TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS T675. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS T675. Vorläufige Daten / Preliminary Data"

Transkript

1 TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS T675 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad Wellenlänge: 633 nm (super-rot) Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (12 ) Technologie: InGaAlP optischer Wirkungsgrad: 15 lm/w Gruppierungsparameter: Lichtstärke Verarbeitungsmethode: für alle SMT-Bestücktechniken geeignet Lötmethode: IR Reflow Löten und Wellenlöten (TTW) Vorbehandlung: nach JEDEC Level 2 Gurtung: 8 mm Gurt mit 2/Rolle, ø18 mm oder 8/Rolle, ø33 mm ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kv nach EOS/ESD Anwendungen Ampelanwendung Hinterleuchtung (LCD, Schalter, Tasten, Displays, Werbebeleuchtung) Innen- und Außenbeleuchtung im Automobilbereich (z.b. Instrumentenbeleuchtung und Bremslichter) Ersatz von Kleinst-Glühlampen Markierungsbeleuchtung (z.b. Stufen, Fluchtwege, u.ä.) Signal- und Symbolleuchten Features package: white P-LCC-2 package feature of the device: more light due to higher optical efficiency wavelength: 633 nm (super-red) viewing angle: Lambertian Emitter (12 ) technology: InGaAlP optical efficiency: 15 lm/w grouping parameter: luminous intensity assembly methods: suitable for all SMT assembly methods soldering methods: IR reflow soldering and TTW soldering preconditioning: acc. to JEDEC Level 2 taping: 8 mm tape with 2/reel, ø18 mm or 8/reel, ø33 mm ESD-withstand voltage: up to 2 kv acc. to EOS/ESD Applications traffic lights backlighting (LCD, switches, keys, displays, illuminated advertising) interior and exterior automotive lighting (e.g. dashboard backlighting and brake lights) substitution of micro incandescent lamps marker lights (e.g. steps, exit ways, etc.) signal and symbol luminaire

2 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Anm.: -1 gesamter Farbbereich (siehe Seite 4) Lichtstärke Luminous Intensity I F = 3 ma I V (mcd) Lichtstrom Luminous Flux I F = 3 ma Φ V (mlm) Bestellnummer Ordering Code LS T675-R2T1-1 super-red colorless clear (typ.) Q6273-Q6349 Die Standardlieferform von Serientypen beinhaltet eine Familiengruppe, die aus nur 4 Halbgruppen besteht. Einzelne Halbgruppen sind nicht erhältlich. In einer Verpackungseinheit / Gurt ist immer nur eine Halbgruppe enthalten. Note: -1 Total color tolerance range (see page 4) The standard shipping format for serial types includes a family group of only 4 individual groups. Individual half groups are not available. No packing unit / tape ever contains more than one luminous intensity half group

3 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlassstrom Forward current Stoßstrom Surge current t µs, D =.1 Sperrspannung Reverse voltage Leistungsaufnahme Power consumption T A 25 C Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht/Umgebung Junction/ambient Sperrschicht/Lötpad Junction/soldering point Montage auf PC-Board FR 4 (Padgröße 16 mm 2 ) mounted on PC board FR 4 (pad size 16 mm 2 ) Symbol Symbol Wert Value T op 4 + C T stg 4 + C T j C I F 5 ma I FM.1 A V R 5 V Einheit Unit P tot 13 mw R th JA R th JS 4 18 K/W K/W

