Feldeffekttransistoren

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "Feldeffekttransistoren"

Transkript

1 Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß

2 Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie JFET Junction Field Effect Transistor MESFET Metall Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET Metall Oxid Semiconductor Field Effect Transistor Zusammenfassung Quellen: Sze (Physic of Semiconductor Devices), Kassing (Physiklaische Grundlagen der Halbleiter Bauelemente), Müller (L im Elektronikpraktikum),

3 Unterschiede zu anderen Transistoren FET Ausbildung eines leitfähigen Kanals zwischen Source und Drain Inversionsschicht Nur ein Ladungsträgertyp beteiligt Unipolarer Stromfluss Spannung am elektrisch isolierten Gate steuert Leitfähigkeit des Kanals Spannungsgesteuertes Bauteil Normale Transistoren Basis-Emitter-Übergang in Fluss-, Kollektor-Emitter-Übergang in Sperrrichtung Injektion von Ladungsträgern am Basis-Emitter-Übergang, Majoritätsund Minoritätsladungsträger Bipolarer Stromfluss Kleiner Basisstrom steuert viel größeren Kollektorstrom Stromgesteuertes Bauteil

4 FET Anwendungsgebiete Analoge Schaltung erstärkung von Signalen mit hohen Eingangsimpedanzen Mikrowellenverstärkung Integrierte Schaltkreise

5 FET orteile Temperaturkoeffizient negativ Einheitliche Temperaturabhängigkeit Kein Problem mit Speichereffekten Zusammenschaltungen klein

6 Die Feldeffekttransistorenfamilie Feldeffekttransistor JFET MESFET MOSFET

7 JFET Junction Field Effect Transistor Theorie 1952 Shockley erstmals gebaut von Dacey und Ross Sperrschichttransistor n - channel JFET G kontrolliert I SD SD entgegengesetzt zu G geschaltet

8 JFET long channel FET (L»a) Ladungsverteilung gleichförmig Poisson-Gleichung Abschnürstrom-/ Spannung Sättigungsstrom-/ Spannung Stromfluss S y qn D dy de dy d ε = ² ² = = = ln 2 ² i D G S D bi G P SDS P SD bi G P bi G P SDS n Na N q kt a qn I I ε S D P S D P a qn a y L a N Zµq I ε ε 2 / ² ) ( 6 ³ / ² 2 2 = = = = ( ) ( ) [ ] { } P bi G bi G D P D P SD I I =

9 JFET Kennlinien 3 Regionen Lineare Region I SD ~ SD Sättigungsbereich I SD ~ const Durchbruchszone I SD rasch ansteigend Leitfähigkeit des Kanals in x-richtung g D I = SD SD = 2ZµaN L D ( a y 2 )

10 JFET Berücksichtigen einer komplexen Ladungsverteilung Keine großartigen Effekte bemerkbar erteilung relativ egal

11 JFET Berücksichtigen von µ bei (L«a) in Si Bei kurzen/dicken FET Beweglichkeit spielt eine Rolle I SD = I SD / (1+ ( µ D / v S L)) I SDS = 3 I P (1 u m ) / z

12 JFET Berücksichtigen von µ bei (L«a) in Si Bei GaAs ist verhalten noch komplizierter, 2-Regionen-Modell

13 JFET Realisierungen - Betriebsmöglichkeiten Normally on bei G=0 fließt bereits ein Strom Normally off bei G=0 fließt kein Strom

14 JFET Realisierungen - Bauweisen

15 MESFET Metall Semiconductor Field Effect Transistor orhergesagt von Mead 1966 Gebaut von Hooper und Lehrer Ist im Prinzip genau das gleiche wie ein JFET, nur mit gleichrichtendem Metall-Halbleiterkontakt Hat aber orteile wie: Ausbildung der Barriere schon bei geringen Temperaturen Kleiner Widerstand entlang des Kanals Gute Wärmeableitung Nachteile JFET kann so gebaut werden, dass er für Hochfrequenz besser anwendbar ist

16 MESFET Realisierungen

17 MOSFET Metall Oxid Semiconductor Field Effect Transistor U G bewirkt Inversion Kein Stromfluss über Gate möglich Ladungsabsaugung durch U SD Strom I SD ~ ε OX E OX U SD

18 MOSFET Inversionsschicht

19 MOSFET Bandstrukturen

20 MOSFET Theoretische Kennlinie Ausgangsleitwert G a = Z/L µ C OX (U G U th -U SD ) Sättigungsspannung Steilheit U SDS = U G -U th S = Z/L µ C OX U SD S*=S/(ZL)=C OX / T

21 MOSFET Theoretische Kennlinie Kanalabschnürung Im Bereich l alte Betrachtung gültig Im zweiten Teil zweidimensionaler Feldverlauf

22 MOSFET Theoretische Kennlinie Bisher hieß es: Kurze Kanallängen sind ungünstig Wie kommen wir zu kleinen Bauteilen??? Skalierung!!!

