Micro SIDELED White Hyper-Bright LED LW Y87S
|
|
- Elmar Brodbeck
- vor 5 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Micro SIDELED White Hyper-Bright LED Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und Einkopplungen in Lichtleiter Farbort: x =,33, y =,33 nach CIE 1931 (weiß) typische Farbtemperatur: 56 K Farbwiedergabeindex: 8 Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (12 ) Technologie: InGaN optischer Wirkungsgrad: 5 lm/w Gruppierungsparameter: Lichtstärke, Farbort Verarbeitungsmethode: für alle SMT-Bestücktechniken geeignet Lötmethode: IR Reflow Löten und Wellenlöten (TTW) Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 Gurtung: 8 mm Gurt mit 3/Rolle, ø18 mm oder 1/Rolle, ø33 mm ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kv nach EOS/ESD Anwendungen Hinterleuchtung (LCD, Mobiltelefone, Schalter, Tasten, Displays, Werbebeleuchtung) optimierte Einkopplung in Lichtleiter Features package: white SMT package feature of the deivce: small package with extremely wide viewing angle; ideal for backlighting and coupling in light guides color coordinates: x =.33, y =.33 acc. to CIE 1931 (white) typ. color temperature: 56 K color reproduction index: 8 viewing angle: Lambertian Emitter (12 ) technology: InGaN optical efficiency: 5 lm/w grouping parameter: luminous intensity, color coordinates assembly methods: suitable for all SMT assembly methods soldering methods: IR reflow soldering and TTW soldering preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 taping: 8 mm tape with 3/reel, ø18 mm or 1/reel, ø33 mm ESD-withstand voltage: up to 2 kv acc. to EOS/ESD Applications backlighting (LCD, mobile phones, switches, keys, displays, illuminated advertising) optimized coupling into light guides
2 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area -N1Q2-35 white colored - diffused Lichtstärke Luminous Intensity I F = 1 ma I V (mcd) Lichtstrom Luminous Flux I F = 1 ma Φ V (mlm) Bestellnummer Ordering Code (typ.) Q6273-Q6139 Anm.: -35 Farbselektiert nach Farbortgruppen (siehe Seite 5) Die Standardlieferform von Serientypen beinhaltet eine untere bzw. eine obere Familiengruppe, die aus nur 3 bzw. 4 Halbgruppen besteht. Einzelne Halbgruppen sind nicht erhältlich. In einer Verpackungseinheit / Gurt ist immer nur eine Halbgruppe enthalten. Note: -35 Color selection acc. to Chromaticity coordinate groups (see page 5) The standard shipping format for serial types includes a lower or upper family group of 3 or 4 individual groups. Individual half groups are not available. No packing unit / tape ever contains more than one luminous intensity half group
3 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlassstrom Forward current Stoßstrom Surge current t 1 µs, D =.5 Sperrspannung Reverse voltage Leistungsaufnahme Power consumption T A 25 C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Sperrschicht/Lötpad Junction/solder point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße 5mm 2 ) mounted on PC board FR 4 (pad size 5mm 2 ) Symbol Symbol Wert Value T op C T stg C T j + 11 C I F 15 ma I FM ma V R 5 V Einheit Unit P tot 6 mw R th JA R th JS 53 3 K/W K/W
4 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Farbkoordinate x nach CIE ) Chromaticity coordinate x acc. to CIE 1931 I F = 1 ma Farbkoordinate y nach CIE ) Chromaticity coordinate y acc. to CIE 1931 I F = 1 ma (typ.) (typ.) Symbol Symbol Wert Value x.33 y.33 Einheit Unit 2ϕ 12 Grad Abstrahlwinkel bei 5 % I V (Vollwinkel) (typ.) Viewing angle at 5 % I V deg. Durchlassspannung 2) (typ.) V F 3.4 V Forward voltage (max.) V F 3.8 V I F = 1 ma Sperrstrom (typ.) I R.1 µa Reverse current (max.) I R 1 µa V R = 5 V Temperaturkoeffizient von x (typ.) TC x /K Temperature coefficient of x I F = 1 ma; 1 C T 1 C Temperaturkoeffizient von y Temperature coefficient of y I F = 1 ma; 1 C T 1 C Temperaturkoeffizient von V F Temperature coefficient of V F I F = 1 ma; 1 C T 1 C Optischer Wirkungsgrad Optical efficiency I F = 1 ma (typ.) (typ.) (typ.) TC y /K TC V 3. mv/k η opt 5 lm/w 1) 2) Farbortgruppen werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±,1 ermittelt. Chromaticity coordinate groups are tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of ±.1. Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 1 ms und einer Genauigkeit von ±,1 V ermittelt. Voltages are tested at a current pulse duration of 1 ms and a tolerance of ±.1 V
5 1) Farbortgruppen Chromaticity coordinate groups.9.8 Cy E Cx Cy group 3 + group 4 group Cx OHA
6 Helligkeits-Gruppierungsschema Luminous Intensity Groups Lichtgruppe Luminous Intensity Group N P Q Lichtstärke Luminous Intensity I V (mcd) Lichtstrom Luminous Flux Φ V (mlm) 1. (typ.) 17. (typ.) 27. (typ.) Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt. Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of ± 11%. Gruppenbezeichnung auf Etikett Group Name on Label Beispiel: N-4 Example: N-4 Lichtgruppe Luminous Intensity Group N 4 Farbortgruppe Chromaticity Coordinate Group
7 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T A = 25 C, I F = 1 ma Relative Spectral Emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 1 OHL776 I rel % 8 V λ nm 8 λ Abstrahlcharakteristik I rel = f (ϕ) Radiation Characteristic OHL166 ϕ
8 Durchlassstrom I F = f (V F ) Forward Current T A = 25 C I F 1 2 ma 1 1 OHL1499 Relative Lichtstärke I V /I V(1 ma) = f (I F ) Relative Luminous Intensity T A = 25 C 1 1 I V I V (1 ma) 1 OHL V Maximal zulässiger Durchlassstrom I F = f (T) Max. Permissible Forward Current I F 16 ma T A V F OHL86 T S ma 2 1 Relative Lichtstärke I V /I V(25 C) = f (T A ) Relative Luminous Intensity I F = 1 ma I V I V (25 C) I F OHL187 2 T S temp. solder point T A temp. ambient C 1 T C 1 T
