E l e k t r o n i k I

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "E l e k t r o n i k I"

Transkript

1 Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt Leipzig im WS 2002/03 Elektronik I Mob.: (+49)173/ Fax: (+49)341/

2 2. Dioden Eine Diode ist ein Bauelement mit zwei Anschlüssen und einem stromrichtungsabhängigen Widerstand (pn-übergang) I F Durchlaßrichtung: U B + r F < R L -I F (Strom in Durchlaßrichtung) wird weitestgehend von U B /R L bestimmt - Diodenwiderstand in Durchlaßrichtung klein I R << Sperrichtung: U B + r R >> R L - Umkehrung der Spannungspolarität; Widerstand der Diode sehr groß - vernachlässigbarer Sperrstrom Folie 2 (WS 2002/03)

3 Ventilwirkung der Diode: Gleichrichtung von Wechselspannungen 2.1 Charakteristika einer Diode Sperrspannung bzw. Durchbruchspannung; Durchlaßspannung als Funktion des Durchlaßstroms; Schleusenspannung & Diffusionsspannung; Durchlaßstrom; Belastbarkeit; Strom in Sperrichtung; Sperrschichtkapazität; Duchlaßwiderstand; differentielle Widerstand Si: U S 0,7 V; Ge: U S 0,5 V Folie 3 (WS 2002/03)

4 Zur Schaltungsdimesnionierung ist häufig der Durchlaßwiderstand relevant: Durchlaßwiderstand: r F = U F I F Differentielle Durchlaßwiderstand (bei kleinen Signalen relevant) r F = U F I F Folie 4 (WS 2002/03)

5 2.2 Spannungs- & Stromaufteilung in Stromkreisen mit Dioden Reihenschaltung von Diode & Lastwiderstand In grober Näherung kann die Spannungsaufteilung bei kleinen Spannungen mit dem differentiellen Widerstand und der Schleusenspannung berechnet werden Grafische Lösung, wenn U B U F (Vernachlässigung des Durchlaßwiderstandes) Reihenschaltung von in Reihe geschalteten Dioden & Lastwiderstand Durchlaßspannungen bzw. Schleusenspannungen addieren sich Zweck: - Erhöhung der zulässigen Betriebsspannung in Sperrichtung - Erzeugung von Vergleichsspannungen (U ref ) für Stromquellenschaltungen mit Transistoren Reihenschaltung von in Reihe geschalteten Dioden & Lastwiderstand Durchlaßströme addieren sich Zweck: - Erhöhung des möglichen Betriebsstromes Folie 5 (WS 2002/03)

6 r F aus Grafik (besser Diodenkennlinie) r F = U F I F... = 0,12 Ω = 0,1 V 0,85 A =... I F = U B - U S r F + R L = 1,5 V - 0,7 V (0,12 + 2,5)Ω = 0,8 2,62 A 0,31 A Folie 6 (WS 2002/03)

7 Folie 7 (WS 2002/03)

8 Folie 8 (WS 2002/03)

9 Bei Schaltungsbeispiel würde der 2x Nennstrom zur Überlastung von D1 führen Bei diskreten Schaltungen: Dioden mit nahezu gleichen Durchlaßkennlinien! Sperrschichtkapazität und Diffusionskapazität beeinflußen das dynamische Verhalten von Dioden Belastbarkeit und thermisches Verhalten P V = P th = t j - t A R th (t j : Sperrschichttemperatur; t A : Umgebungstemperatur; R th : therm. Gesamtwiderstand) Folie 9 (WS 2002/03)

10 Beispiel: Angabe der Sperrschichttemp. v. 398 K; therm. Widerstand des Bauelementes inkl. Kühlkörper v. 0,84 K/W; Umgebungstemp. v. 328 K P V = P th = 398 K K 0,84 K/W = 83,3 W 2.3 Z-Diode Z- oder Zener-Diode: - betriebsmäßiger Einsatz im Sperrbereich unter Ausnutzung der Durchbruchspannung - Beachtung der zulässigen Ströme in Durchlaß- & Sperrrichtung - je nach Dotierung der Grenzschicht ist Durchbruchspannung U BR nahezu beliebig justierbar - Z-Dioden im Bereich (5-10) V (aber auch bis 100 V) Ausnutzung des Zenereffektes (Feldstärke > V/cm): Ladungsträger können das verbotene Band überspringen und stehen als quasi freie Ladungsträger im Leitungsband zur Verfügung (Stromfluß); bei weiterer Spannungserhöhung setzt schließlich Lawineneffekt ein Folie 10 (WS 2002/03)