23 MOSFET Moore sches Gesetz Gordon E. Moore 1965 Direktor bei Fairchild Semiconductor

24 MOSFET Bauteile - Realisierungen MOS intgr. CMOS HEXFET UMOS

25 MOSFET Bauteile - Speicherchip 0 1 Schreiben Entladung Löschen

26 MOSFET Bauteile MOS Schaltkreise

27 Zusammenfassung FET sind Spannungsgesteuerte Bauelemente FET sind unipolar FET können verschieden realisiert werden FET Kennlinien unterscheiden sich vom Prinzip nicht, nur die Fixpunkte ändern sich

JFET MESFET: Eine Einführung

JFET MESFET: Eine Einführung JFET MESFET: Eine Einführung Diese Präsentation soll eine Einführung in den am einfachsten aufgebauten Feldeffektransistor, den Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, JFET bzw. non-insulated-gate-fet,

Mehr

7. Unipolare Transistoren, MOSFETs

7. Unipolare Transistoren, MOSFETs 7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden

Mehr

Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren

Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Grundlagen 2 2.1 MOSFET..................................... 2 2.2 JFET....................................... 3 2.3 Übersicht der

Mehr

Grundlagen-Vertiefung zu PS8. Bau und Funktion von Feldeffekt-Transistoren Version vom 5. März 2013

Grundlagen-Vertiefung zu PS8. Bau und Funktion von Feldeffekt-Transistoren Version vom 5. März 2013 Grundlagen-Vertiefung zu PS8 Bau und Funktion von Feldeffekt-Transistoren Version vom 5. März 2013 Feldeffekt-Transistoren Feldeffekt-Transistoren (FET) sind Halbleiter-Bauelemente, deren elektrischer

Mehr

Transistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden.

Transistoren. David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden. Transistoren David Schütze Projekt: Search-E Gruppe B2 Betreuer: Sascha Eden http://hobbyelektronik.de.tl/der-erste-transistor-der-welt.htm Gliederung Was ist ein Transistor Geschichte Bipolartransistor

Mehr

Ausarbeitung: MOSFET

Ausarbeitung: MOSFET Ausarbeitung: MOSFET Inhaltverzeichnis: 1. Einleitung 2. Definition 3. Aufbau 4. Kennlinien 5. Anwendungen 6. Vor- & Nachteile 7. Quellen 1 1.Einleitung: Die erste begrifflich ähnliche MOSFET- Struktur

Mehr

Unipolar-Transistor, FET, MOSFET

Unipolar-Transistor, FET, MOSFET msw / Kern 01-2016 FET-Uebersicht 1/6 Unipolar-Transistor, FET, MOSFET Ueberblick und Kurzrepetition FET/MOSFET (vs. Bipolartransistor) Inhalt: - FET/MOSFET anschauliche Betrachtung anhand Modell - Begriffe

Mehr

Präsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl

Präsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl Präsentation SSP Immanuel Mayrhuber, Boris Scherwitzl Übersicht Erklärung eines pn Übergangs Halbleiterdioden Photodioden Leuchtdioden Bipolartransistor JFET MOSFET pn Übergang y y y y y y Übergang von

Mehr

Analoge und digitale Signale

Analoge und digitale Signale Analoge und digitale Signale Binär Erster binärer Zustand Zweiter binärer Zustand Schalter geschlossen Schalter geöffnet Impuls vorhanden Impuls nicht vorhanden Transistor leitend Transistor sperrt Spannung

Mehr

Der MosFET. Referent: Dominik Tuszyoski

Der MosFET. Referent: Dominik Tuszyoski Der MosFET Referent: Dominik Tuszyoski 27.05.2010 1. Geschichte 1.1.Erfinder 1.2.Ein paar Fakten 2. Einsatzgebiete 3. Aufbau 3.1. Schaltzeichen 3.2. physikalischer Aufbau 3.3. Funktionsweise 3.4.1. Kennlinienfeld