4 Kennwerte (T A = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λ peak 645 nm Wavelength at peak emission I F = 3 ma Dominantwellenlänge 1) (typ.) λ dom 633 nm Dominant wavelength 1) I F = 3 ma ± 6 Spektrale Bandbreite bei 5 % I rel max (typ.) λ 16 nm Spectral bandwidth at 5 % I rel max I F = 3 ma Abstrahlwinkel bei 5 % I V (Vollwinkel) (typ.) 2ϕ 12 Grad Viewing angle at 5 % I V deg. Durchlassspannung 2) (min.) V F 1.8 V Forward voltage (typ.) V F 2. V I F = 3 ma (max.) V F 2.4 V Sperrstrom (typ.) I R.1 µa Reverse current (max.) I R µa V R = 5 V Temperaturkoeffizient von λ peak (typ.) TC λpeak.15 nm/k Temperature coefficient of λ peak I F = 3 ma; C T C Temperaturkoeffizient von λ dom Temperature coefficient of λ dom I F = 3 ma; C T C Temperaturkoeffizient von V F Temperature coefficient of V F I F = 3 ma; C T C (typ.) (typ.) TC λdom.4 nm/k TC V 3.4 mv/k Optischer Wirkungsgrad (typ.) η opt 15 lm/w Optical efficiency I F = 3 ma 1) Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ±1 nm ermittelt. Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of ±1 nm. 2) Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 1 ms und einer Genauigkeit von ±,1 V ermittelt. Voltages are tested at a current pulse duration of 1 ms and a tolerance of ±.1 V

5 Helligkeits-Gruppierungsschema Luminous Intensity Groups Lichtgruppe Luminous Intensity Group R2 S1 S2 T1 Lichtstärke Luminous Intensity I V (mcd) Lichtstrom Luminous Flux Φ V (mlm) 48 (typ.) 6 (typ.) 76 (typ.) 95 (typ.) Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt. Luminous intensity is tested at a current pulse duration of 25 ms and a tolerance of ± 11%. Gruppenbezeichnung auf Etikett Group Name on Label Beispiel: T1 Example: T1 Lichtgruppe Luminous Intensity Group T 1 Halbgruppe Half Group

6 Relative spektrale Emission I rel = f (λ), T A = 25 C, I F = 3 ma Relative Spectral Emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL1486 I rel % 8 V λ super-red nm 7 λ Abstrahlcharakteristik I rel = f (ϕ) Radiation Characteristic OHL166 ϕ

7 Durchlassstrom I F = f (V F ) Forward Current T A = 25 C I F 2 ma 1 5 OHL444 Relative Lichtstärke I V /I V(3 ma) = f (I F ) Relative Luminous Intensity T A = 25 C I I 1 V V (3 ma) 5 OHL V 2.4 Maximal zulässiger Durchlassstrom I F = f (T) Max. Permissible Forward Current I F 6 ma 5 V F OHL176 Τ S ma 2 Relative Lichtstärke I V /I V(25 C) = f (T A ) Relative Luminous Intensity I F = 3 ma I V I V (25 C) I F OHL Τ A Τ A Τ S temp. ambient temp. solder point C Τ C T

8 Zulässige Impulsbelastbarkeit I F = f (t p ) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, T A = 25 C Zulässige Impulsbelastbarkeit I F = f (t p ) Permissible Pulse Handling Capability Duty cycle D = parameter, T A = 85 C.12 OHL OHL1633 I F A. I F A s s 2 t p t p

9 Maßzeichnung Package Outlines 3. (.118) 2.6 (.2) 2.3 (.91) 2.1 (.83).1 (.4) (typ.) 2.1 (.83) 1.7 (.67).9 (.35).7 (.28) 3.4 (.134) 3. (.118) Cathode marking (2.4) (.95) 4 ±1 3.7 (.146) 1.1 (.43) 3.3 (.13).5 (.2).18 (.7).12 (.5).6 (.24).4 (.16) GPLY6724 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch). Gewicht / Approx. weight: 4 mg

10 Lötbedingungen Vorbehandlung nach JEDEC Level 2 Soldering Conditions Preconditioning acc. to JEDEC Level 2 IR-Reflow Lötprofil (nach IPC 951) IR Reflow Soldering Profile (acc. to IPC 951) 3 C OHLY597 T C -4 s to 18 s 183 C Ramp-down rate up to 6 K/s 5 Ramp-up rate up to 6 K/s Defined for Preconditioning: 2-3 K/s Defined for Preconditioning: up to 6 K/s s 25 t

