Transistor um einen Arbeitspunkt AP herum ausgesteuert. Durch flankierende Schaltungsmaßnahmen wird erst das Einstellen dieses
MehrTransistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung
Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen
MehrTransistor Verstärker. Roland Küng, 2011
Transistor Verstärker Roland Küng, 2011 1 Design Flow 2.Sem. Rep. Arbeitspunkt (Bias) Kleinsignal-Ersatz BJT FET BJT FET 3 Grundschaltungen NF: Koppel- C s HF: Miller Mehrstufig ASV 4.Sem. 2 Repetition
MehrElektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5
G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 1/25 Elektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5 G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 G. Kemnitz
MehrE l e k t r o n i k III
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k III Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2003/04 Elektronik III
MehrÜbung zum Elektronikpraktikum
Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt Raum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 2 13. September - 1. Oktober 2010 2: Der Transistoreffekt Ein
MehrVORBEREITUNG: TRANSISTOR
VORBEREITUNG: TRANSISTOR FREYA GNAM, GRUPPE 26, DONNERSTAG 1. TRANSISTOR-KENNLINIEN Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
MehrAufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt
MehrTransistorschaltungen
Transistorschaltungen V DD in Volt 3 2 V Ein - UTh,P V Ein - UTh,N 1-1 0 1 2 3 U Th,P U Th,N V Ein in Volt a) Schaltung b) Übertragungsfunktion Bipolar Transistorschaltung im System I Ein C Ein? V CC I
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren
1 von 19 15.03.2008 11:41 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Damit in einer Anwendung ein Transistor bestimmte, geforderte Eigenschaften aufweist, muss der Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor
MehrP2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER. Vorbereitung
Physikalisches Anfängerpraktikum Teil 2 P2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER Vorbereitung Gruppe 34 Marc Ganzhorn Tobias Großmann 16. Juli 2006 1 Einleitung In diesem Versuch sollen die beiden
Mehri c1 R c i b1 i b2 u a2 u e1 u e R e
Übungen zum 6. Versuch 13. Dezember 01 Elektronik 1 - UT-Labor 1. Folgende Schaltung zeigt einen einfachen Differenzverstärker. i c1 i c U b R c R c u a1 i b1 i b u a u e1 u e U b u e R e a) Stellen Sie
MehrTransistor und einer Z-Diode
Berechnung einer Spannungs-Stabilisierung mit einem Transistor und einer Z-Diode Mit dieser einfachen Standard-Schaltung kann man eine unstabilisierte, schwankende Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung
MehrKlausur "Elektronik" am 11.03.2001
Name, Vorname: Matr.Nr.: Klausur "Elektronik" 6037 am 11.03.2001 Hinweise zur Klausur: Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 2 h. Zugelassene Hilfsmittel sind: Taschenrechner Formelsammlung auf maximal
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
MehrTransistorgrundschaltungen Versuchsvorbereitung
Versuche P-50,5,52 Transistorgrundschaltungen Versuchsvorbereitung Thomas Keck, Gruppe: Mo-3 Karlsruhe Institut für Technologie, Bachelor Physik Versuchstag: 3.2.200 Inhaltsverzeichnis Halbleiter 3. Dotierung.....................................
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
Mehr1 Grundlagen. 1.1 Leistung und Arbeit. 1.2 Dämpfung und Verstärkung. 1.3 Widerstände. 1.3.1 Vernachlässigungsregeln 1 T. P (t)dt P (t) = u(t) i(t) P =
Grundlagen. Leistung und Arbeit W = P (t)dt P (t) = u(t) i(t) P = T T 0 u(t) i(t)dt.2 Dämpfung und Verstärkung P 2/P db U 2/U 2,00 3,4 4,00 6 2,00 0,00 0 3,6 00,00 20 0,00 (a) Verstärkung P 2/P db U 2/U
MehrUnterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 8 Mittwoch 6.7.8 Prof. Dr. Höcht Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: nterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
MehrMatr. Nr.: Kennzahl: b) Bestimmen Sie den Strom durch beide Dioden durch grafische Netzwerkanalyse. (15 Punkte)
1. PROBETEST ZU HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK, WS 2017/18 DATUM Punktemaximum: 100 Testdauer: 90 min Vorname: Nachname: Matr. Nr.: Kennzahl: Hinweis zum Test: Alle nötigen Zwischenschritte angeben! Ergebnisse
MehrVorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen
Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Donnerstag, den 05. März 2015 um 16:31 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:15 Uhr
// // Konstantstromquelle mit einem pnp-transistor - Berechnung Mit dieser einfachen Schaltung kann am Kollektor des Transistors ein konstanter Strom I gewonnen werden. Das Prinzip ist sehr einfach: An
Mehr2. Bipolartransistoren
ANGEWANDTE ELEKTRONIK BIPOLARTRANSISTOREN SEITE 1 2. Bipolartransistoren 2.1 Aufbau und Wirkungsweise Bipolare Transistoren beruhen auf zwei PN-Übergängen zwischen drei Halbleiter-Elektroden (Emitter,
MehrNPN C C Abb.1: Schaltsymbol und schematische Darstellung eines NPN-Transistors
Theorie Transistor Ein Transistor ist ein, in der modernen Elektronik, unerlässliches Halbleiterbauelement. Es gibt zwei wichtige verschiedene Arten von Transistoren: die bipolaren Transistoren und die
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
MehrTransistor << Transfer Resistor FET Unipolarer. BJT Bipolarer. Feldeffekt-Transistor. (Sperrschicht-) Transistor Zonenfolge PNP oder NPN
Transistor
MehrDiplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrGrundlagen der Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4
Technische Informatik Prof. Dr. M. Bogdan Institut für Informatik Technischen Informatik 1 WS 2015/16 Übungsblatt 4 Abgabe: bis zum 06.01.2016 im weißen Briefkasten der TI Nähe Raum P 518 1 Hinweise: -
Mehr7. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag
+ - Grundlagen der echnertechnologie Sommersemester 200 Wolfgang Heenes. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag 0.06.200 Schaltungen mit Bipolartransistoren Aufgabe : Analyse einer Schaltung mit Bipolartransistor
MehrElektrizitätslehre und Magnetismus
Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.