Mehr

8.5. Störstellenleitung

8.5. Störstellenleitung 8.5. Störstellenleitung Hochreiner HL ist auch bei Zimmertemperatur schlecht leitfähig geringste Verunreinigungen ändern das dramatisch Frühe Forschung an HL gab widersprüchliche Ergebnisse, HL galten

Mehr

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 9. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 15. Juni 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. Der Feldeffekt 2. Feldeffekttransistoren

Mehr

Mikroprozessor - und Chiptechnologie

Mikroprozessor - und Chiptechnologie Mikroprozessor - und Chiptechnologie I 1 1 Halbleiterfunktionen 2 8 Halbleiterbauelemente 8 Halbleiterbauelemente 8.1 Grundlagen 8.2 Dioden 8.3 Transistoren 8.4 Einfache Grundschaltungen Als halbleitend

Mehr

TO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen

TO-220 TO-202 TO-92 TO-18. Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Transistoren TO-220 TO-202 SOT-42 TO-3 TO-18 TO-92 TO-5 Transistoren mit verschiedenen Gehäusen Das Wort Transistor ist ein Kunstwort. Es leitet sich von transfer resistor ab und beschreibt damit einen

Mehr

DuE-Tutorien 17 und 18

DuE-Tutorien 17 und 18 DuE-Tutorien 17 und 18 Tutorien zur Vorlesung Digitaltechnik und Entwurfsverfahren Christian A. Mandery TUTORIENWOCHE 5 AM 02.12.2011 KIT Universität des Landes Baden-Württemberg und nationales Forschungszentrum

Mehr

Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.

Mosfet. ELEXBO A-Car-Engineering. ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 J-Fet P-Kanal J175 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06

Mehr

Grundlagen der Datenverarbeitung

Grundlagen der Datenverarbeitung Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter

Mehr

Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise

Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise Reine Halbleitermaterialien, wie Silizium (Si) oder Germanium (Ge) sind bei Zimmertemperatur fast Isolatoren: bzw. bei sinkender Temperatur HL Isolator

Mehr

Institut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik,

Institut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik, Feldeffekttransistoren 1 JFET Sperrschicht - FET (Junction FET) Sperrschicht breitet sich mit Ansteuerung in den Kanal aus und sperrt diesen Es gibt zwei Arten n-kanal, p-kanal 2 JFET Schaltzeichen 3 Das

Mehr

Transistor FET. Roland Küng, 2010

Transistor FET. Roland Küng, 2010 Transistor FET Roland Küng, 2010 1 Transistor: FET Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Steuerung erfolgt über

Mehr

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert

Mehr

Transistor. Inhaltsverzeichnis... 1 Geschichte... 1 Funktionsweise... 2 Quellenverzeichnis... 5

Transistor. Inhaltsverzeichnis... 1 Geschichte... 1 Funktionsweise... 2 Quellenverzeichnis... 5 Transistor Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis... 1 Geschichte... 1 Funktionsweise... 2 Quellenverzeichnis... 5 Geschichte Das erste Patent 1 für eine Art Transistor wurde 1925 von Julius Edgar Lilienfeld

Mehr

Hardware Praktikum 2008

Hardware Praktikum 2008 HaPra 2008 - Versuchsreihe 3 - Diskrete Transistoren Hardware Praktikum 2008 Prof. Dr. H.-J. Wunderlich Dipl.-Inf. M. Imhof Dipl.-Inf. S. Holst Agenda Organisatorisches Wie funktioniert ein MOSFET? Was

Mehr

-Der Transistor- Allgemeines

-Der Transistor- Allgemeines -Der Transistor- Allgemeines Der Transistor ist neben der Halbleiterdiode das wichtigste aktive Bauelement in der modernen Elektronik und besitzt wesentlich günstigere Eigenschaften als beispielsweise

Mehr

5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren

5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren 5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren Tutorium Nr. 13 Alexis Tobias Bernhard Fakultät für Informatik, KIT Universität des Landes Baden-Württemberg und nationales Forschungszentrum in der Helmholtz-Gemeinschaft

Mehr

5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren

5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren 5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren Tutorium Nr. 9 Alexis Tobias Bernhard Fakultät für Informatik, KIT Universität des Landes Baden-Württemberg und nationales Forschungszentrum in der Helmholtz-Gemeinschaft

Mehr

Kapitel 1. Einleitung

Kapitel 1. Einleitung Kapitel 1 Einleitung Vor 60 Jahren, im Juni 1948, wurde von den Bell Labs der erste Transistor öffentlich demonstriert. Weniger bekannt, aber ebenso wichtig ist die Demonstration des ersten Metal-Oxide-Semiconductor