9 Farbortverschiebung x, y = f (I F ) Chromaticity Coordinate Shift T A = 25 C.345 OHL99 Cx, Cy Cx Cy ma 6 I F
10 Maßzeichnung Package Outlines.25 (.1).2 (.8) (.6 (.24))....1 (....4) (.4 (.16)) 3.1 (.122) 2.9 (.114).5 (.2).3 (.12) (15 ) Light emitting area typ Cathode 1.2 (.47) 1. (.39).7 (.28).5 (.2) 2.3 (.91) 2.1 (.83) 1.3 (.51) 1.1 (.43) GPLY658 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Gewicht / Approx. weight: 6 mg
11 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lötprofil (nach IPC 951) IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 951) 3 C OHLY597 T C 1-4 s to 18 s 183 C Ramp-down rate up to 6 K/s 1 5 Ramp-up rate up to 6 K/s Defined for Preconditioning: 2-3 K/s Defined for Preconditioning: up to 6 K/s s 25 t
12 Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C 1. Welle 1. wave 1 s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s 1 1 C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t
13 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad IR Reflow Löten IR Reflow Soldering Bauteil positioniert Component location on pad A C A C.8 (.31) 2.2 (.87).7 (.28) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation Lötstopplack Solder resist OHPY1315 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Gehäuse für Wellenlöten (TTW) geeignet / Package suitable for TTW-soldering Gurtung / Polarität und Lage Method of Taping / Polarity and Orientation Verpackungseinheit 3/Rolle, ø18 mm oder 1/Rolle, ø33 mm Packing unit 3/reel, ø18 mm or 1/reel, ø33 mm 1.5 (.59) 2 (.79) 4 (.157) 2.4 (.94) 3.5 (.138).9 (.35) 1.75 (.69) 8.1 (.319) 1.25 (.49) 3.3 (.13) C A 1.4 (.55).3 (.12) max. OHAY1515 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)
14 Revision History: Previous Version: Page Subjects (major changes since last revision) 8 diagram OHL87 to OHL187 3 pad size from 16 mm 2 to 5 mm 2 Patent List Patent No. US , US Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS Q976, LO Q976, LY Q976. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS Q976, LO Q976, LY Q976 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: 63 Besonderheit des Bauteils: kleinste Bauform 1,6 mm x,8 mm x,8 mm Wellenlänge:
MehrHyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 8 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2, mm x 1,2 mm x,8 mm Wellenlänge: 632 nm (super-rot), 6 nm (orange),
MehrHyper TOPLED White LED LW T676. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper TOPLED White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen
MehrCHIPLED LG N971, LY N971
CHIPLED LG N971, LY N971 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 126 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 3,2 mm x 1,6 mm x 1,1 mm Wellenlänge: 57 nm (grün), 587 nm (gelb) Abstrahlwinkel: Lambertscher
MehrCHIPLED LH R
CHIPLED LH R974 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 0805 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,25 mm x 0,8 mm Wellenlänge: 645 nm Abstrahlwinkel: extrem breite Abstrahlcharakteristik (160
MehrBLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676
BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und
MehrOpto Semiconductors. White LED
Hyper TOPLED White LED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale GaN-Technologie Farbe: weiß x =.3, y =.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (12 ) ESD-sicher bis 2
MehrMicro SIDELED Enhanced optical Power LED (ATON ) LW Y87C. Vorläufige Daten Preliminary Data
Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (AON ) LW Y87C Vorläufige Daten Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter Abstrahlcharakteristik;
MehrMicro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter
MehrTOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674
TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und
MehrHyper CHIPLED Hyper-Bright LED LW Q18S
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED Besondere Merkmale Gehäusetyp: SM Gehäuse 63 Besonderheit des Bauteils: kleinste Bauform 1,6x,8x,6mm(LxBxH) Farbort: x =,35, y =,34 nach CIE 1931 (weiß) ypische Farbtemperatur:
MehrTOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770
TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Bauteil wird top-down montiert und strahlt durch das PCB, deshalb ideal
MehrTOPLED High-optical Power LED (HOP) LS T675. Vorläufige Daten / Preliminary Data
TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS T675 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad
MehrHyper TOPLED Enhanced optical Power LED (ATON ) LW T67C. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper TOPLED Enhanced optical Power LED (ATON ) Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik;
MehrOpto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data
CHIPLED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale SMT-Gehäusetyp: 63 Farben: grün (572 nm), gelb (59 nm) Abstrahlcharakteristik: extrem breit (16 ) Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe
MehrHyper Mini TOPLED Enhanced optical Power LED (ATON ) LW M67C. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper Mini OPLED Enhanced optical Power LED (AON ) LW M67C Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen
MehrHyper TOPLED Hyper-Bright LED LS T676, LA T676, LO T676, LY T676
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und Einkopplungen in Lichtleiter
Mehr5 mm (T1 ¾) LED, Diffused LR 5360, LS 5360, LY 5360, LG 5360
mm (1 ¾) LED, Diffused LR 36, LS 36, LY 36, LG 36 Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses mm (1 ¾) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Lötspieße mit Aufsetzebene Wellenlänge: 64 nm (rot),
