Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS Q976, LO Q976, LY Q976. Vorläufige Daten / Preliminary Data

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1 Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS Q976, LO Q976, LY Q976 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: 63 Besonderheit des Bauteils: kleinste Bauform 1,6 mm x,8 mm x,8 mm Wellenlänge: 632 nm (super-rot), 6 nm (orange), 87 nm (gelb) Abstrahlwinkel: extrem breite Abstrahlcharakteristik (16 ) Technologie: InGaAlP optischer Wirkungsgrad: 7 lm/w (super-rot), 11 lm/w (orange, gelb) Verarbeitungsmethode: für alle SMT-Bestücktechniken geeignet Lötmethode: IR Reflow Löten Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 Gurtung: 8 mm Gurt mit 4/Rolle, ø18 mm Anwendungen Informationsanzeigen im Aussenbereich Flache Hinterleuchtung (LCD, Handy, Schalter, Display) Signal- und Symbolleuchten Markierungsbeleuchtung (z.b. Stufen, Fluchtwege, u.ä.) Features package: 63 feature of the device: smallest package 1.6 mm x.8 mm x.8 mm wavelength: 632 nm (super-red), 6 nm (orange), 87 nm (yellow) viewing angle: extremely wide (16 ) technology: InGaAlP optical efficiency: 7 lm/w (super-red), 11 lm/w (orange, yellow) assembly methods: suitable for all SMT assembly methods soldering methods: IR reflow soldering preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 taping: 8 mm tape with 4/reel, ø18 Applications outdoor displays flat backlighting (LCD, cellular phones, switches, displays) signal and symbol luminaire marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.) OPTO SEMICONDUCTORS

2 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Lichtstärke Luminous Intensity I V (mcd) Bestellnummer Ordering Code min. typ. LS Q976 super-red colored diffused 18 Q6272-P187 LO Q976 orange colored diffused 28 7 Q6272-P188 LY Q976 yellow colored diffused 28 6 Q6272-P186 Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 2 ms und einer Genauigkeit von ±11 % ermittelt. Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 2 ms and an accuracy of ±11 % OPTO SEMICONDUCTORS

3 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current t 1 µs, D =.1 Sperrspannung Reverse voltage Leistungsaufnahme Power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Sperrschicht/Lötpad Junction/solder point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße 16 mm 2 ) mounted on PC board FR 4 (pad size 16 mm 2 ) Symbol Symbol Wert Value T op C T stg C T j + 9 C I F 2 ma I FM t.b.d. A V R V Einheit Unit P tot 6 mw R th JA R th JS 9 1 K/W K/W OPTO SEMICONDUCTORS

4 Kennwerte (T A = 2 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values LS LO LY Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λ peak nm Wavelength at peak emission Dominantwellenlänge (typ.) λ dom nm Dominant wavelength Spektrale Bandbreite bei % I rel max (typ.) λ nm Spectral bandwidth at % I rel max Abstrahlwinkel bei % I V (Vollwinkel) (typ.) 2ϕ Grad Viewing angle at % I V deg. Durchlaßspannung (typ.) V F V Forward voltage (max.) V F V Sperrstrom (typ.) I R µa Reverse current (max.) I R µa V R = V Temperaturkoeffizient von λ peak (typ.) TC λpeak nm/k Temperature coefficient of λ peak Temperaturkoeffizient von λ dom (typ.) TC λdom nm/k Temperature coefficient of λ dom Temperaturkoeffizient von V F (typ.) TC V mv/k Temperature coefficient of V F Optischer Wirkungsgrad (typ.) η opt lm/w Optical efficiency OPTO SEMICONDUCTORS

5 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T A = 2 C, Relative Spectral Emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve 1 OHL Ι rel % 8 V λ yellow orange super-red nm 7 λ Abstrahlcharakteristik I rel = f (ϕ) Radiation Characteristic OHL48 ϕ OPTO SEMICONDUCTORS

6 Durchlaßstrom I F = f (V F ) Forward Current T A = 2 C I F 1 2 ma 1 1 OHL232 Relative Lichtstärke I V /I V(2 ma) = f (I F ) Relative Luminous Intensity T A = 2 C I I 1 1 V V (2 ma) 1 OHL super-red yellow, orange V 3.4 Maximal zulässiger Durchlaßstrom I F = f (T) Max. Permissible Forward Current I F 3 ma 2 2 T S V F OHL ma 1 2 Relative Lichtstärke I V /I V(2 C) = f (T A ) Relative Luminous Intensity IV I V (2 C) orange yellow super-red I F OHL T A.8 TA temp. ambient T S temp. solder point C 1 T.4 orange yellow super-red C 1 T A OPTO SEMICONDUCTORS

7 Maßzeichnung Package Outlines ø. (ø.2) ø.3 (ø.12).9 (.3).7 (.28).9 (.3).7 (.28).4 (.16).2 (.8).7 (.28). (.2) Cathode mark 1.7 (.67) 1. (.9).4 (.16) 1.1 (.43).2 (.8).9 (.3).9 (.3).7 (.28) Soldering terminal may flow in x, y direction GEOY6989 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch) OPTO SEMICONDUCTORS

8 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lötprofil (nach IPC 91) IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 91) 2 C T max = 24 C OHLA68 T 2 T = 183 C t = 7 s K/s K/s : :3 1: 1:3 2: 2:3 3: 3:3 4: 4:3 : min :3 t Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad IR Reflow Löten IR Reflow Soldering OHAP OPTO SEMICONDUCTORS

9 Gurtung / Polarität und Lage Method of Taping / Polarity and Orientation Verpackungseinheit 4/Rolle, ø18 mm Packing unit 4/reel, ø18 mm Processive direction C Cathode mark 1 4 A OHAY OPTO SEMICONDUCTORS

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