Mehr

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm. Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll

Mehr

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren

Mehr

Teil 1: Digitale Logik

Teil 1: Digitale Logik Teil 1: Digitale Logik Inhalt: Boolesche Algebra kombinatorische Logik sequentielle Logik kurzer Exkurs: Technologische Grundlagen programmierbare logische Bausteine 1 Halbleiterdiode Bauelement, durch

Mehr

Teil 1: Digitale Logik

Teil 1: Digitale Logik Teil 1: Digitale Logik Inhalt: Boolesche Algebra kombinatorische Logik sequentielle Logik kurzer Exkurs: Technologische Grundlagen programmierbare logische Bausteine 1 Halbleiterdiode Bauelement, durch

Mehr

Mathematik und Nanotechnologie: Warum werden Computer immer kleiner?

Mathematik und Nanotechnologie: Warum werden Computer immer kleiner? 1 Mathematik und Nanotechnologie: Warum werden Computer immer kleiner? Ansgar Jüngel Institut für Analysis und Scientific Computing www.juengel.at.vu (einige Bilder sind aus urheberrechtlichen Gründen

Mehr

Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente. Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel. vhb-kurs Halbleiterbauelemente

Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente. Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel. vhb-kurs Halbleiterbauelemente Friedrich-Alexander-Universität Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel vhb-kurs Halbleiterbauelemente Übungsaufgaben Teil 3: Feldeffekttransistoren Übung zum vhb-kurs Halbleiterbauelemente Seite 15 Feldeffekttransistoren

Mehr

Grundlagenpraktikum. Halbleitertechnik Der MOSFET. (Versuch 142)

Grundlagenpraktikum. Halbleitertechnik Der MOSFET. (Versuch 142) Universität Stuttgart Fakultät V Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Halbleitertechnik (IHT) Pfaffenwaldring 47 (ETIT II) 70569 Stuttgart Stand 10/2010 Grundlagenpraktikum Aufgabenstellung

Mehr

Bipolartransistor- npn

Bipolartransistor- npn Transistor gesteuertes Bauelement (transfer resistor) durch eine angelegte Spannung oder elektrischen Stromsteuerbarer elektrischer Widerstand zum Schalten oder Verstärken von elektrischen Signalen bipolar

Mehr

Analoge CMOS-Schaltungen. Einfluß des Layouts auf analoge Schaltungen. Roland Pfeiffer 13. Vorlesung

Analoge CMOS-Schaltungen. Einfluß des Layouts auf analoge Schaltungen. Roland Pfeiffer 13. Vorlesung Analoge CMOS-Schaltungen Einfluß des Layouts auf analoge Schaltungen 13. Vorlesung Einführung 1. Vorlesung 8. Vorlesung: Inverter-Verstärker, einige Differenzverstärker, Miller-Verstärker 9. Vorlesung:

Mehr

E Technologische Grundlagen

E Technologische Grundlagen E Technologische Grundlagen 2002, Franz J. Hauck, Verteilte Systeme, Univ. Ulm, [2005sTI1ETech.fm, 20050517 14.57] http://wwwvs.informatik.uniulm.de/teach/ws04/avo/ E.1 1 Einordnung Ebene 6 Ebene 5 Ebene

Mehr

Technische Grundlagen der Informatik

Technische Grundlagen der Informatik Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/2009 5. Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik Inhalt Wiederholung Feldeffekttransistoren (FET) Logikschaltungen in CMOS-Technologie

Mehr

Transistorkennlinien

Transistorkennlinien Transistorkennlinien Grolik Benno, Kopp Joachim 2. Januar 2003 1 Grundlagen des Versuchs Die Eigenschaften von Halbleiterbauelementen erkennt man am besten an sogenannten Kennlinien, die bestimmte Spannungs-

Mehr

Handout. Der MosFET. Von Dominik Tuszyński. Tutor: Ulrich Pötter

Handout. Der MosFET. Von Dominik Tuszyński. Tutor: Ulrich Pötter Handout Der MosFET Von Dominik Tuszyński Tutor: Ulrich Pötter 1 Inhaltsverzeichnis: 1. Geschichte S.3 2. Aufbau S.3 3. Funktionsweise S.4 4. Kennlinienfeld S.5 5. Verwendung S.6 6. Quellen S.7 2 1. Geschichte

