Elektronik II, Foliensatz 5 Verstärker
|
|
- Julian Krause
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 Elektronik II, Foliensatz 5 Verstärker G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli 2013
2 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 Inalt des Foliensatzes Stromquellen 1.1 Transistor als Stromquelle 1.2 Stromspiegel 1.3 Kaskodenstromspiegel Kaskodenschaltung Dierenzverstärker 3.1 Übertragungskennlinie 3.2 Kleinsignalverhalten 3.3 Impedanzwandler
3 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 Stufen einer Signalverarbeitungskette physikalische Größe Sensor Kleinsignalverstärker D/A- Umsetzer physikalische Größe Aktor Leistungsverstärker A/D- Umsetzer DSP Kleinsignalverstärker: Ausgangsleistungen unter 1 mw Groÿsignalverstärker: Ausgangsleistungen mehrere mw (Kopfhörer, Fernbedienungen) bis kw (groÿe Lautsprecheranlagen, Rundfunksender)
4 Gleichspannungsverstärker: direkte Kopplung Wechselspannungsverstärker: kapazitive Kopplung Schmalbandverstärker: Kopplung über LC-Schwingkreise Die Verstärkerschaltungen selbst sind dieselben. G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 Kopplung und Frequenzgang Gleichspannungsverstärker A f f o Wechselspannungsverstärker A Schmalbandverstärker A f u B f f o f u f m f o f
5 Skalierung und Toleranzen 2 Wmin Wmin B E C S G D p n + n Größe 1 Größe 1 B E C S G D Größe 2 Größe 2 B E C S G D S G D n+ n+ n+ n+ n+ p p Größe 1/2 S G Größe 1 S G D D L min 2 L min Bei integrierten Transistoren lassen sich die Verhältnisse der Sättigungsstöme I S (Bipolartransistoren) Steilheiten K (MOSFETs) recht genau genau über die Skalierung einstellen. G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43
6 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen Stromquellen
7 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 1. Transistor als Stromquelle Transistor als Stromquelle
8 . Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 1. Transistor als Stromquelle Prinzip einer Stromquelle I C U A U CE Die Kennlinie I C (U CE ) eines Bipolartransistors im Normalbetrieb hat einen sehr geringen Anstieg, der mit der Early-Spannung und umgekehrt proportional zum Kollektorstrom abnimmt: r CE = d U CE U A.N d I C I C.A Gleiches gilt für MOS-Transistoren im Einschnürrbereich.
9 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 1. Transistor als Stromquelle Stromquelle mit Bipolatransistor I a lineare Ersatzschaltung U rbe 0 I a U 0 R E U a r BE I B β I B r CE vereinfachter Zweipol I a U 0 U BEF R E U RE U a I ers R ers U a I a = U 0 U BEF U a U 0 U BE R E β r ( CE ) 1 1 I ers = (U 0 U BE ) + R E β r CE R ers = β r CE β U A.N R E U 0 U BE U 0 U BE R E
10 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 1. Transistor als Stromquelle Hoher Quellwiderstand: R ers = β r CE β U A.N R E U 0 U BEF groÿe Early-Spannung (groÿe Basisweite) groÿe Verstärkung, kleine Ströme Minderung des Einusses der Temperaturdrift von U BEF von ca. 1,6 mv/k U 0 U BEF Diode zur Driftkompensation U 0 = U F + R2 R 1+R 2 (U V U F ) U 0 U V R 1 U F R 2 R E I a U a Mit Mosfet im Einschnürrbereich lässt sich eine ähnliche funktionierende Stromquelle mit einer ähnlichen linearen Ersatzschaltung realisieren. U 0 R E I a U a
11 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 2. Stromspiegel Stromspiegel
12 1. Stromquellen 2. Stromspiegel Einfacher Stromspiegel I e I a I e I a T1 T2 T1 T2 U a R 1 R 2 R 1 R 2 (I C1 + I B1 ) R 1 + U BE1 = (I C2 + I B2 ) R 2 + U BE2 I C1 = I S1 e U BE1 U T I C2 = I S2 e U BE2 U T ( ) ( 1 + U A U a + U A ( ) Für T1 ist der Early-Eekt vernachlässigbar, da U CE sehr klein.. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 )
13 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 2. Stromspiegel Für R 1 = R 2 = 0 I C1 = I S1 e U BE1 U T I C2 = I S2 e U BE2 U T Erfordert: k I = I a I e ( ) I S1 I S2 ( B ( 1 + U A U a + U A ) 1 ) U A U a+u A + 1 B I e T1 integrierte Transistoren mit genau einstellbarem I S1 /I S2 -Verhältnis. hohe Stromverstärkung. Endlicher Ausgangswiderstand durch Early-Eekt. Für diskrete Transistoren Stabilisierung des Spiegelverhältnisses mit R 1 = R 2 > 0 erforderlich. I a T2 U a