11 Z-Diode mit Durchbruchspannungen bis 5 V (Zenerbereich): kleiner negativer Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung; Z-Diode mit Durchbruchspannungen über 6 V (Spannungsdurchbrüche bedingt durch Lawineneffekt): zunehmend posit. Temperaturkoeffizient der Durchbruchspannung Anwendungen von Z-Dioden: (1) Stabilisierung von Spannungen: U B = U Z + I Z ( r Z + R V ) I Z = U B - U Z r Z + R = 12 V - 8 V 20 ma V 2 Ω Ω je kleiner r z, desto besser Stabilisierung (s. nachfolgende Grafik) Folie 11 (WS 2002/03)

12 (2) Schwellwertbildung mit zwei Z-Dioden... erst bei Spannungen größer U Z erhält Verstärker Spannung (3) Meßbereichsunterdrückung Voltmeter hat Meßbereich von V, Ladezustand einer Batterie (nicht interessanter Bereich zw V wird unterdrückt), erst ab 10 V Spannungsausschlag Folie 12 (WS 2002/03)

13 (4) Z-Diode zum Schutz eines Meßwertes 2.4 Tunnel-Diode... Dioden mit unterschiedlich stark dotiertem pn-übergang Tunneleffekt (s.abb ) Schichten beiderseits der Grenzschicht so stark dotiert, daß sich Ladungsträger wie in Metallen verhalten steiler Bereich der Kennlinie (bis A) Folie 13 (WS 2002/03)

14 Begrenzung der Ladungsträger aus beiden dünnen, hochdotierten Schichten führt bei weiteren Spannungserhöhung zu kleineren Strömen (Bereich A-E) Schließlich Kennlinie einer üblich dotierten Diode (exponentieller Verlauf) Gütemaß von Tunneldioden: I 1 I 2 ( ) Fallender Kennlinienbereich: Erzeugung von Schwingungen sehr hoher Frequenzen (einige GHz); Signalspannungen U e verursachen Parallelverschiebungen der Widerstandsgeraden Modulation 2.5 Backward-Diode... Tunneldiode, deren pn-übergang schwächer dotiert ist Vermeidung des typischen Höckers, Eigenschaften im Spannungsnulldurchgang bleiben erhalten Folie 14 (WS 2002/03)

15 Einsatz der Backward-Diode in Sperrichtung; Durchlaßrichtung des pn-übergangs wird zum Sperren der Signalspannung genutzt Gleichrichter kleinster hochfrequenter Signalspannungen (Ausnutzung der großen Steilheit im Nulldurchgang) Folie 15 (WS 2002/03)

16 2.5 Gunn-Diode... ist Diode, die auf dem sog. Gunn-Effekt beruht. Herstellung aus Gallium-Arsenid Erzeugung von Mikrowellen! Wirkungsweise: bei einer bestimmten Spannung zw. Kathode und Anode Ausbildung einer eng begrenzten Zone sehr hoher Feldstärke in der Kathodengrenzschicht - Domäne diese Domäne wandert mit konst. v (10 8 mm/s) zur Anode Stromstoß (L bestimmt die Frequenz) Betriebsspannungen (7-20) V: Impulsströme zw. ( ) ma Einsatz in Radargeräten Folie 16 (WS 2002/03)

17 2.6 Impatt-Diode Impact Avalanche Transit Time Diode (Lawine-Laufzeit-Diode) aus GaAs & Si Diode wird in Sperrichtung betrieben; Betriebspunkt nahe der Durchbruchspannung, so daß Signalspannung jeweils Durchbruch hervorruft; freie Ladungsträger werden beschleunigt Lawineneffekt derart generierte Ladungsträger benötigen gewisse Zeit zum Durchlaufen der I-Zone. bei richtiger Schaltungsdimens.m. Impatt-Diode: selbsttätige Schwingungserzeugung Einsatz in Radargeräten Folie 17 (WS 2002/03)

E l e k t r o n i k II

E l e k t r o n i k II Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k II Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Thyristor im SS 2003

Mehr

Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1

Inhaltsverzeichnis. 01.12.01 [PRTM] Seite1 Inhaltsverzeichnis Dioden...2 Allgemein...2 Kenngrößen...2 Anlaufstrom...2 Bahnwiderstand...2 Sperrschichtkapazität...2 Stromkapazität...3 Durchbruchspannung...3 Rückerholungszeit...3 Diodenarten...3 Backward-Diode...3