Mehr

Feldeffekt-Transistor

Feldeffekt-Transistor 5. Der Feldeffekt-Transistor 5.1. Einleitung Im Kapitel über den bipolaren Transistor (Engl.: Bipolar junction transistor oder BJT) haben wir gesehen, dass der Ausgangsstrom auf dem Kollektor proportional

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.:

Mehr

3. Halbleiter und Elektronik

3. Halbleiter und Elektronik 3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden

Mehr

Digitaltechnik. TI-Tutorium. 29. November 2011

Digitaltechnik. TI-Tutorium. 29. November 2011 Digitaltechnik TI-Tutorium 29. November 2011 Themen Schaltsymbole Transistoren CMOS nächstes Übungsblatt 2 Aufgaben Schaltsymbole Widerstand npn-transistor Widerstand pnp-transistor Glühlampe pmos Transistor

Mehr

Versuch EL1 Die Diode

Versuch EL1 Die Diode BERGISCHE UNIVERSITÄT WUPPERTAL Versuch EL1 Die Diode I. Zielsetzung des Versuchs 10.04/(1.07) In diesem Versuch lernen Sie die grundlegenden Eigenschaften eines pn-halbleiterübergangs kennen. Dazu werden

Mehr

Nanotubes. Bauelemente für eine neue Nanoelektronik. Moritz Bubek

Nanotubes. Bauelemente für eine neue Nanoelektronik. Moritz Bubek Nanotubes Bauelemente für eine neue Nanoelektronik Moritz Bubek Übersicht Struktur von Nanotubes Defekte an Nanotubes klassischer Schottky-Effekt Elektrische Eigenschaften von SWNTs SWNT-Schottky-Diode

Mehr

ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren.

ELEXBO Elektro-Experimentier-Box MOSFET-Kit. -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Mosfet 1 -Aufbau, Funktionen und Eigenschaften der Feldeffekttransistoren. Aufbau und Bauteile J-Fet N-Kanal BF244 Mosfet-P-Kanal sperrend STP12PF06 4 Mosfet N-Kanal sperrend IRLZ24NPBF 4 Widerstände 47kΩ

Mehr

Es wäre von Vorteil, wenn dich die Begriffe Dotierung, thermische Paarbildung, Influenz und Halbleiterdiode nicht gänzlich aus der Fassung brächten.

Es wäre von Vorteil, wenn dich die Begriffe Dotierung, thermische Paarbildung, Influenz und Halbleiterdiode nicht gänzlich aus der Fassung brächten. Der MOS-FET-Transistor (Isolierschicht-Feldeffekt-Transistor) Voraussetzungen: Es wäre von Vorteil, wenn dich die Begriffe Dotierung, thermische Paarbildung, Influenz und Halbleiterdiode nicht gänzlich

Mehr

4. Feldeffekttransistor

4. Feldeffekttransistor 4. Feldeffekttransistor 4.1 Aufbau und Funktion eines Sperrschicht-FETs (J-FET) Eine ganz andere Halbleiterstruktur gegenüber dem Bipolartransistor weist der Feldeffektransistor auf. Hier wird ein dotierter

Mehr

Beispielklausur 3 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 3 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines mit Bor (dritte Hauptgruppe) dotierten Halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau (ca. 100meV oberhalb der Valenzbandenergie),

Mehr

8. Halbleiter-Bauelemente

8. Halbleiter-Bauelemente 8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung

Mehr

Aufgabe 1: Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte)

Aufgabe 1: Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte) Aufgabe : Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte) Im Folgenden soll die Realisierung einer integrierten Spule zur Anwendung in einem Oszillator für ein 77 GHz KFZ-Radar betrachtet werden. Bei diesen

Mehr

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Physik-nstitut der Universität Zürich nhaltsverzeichnis 10 Kennlinien elektrischer Leiter

Mehr

MOSFET (Metal-Oxid-Silizium Feldeffekttransistor)

MOSFET (Metal-Oxid-Silizium Feldeffekttransistor) MOSFET (Metal-Oxid-Silizium Feldeffekttransistor) Inhaltverzechnis Inhaltverzechnis 1 1. Einführung in die MOS Schaltungen und Aufbau eines MOSFETs 2 2. Wirkungsweise eines N-MOSFETs und Berechnung von

Mehr

Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Halbleiterbauelemente Von Dr.-Ing. Karl-Heinz Löcherer Professor an der Universität Hannover M 1 Mit 330 Biläern, 11 Tafeln und 36 Beispielen B. G. Teubner Stuttgart 1992 Inhalt 1 Übergänge zwischen Halbleitern,