14 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 2. Stromspiegel Elimierung von Fehlern durch niedrige Verstärkung mit drittem Transistor, der hier den Basisstrom für die anderen beiden Transistoren liefert. Einsatz für Strombänke. U V T3 I e T1 I a T2 I e T1 U V T3 I a1 T2a I a2 T2b R 1 R 2 R 1 R 2a R 2b
15 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 3. Kaskodenstromspiegel Kaskodenstromspiegel
16 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 3. Kaskodenstromspiegel Stromspiegel mit Kaskode Kaskodenschaltung (Reihenschaltung einer Emitter und einer Basisschaltung) Eliminierung der Zunahme von I a mit U a (Einuss Early- Eekt). I a T3 I e I a T1 T2 R 1 R 2 U 0 U a U CE von T2 wird näherungsweise konstant gehalten. T3 gibt seinen Emitterstrom mit einem Verhältnis den Kollektor weiter. Änderung von B 3 durch U CE3 hat kaum Einuss auf U a Ausgagangswiderstand. B 3 1+B 3 an
17 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 1. Stromquellen 3. Kaskodenstromspiegel Kaskodenstromspiegel I e T3 I e T1 I a I a T4 T2 I e T3 I e T1 I a I a T4 T2 100 I a in µa 50 Arbeitsbereich NMOS Arbeitsber. Bipolar U a in V Reihenschaltung von zwei Stromspiegeln. Stromspiegel mit Kaskode und automatischer Arbeitspunkteinstellung. Besteht nur aus Transistoren (integrationsfreundlich). Mindestausgangsspannung mit Bipolartransistoren niedriger.
18 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 2. Kaskodenschaltung Kaskodenschaltung
19 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 2. Kaskodenschaltung Millereekt bei einer Emitterschaltung C M R C U V R C U V U g R g U e T1 U a U g R g C M (1 + v U ) T1 C M Die Miller-Kapazität C M wirkt an der Basis v U fach. Reduzierung der Übergangsfrequenz des Eingangs-RC-Gliedes umgekehrt proportional zu v U.
20 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 2. Kaskodenschaltung Unterbindung durch Kaskodenschaltung U V U V R C R D T2 U a T2 U a U 0 U 0 U e T1 U CE1 = U 0 U BE2 const. U e T1 U DS1 = U 0 U GS2 const. T1: Emitterschaltung mit konstanter U CE ; C M wirkt an der Basis nur einfach. T2: Basisschaltung; C E und C C liegen wechselspannungsmäÿig an Masse.
21 Ersatz von R C durch einen Kaskodenstromspiegel: höherer. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 2. Kaskodenschaltung Kakodenschaltung mit Stromspiegel Spannungsverstärkung: v U β 1 R C Ersatz von R C durch einen Stromspiegel: hoher dierenzieller Widerstand bei einstellbarem Arbeitspunktstrom, der mit dem Arbeitspunktstrom zu- und mit der Early-Spannung des Stromquellentransistors abnimmt. T3 U V Ersatz für R C I C T2 U a U 0 U E T1 U A U CE
22 2. Kaskodenschaltung Frequenzgang und Verstärkung U V R C T2 T3 T4 T3 T2 T2 v U T1 T1 T1 a) b) c) d) khz d) Kaskodenschaltung mit Kaskodenstromspiegel c) Kaskodenschaltung mit Stromspiegel b) Emitterschaltung mit Stromspiegel a) Emitterschaltung 10 khz 100 khz 1 MHz 10 MHz G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 f T1
23 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 2. Kaskodenschaltung Komplette Schaltung für b) bis d) T1 T3 T2b T3c U V T4d I 0 T2 T4 T5 e b) a T1b a T2c e T1c e c) d) T3d a T2d T1d T1 -T3, T2b, T3c, T4d: Stromspiegelbank T1, T2: erzeugen weiterhin 2 U BEF für Kaskodenstromspiegel T4, T5: erzeugen 2 U BEF für Kaskodenverstärker
24 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker Dierenzverstärker
25 3. Dierenzverstärker Grundschaltungen des Dierenzverstärkers symmetrisch (2 Ausgänge) unsymmetrisch (1 Ausgang) R C R C +U V R C +U V Bipolar U a1 U e1 U a2 U e2 U e1 U a U e2 2I 0 2I 0 U V U V +U V +U V R D R D R D n-mos U a1 U e1 U a2 U e2 U e1 U a U e2 2I 0 2I 0 U V U V G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43
26 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Übertragungskennlinie
27 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Übertragungskennlinie npn-dierenzverstärker Vereinfachte Annahmen: identische Transistoren, aktiver Bereich, Vernachlässigung Early-Eekt. I C1 = I S e U BE1 U T I C2 = I S e U BE2 U T 2 I 0 = I C1 + I C2 U D = U BE1 U BE2 U a1 U BE1 R C +U V R C U a2 U BE2 2I 0 U V Verhältnis der Kollektorströme: I C1 I C2 = e UBE1 UBE2 U T 2 I 0 = I C1 = e U D UT ( 1 + e U D UT ) ( ), 2 I 0 = I C2 1 + e U D UT