11 Wellenlöten (TTW) (nach CECC 82) TTW Soldering (acc. to CECC 82) T 3 C C C 1. Welle 1. wave s 2. Welle 2. wave Normalkurve standard curve Grenzkurven limit curves OHLY ca 2 K/s 5 K/s 2 K/s C C 5 2 K/s Zwangskühlung forced cooling s 25 t

12 Empfohlenes Lötpaddesign Recommended Solder Pad IR-Reflow Löten / Wellenlöten (TTW) IR Reflow Soldering / TTW Soldering 4.5 (.177) 2.6 (.2) 1.5 (.59) 4.5 (.177) 1.5 (.59) Padgeometrie für verbesserte Wärmeableitung Paddesign for improved heat dissipation 2.6 (.2) Cu-Fläche > 16 mm Cu-area > 16 mm 2 2 Lötstopplack Solder resist OHLPY97 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)

13 Gurtung / Polarität und Lage Method of Taping / Polarity and Orientation Verpackungseinheit 2/Rolle, ø18 mm oder 8/Rolle, ø33 mm Packing unit 2/reel, ø18 mm or 8/reel, ø33 mm 1.5 (.59) 4 (.157) 2 (.79) 2.9 (.114) 4 (.157) 3.6 (.142) 3.5 (.138) 1.75 (.69) 8 (.315) C A OHAY2271 Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch)

14 Revision History: Previous Version: Page Subjects (major changes since last revision) 1 Value (wavelength) 3 Values (forward current, power consumption) 4 Values (spectral bandwidth, forward voltage) 7 Diagram 8 pulse derating at 25 C changed from OHL154 to OHL193 4 value (forward voltage, min.) changed from 1.9V to 1.8V 2 insert of Q# 7 change of diagram rel. lum. intensity (T A ) from OHL1638 to OHL74 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Wernerwerkstrasse 2, D-9349 Regensburg All Rights Reserved. Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components 1 may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS. 1 A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. 2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered

BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676

BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und

Mehr

TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770

TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Bauteil wird top-down montiert und strahlt durch das PCB, deshalb ideal

Mehr

TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674

TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674 TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAlAs-LED LH T674 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und

Mehr

CHIPLED LG N971, LY N971

CHIPLED LG N971, LY N971 CHIPLED LG N971, LY N971 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 126 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 3,2 mm x 1,6 mm x 1,1 mm Wellenlänge: 57 nm (grün), 587 nm (gelb) Abstrahlwinkel: Lambertscher

Mehr

Power TOPLED Hyper-Bright LED LY E675

Power TOPLED Hyper-Bright LED LY E675 Power TOPLED Hyper-Bright LED LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere Umgebungstemperatur bei gleichem

Mehr

5 mm (T1 ¾) LED, Diffused LR 5360, LS 5360, LY 5360, LG 5360

5 mm (T1 ¾) LED, Diffused LR 5360, LS 5360, LY 5360, LG 5360 mm (1 ¾) LED, Diffused LR 36, LS 36, LY 36, LG 36 Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses mm (1 ¾) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Lötspieße mit Aufsetzebene Wellenlänge: 64 nm (rot),

Mehr

Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675

Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere

Mehr

Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670

Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Mini TOPLED LS M670, LO M670, LY M670, LG M670, LP M670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform 2,3 mm x 1,3 mm x 1,4 mm Wellenlänge: 628 nm (super-rot),

Mehr

Opto Semiconductors. White LED

Opto Semiconductors. White LED Hyper TOPLED White LED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale GaN-Technologie Farbe: weiß x =.3, y =.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler (12 ) ESD-sicher bis 2

Mehr

Opto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Opto Semiconductors. Vorläufige Daten / Preliminary Data CHIPLED Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale SMT-Gehäusetyp: 63 Farben: grün (572 nm), gelb (59 nm) Abstrahlcharakteristik: extrem breit (16 ) Industriestandard bzgl. Lötpadraster geringe