Mehr

1. Theorie: Kondensator:

1. Theorie: Kondensator: 1. Theorie: Aufgabe des heutigen Versuchstages war es, die charakteristische Größe eines Kondensators (Kapazität C) und einer Spule (Induktivität L) zu bestimmen, indem man per Oszilloskop Spannung und

Mehr

E l e k t r o n i k II

E l e k t r o n i k II Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k II Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Feldeffekttransistoren

Mehr

Grundlagen der Elektronik

Grundlagen der Elektronik Grundlagen der Elektronik Wiederholung: Elektrische Größen Die elektrische Stromstärke I in A gibt an,... wie viele Elektronen sich pro Sekunde durch den Querschnitt eines Leiters bewegen. Die elektrische

Mehr

Festkörperphysik. Prof. Dr. Reinhard Strehlow. Hochschulübergreifender Studiengang Wirtschaftsingenieur. Festkörperphysik p. 1/20

Festkörperphysik. Prof. Dr. Reinhard Strehlow. Hochschulübergreifender Studiengang Wirtschaftsingenieur. Festkörperphysik p. 1/20 Festkörperphysik Prof Dr Reinhard Strehlow Hochschulübergreifender Studiengang Wirtschaftsingenieur Festkörperphysik p 1/20 Inhalt Allgemeines über Festkörper und ihre Herstellung Kristallstruktur und

Mehr

LABORÜBUNG Feldeffekttransistor

LABORÜBUNG Feldeffekttransistor LABORÜBUNG Feldeffekttransistor Letzte Änderung: 14.4 2005 Lothar Kerbl Inhaltsverzeichnis Überblick... 2 Messaufgabe 1: Steuerkennlinie n-kanal j-fet... 2 Steuerkennlinien von MOS-FETs... 4 Theoretische

Mehr

ESD - Elektro Statische Entladung. SMF-I / 2010-01-20 / ESD_Elektro Statische Entladung_2010-01-20_de.ppt 1

ESD - Elektro Statische Entladung. SMF-I / 2010-01-20 / ESD_Elektro Statische Entladung_2010-01-20_de.ppt 1 SMF-I / 2010-01-20 / ESD_Elektro Statische Entladung_2010-01-20_de.ppt 1 Inhalt 1. Definition und Ursache 2. Wahrnehmung und Wirkung 3. Ausfallverteilung 4. Vorschädigungen 5. Maßnahmen und Kosten 6. Handlungsanweisungen

Mehr

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor 1 von 5 15.03.2008 11:47 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 a) Der Feldeffekttransistor findet vielfältige Anwendung in Elektroniksystemen. Die wichtigsten Anwendungen sind der Feldeffekttransistor

Mehr

Unipolarer Transistor

Unipolarer Transistor SZ für Elektrotechnik resden Fachschule für Technik nipolarer Transistor r.-ing. we Heiner Leichsenring www.leichsenring-homepage.de Gliederung Grundtypen und Funktionsweise Grundschaltungen 3 Kennlinien

Mehr

Elektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor

Elektrotechnik für Maschinenbauer. Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Konsultation 9: Transistor 1. Einleitung Transistoren spielen eine zentrale Rolle in der Elektronik. Die Anzahl der Anwendungen ist sehr vielfältig. Daher

Mehr

Technische Grundlagen der Informatik

Technische Grundlagen der Informatik Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/2009 4. Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik Inhalt Wiederholung Wechselspannung Einfache Logische Verknüpfungen Logikschaltungen

Mehr

Versuch 17.2 Der Transistor

Versuch 17.2 Der Transistor Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de

Mehr

Leistungshalbleiter Bauelemente

Leistungshalbleiter Bauelemente Lehrveranstaltung Leistungselektronik Grundlagen und Standard-Anwendungen Leistungshalbleiter Bauelemente Prof. Dr. Ing. Ralph Kennel (ralph.kennel@tum.de) Technische Universität München Arcisstraße 21

Mehr

Elektrischen Phänomene an Zellmembranen

Elektrischen Phänomene an Zellmembranen Konzeptvorlesung 17/18 1. Jahr Block 1 Woche 4 Physikalische Grundlagen der Bioelektrizität Physik PD Dr. Hans Peter Beck Laboratorium für Hochenergiephysik der niversität Bern HPB11 1 Elektrischen Phänomene

Mehr

Beim FET moduliert die Verarmungsschicht einer rückwärts gepolten Diode den Querschnitt eines Stromkanals.