28 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie ( ) ( ) 2 I 0 = I C1 1 + e U D UT, 2 I 0 = I C2 1 + e U D UT mit e x = 1 + e x + 1 e x ( x ) 1 + e x = 1 + tanh 2 ( ( )) ( UD I C1 = I tanh, I C2 = I 0 1 tanh 2 U T ( ( )) UD U a1 = U V I 0 R C 1 + tanh 2 U T ( ( )) UD U a2 = U V I 0 R C 1 tanh 2 U T ( UD Anstieg für U D = 0 (Stelle des maximalen Anstiegs): d U a1 = d U a2 = I 0 R C d U D d U D 2 U T UD=0 UD=0 nutzbarer Bereich als Verstärker: U T < U D < U T 2 U T G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 ))
29 . Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Beispielsimulation nutzb. Bereich U T U T U e1 Der Arbeitspunkt ist so gewählt, dass wenn der gesamte Strom über einen R C ieÿt über diesem U V abfällt.
30 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Der Arbeitspunkt ist so gewählt, dass wenn der gesamte Strom über einen R C ieÿt über diesem U V abfällt: I 1 = 2 I 0 = U V R C maximale Verstärkung: d U a1 = I 0 R C = U V = 5 V d U D 2 U T 4 U T 104 mv 48 UD =0
31 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Gleichtaktaussteuerungsbereich U Gl 3 V 2,5 V 2 V 1 5V 1 V 0,5 V Im Bereich U T < U D < U T nur näherungsweise linear, wenn die Gleichtakteingagsspannung U Gl < 2 V.
32 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie R C > 0 > 0 R C +U V U a1 U a2 > U CEX > U CEX U e1 U U e2 BEF U BEF > U I0.min 2I 0 U V Damit beide Transistoren im aktiven Bereich arbeiten: Ausgangsspannungsbereich: U V + U IQ.min + U CEX < U a.i < +U V Bereich der Gleichtakteingangsspannung U Gl = U e1 + U e2 2
33 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie für Dierenzeingangsspannung U D = U e1 U e1 = 0: U V + U I0.min + U BEF < U Gl < +U V U CEX + U BEF für Dierenzeingangsspannung U T < U D < U T U V +U I0.min +U BEF +U T < U Gl < +U V U CEX +U BEF U T
34 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Linearisierung durch Stromgegenkopplung U a1 R C R C +U V U a2 Vereinfachte Annahmen: identische Transistoren, aktiver Bereich, Vernachlässigung Early-Eekt, Vernachlässigung des Basisstroms. U e1 U BEF U RE1 R E U BEF R E U RE2 2I 0 U V U e2 I C1 = URE1 R E, I C2 = URE2 R E 2 I 0 = I C1 + I C2, U D = U RE1 U RE2 = R E (I C1 I C2 ) I C1 = I 0 + UD 2 R E, I C2 = I 0 UD 2 R E U a1 = U V R C I 0 RC UD 2 R E, U a2 = U V R C I 0 + RC UD 2 R E mit den Vereinfachungen linear und unabhängig von den Transistorparametern. G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43
35 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Übertragungskennline n-kanal-dierenzverstärker Vereinfachte Annahmen: identische Transistoren, Einschnürrbereich, Vernachlässigung Early-Eekt. +U V R D R D U a1 U a2 U GS1 U GS2 2I 0 U V I D1 = K 2 (U GS1 U th ), I D2 = K 2 (U GS2 U th ) 2 I 0 = I D1 + I D2, U D = U GS1 U GS2 2 I = D1 K 2 I D2 K G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43
36 . Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Auösung des Gleichungssystems: ( I D1 = I 0 + U D 2 2K I 0 K UD 2 I D1 = I 0 + U D 2 2K I 0 ( K UD 2 U a1 = U V I 0 R D K U D 2 ) 2 ) 2 UDM 2 2 U D 2 4 für U D < 2 ( Bedingung für Einschnürrbereich). Mit U DM = 2 U a2 = U V + I 0 R D + K U D 2 U 2 DM 2 U 2 D 4 I 0 K : I0 K für U D < U DM kleines DM bessere Linearität, geringere Verstärkung ## Simulation mit DM=1V, 0,5V und 0,25V
37 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Gleichtaktaussteuerungsbereich +U V R D R D U a1 U a2 U GS1 U GS2 2I 0 U V 2 ID U GS = U th + K Gleichtaktaussteurung für 0 < I D < 2 I 0 ): 4 I0 U V + U I0.min + U th + K < U Gl < +U V + U th G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43
38 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Rail-to-Rail-Verstärker Operationsverstäker, bei dem die Gleichtakteingangsspannung im gesamten Bereich der Versorgungspannnung liegen darf: U V < U Gl < +U V Bei n-mos-verstärker möglich. Die Einschaltspannung nimmt nach Gl.?? mit der Source-Bulkt-Spannung zu U BS : ( U th = U th.0 + γ Uinv U BS ) U inv (γ, U inv Transistorparameter). Gleichtaktaussteurung: 4 I0 U V + U I0.min + U th (U I0.min ) + K < U Gl < +U V + U th (U V ) eine Rail-to-Rail-Aussteuerung verlangt: 4 I0 U th (U BS = U I0.min ) < U I0.min + K U th (U BS = +U V ) > 0