MehrMini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670
Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform 2,3 mm x 1,3 mm x 1,4 mm Wellenlänge: 628 nm (super-rot),
MehrPower TOPLED Hyper-Bright LED LY E675
Power TOPLED Hyper-Bright LED LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere Umgebungstemperatur bei gleichem
MehrHyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 080 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,2 mm x 0,8 mm Wellenlänge: 633 nm (super-rot), 606
MehrSmartLED TM Enhanced optical power LED (ATON ) LW L88C
SmartLED M Enhanced optical power LED (AON ) LW L88C Abgekündigt nach OS-PD-23-7 - wird durch LW L283 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-23-7 - will be replaced by LW L283 Besondere Merkmale Gehäusetyp:
MehrSFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ
Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet
MehrSuper SIDELED High-Current LED LG A672, LP A672
Super SIDELED High-Current LED LG A672, LP A672 Abgekündigt nach PD_78_2 - werden durch LG A676 und LP A676 ersetzt werden Obsolete acc. to PD_78_2 - will be replaced by LG A676 and LP A676 Besondere Merkmale
MehrHyper CHIPLED Hyper-Bright LED LW Q183. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LW Q183 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: SM Gehäuse 63 Besonderheit des Bauteils: kleinste Bauform 1,6x,8x,6mm(LxBxH) Farbort: x =,31, y
MehrMini SIDELED LS C870, LO C870, LY C870, LG C870, LP C870
Mini SIDELED LS C870, LO C870, LY C870, LG C870, LP C870 Nicht für Neuentwicklungen - wird durch Micro SIDELED ersetzt werden Not for new designs - will be replaced by Micro SIDELED Besondere Merkmale
MehrLC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269. Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs
LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269 Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses SOT-23 Gehäuse Besonderheit des
MehrTOPLED LS T670, LO T670, LY T670, LG T670, LP T670
TOPLED LS T670, LO T670, LY T670, LG T670, LP T670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und
MehrDatasheetDirect.com. Visit to get your free datasheets. This datasheet has been downloaded by
DatasheetDirect.com Your dedicated source for free downloadable datasheets. Over one million datasheets Optimized search function Rapid quote option Free unlimited downloads Visit www.datasheetdirect.com
MehrPower TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675
Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere
MehrMini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670
Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform 2,3 mm x 1,3 mm x 1,4 mm Wellenlänge: 628 nm (super-rot),
MehrSIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670
SIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter
MehrHyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW 3333 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: enge
MehrHyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED LB M673, LV M673, LT M673. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED LB M673, LV M673, LT M673 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen
MehrHyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673
Hyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und Einkopplungen
MehrHyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW 3333 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: enge
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich-
MehrPower TOPLED with Lens Hyper-Bright LED LY E655. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Power TOPLED with Lens Hyper-Bright LED LY E655 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-L-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: fokussierte Abstrahlung in SMT-Technologie;
MehrTOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770
TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen; Bauteil
MehrSilicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21
Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrHyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993
Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993 Abgekündigt nach OS-PD-23-7 - wird durch LB L293 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-23-7 - will be replaced by LB L293 Besondere Merkmale Gehäusetyp: SMT Gehäuse
MehrBLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676
BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und
MehrLC 5 mm (T1 ¾) LED, Diffused Low Current LED LS 5469, LY 5469, LG 5469
LC mm (T1 ¾) LED, Diffused Low Current LED LS 469, LY 469, LG 469 Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses mm (T1 ¾) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen;
MehrHyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED LS Y876, LA Y876, LO Y876, LY Y876. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Hyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED LS Y876, L Y876, LO Y876, LY Y876 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit
MehrHyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673
Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen
MehrSIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670
SIDELED Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter Wellenlänge:
MehrSchmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active
MehrPower TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675
Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere
MehrSchmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441
Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang
Mehr650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data