Beim FET moduliert die Verarmungsschicht einer rückwärts gepolten Diode den Querschnitt eines Stromkanals. . Feldeffekt-Transistoren (FET) Beim Bipolar-Transistor modulieren injizierte Minoritätsträger den Ladungstransport Durch den kleinen Basisstrom wird der 100-fache Kollektorstrom gesteuert. Es wird Leistung

Mehr

Feldeffekttransistoren: JFET, MESFET und MOSFET

Feldeffekttransistoren: JFET, MESFET und MOSFET HUMBOLD-UNIVERSITÄT ZU BERLIN Institut für Physik Seminar Physik der Halbleiterbauelemente Feldeffekttransistoren: JFET, MESFET und MOSFET Matthias Kreier 4. Juli 2005 Gliederung 1 2 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5

Mehr

Großintegrationstechnik

Großintegrationstechnik Großintegrationstechnik TeiM: Vom Transistor zur Grundschaltung von Prof. Dr.-Ing. Karl Goser Hüthig Buch Verlag Heidelberg INHALTSVERZEICHNIS u:? -- t 0. Einführung l 0.1 Die Mikroelektronik als Basisinnovation

Mehr

Versuch V05: Bipolar- und Feldeffekttransistoren

Versuch V05: Bipolar- und Feldeffekttransistoren Versuch V5: Bipolar- und Feldeffekttransistoren Henri Menke und Jan Trautwein Gruppe 1 11 Platz k (Betreuer: Torsten Rendler) (Datum: 1. November 13) In diesem Versuch werden die ingangs- und Ausgangskennlinien

Mehr

Thermosensoren Sensoren

Thermosensoren Sensoren Thermosensoren Sensoren (Fühler, Wandler) sind Einrichtungen, die eine physikalische Grösse normalerweise in ein elektrisches Signal umformen. Die Messung der Temperatur gehört wohl zu den häufigsten Aufgaben

Mehr

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1 1 Organisation Gruppeneinteilung nach Plan / Zeit für die Bearbeitung: 60 Minuten Lernziele - Die Funktionsweise und das Schaltverhalten einiger Diodentypen angeben können - Schaltkreise mit Dioden aufbauen

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Mehr

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte

Beispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,

Mehr

Mikroprozessor - und Chiptechnologie

Mikroprozessor - und Chiptechnologie Mikroprozessor - und Chiptechnologie I 1 1 Halbleiterfunktionen 2 8 Halbleiterbauelemente 8 Halbleiterbauelemente 8.1 Grundlagen 8.2 Dioden 8.3 Transistoren 8.4 Einfache Grundschaltungen Als halbleitend

Mehr

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3

Mehr

Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik

Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,

Mehr

5.5 Drehstrom, Mehrphasenwechselstrom

5.5 Drehstrom, Mehrphasenwechselstrom 5.5 Drehstrom, Mehrphasenwechselstrom Mehrere (hier: N = 3) Wechselspannungen gleicher Frequenz und äquidistanter Phasenverschiebung 2p/N (hier: 2,09 rad oder 120 ) n 1 U n U0 cos t 2p N Relativspannung

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Mehr

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 10. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 22. Juni 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. Vorbesprechung drittes Labor

Mehr

Grundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen

Grundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von

Mehr

Atom-, Molekül- und Festkörperphysik

Atom-, Molekül- und Festkörperphysik Atom-, Molekül- und Festkörperphysik für LAK, SS 2013 Peter Puschnig basierend auf Unterlagen von Prof. Ulrich Hohenester 10. Vorlesung, 27. 6. 2013 Halbleiter, Halbleiter-Bauelemente Diode, Solarzelle,

Mehr

16. Halbleiterbauelemente

16. Halbleiterbauelemente 16. Halbleiterbauelemente 1948 Erster Transistor Bell Labs WS 2013/14 1 16.1 Entwicklung WS 2013/14 2 Moore s Law 1965 Quelle: Intel WS 2013/14 3 [ Tympel ] WS 2013/14 4 [ Tympel ] WS 2013/14 5 [ M.Schilling

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente , apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Vorbemerkung Vorlesung Leistungsbaulemente Zweitägige kompakte Blockvorlesung

Mehr

1 Grundprinzip. Hochfrequenztechnik I Feldeekttransistoren FET/1

1 Grundprinzip. Hochfrequenztechnik I Feldeekttransistoren FET/1 Hochfrequenztechnik I Feldeekttransistoren FET/1 1 Grundprinzip Bei Feldeekttransistoren wird der Stromuss durch ein elektrisches Feld, das von der Gate-Elektrode ausgeht, gesteuert. Man unterscheidet