39 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Osetspannung Die Osetspannung U off ist die Dierenzeingangsspannung U D für U a1 = U a2 bzw. U a = U soll. Ursache: Toleranzen, Unsymmetrien. U a.soll 0 U a U off U D U a2 U a1
40 Anschluss eines Regelverstärkers, der die Dierenzausgangsspannung auf null kompensiert und Ablesen der Eingangsdierenzspannung Achtung: Schleifenverstärkung über die Verstärkung des Regelverstärkers soweit absenken, dass die Schaltung nicht schwingt! G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 1. Übertragungskennlinie Messen der Osetspannung symmetrischer Ausgang I 0 I 0 +U V unsymmetrischer Ausgang I 0 +U V U a2 U a2 U a1 U off 2I 0 U a.soll U off 2I 0 U V U V
41 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 2. Kleinsignalverhalten Kleinsignalverhalten
42 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 2. Kleinsignalverhalten Gleichtakt- und Dierenzersatzschaltung Frequenzgang
43 G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli /43 3. Dierenzverstärker 3. Impedanzwandler Impedanzwandler
Elektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5
G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 1/25 Elektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5 G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 G. Kemnitz
MehrElektronik I, Foliensatz Schaltungen mit Bipolartransistoren
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 19. November 2014 1/54 Elektronik I, Foliensatz 3 1.4 Schaltungen mit Bipolartransistoren G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische
MehrElektronik 1, Foliensatz 3: Schaltungen mit Bipolartransistoren
G. Kemnitz Institut für Informatik, TU-Clausthal (E1F3.pdf) 16. November 2017 1/55 Elektronik 1, Foliensatz 3: Schaltungen mit Bipolartransistoren G. Kemnitz Institut für Informatik, TU-Clausthal (E1F3.pdf)
MehrAufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle
MehrElektronik I, Foliensatz Schaltungen mit Bipolartransistoren
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 25. Dezember 2013 1/55 Elektronik I, Foliensatz 3 1.4 Schaltungen mit Bipolartransistoren G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische
Mehr14. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
14. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 1 Differenzverstärker Kleinsignal-ESB 0 V4 V5 RD1 1k RD2 1k 4 5 1 G1 G2 2 u aus1 V1 V3 V2 u aus2 V1 U SU S 1 3 SU S 1 U V2 gm1 gm2 RD1 V1 V2 gm1
MehrSourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET
BEISPIEL 5.5: Sourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET R D C R G Versorgungsspannung: U 0 = 12 V Schwellenspannung: U th = 3 V Steuerfaktor: β = 2 ma/v 2 Widerstandswert: R G = 1 MW (a) Dimensionieren
MehrTransistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung
Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren
1 von 19 15.03.2008 11:41 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Damit in einer Anwendung ein Transistor bestimmte, geforderte Eigenschaften aufweist, muss der Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
MehrElektronik I, Foliensatz Schaltungen mit Bipolartransistoren
G. Kemnitz Institut für Informatik, TU-Clausthal (E1-F3) 25. November 2015 1/54 Elektronik I, Foliensatz 3 1.4 Schaltungen mit Bipolartransistoren G. Kemnitz Institut für Informatik, TU-Clausthal (E1-F3)
MehrSS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker
Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische
MehrI C. T A p` A p I B U BE U B U CE. 1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker
1. Schaltungsgrundlagen für gleichspannungsgekoppelte Transistorverstärker Eine Verstärkung von kleinen Gleichspannungssignalen (1-10mV) ist mit einem Transistor nicht möglich, da einerseits die Arbeitspunkteinstellung
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 6.07.01 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 3 4 5 6 Punkte 15 1 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle verwendet
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
MehrElektrizitätslehre und Magnetismus
Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.