Mehr

Dabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode

Dabei ist der differentielle Widerstand, d.h. die Steigung der Geraden für. Fig.1: vereinfachte Diodenkennlinie für eine Si-Diode Dioden - Anwendungen vereinfachte Diodenkennlinie Für die meisten Anwendungen von Dioden ist die exakte Berechnung des Diodenstroms nach der Shockley-Gleichung nicht erforderlich. In diesen Fällen kann

Mehr

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1

Lernaufgabe: Halbleiterdiode 1 1 Organisation Gruppeneinteilung nach Plan / Zeit für die Bearbeitung: 60 Minuten Lernziele - Die Funktionsweise und das Schaltverhalten einiger Diodentypen angeben können - Schaltkreise mit Dioden aufbauen

Mehr

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang

Entstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang 2. Halbleiterdiode 2.1 pn-übergang Die elementare Struktur für den Aufbau elektronischer Schaltungen sind aneinander grenzende komplementär dotierte Halbleitermaterialien. Beim Übergang eines n-dotierten

Mehr

4 Die Diode. 4.1 Allgemeines. Die Diode

4 Die Diode. 4.1 Allgemeines. Die Diode 4 Die Diode 4.1 Allgemeines Ein Halbleiterkristall aus p-zone, n-zone und dazwischen liegendem pn-übergang, mit äußeren Anschlüssen und einem geeigneten Gehäuse versehen, ergibt ein wichtiges elektronisches

Mehr

Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode

Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode Universität Göttingen Sommersemester 2010 Prof. Dr. Arnulf Quadt aum D1.119 aquadt@uni-goettingen.de Übung zum Elektronikpraktikum Lösung 1 - Diode 13. September - 1. Oktober 2010 1. Können die Elektronen

Mehr

Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden

Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden von B. Kainka, Auszug aus: Grundwissen Elektronik Die Spannung eines einfachen Netzgeräts ist in hohem Maße von der Belastung abhängig. Auch bei Batterieversorgung

Mehr

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50

Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Auswertung Eigenschaften elektrischer Bauelemente Versuch P2-50 Iris Conradi und Melanie Hauck Gruppe Mo-02 21. Juni 2011 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Temperaturabhängigkeit 3 2 Kennlinien

Mehr

Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente

Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Vorbereitung: Eigenschaften elektrischer Bauelemente Marcel Köpke & Axel Müller 15.06.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Grundlagen 3 2 Aufgaben 7 2.1 Temperaturabhängigkeit............................ 7 2.2 Kennlinien....................................

Mehr

Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik

Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Verbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik Versuch 5 Untersuchungen an Halbleiterdioden Teilnehmer: Name Vorname Matr.-Nr. Datum der

Mehr

Physikalisches Praktikum I

Physikalisches Praktikum I Fachbereich Physik Physikalisches Praktikum I E24 Name: Halbleiterdioden Matrikelnummer: Fachrichtung: Mitarbeiter/in: Assistent/in: Versuchsdatum: Gruppennummer: Endtestat: Dieser Fragebogen muss von

Mehr

Weitere Anwendungen einer Diode:

Weitere Anwendungen einer Diode: Diode Diode, elektronisches Bauteil, das Strom nur in einer Richtung durchfließen lässt. Die ersten Dioden waren Vakuumröhrendioden, die aus einer luftleeren Glasoder Stahlhülle mit zwei Elektroden (einer

Mehr

HSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS 201.. Gruppe:

HSD FB E I. Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik. Datum: WS/SS 201.. Gruppe: HSD FB E I Hochschule Düsseldorf Fachbereich Elektro- und Informationstechnik Bauelemente-Praktikum Dioden Datum: WS/SS 2.. Gruppe: Teilnehmer 2 3 Name Matr.-Nr. Testat Versuchsaufbau Nr.: verwendete Geräte:

Mehr

Versuch EL1 Die Diode

Versuch EL1 Die Diode BERGISCHE UNIVERSITÄT WUPPERTAL Versuch EL1 Die Diode I. Zielsetzung des Versuchs 10.04/(1.07) In diesem Versuch lernen Sie die grundlegenden Eigenschaften eines pn-halbleiterübergangs kennen. Dazu werden

Mehr

Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007

Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor. durchgeführt am 22. Juni 2007 1 Versuch 26 Kennlinien von Glühlampen, Z-Diode und Transistor Sascha Hankele sascha@hankele.com Kathrin Alpert kathrin.alpert@uni-ulm.de durchgeführt am 22. Juni 2007 INHALTSVERZEICHNIS 2 Inhaltsverzeichnis