Mehr3 Halbleiterdioden... 46
1 Einführung in die Physik der Halbleiter... 1 1.1 Leitungsmechanismus... 1 1.2 Eigenleitung.... 2 1.3 Störstellenleitung... 5 1.4 Elektronentheoretische Deutung des Stromes in Metallen und Halbleitern..
Mehr5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren
Fachbereich Physik Elektronikpraktikum 5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Stichworte zur Vorbereitung: Aufbau und Funktion, Löcherleitung, Elektronenleitung, Eingangskennlinien, Ausgangskennlinien,
MehrDiplomvorprüfung Elektronik SS 2008
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 6 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 90 Minuten Diplomvorprüfung Elektronik SS 2008 Name: Vorname:
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
Mehr4.3 Der Bipolartransistor
4.3 Der Bipolartransistor Der Transistor wurde 1947 vom Forscherteam Shockley, Bardeen und Brattain erfunden (zunächst als Spitzentransistor, ein Jahr später dann als Flächentransistor). Er war das erste
Mehrpn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau
Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,
MehrArbeitspunkteinstellung
Gliederung Arbeitspunkteinstellung Ableitung der NF-Kleinsignal-Ersatzschaltung (KSE) Berechnung der NF-Kleinsignal-Parameter u, r e, r a Bestimmung des Frequenzganges und Berechnung der notwendigen Größe
MehrUniversität POsnabrück Dr. Wolfgang Bodenberger Vorlesung Elektronik 1 Fachbereich Physik. Bi - Polar - Transistoren
Universität POsnabrück Dr. Wolfgang Bodenberger Vorlesung Elektronik 1 Fachbereich Physik Bi Polar Transistoren 3.Aktive Bauelemente Das Zeitalter der Halbleiterelektronik begann 1948 mit der Fertigstellung
MehrTRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA
TRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung... 1 2. Messverfahren... 1 3. Bemerkung zur Fehlerrechnung... 1 4. Stromverstärkungsfaktor... 2 5. Eingangskennlinie...
MehrINSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11
NSTTUT FÜR ANGEWANDTE PHYSK Physikalisches Praktikum für Studierende der ngenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11 Transistorverstärker 1 Ziel Der Transistor ist ein viel verwendetes
MehrKapitel 1. Kleinsignalparameter
Kapitel 1 Kleinsignalparameter Der Name analoge Schaltung drückt aus, dass das Ausgangssignal dieser Schaltung immer stufenlos dem Eingangssignal folgt, d. h. in irgendeiner Form eine Proportionalität
MehrÜbungsserie, Bipolartransistor 1
13. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Bipolartransistor 1 Aufgabe 1. Invertierender Verstärker Die Abbildung 1 stellt einen invertierenden Verstärker dar. Es sei = 10 kω und = 1 kω.
Mehr6. Vorverstärkerschaltungen
6.1 Transistorkennlinien und Arbeitsbereich 6.1.1 Eingangskennlinie I B =f(u BE ) eines NPN-Transistors Die Eingangskennlinie beschreibt das Verhalten des Transistors zwischen der Basis und dem Emitter.
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Bestimmung des Innenwiderstandes Eine Stabilisierungsschaltung gemäß nebenstehender Schaltung ist mit folgenden Daten gegeben: 18 V R 1 150 Ω Für die Z-Diode
MehrA1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen
MehrDiplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik,
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für
MehrAFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand
Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe
MehrAfuTUB-Kurs Aufbau. Technik Klasse A 06: Transistor & VerstÃďrker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. https://dk0tu.de.
Technik Klasse A 06: Transistor & VerstÃďrker Amateurfunkgruppe der TU Berlin https://dk0tu.de WiSe 2017/18 SoSe 2018 cbea This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike
MehrVorbereitung Operationsverstärker
Vorbereitung Operationsverstärker Marcel Köpke & Axel Müller 30.05.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Emitterschaltung eines Transistors 4 1.1 Einstuger, gleichstromgegengekoppelter Transistorverstärker.......
Mehr