MehrElektronik I, Foliensatz 3 Bipolartransistoren
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 12. Juli 2013 1/128 Elektronik I, Foliensatz 3 Bipolartransistoren G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L10 Kleinsignalanalyse von Transistorschaltungen
1 von 18 15.03.2008 11:42 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 a) b) Zur Verstärkung kleiner Signale (im allgemeinen < ca. 10mV) werden Bipolartransistoren oder Feldeffekttransistoren verwendet. Damit
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2018/19 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
Mehr15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider!
15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider! 1 Na, wie sieht es aus mit Eurem Schaltungsblick? Schade, das spart Rechenarbeit, aber Sie müssen sich natürlich sicher sein. 2 Aufgabe
Mehr4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung
Kapitel 4 Schaltungselemente 4.1 Auswirkung von Gegenkopplung bei Emitter- bzw. Source-Schaltung Eine gebräuchliche Schaltung mit Gegenkopplung ist in Bild 4.1 dargestellt. Gegengekoppelt wird durch Einfügen
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrOperationsverstärker. 24. Mai Martin Albert
Operationsverstärker - Martin Albert - - 24. Mai 2006 - Gliederung Einführung Grundlagen Grundlegende Schaltungen spezielle Typen 2 Gliederung Einführung Begriff OPV Grundlagen Transistor Grundschaltungen
MehrTransistor Verstärker. Roland Küng, 2011
Transistor Verstärker Roland Küng, 2011 1 Design Flow 2.Sem. Rep. Arbeitspunkt (Bias) Kleinsignal-Ersatz BJT FET BJT FET 3 Grundschaltungen NF: Koppel- C s HF: Miller Mehrstufig ASV 4.Sem. 2 Repetition
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrElektronik II 4. Groÿe Übung
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 9. Juni 2015 1/15 Elektronik II 4. Groÿe Übung G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 9. Juni 2015 G.
MehrAFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand
Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe
MehrInhalt. Begriffserklärung. Aufbau. Funktionsprinzip. Kennlinien. Grundschaltungen. Praxiswissen
Von Thomas Jakobi Inhalt Begriffserklärung Aufbau Funktionsprinzip Kennlinien Grundschaltungen Praxiswissen 2 Was sind Transistoren? 3 Begriffserklärung Name engl. transfer resistor veränderbarer Widerstand
MehrSignal- und Rauschanalyse mit Quellenverschiebung
Albrecht Zwick Jochen Zwick Xuan Phuc Nguyen Signal- und Rauschanalyse mit Quellenverschiebung Elektronische Schaltungen grafisch gelöst ^ Springer Vi eweg Inhaltsverzeichnis 1 Rauschen in elektronischen
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrInstitut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik,
Feldeffekttransistoren 1 JFET Sperrschicht - FET (Junction FET) Sperrschicht breitet sich mit Ansteuerung in den Kanal aus und sperrt diesen Es gibt zwei Arten n-kanal, p-kanal 2 JFET Schaltzeichen 3 Das
MehrTransistorschaltungen
Transistorschaltungen V DD in Volt 3 2 V Ein - UTh,P V Ein - UTh,N 1-1 0 1 2 3 U Th,P U Th,N V Ein in Volt a) Schaltung b) Übertragungsfunktion Bipolar Transistorschaltung im System I Ein C Ein? V CC I
Mehr1 Grundprinzip eines Bipolartransistors
Hochfrequenztechnik I Bipolare Transistoren BPT/1 1 Grundprinzip eines Bipolartransistors Ein bipolarer Transistor besteht aus einer pnp-schichtenfolge (pnp-transistor) bzw. einer npn-schichtenfolge (npn-transistor).