65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr
MehrInfrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Not for new design Replacement: SFH4253 R Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen
MehrPower TOPLED Enhanced optical Power LED (HOP2000) LS E67B, LA E67B, LO E67B, LY E67B. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Power TOPLED Enhanced optical Power LED (HOP2) LS E67B, LA E67B, LO E67B, LY E67B Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr
MehrGaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A
GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse,
MehrIR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883
IR-Lumineszenzdiode (88 nm) im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (88 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Anode galvanisch
MehrPower TOPLED Enhanced optical Power LED (ATON ) LB E67C, LV E67C, LT E67C. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Power OPLED Enhanced optical Power LED (AON ) LB E67C, LV E67C, L E67C Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110
GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel
Mehr3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360
3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach
MehrSilizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33
Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 260 LD 262 LD 269
GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 26 LD 262 LD 269 Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis
MehrSilizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21
Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt
Mehr3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused LSG 3331
3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused LSG 3331 Besondere Merkmale Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: antiparallel geschaltete Chips; Lötspieße mit Aufsetzebene
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4203
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 423 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrHyper TOPLED Hyper-Bright Low Current LED LS T67K, LO T67K, LY T67K
Hyper TOPLED Hyper-Bright Low Current LED LS T67K, LO T67K, LY T67K Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik;
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4501, SFH 4502, SFH 4503
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 451, SFH 452, SFH 453 SFH 451 SFH 452 SFH 453 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW)
MehrGolden Dragon GreenProduct-Pbfreeleads LW W5SG. Vorläufige Daten / Preliminary Data
Golden Dragon GreenProduct-Pbfreeleads LW W5SG Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMD Gehäuse, farbiger diffuser Verguss Besonderheit des Bauteils: Hoch effiziente
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4512
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95nm Gute spektrale
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 405
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 35 Miniatur-Gehäuse
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden Hohe Zuverlässigkeit
MehrLeistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301
Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED
MehrWELTRON Elektronik GmbH // Tel: // Fax: //
WELTRON Elektronik GmbH // Tel: 9852 6727- // Fax: 9852 6727-67 // E-Mail: info@weltron.de Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 FA SFH 23
MehrSOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production
2006-06-12 SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED full production Applications Signal lamp for front panel installation using clip mounting and a
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit
MehrSilizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63
Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm Sperrstromarm
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 415
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit
MehrGaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860
GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem
MehrSilizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)
Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen
MehrInfrarot-LED Infrared-LED SFH 4281
Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot
MehrSilizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im
MehrInfrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259
Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
MehrSilizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61
Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416
GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger : Gehäusegleich mit SFH 3, SFH
MehrUV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840
UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel
MehrNPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 32 SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Wesentliche Merkmale Speziell
MehrSales: Technical: Fax:
DATA SHEET Order code Manufacturer code Description 58-0138 n/a n/a The enclosed information is believed to be correct, Information may change without notice due to product improvement. Users should ensure
MehrGaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425
GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad
MehrSchnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4203
Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 423 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (Ι e = f [I F ]) bei hohen Strömen Gleichstrom-
MehrIR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556
IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze
Mehr