Mehr

Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall

Kapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall Kapitel 1: Diode Die Diode ist ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen, die mit Anode (anode,a) und Kathode (cathode,k) bezeichnet werden. Man unterscheidet zwischen Einzeldioden, die für die Montage

Mehr

o die durchzuführenden Versuchspunkte. Zu einigen Aufgaben sind vor Beginn des Praktikums als Vorbereitung kleinere Rechnungen durchzuführen.

o die durchzuführenden Versuchspunkte. Zu einigen Aufgaben sind vor Beginn des Praktikums als Vorbereitung kleinere Rechnungen durchzuführen. Grundlagenpraktikum 2.Teil Versuch : Diode Fassung vom 15.09.2005 A: Vorbereitung 1. Siehe hierzu auch die Laborordnung. (s. Anhang) Informieren Sie sich ausführlich über o Physikalische Wirkungsweise

Mehr

Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.

Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen. Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner

Mehr

3. Halbleiter und Elektronik

3. Halbleiter und Elektronik 3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden

Mehr

Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald / Institut für Physik Physikalisches Grundpraktikum

Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald / Institut für Physik Physikalisches Grundpraktikum Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald / Institut für Physik Physikalisches Grundpraktikum Praktikum für Physiker Versuch E11: Kennlinien von Halbleiterdioden Name: Versuchsgruppe: Datum: Mitarbeiter

Mehr

Dies ist die Zone beim p- n- Übergang wo sich auf der p- Seite ionisierte Akzeptoren und auf der n- Seite ionisierte Donatoren befinden.

Dies ist die Zone beim p- n- Übergang wo sich auf der p- Seite ionisierte Akzeptoren und auf der n- Seite ionisierte Donatoren befinden. Elektronik Allgemein n-halbleiter Beim n- dotierten Halbleiter ist ein Elektron nicht in eine Bindung eingegangen. Dieses Valenzelektron ist somit das energiereichste von allen. Die Elektronen sind Majoritätsträger

Mehr

Übung Bauelemente und Schaltungstechnik. Wintersemester 2005/2006

Übung Bauelemente und Schaltungstechnik. Wintersemester 2005/2006 Übung Bauelemente und Schaltungstechnik Wintersemester 2005/2006 Prof. Dr. Dietmar Ehrhardt Universität Siegen im Februar 2006 Übung 1 - Widerstände und Heißleiter 1.1 Gegeben sei ein Schichtwiderstand

Mehr

352 - Halbleiterdiode

352 - Halbleiterdiode 352 - Halbleiterdiode 1. Aufgaben 1.1 Nehmen Sie die Kennlinie einer Si- und einer Ge-Halbleiterdiode auf. 1.2 Untersuchen Sie die Gleichrichtungswirkung einer Si-Halbleiterdiode. 1.3 Glätten Sie die Spannung

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Digitale Schaltungen

Mehr

ρ = 0,055 Ωmm 2 /m (20 C)

ρ = 0,055 Ωmm 2 /m (20 C) 134.163 Grundlagen der Elektronik - Übungsbeispiele für den 11.05.2016 Beispiel C1: Berechnen Sie den Widerstand einer Glühlampe mit einem Wolframdraht von 0,024 mm Durchmesser und 30 cm Länge bei Raumtemperatur

Mehr

Übung Halbleiterschaltungstechnik

Übung Halbleiterschaltungstechnik Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2011/12 Übungsleiter: Hannes Antlinger Martin Heinisch Thomas Voglhuber-Brunnmaier Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:

Mehr

SKT Laborbericht Versuch: Dioden

SKT Laborbericht Versuch: Dioden SKT Laborbericht Versuch: Dioden Andreas Hofmeier Martikelnummer: 94453 Semester: I 2.2 Versuchsgruppe: Axel Schmidt, Andreas Hofmeier Professor: Rainer Versuchsdatum: 05.05.2003 Abgabedatum: 19.05.2003

Mehr

Kennlinien von Halbleiterdioden

Kennlinien von Halbleiterdioden ELS-27-1 Kennlinien von Halbleiterdioden 1 Vorbereitung Allgemeine Vorbereitung für die Versuche zur Elektrizitätslehre Bohrsches Atommodell Lit.: HAMMER 8.4.2.1-8.4.2.3 Grundlagen der Halbleiterphysik