Mehr

E Technologische Grundlagen

E Technologische Grundlagen 1 Einordnung E Technologische Grundlagen Ebene 6 Ebene 5 Ebene 4 Ebene 3 Ebene 2 Ebene 1 Ebene 0 roblemorientierte Sprache Assemblersprache etriebssystem ISA (Instruction Set Architecture) Mikroarchitektur

Mehr

Eine nach Abbildung 1 aufgebaute Diode lässt eine positive Spannung von Anode zu Katode durch. Daraus resultiert ein Durchlassstrom I

Eine nach Abbildung 1 aufgebaute Diode lässt eine positive Spannung von Anode zu Katode durch. Daraus resultiert ein Durchlassstrom I Halbleiterbauelemente I Einleitung In dieser Versuchsreihe geht es um die statischen und dynamischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen. Ermittelt werden unter anderem die Sperrverzögerungszeit von

Mehr

Praktikum Elektronik 2

Praktikum Elektronik 2 Versuch : Kennlinien u. Kenndaten von Feldeffekttransistoren Fassung vom 26.02.2009 Versuchsdatum: Gruppe: Teilnehmer: Semester: 1. Vorbereitung. (Vor Beginn des Praktikums durchzuführen!) 1.1 Informieren

Mehr

Versuch 21. Der Transistor

Versuch 21. Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor

Mehr

Formelsammlung Baugruppen

Formelsammlung Baugruppen Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in

Mehr

Hilfe bei der Qual der Wahl

Hilfe bei der Qual der Wahl Hilfe bei der Qual der Wahl Die große Auswahl an verfügbaren Halbleitern ermöglicht heute sehr unterschiedliche TOPOLOGIEN BEIM DESIGN VON ABWÄRTSWANDLERN. AUTOMOBIL-ELEKTRONIK stellt diese Topologien

Mehr

Zukünftige analoge CMOS-Schaltungen. Roland Pfeiffer 25. Vorlesung

Zukünftige analoge CMOS-Schaltungen. Roland Pfeiffer 25. Vorlesung Zukünftige analoge CMOS-Schaltungen 25. Vorlesung Einführung 1. Vorlesung 8. Vorlesung: Inverter-Verstärker, einige Differenzverstärker, Miller-Verstärker 9. Vorlesung: Miller-Verstärker als Subcircuit

Mehr

1 Grundlagen. 1.1 Aufbau eines n-kanal-fet Allgemeiner Aufbau. 1.1 Aufbau eines n-kanal-fet

1 Grundlagen. 1.1 Aufbau eines n-kanal-fet Allgemeiner Aufbau. 1.1 Aufbau eines n-kanal-fet 1 Grundlagen 1.1 Aufbau eines nkanalfet 1.1.1 Allgemeiner Aufbau Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement das zum Schalten oder Verstärken von Strom verwendet werden kann. Der Stromfluss

Mehr

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.

Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.

Mehr

5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren

5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Fachbereich Physik Elektronikpraktikum 5 Bipolar- und Feldeffekt-Transistoren Stichworte zur Vorbereitung: Aufbau und Funktion, Löcherleitung, Elektronenleitung, Eingangskennlinien, Ausgangskennlinien,

Mehr

Widerstände Integrierte Schaltkreise Kontakt- und Verbindungselemente

Widerstände Integrierte Schaltkreise Kontakt- und Verbindungselemente signalverarbeitender Systeme Die Bauelemente der Elektronik sind im Sinne der Systemtheorie Elemente. Nicht in allen technischen Disziplinen ist eine systemtheoretische Abbildung der Wirklichkeit so eindeutig

Mehr

VERGLEICH VON SI- UND SIC-HALBLEITERN

VERGLEICH VON SI- UND SIC-HALBLEITERN 72 Jahresbericht 2007 VERGLEICH VON SI- UND SIC-HALBLEITERN I. Koch 1 EINLEITUNG Der Einsatz von Leistungselektronik in Anwendungsgebieten mit erhöhten Anforderungen (z. B. dem Automotive-Bereich) verlangt

Mehr

Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1

Inhaltsverzeichnis. Inhaltsverzeichnis...VII. 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 VII Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis...VII 1 Besonderheiten leistungselektronischer Halbleiterbauelemente...1 2 Halbleiterphysikalische Grundlagen...5 2.1 Eigenschaften der Halbleiter, physikalische

Mehr