Mehr4. Bipolar-Transistoren
4. ipolar-transistoren 1. Funktionsweise eines npn-transistors 2. Kennlinien 3. Transistor-Grundschaltungen 4. Frequenzverhalten Funktionsprinzip eines npn-transistors andverlauf: p-asis ist steuerbare
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Donnerstag, den 05. März 2015 um 16:31 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:15 Uhr
// // Konstantstromquelle mit einem pnp-transistor - Berechnung Mit dieser einfachen Schaltung kann am Kollektor des Transistors ein konstanter Strom I gewonnen werden. Das Prinzip ist sehr einfach: An
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
MehrTransistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden.
Transistoren David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden http://hobbyelektronik.de.tl/der-erste-transistor-der-welt.htm Gliederung Was ist ein Transistor Geschichte Bipolartransistor
MehrEinführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik
Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 363 Abbildungen 4y Springer Inhaltsverzeichnis Liste der verwendeten Symbole 1 1 Grundlagen der Halbleiterphysik
MehrEinführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik
Holger Göbel Einführung in die Halbleiter- Schaltungstechnik 2., bearbeitete und erweiterte Auflage Unter Mitwirkung von Henning Siemund Mit 390 Abbildungen und CD-ROM < _j Springer Inhaltsverzeichnis
MehrKlausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 2007/2008 1
Klausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 007/008 Hinweis: Die Darstellung der Lösungswege muß vollständig, klar und kontrollierbar sein. Achten Sie dazu bitte insbesondere bei Ersatzschaltbildern auf
MehrTeil 1: Digitale Logik
Teil 1: Digitale Logik Inhalt: Boolesche Algebra kombinatorische Logik sequentielle Logik kurzer Exkurs: Technologische Grundlagen programmierbare logische Bausteine 1 Halbleiterdiode Bauelement, durch
MehrR 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω
Probeklausur Elektronik, W 205/206. Gegeben ist die folgende Schaltung: R U q R 3 R 2 R 4 U L 2 mit Uq= 0 V R= 800 Ω R2=, kω R3= 480 Ω R4= 920 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen Gesetze
MehrGrundschaltungen der Analogtechnik
Grundschaltungen der Analogtechnik Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) mit Kondensator Zweipuls-Mittelpunktschaltung (M2) Zweipuls Brückenschaltung (B2) Zweipuls Brückenschaltung
MehrTeil 1: Digitale Logik
Teil 1: Digitale Logik Inhalt: Boolesche Algebra kombinatorische Logik sequentielle Logik kurzer Exkurs: Technologische Grundlagen programmierbare logische Bausteine 1 Halbleiterdiode Bauelement, durch
MehrGeschrieben von: Volker Lange-Janson Freitag, den 06. März 2015 um 16:26 Uhr - Aktualisiert Sonntag, den 08. März 2015 um 08:12 Uhr
Konstantstromquelle mit einem NPN-Transistor Diese Schaltung liefert einen konstanten Strom Ikonst, welcher durch RL fließt. Dabei spielt es in gewissen Grenzen keine Rolle, wie groß RL ist. Der Konstantstrom
MehrVersuch 2 der Bipolartransistor
PRAKTIKUM ANALOGELEKTRONIK WS 2009/2010 VERSUCH 2 1 Versuch 2 der Bipolartransistor 1. Emitterschaltung Das Aufnehmen vollständiger Kennlinien wäre viel zu zeitaufwendig. Wir beschränken uns deshalb auf
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder
MehrKapitel 1. Kleinsignalparameter
Kapitel 1 Kleinsignalparameter Der Name analoge Schaltung drückt aus, dass das Ausgangssignal dieser Schaltung immer stufenlos dem Eingangssignal folgt, d. h. in irgendeiner Form eine Proportionalität
MehrAufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?
Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters
MehrKennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1
Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5
MehrAbschlussprüfung Schaltungstechnik 2
Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer
MehrKapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines
Kapitel 2 Grundschaltungen 2.1 Allgemeines Die bisherige Beschreibung der Transistoren hatte sich auf den Fall beschränkt, dass die Emitter- bzw. Source-Elektrode die dem Eingang und dem Ausgang gemeinsame
MehrElektronik II, Lösungen zu den Aufgaben und Kontrollfragen auf den Foliensätzen
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 12. Juli 2013 1/92 Elektronik II, Lösungen zu den Aufgaben und Kontrollfragen auf den Foliensätzen G. Kemnitz Institut für Informatik,
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrAufgaben Elektronik III
Aufgaben Elektronik III 1. Ein Anreicherungs-MOSFET wird durch I D = 1mA { U GS 0,5 V U DS 1 2 U DS im Anlauf beschrieben (λ = 0). a) Bitte finden Sie heraus, ob es sich um einen PMOS oder NMOS Transistor
MehrStromquellen. Abb. 8.1: Kennlinie einer idealen Stromquelle
8 Stromquellen Eine ideale Stromquelle ist definitionsgemäss ein Zweipol, durch den unabhängig von Grösse und Richtung der angelegten Spannung ein konstanter Strom fliesst. Eine Stromquelle wird also durch
MehrMatr. Nr.: Kennzahl: b) Bestimmen Sie den Strom durch beide Dioden durch grafische Netzwerkanalyse. (15 Punkte)
1. PROBETEST ZU HALBLEITER-SCHALTUNGSTECHNIK, WS 2017/18 DATUM Punktemaximum: 100 Testdauer: 90 min Vorname: Nachname: Matr. Nr.: Kennzahl: Hinweis zum Test: Alle nötigen Zwischenschritte angeben! Ergebnisse
MehrVorbereitung Operationsverstärker
Vorbereitung Operationsverstärker Marcel Köpke & Axel Müller 30.05.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Emitterschaltung eines Transistors 4 1.1 Einstuger, gleichstromgegengekoppelter Transistorverstärker.......
