Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter 2.54 mm spacing 2.54 mm spacing.6 Anode.6.8 1.8 1.2 29.5 27.5 Area not flat Area not flat.8 9. 8.2 7.8 7.5 9. 8.2 7.8 7.5 5.7 5.1 ø5.1 ø4.8 Chip position ø5.1 ø4.8 Wesentliche Merkmale Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Φ e Sehr kurze Schaltzeiten ( ns) Geringe Vorwärtsspannung und Leistungsaufnahme Sehr hohe Langzeitstabilität Gegurtet lieferbar Anwendungen Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen Alarm- und Sicherungssysteme IR Freiraumübertragung 5.9 5.5.6 GEX6626 1.8 4.8.6 1.2 4.2 27 29 Chip position Anode Approx. weight.2 g GEX6984 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. 5.9 5.5 Features High pulse power and high radiant flux Φ e Very short switching times ( ns) Low forward voltage and power dissipation Very high long-time stability Available on tape and reel Applications High data transmission rate up to Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission Low power consumption (battery) equipment Suitable for professional and high-reliability applications Alarm and safety equipment IR free air transmission fex6626 fex626 Semiconductor Group 1 1998-9-8
Typ Type Bestellnummer Ordering Code Q6272-P559 Q6272-P56 Package 5 mm-led- (T1 3 / 4 ), klar, Anschlüsse im 2,54-mm Raster, Anodenkennzeichnung: kurzer Anschluß 5-mm-LED package (T1 3 / 4 ), clear, solder tabs 2.54-mm ( 1 / ), anode marking: short lead Grenzwerte (T A = 25 C) Maximum Ratings Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaβstrom Forward current Stoβstrom, = µs, D = Surge current Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. mm T op ; T stg 4... + C V R 3 V I F (DC) ma I FSM 2 A P tot 2 mw R thja 375 K/W Semiconductor Group 2 1998-9-8
Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission I F = ma, t P = 2 ms Spektrale Bandbreite bei 5% von I max Spectral bandwidth at 5% of I max I F = ma, t P = 2 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, I e von % auf 9% und von 9% auf %, bei I F = ma, t P = 2 ms, R L = 5 Ω Switching times, I e from % to 9% and from 9% to%, I F = ma, t P = 2 ms, R L = 5 Ω Kapazität Capacitance V R = V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage I F = ma, = 2 ms I F = 1 A, = µs Sperrstrom Reverse current V R = 3 V Gesamtstrahlungsfluβ Total radiant flux I F = ma, = 2 ms Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e, I F = ma Temperature coefficient of I e or Φ e, I F = ma λ peak 88 nm λ 25 nm ± 7 ± 18 Grad deg. A.9 mm 2 L B L W.3.3 mm t r, t f ns C o 35 pf V F 1.5 ( 2.) V F 3. ( 3.8) V V I R.1 ( ) µa Φ e 25 mw TC I 4 %/K Semiconductor Group 3 1998-9-8
Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics (cont d) Temperaturkoeffizient von V F, I F = ma Temperature coefficient of V F, I F = ma Temperaturkoeffizient von λ, I F = ma Temperature coefficient of λ, I F = ma TC V 2 mv/k TC λ +.13 nm/k Strahlstärke I e in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω =.1 sr I e in axial direction at a solid angle of Ω =.1 sr Strahlstärke I F = ma, = 2 ms Strahlstärke I F = 1 A, = µs I e min 4 I e typ 8 e s 25 4 mw/sr I e typ 6 3 mw/sr Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag Lötbadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron (with 1.5-mm-bit) Temperatur des Kolbens Maximale zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle Temperature of the bath Max. perm. time Distance between solder joint and case Temperature of the iron Max. permissible time Distance between solder joint and case 26 C s 1.5 mm 3 C 3 s 1.5 mm Semiconductor Group 4 1998-9-8
Relative spectral emission I rel = f (λ) I e I e ma Single pulse, = 2 µs ---------------- = f( I F ) Max. permissible forward current I F = f (T A ) % Ι rel 9 8 7 6 OHF366 2 Ι e Ι e ( ma) 1 OHF363 12 ma 8 OHF359 R thja = 375 K/W 5 6 4 3 2-1 4 2 7 75 8 85 9 nm λ -2-2 -1 A 1 2 4 6 8 C12 T A Forward current I F = f (V F ) single pulse, = 2 µs 1 A OHF362 Radiation characteristics I rel = f (), 4 3 2 5 1. OHF365.8 6.6 7-1 8.2 9-2.5 1 1.5 2 2.5 V 3 1..8.6 2 4 6 8 12 V F Permissible pulse power Duty cycle D = parameter, T A = 25 C 1 A 5 D = T T OHF361 Radiation characteristics I rel = f (), 4 3 2 5 1..8 OHR397 5 D =.5.1.2.5.1.2.5 6 7 8.6.2 9-1 -5-3 -4-2 -1 1 2 s 1..8.6 2 4 6 8 12 Semiconductor Group 5 1998-9-8