Flämig-Vetter, Tobias Gerhard

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Oldwig Reuter
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1 Flämig-Vetter, Tobias Gerhard Von: Seifried, Christoph Gesendet: Donnerstag, 24. Mai :59 An: Flämig-Vetter, Tobias Gerhard Cc: Fröb, Oliver Betreff: RE: RFID-Studienarbeit Hallo Herr Flämig, Der Punkt, dass es bei der Schaltung einen permanenten Stromfluss über R13->D3 nach Pin 2.1 gibt, ist natürlich nicht von Vorteil, da der eigentliche Sinn ja das Stromsparen sein sollte. Der Vorschlag, wie im Internet beschrieben, ist sicher interessant und könnte mit etwas Umbauaufwand in unserer Schaltung realisiert werden. Da ich aber derzeit mit der T3000 und der anstehenden Bachelorarbeit beschäftigt bin, kann ich die praktische Umsetzung der beschriebenen Schaltung nicht übernehmen. Freundliche Grüße From: Flämig-Vetter, Tobias Gerhard Sent: Wednesday, May 23, :03 PM To: Seifried, Christoph Cc: Fröb, Oliver Subject: AW: RFID-Studienarbeit Ihr neuer Vorschlag sieht schon besser aus, aber so ganz wird es noch nicht funktionieren, da: 1.) Der Basisstrom bei Taster geschlossen ist viel zu hoch (R_B fehlt) 2.) Es gibt einen permanenten Stromfluss von 6V über R13 > D3 > R? > P2.1 wenn der IC nicht bestrom ist. (Bat. wird schnell entladen sein) Als Anregung siehe 1

2 Mit freundlichen Grüßen Tobias Flämig Von: Seifried, Christoph Gesendet: Mittwoch, 23. Mai :30 An: Flämig-Vetter, Tobias Gerhard Betreff: RE: RFID-Studienarbeit Hallo Herr Flämig, Ich habe eine Möglichkeit entdeckt mit einem PNP-Transistor. Dafür würde die Schaltung wie folgt aussehen: Die Spannung am Gate-Pin muss aber zusätzlich über einen Widerstand hochgezogen werden, da Pin 2.1 maximal 3,3V liefert. R = 40k. Das wär aber recht einfach möglich: einfach die Leitung durchritzen und einen SMD-Widerstand auflöten. 2

3 Freundliche Grüße From: Flämig-Vetter, Tobias Gerhard Sent: Wednesday, May 23, :33 PM To: Seifried, Christoph Subject: AW: RFID-Studienarbeit Hallo Herr Seifried, so weit richtig analysiert. Haben Sie den Einsatz eines Bipolar Transistors bzw. IGBT in Ihrer Schaltung betrachtet? Mit freundlichen Grüßen Tobias Flämig Von: Seifried, Christoph Gesendet: Mittwoch, 23. Mai :11 An: Flämig-Vetter, Tobias Gerhard Betreff: RFID-Studienarbeit Hallo Herr Flämig, Ich suche jetzt seit mehreren Stunden nach dem MOSFET, der noch verbaut werden soll. Dabei sind mir noch einige Dinge dazu ein- bzw. aufgefallen: - Momentan verbauter MOSFET ist ein selbstsperrender p-kanal MOSFET, das heißt für die Diodenumkehr bräuchte man einen selbstsperrenden n-kanal MOSFET - Selbstsperrende N-Kanal MOSFETs schalten bei positiver Ugs durch, p-kanal MOSFETs bei negativer Ugs 3

4 - Die Schaltung ist aber für einen p-kanal MOSFET ausgelegt, dass heißt bei Tasterdruck ziehe ich das Potential des Gate-Pins auf 0V. Dadurch wird die Ugs negativer und der MOS soll durchschalten. Verbaut man einen n-kanal MOSFET, so passiert nichts, wenn man die Ugs durch Tastendruck auf negativeres Potenzial zieht. Eine positive Ugs ist bei Durchschalten mit der Schaltung so nicht möglich, da bei Durchschalten des MOSFETs am Source-Pin 6 V anliegen. Die Spannung am Gate wird aber nur auf ca. 4V hochgezogen (bei Setzen des Pins 2.1 auf High). Schlussendlich ist in meinen Augen das Ausschalten des Readers nicht einfach durch einen Austausch des MOSFETs realisierbar. Pin 2.1 Output Pin 2.2 Input Mit freundlichen Grüßen Festo AG & Co. KG Abteilung HE-AT Ausbildung Technisch Esslingen Jakobstraße Esslingen Deutschland Telefon Telefax Festo in Social Media

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