Mehrvon Robert PAPOUSEK 4.2 Gegentaktverstärker: Bild 1:PRINZIP DER DARLINGTONSCHALTUNG
von Robert PAPOUSEK INHALTSVERZEICHNIS: 1.Anforderungen an Leistungsverstärker 2.Grundlagen 3.Leistungsstufen: 3.1 Parallelschalten von Transistoren 4. A- und B-Betrieb: 4.1 Eintaktverstärker 4.2 Gegentaktverstärker
MehrEinführung in die Elektronik für Physiker
Hartmut Gemmeke Forschungszentrum Karlsruhe, IPE hartmut.gemmeke@kit.de Tel.: 07247-82-5635 Einführung in die Elektronik für Physiker JFET - MOSFET 11. Feldeffekt-Transistoren Ausgangskennlinie und typische
MehrTransistorkennlinien und -schaltungen
ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik
MehrArbeitspunkteinstellung
Gliederung Arbeitspunkteinstellung Ableitung der NF-Kleinsignal-Ersatzschaltung (KSE) Berechnung der NF-Kleinsignal-Parameter u, r e, r a Bestimmung des Frequenzganges und Berechnung der notwendigen Größe
MehrSchaltungen & Systeme
Prof. Dr. P. Pogatzki en für Kommunikationstechniker an der 2/26 Aufgabe 1: Gegeben ist die folgende Schaltung bestehend aus idealen passiven Elementen. R2 R=50 Ohm Port P1 C1 C=1.0 pf L1 L=1.0 nh R=0
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Bestimmung des Innenwiderstandes Eine Stabilisierungsschaltung gemäß nebenstehender Schaltung ist mit folgenden Daten gegeben: 18 V R 1 150 Ω Für die Z-Diode
MehrKapitel 3. Arbeitspunkteinstellung
Kapitel 3 Arbeitspunkteinstellung Bei den bislang erfolgten Analysen wurde der Transistor um einen Arbeitspunkt AP herum ausgesteuert. Durch flankierende Schaltungsmaßnahmen wird erst das Einstellen dieses
MehrArbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung
Berechnung einer Emitterschaltung mit Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung Diese Schaltung verkörpert eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung zur Arbeitspunktstabilisierung. Verwendet
MehrPraktikum Versuch Bauelemente. Versuch Bauelemente
1 Allgemeines Seite 1 1.1 Grundlagen 1.1.1 db-echnung Da in der Elektrotechnik häufig mit sehr großen oder sehr kleinen Werten gerechnet wird, benutzt man für diese vorzugsweise die logarithmische Darstellung.
MehrElektronik II 2. Groÿe Übung
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1/31 Elektronik II 2. Groÿe Übung G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1. Brückengleichrichter
MehrNANO III. Operationen-Verstärker 1. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen
NANO III Operationen-Verstärker Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen Verwendete Gesetze Gesetz von Ohm = R I Knotenregel Σ ( I ) = 0 Maschenregel Σ ( ) = 0 Ersatzquellen Überlagerungsprinzip
MehrHÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN
HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN Höhere Abteilung für Elektronik Technische Informatik Klasse / Jahrgang: 3BHELI Gruppe: 2 / a Übungsleiter: Prof. Dum Übungsnummer: V/3 Übungstitel: Transistor
MehrStabilisierungsschaltung mit Längstransistor
Stabilisierungsschaltung mit Längstransistor Bestimmung des Innenwiderstandes Eine Stabilisierungsschaltung gemäß nebenstehender Schaltung ist mit folgenden Daten gegeben: = 18 V R 1 = 150 Ω Für die Z-Diode
Mehr0Elementare Transistorschaltungen
Teilanfang E1 0Elementare Transistorschaltungen VERSUCH Praktikanten: Rainer Kunz Rolf Paspirgilis Links Versuch E1 Elementare Transistorschaltungen Q In diesem Protokoll: O»Einleitung«auf Seite 3 O»Transistoren«auf
MehrWechselstrom-Gegenkopplung
// Berechnung einer Emitterschaltung mit Wechselstrom-Gegenkopplung Diese Transistor-Schaltung stellt eine Abwandlung der " Emitterschaltung mit Arbeitspunktstabilisierung durch Stromgegenkopplung " dar.