Mehr

Hyper TOPLED White LED LW T676. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Hyper TOPLED White LED LW T676. Vorläufige Daten / Preliminary Data Hyper TOPLED White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen

Mehr

TOPLED LS T670, LO T670, LY T670, LG T670, LP T670

TOPLED LS T670, LO T670, LY T670, LG T670, LP T670 TOPLED LS T670, LO T670, LY T670, LG T670, LP T670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und

Mehr

Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED LB M673, LV M673, LT M673. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED LB M673, LV M673, LT M673. Vorläufige Daten / Preliminary Data Hyper Mini TOPLED Hyper-Bright LED LB M673, LV M673, LT M673 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform für Anwendungen

Mehr

Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675

Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Power TOPLED High-optical Power LED (HOP) LS E675, LA E675, LY E675 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch erhöhten optischen Wirkungsgrad; höhere

Mehr

Mini SIDELED LS C870, LO C870, LY C870, LG C870, LP C870

Mini SIDELED LS C870, LO C870, LY C870, LG C870, LP C870 Mini SIDELED LS C870, LO C870, LY C870, LG C870, LP C870 Nicht für Neuentwicklungen - wird durch Micro SIDELED ersetzt werden Not for new designs - will be replaced by Micro SIDELED Besondere Merkmale

Mehr

Power TOPLED Enhanced optical Power LED (HOP2000) LS E67B, LA E67B, LO E67B, LY E67B. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Power TOPLED Enhanced optical Power LED (HOP2000) LS E67B, LA E67B, LO E67B, LY E67B. Vorläufige Daten / Preliminary Data Power TOPLED Enhanced optical Power LED (HOP2) LS E67B, LA E67B, LO E67B, LY E67B Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr

Mehr

Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976

Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LS R976, LO R976, LY R976 Besondere Merkmale Gehäusetyp: 080 Besonderheit des Bauteils: extrem kleine Bauform 2,0 mm x 1,2 mm x 0,8 mm Wellenlänge: 633 nm (super-rot), 606

Mehr

SIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670

SIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670 SIDELED LS A670, LO A670, LY A670, LG A670, LP A670 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter

Mehr

Power TOPLED Enhanced optical Power LED (ATON ) LB E67C, LV E67C, LT E67C. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Power TOPLED Enhanced optical Power LED (ATON ) LB E67C, LV E67C, LT E67C. Vorläufige Daten / Preliminary Data Power OPLED Enhanced optical Power LED (AON ) LB E67C, LV E67C, L E67C Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: mehr Licht durch

Mehr

Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673

Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673 Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T673, LV T673, LT T673 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen

Mehr

LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269. Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs

LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269. Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs LC SOT-23 LED, Diffused Low Current LED LS S269, LY S269, LG S269 Nicht für Neuentwicklungen / Not for New Designs Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses SOT-23 Gehäuse Besonderheit des

Mehr

Super SIDELED High-Current LED LG A672, LP A672

Super SIDELED High-Current LED LG A672, LP A672 Super SIDELED High-Current LED LG A672, LP A672 Abgekündigt nach PD_78_2 - werden durch LG A676 und LP A676 ersetzt werden Obsolete acc. to PD_78_2 - will be replaced by LG A676 and LP A676 Besondere Merkmale

Mehr

BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676

BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 BLUE LINE TM Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LB T676 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und

Mehr

3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360

3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 LY 3360, LG 3360, LP 3360 3 mm (T1) LED, Diffused LR 3360, LS 3360, LO 3360 Besondere Merkmale eingefärbtes, diffuses Gehäuse als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach

Mehr

LC 5 mm (T1 ¾) LED, Diffused Low Current LED LS 5469, LY 5469, LG 5469

LC 5 mm (T1 ¾) LED, Diffused Low Current LED LS 5469, LY 5469, LG 5469 LC mm (T1 ¾) LED, Diffused Low Current LED LS 469, LY 469, LG 469 Besondere Merkmale Gehäusetyp: eingefärbtes, diffuses mm (T1 ¾) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen;