Mehr

E06. Diodenkennlinien

E06. Diodenkennlinien E06 Diodenkennlinien Dieser Versuch bietet eine erste Einführung in die Elektronik. Nach Untersuchungen von charakteristischen Kennlinien verschiedenartiger Dioden werden einfache Gleichrichterschaltungen

Mehr

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen

Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3

Mehr

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016

Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Anleitung zum Physikpraktikum für Oberstufenlehrpersonen Kennlinien elektrischer Leiter (KL) Frühjahrssemester 2016 Physik-nstitut der Universität Zürich nhaltsverzeichnis 10 Kennlinien elektrischer Leiter

Mehr

Arbeitspunkt einer Diode

Arbeitspunkt einer Diode Arbeitspunkt einer Diode Liegt eine Diode mit einem Widerstand R in Reihe an einer Spannung U 0, so müssen sich die beiden diese Spannung teilen. Vom Widerstand wissen wir, dass er bei einer Spannung von

Mehr

Elektrotechnisches Laboratorium

Elektrotechnisches Laboratorium E Labor Diode, Zenerdiode und Vierschichtdiode 1 Höhere Technische Bundes-, Lehr- u. Versuchsanstalt (BULME) Graz Gösting Abgabedatum: 16. Nov. 2004 Elektrotechnisches Laboratorium Jahrgang: 2004 Gruppe:

Mehr

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden

5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,

Mehr

Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden

Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 2 Name: Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Widerstände und Dioden Versuch durchgeführt

Mehr

Versuch 3: Dioden, Temperaturabhängigkeit der Kennlinie

Versuch 3: Dioden, Temperaturabhängigkeit der Kennlinie Seite 1 Versuch 3: Dioden, Temperaturabhängigkeit der Kennlinie Themen zur Vorbereitung: Kennlinien von einer Germanium-, Silizium-Diode und LED Sperrbereich, Durchlaßbereich, Schwellspannung pn-übergang

Mehr

Strom - Spannungscharakteristiken

Strom - Spannungscharakteristiken Strom - Spannungscharakteristiken 1. Einführung Legt man an ein elektrisches Bauelement eine Spannung an, so fließt ein Strom. Den Zusammenhang zwischen beiden Größen beschreibt die Strom Spannungscharakteristik.

Mehr

Die Röhrendiode. Versuchsprotokoll. Dirk Sell. Bärbel Hosenfeld. Grund der Untersuchung. Versuch Nr. 6. Protokollführer: Assistent: Gruppe: B 1

Die Röhrendiode. Versuchsprotokoll. Dirk Sell. Bärbel Hosenfeld. Grund der Untersuchung. Versuch Nr. 6. Protokollführer: Assistent: Gruppe: B 1 Versuchsprotokoll Die Röhrendiode Versuch Nr 6 vom 20 März 1997 Protokollführer: Assistent: Dirk Sell Bärbel Hosenfeld Gruppe: B 1 Grund der Untersuchung 1 Aufnahme der Strom-Spannungskennlinie Ia=f(Ua)

Mehr

Grundlagen der Datenverarbeitung

Grundlagen der Datenverarbeitung Grundlagen der Datenverarbeitung Bauelemente Mag. Christian Gürtler 5. Oktober 2014 Mag. Christian Gürtler Grundlagen der Datenverarbeitung 5. Oktober 2014 1 / 34 Inhaltsverzeichnis I 1 Einleitung 2 Halbleiter

Mehr

U D. qn I D l n. -qn AI. E max

U D. qn I D l n. -qn AI. E max Der nübergang feststehende Dotieratome n qn D U D l n qn I D l n qn AI qnal l qn A x E max E n l n l x file:///c:/n_uebergang.html file:///c:/drift.html Diffusion.html l n l x n 1 Elektronik I Fünf Punkte

Mehr

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente

Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert

Mehr

R C2 R B2 R C1 C 2. u A U B T 1 T 2 = 15 V. u E R R B1

R C2 R B2 R C1 C 2. u A U B T 1 T 2 = 15 V. u E R R B1 Fachhochschule Gießen-Friedberg,Fachbereich Elektrotechnik 1 Elektronik-Praktikum Versuch 24: Astabile, monostabile und bistabile Kippschaltungen mit diskreten Bauelementen 1 Allgemeines Alle in diesem

Mehr

Versuchsprotokoll. Die Röhrendiode. zu Versuch 25. (Physikalisches Anfängerpraktikum Teil II)