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrPrüfung Elektronik 1
Prof. Dr.-Ing. J. Siegl 01. Februar 2007 Georg Simon Ohm Fachhochschule Nürnberg FB Elektrotechnik-Feinwerktechnik-Informationstechnik; Vorname: Unterschrift Name: Matrikelnummer: Prüfung Elektronik 1
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor
1 von 5 15.03.2008 11:47 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 a) Der Feldeffekttransistor findet vielfältige Anwendung in Elektroniksystemen. Die wichtigsten Anwendungen sind der Feldeffekttransistor
MehrPraktikum, Bipolartransistor als Verstärker
18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon
MehrTechnische Informatik
Günter Kemnitz Technische Informatik Band 1: Elektronik < } Springer Schaltungen im stationären Zustand 1 1.1 Physikalische Grundlagen 2 1.1.1 Energie, Potenzial und Spannung 3 1.1.2 Strom 6 1.1.3 Ohmsches
Mehr11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 1 Aufgabe (Klausur WS07/08: 40 min, 22 Punkte) - die Killeraufgabe, aber warum? Bootstrapschaltung und Kleinsignal-Transistormodell Gegeben ist die in
MehrAfuTUB-Kurs Aufbau. Technik Klasse A 06: Transistor & VerstÃďrker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. https://dk0tu.de.
Technik Klasse A 06: Transistor & VerstÃďrker Amateurfunkgruppe der TU Berlin https://dk0tu.de WiSe 2017/18 SoSe 2018 cbea This work is licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike
Mehr5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung
5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 50 Verschiebung des AP zufolge Temperaturschwankungen Schwankungen der Versorgungsspannung U 0 Aufgabe 22 Berechnung des Temperatureinflusses
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild
MehrSchaltungstechnik I. Übungsklausur, 18/
Schaltungstechnik I Übungsklausur, 18/19.01.2010 Es gibt 90 Punkte und 90 Minuten Zeit. Also ein Punkt pro Minute. Erlaubte Hilfsmittel sind: Schreibutensilien und 5 Blätter DIN-A4 Formelsammlung Wir wünschen
MehrA1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.
Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage
MehrHarald Hartl Edwin Krasser Wolfgang Pribyl Peter Söser Gunter Winkler Elekronische Schaltungstechnik Mit Beispielen in PSpice
Harald Hartl Edwin Krasser Wolfgang Pribyl Peter Söser Gunter Winkler Elekronische Schaltungstechnik Mit Beispielen in PSpice ein Imprint von Pearson Education München Boston San Francisco Harlow, England
MehrLABORÜBUNG Feldeffekttransistor
LABORÜBUNG Feldeffekttransistor Letzte Änderung: 14.4 2005 Lothar Kerbl Inhaltsverzeichnis Überblick... 2 Messaufgabe 1: Steuerkennlinie n-kanal j-fet... 2 Steuerkennlinien von MOS-FETs... 4 Theoretische
MehrP2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER. Vorbereitung
Physikalisches Anfängerpraktikum Teil 2 P2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER Vorbereitung Gruppe 34 Marc Ganzhorn Tobias Großmann 16. Juli 2006 1 Einleitung In diesem Versuch sollen die beiden
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrMusterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der
MehrE l e k t r o n i k III
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k III Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2003/04 Elektronik III
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrA1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung
A1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung 05.05.2009 1 Kreuzen Sie die richtige Antwort an: 1.1 Mit welcher Schaltung erreicht man die gewünschte Ausgangsspannung U a lt. Diagramm. (U e und U st lt. Diagramm)
MehrFachprüfung. Schaltungen & Systeme BA
Fachprüfung Schaltungen & Systeme BA 15. Juli 2004 Prüfer: Prof. Dr. P. Pogatzki Bearbeitungszeit: 2 Stunden Name:... Matr.-Nr.:... Unterschrift:... Punkte Aufgabe.1.2.3.4.5.6.7.8.9 Summe 1. 2. 3. 4. 5.
Mehr