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen Miniaturlichtschranken für Gleich-

Mehr

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ

SFH Features Especially suitable for applications from 740 nm to 1100 nm 5 mm LED plastic package Integrated NTC thermistor, R 25 =10kΩ Silizium-PIN-Fotodiode mit integriertem Temperatur-Sensor Silicon PIN Photodiode with integrated Temperature Sensor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 54 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet

Mehr

Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (ATON ) LW Y87C. Vorläufige Daten Preliminary Data

Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (ATON ) LW Y87C. Vorläufige Daten Preliminary Data Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (AON ) LW Y87C Vorläufige Daten Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter Abstrahlcharakteristik;

Mehr

Hyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED LS Y876, LA Y876, LO Y876, LY Y876. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Hyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED LS Y876, LA Y876, LO Y876, LY Y876. Vorläufige Daten / Preliminary Data Hyper Micro SIDELED Hyper-Bright LED LS Y876, L Y876, LO Y876, LY Y876 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SM-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit

Mehr

Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993

Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993 Hyper CHIPLED Hyper-Bright LED LB Q993 Abgekündigt nach OS-PD-23-7 - wird durch LB L293 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-23-7 - will be replaced by LB L293 Besondere Merkmale Gehäusetyp: SMT Gehäuse

Mehr

Hyper TOPLED Hyper-Bright Low Current LED LS T67K, LO T67K, LY T67K

Hyper TOPLED Hyper-Bright Low Current LED LS T67K, LO T67K, LY T67K Hyper TOPLED Hyper-Bright Low Current LED LS T67K, LO T67K, LY T67K Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik;

Mehr

Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G. Vorläufige Daten / Preliminary Data Micro SIDELED Enhanced optical Power LED (NOTA ) LW Y87G Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse Besonderheit des Bauteils: kleine Bauform mit extrem breiter

Mehr

3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused LSG 3331

3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused LSG 3331 3 mm (T1) MULTILED, Non Diffused LSG 3331 Besondere Merkmale Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: antiparallel geschaltete Chips; Lötspieße mit Aufsetzebene

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4281 Not for new design Replacement: SFH4253 R Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88 nm Homogene Abstrahlcharakteristik Anwendungen

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4511 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad 5mm Kunststoffgehäuse Peakwellenlänge 95 nm Sehr

Mehr

Golden Dragon 1 Watt LED LA W57B, LY W57B

Golden Dragon 1 Watt LED LA W57B, LY W57B Golden Dragon 1 Watt LED LA W57B, LY W57B Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMD-Gehäuse Besonderheit des Bauteils: Punktlichtquelle mit hoher Lichtausbeute bei geringem Platzbedarf Wellenlänge: 617

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter SFH 429 Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED (4mW) Hoher Wirkunsgrad bei kleinen Strömen Typische Peakwellenlänge 95nm Anwendungen

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110

GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4110 GaAs-IR-Lumineszenzdiode (Mini Sidelooker) GaAs Infrared Emitter (Mini Sidelooker) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 41 Wesentliche Merkmale Wellenlänge der Strahlung 95 nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21

Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data

650nm Resonant Cavity LED-Chip 650nm Resonant Cavity LED Die F372A. Vorläufige Daten / Preliminary Data 65nm Resonant Cavity LED-Chip 65nm Resonant Cavity LED Die F372A Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale keine Schwelle hohe Leistung Kurze Schaltzeiten: 15ns Oberflächenstrahler Optimale

Mehr

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 428 SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Emissionswellenlänge