Versuchsprotokoll. Die Röhrendiode. zu Versuch 25. (Physikalisches Anfängerpraktikum Teil II) Donnerstag, 8.1.1998 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Physikalisches Anfängerpraktikum Teil II) zu Versuch 25 Die Röhrendiode 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische

Mehr

E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren

E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren E-Praktikum Dioden und Bipolartransistoren Anna Andrle (55727), Sebastian Pfitzner (553983) Gruppe 12 3. Juli 215 Abstract In diesem Versuch werden die Strom-Spannungskennlinien verschiedener Dioden inklusive

Mehr

Versuchsvorbereitung P1-51

Versuchsvorbereitung P1-51 Versuchsvorbereitung P1-51 Tobias Volkenandt 22. Januar 2006 Im Versuch zu TRANSISTOREN soll weniger die Physik dieses Bauteils erläutern, sondern eher Einblicke in die Anwendung von Transistoren bieten.

Mehr

Dioden. 3.1 Gewöhnliche Dioden. 3.1.1 Symbol und Kennlinie

Dioden. 3.1 Gewöhnliche Dioden. 3.1.1 Symbol und Kennlinie 3 Dioden Unter Dioden verstehen wir hier Halbleiterdioden, also Bauelemente, die einen pn- Übergang enthalten. Nebst den bekannten gewöhnlichen Gleichrichterdioden gibt es noch eine ganze Reihe von Spezialdioden,

Mehr

Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Mathias Arbeiter 20. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Halbleiterbauelemente Statische und dynamische Eigenschaften von Dioden Untersuchung von Gleichrichterschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Schaltverhalten

Mehr

q : Ladung v : Geschwindigkeit n : Dichte der Ladungsträger

q : Ladung v : Geschwindigkeit n : Dichte der Ladungsträger D07 Fotoeffekt D07 1. ZIELE Beim Fotoeffekt werden frei bewegliche Ladungsträger durch die Absorption von Licht erzeugt. Man nutzt den Effekt, um Beleuchtungsstärken elektrisch zu messen. Im Versuch werden

Mehr

UNIVERSITÄT BIELEFELD

UNIVERSITÄT BIELEFELD UNIVERSITÄT BIELEFELD Elektrizitätslehre GV: Gleichstrom Durchgeführt am 14.06.06 Dozent: Praktikanten (Gruppe 1): Dr. Udo Werner Marcus Boettiger Philip Baumans Marius Schirmer E3-463 Inhaltsverzeichnis

Mehr

DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7

DIY. Personal Fabrica1on. Elektronik. Juergen Eckert Informa1k 7 DIY Personal Fabrica1on Elektronik Juergen Eckert Informa1k 7 Ätz und LötTutorial 26.11. Übung: Layout mit Eagle (CadsoL) 3.12. 3 Slots: 1214, 1416 und 1618Uhr st!!! Blink(1) Clone No1fica1on RGB Led Kostenlos

Mehr

ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden

ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden DI Werner Damböck (D.1) (D.2) geg: U 1 = 20V Bestimme den Vorwiderstand R um einen maximalen Strom von 150mA in der Diode nicht zu überschreiten. Zeichne den Arbeitspunkt

Mehr

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe. E 7 - Dioden

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe. E 7 - Dioden 1.8.07 PHYSIKALISCHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 7 - Dioden 1. Grundlagen nterschied zwischen Leitern, Halbleitern und Isolatoren, Dotierung von Halbleitern (Eigen- und Fremdleitung, Donatoren

Mehr

Leistungsbauelemente

Leistungsbauelemente II (Kurs-Nr. 21646), apl. Prof. Dr. rer. nat. Fakultät für Mathematik und Informatik Fachgebiet Elektrotechnik und Informationstechnik ( ) D-58084 Hagen 1 Gliederung Einleitung Physikalische Grundlagen

Mehr

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I

Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum Elektronik I Fachhochschule Münster niversity of Applied Sciences Versuch: 1 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 1:

Mehr

Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1

Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik

Mehr

Schulversuchspraktikum 2000 bei Mag. Monika TURNWALD. Günter EIBENSTEINER Matrikelnummer 9856136 mit Christian J. ZÖPFL

Schulversuchspraktikum 2000 bei Mag. Monika TURNWALD. Günter EIBENSTEINER Matrikelnummer 9856136 mit Christian J. ZÖPFL NTL Baukasten Elektronik Die DIODE Schulversuchspraktikum 2000 bei Mag. Monika TURNWALD Günter EIBENSTEINER Matrikelnummer 9856136 mit Christian J. ZÖPFL INHALTSVERZEICHNIS 1. Lernziele (Seite 3) 2. Stoffliche

Mehr

Formelsammlung Baugruppen

Formelsammlung Baugruppen Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in

Mehr

C04 Operationsverstärker Rückkopplung C04

C04 Operationsverstärker Rückkopplung C04 Operationsverstärker ückkopplung 1. LITEATU Horowitz, Hill The Art of Electronics Cambridge University Press Tietze/Schenk Halbleiterschaltungstechnik Springer Dorn/Bader Physik, Oberstufe Schroedel 2.