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

SmartLED TM Enhanced optical power LED (ATON ) LW L88C

SmartLED TM Enhanced optical power LED (ATON ) LW L88C SmartLED M Enhanced optical power LED (AON ) LW L88C Abgekündigt nach OS-PD-23-7 - wird durch LW L283 ersetzt werden Obsolete acc. to OS-PD-23-7 - will be replaced by LW L283 Besondere Merkmale Gehäusetyp:

Mehr

Power TOPLED with Lens Enhanced optical Power LED (HOP2000) LS E63B, LA E63B, LO E63B, LY E63B. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Power TOPLED with Lens Enhanced optical Power LED (HOP2000) LS E63B, LA E63B, LO E63B, LY E63B. Vorläufige Daten / Preliminary Data Power TOPLED with Lens Enhanced optical Power LED (HOP2) LS E63B, LA E63B, LO E63B, LY E63B Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4-Gehäuse Besonderheit des Bauteils:

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4301 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 431 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW Vorläufige Daten / Preliminary Data

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW Vorläufige Daten / Preliminary Data Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW 3333 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: enge

Mehr

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281

Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Infrarot-LED Infrared-LED SFH 4281 Wesentliche Merkmale Emissionswellenlänge 88nm Homogene Abstrahlcharakteristik IR Reflow und TTW Löten geeignet Feuchte-Empfindlichkeitsstufe 2 nach JEDEC Standard J-STD-2A

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425

GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 SFH 425 SFH 42 SFH 425 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

Mehr

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Schmitt-Trigger IC im TO-18 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-18 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Schmitt-Trigger IC im TO-8 Gehäuse mit Glaslinse Schmitt-Trigger IC in TO-8 Package with Glass Lens Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5840 SFH 584 Wesentliche Merkmale SFH 5840: Ausgang active

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4516 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Hyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673

Hyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673 Hyper TOPLED White Hyper-Bright LED LW T673 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal für Hinterleuchtungen und Einkopplungen

Mehr

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860

GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4860 GaAlAs-Lumineszenzdiode (66 nm) GaAlAs Light Emitting Diode (66 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren Kathode galvanisch mit dem

Mehr

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW Vorläufige Daten / Preliminary Data

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW Vorläufige Daten / Preliminary Data Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LW 3333 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: nicht eingefärbtes, klares 3 mm (T1) Gehäuse Besonderheit des Bauteils: enge

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 42 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung

Mehr

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33

Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Silizium-Fotodiode Silicon Photodiode BPW 33 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 35 nm bis 11 nm Sperrstromarm (typ. 2 pa) DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4209 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke GaAs-LED

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität

Mehr

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441

Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 5441 Schmitt-Trigger IC im Smart DIL Gehäuse Schmitt-Trigger IC in Smart DIL Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 5440 SFH 544 Wesentliche Merkmale SFH 5440: Ausgang active low SFH 544: Ausgang

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4556 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 46 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Kurze

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770

TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 TOPLED RG LS T770, LO T770, LY T770, LG T770, LP T770 Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes SMT-Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik; ideal

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH Vorläufige Daten / Preliminary Data UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel Hermetisch dichtes Gehäuse ESD-Festigkeit

Mehr

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840

UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4840 UV-Lumineszensdiode UV Light Emitting Diode Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale UV-LED mit Emissionswellenlänge 395nm Enger Abstrahlwinkel

Mehr

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 32 SFH 32 FA SFH 32 SFH 32 FA Wesentliche Merkmale Speziell

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 409 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 49 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274-3 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger Gehäusegleich mit SFH 484

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21

Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the Visible Spectral Range BPW 21 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 820 nm Angepaßt

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4258 SFH 4259 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 429 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Halbwinkel

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 SFH 23 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für

Mehr

Power TOPLED With Lens Enhanced Thin Film LED LA E65F. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Power TOPLED With Lens Enhanced Thin Film LED LA E65F. Vorläufige Daten / Preliminary Data Power TOPLED With Lens Enhanced Thin Film LED LA E65F Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-4 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: fokussierte

Mehr

SFH Not for new design

SFH Not for new design GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) und grüne GaP-LED (6 nm) GaAlAs-Infrared-Emitter (88 nm) and GaP-LED (6 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7222 Not for new design Wesentliche Merkmale SM-Gehäuse

Mehr

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production

SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant. Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED. full production 2006-06-12 SOCKET AND RING Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Sleeves and Ring for 3 mm and 5 mm LED full production Applications Signal lamp for front panel installation using clip mounting and a

Mehr

Multi TOPLED LSG T670, LSP T670, LSY T670 LOP T670, LYG T670, LYP T670

Multi TOPLED LSG T670, LSP T670, LSY T670 LOP T670, LYG T670, LYP T670 Multi TOPLED LSG T670, LSP T670, LSY T670 LOP T670, LYG T670, LYP T670 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-4 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter-

Mehr

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205

Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4200 SFH 4205 Leistungsstarke IR-Lumineszenzdiode High Power Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS ompliant SFH 4 SFH 45 SFH 4 SFH 45 Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs Wesentliche Merkmale Leistungsstarke

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4350 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 43 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Infrarot

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R)

Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW34, BPW34S, BPW34S (R18R) BPW 34 BPW 34 S Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen

Mehr

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209

Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4209 Schnelle InGaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (95 nm) High-Speed InGaAlAs Infrared Emitter (95 nm) SFH 429 Wesentliche Merkmale TOPLED mit Linse InGaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gleichstrom- (mit Modulation)

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243

IR-Lumineszenzdiode (940 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (940 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 IR-Lumineszenzdiode (94 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (94 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4243 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 23 P SFH 23 PFA SFH 23 P SFH 23 PFA Wesentliche Merkmale

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAlAs Infrared Emitter (88 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit gute

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA

Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 229 SFH 229 FA Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm () und bei

Mehr

5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351

5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 5 mm (T1 3 / 4 ) MULTILED, Diffused LU 5351 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, teilweise diffuses Gehäuse Lötspieße im 2.54 mm Raster hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich Anzeige unterschiedlicher

Mehr

IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH

IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale GaAs-LED in 5mm radial-gehäuse Typische Peakwellenlänge 95nm Hohe Zuverlässigkeit

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR Package SFH 4580 SFH 4585 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) in SMR Package SFH 458 SFH 4585 SFH 458 SFH 4585 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR (Surface

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 26 K Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 11 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Mehr

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61

Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 4 nm bis 1 nm Kurze Schaltzeit (typ. 2 ns) Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich

Mehr

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 487 GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (88 nm) GaAIAs Infrared Emitter (88 nm) SFH 487 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4550 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Wesentliche Merkmale Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung Enger

Mehr

Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LY T686. Vorläufige Daten / Preliminary Data

Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LY T686. Vorläufige Daten / Preliminary Data Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LY T686 Vorläufige Daten / Preliminary Data Besondere Merkmale Gehäusetyp: weißes P-LCC-2 Gehäuse, farbloser klarer Verguss Besonderheit des Bauteils: extrem breite Abstrahlcharakteristik;

Mehr

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL

GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 27 LD 27 H LD 27 L LD 27 HL Wesentliche Merkmale GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3386

Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3386 Hyper 3 mm (T1) LED, Diffused Hyper-Bright, Wide-Angle LED Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant LS 3386 Abgekündigt nach OS-PD-2-1 - wird nicht ersetzt werden. obsolete acc. to OS-PD-2-1 - no replacement.

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (88 nm) GaAlAs Infrared Emitters (88 nm) 484 485 484 485 Wesentliche Merkmale GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Mehr

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426

GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität (I e = f [I

Mehr

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254

IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4254 IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 424 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Homogene

Mehr

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr)

Strahlstärkegruppierung 1) (I F = 100 ma, t p = 20 ms) Radiant Intensity Grouping 1) I e (mw/sr) IR-Lumineszenzdiode (8 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (8 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4 Für Neuentwicklungen / for new designs Vorläufige Daten / Preliminary

Mehr