Mehr

8. Halbleiter-Bauelemente

8. Halbleiter-Bauelemente 8. Halbleiter-Bauelemente 8.1 Reine und dotierte Halbleiter 8.2 der pn-übergang 8.3 Die Diode 8.4 Schaltungen mit Dioden 8.5 Der bipolare Transistor 8.6 Transistorschaltungen Zweidimensionale Veranschaulichung

Mehr

Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik

Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT

Mehr

E Halbleitertechnik. 1 Leitfähigkeit von Stoffen. 1.1 Leitfähigkeit und Atomaufbau. 1.1.1 Leiter. 1.1.2 Nichtleiter

E Halbleitertechnik. 1 Leitfähigkeit von Stoffen. 1.1 Leitfähigkeit und Atomaufbau. 1.1.1 Leiter. 1.1.2 Nichtleiter -IV.E1- E Halbleitertechnik In unserem Alltag haben wir permanent mit elektronischen Bauteilen zu tun, vom Wecker morgens über den Taschenrechner, die Haushaltsgeräte, den Computer u.v.a. mehr bis (eventuel

Mehr

Bandabstand von Germanium

Bandabstand von Germanium von Germanium Stichworte: Leitfähigkeit, Bändermodell der Halbleiter, Eigenleitung, Störstellenleitung, Dotierung Einführung und Themenstellung Sehr reine, undotierte Halbleiter verhalten sich bei sehr

Mehr

Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente

Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Messtechnik-Praktikum 06.05.08 Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie eine Schaltung zur Aufnahme einer Strom-Spannungs-Kennlinie eines

Mehr

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2 Versuch 2 Bipolartransistoren 1. Einleitung In diesem Versuch werden zunächst die elementaren Eigenschaften bipolarer Transistoren untersucht. Anschließend erfolgt ihr Einsatz in einigen Verstärker- Grundschaltungen.

Mehr

1. Dioden. 1.1 Grundlagen

1. Dioden. 1.1 Grundlagen ANGEWANDTE ELEKTRONIK DIODEN SEITE 1 1. Dioden 1.1 Grundlagen Leiter Halbleiter Isolatoren Ein elektrischer Strom kann nur dann fließen, wenn Ladungsträger zur Verfügung stehen. Der elementare Ladungsträger

Mehr

Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann

Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Fachbereich Ingenieurwissenschaften Institut für Informatik, Automatisierung und Elektronik Praktikum: Bauelemente und Grundschaltungen Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Versuch: BEG 1 Thema:

Mehr

Die erzeugten Reinstsiliziumstäbe werden in sehr dünne Scheiben (Wafer) geschnitten, aus denen schliesslich in vielen weiteren Bearbeitunsgängen die

Die erzeugten Reinstsiliziumstäbe werden in sehr dünne Scheiben (Wafer) geschnitten, aus denen schliesslich in vielen weiteren Bearbeitunsgängen die Halbleiterphysik In der Elektrotechnik wird die elektrische Leitfähigkeit als Kriterium für die Einteilung der Festkörperstoffe verwendet. So erfolgte von Anfang an eine Einteilung der Werkstoffe aufgrund

Mehr

Versuch 1: Linear geregeltes Netzteil

Versuch 1: Linear geregeltes Netzteil Labor Elektronische Schaltungen Prof. Dr. P. Stuwe Dipl.-Ing. A. Hoppe Versuch 1: Linear geregeltes Netzteil Gruppennr... Datum Name:. Name:.. Vortestat Note / Bemerkung Matr.-Nr.:. Matr.-Nr.:....... 1

Mehr

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen

Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren

Mehr

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.

Praktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm. Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll

Mehr

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt

EL1 - Die Diode. E1 - Die Diode Simon Schlesinger Andreas Behrendt EL1 - Die Diode Einleitung: In diesem Versuch beschäftigen wir uns mit der pn-halbleiterdiode. Im ersten Versuchsteil beschäftigen wir uns mit einer grundlegenden Eigenschaft, nämlich die Kennlinien einer

Mehr

auf, so erhält man folgendes Schaubild: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands

auf, so erhält man folgendes Schaubild: Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands Auswertung zum Versuch Widerstandskennlinien und ihre Temperaturabhängigkeit Kirstin Hübner (1348630) Armin Burgmeier (1347488) Gruppe 15 2. Juni 2008 1 Temperaturabhängigkeit eines Halbleiterwiderstands

Mehr

Widerstände Integrierte Schaltkreise Kontakt- und Verbindungselemente

Widerstände Integrierte Schaltkreise Kontakt- und Verbindungselemente signalverarbeitender Systeme Die Bauelemente der Elektronik sind im Sinne der Systemtheorie Elemente. Nicht in allen technischen Disziplinen ist eine systemtheoretische Abbildung der Wirklichkeit so eindeutig

Mehr

Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie

Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Praktikum 3 Aufnahme der Diodenkennlinie Seite Inhalt 2 Einleitung 2 Vorbereitung 2 1. Statische Messung 3 2. Dynamische Messung 5 3. Einpuls-Mittelpunktschaltung 7 azit 8 Anhang Seite 1 Einleitung Bei

Mehr

8.5. Störstellenleitung

8.5. Störstellenleitung 8.5. Störstellenleitung Hochreiner HL ist auch bei Zimmertemperatur schlecht leitfähig geringste Verunreinigungen ändern das dramatisch Frühe Forschung an HL gab widersprüchliche Ergebnisse, HL galten

Mehr

Versuch 21. Der Transistor

Versuch 21. Der Transistor Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor

Mehr

IV. Elektrizität und Magnetismus

IV. Elektrizität und Magnetismus IV. Elektrizität und Magnetismus IV.2. Elektrische Ströme Physik für Mediziner 1 Elektrischer Strom Ein elektrischer Strom fließt, wenn sich Ladungsträger in einer Vorzugsrichtung bewegen. Der Strom I

Mehr

Praktikum Automatisierungstechnik

Praktikum Automatisierungstechnik Prof. Dr.-Ing. Joachim Böcker Praktikum Automatisierungstechnik Versuch Schaltnetzteile (Kurzbezeichnung: SNT) Hinweis: Die Teilnahme am Praktikum wird nur anerkannt, wenn: 1. Die Abgabe der Ausarbeitung

Mehr

NANO III. Operationen-Verstärker. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen

NANO III. Operationen-Verstärker. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen NANO III Operationen-Verstärker Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen Verwendete Gesetze Gesetz von Ohm = R I Knotenregel Σ ( I ) = Maschenregel Σ ( ) = Ersatzquellen Überlagerungsprinzip Voraussetzung:

Mehr

Versuch 1 passive Bauelemente

Versuch 1 passive Bauelemente PRAKTIKUM ANALOGELEKTRONIK WS 2010/2011 VERSUCHSANLEITUNG 1 1 1. Diodenkennlinien Versuch 1 passive Bauelemente Die Diodenkennlinie beschreibt die Abhängigkeit des durch die Diode fließenden Stroms von

Mehr

Bezieht man sich auf die Merkmale der Eingangs- und Ausgangsspannungen, so gibt es vier grundsätzliche Umwandlungsmöglichkeiten.

Bezieht man sich auf die Merkmale der Eingangs- und Ausgangsspannungen, so gibt es vier grundsätzliche Umwandlungsmöglichkeiten. ELECTROTECHNIQE G LEICHRICHTERSCHALTNGEN 1. Stromrichter Stromrichter sind elektrische Netzwerke aus Leistungshalbleitern, wie Leistungsdioden, Thyristoren und Leistungstransistoren, zur kontinuierlichen

Mehr

Laborübung Gegentaktendstufe Teil 1

Laborübung Gegentaktendstufe Teil 1 Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers

Mehr

Leistungselektronik Grundlagen und Standardanwendungen. Übung 6: Verlustleistung und Kühlung

Leistungselektronik Grundlagen und Standardanwendungen. Übung 6: Verlustleistung und Kühlung Lehrstuhl für Elektrische Antriebssysteme und Leistungselektronik Technische Universität München Arcisstraße 21 D 8333 München Email: eal@ei.tum.de Internet: http://www.eal.ei.tum.de Prof. Dr.-Ing. Ralph

Mehr

Feldeffekttransistoren

Feldeffekttransistoren Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie

Mehr

Thermosensoren Sensoren

Thermosensoren Sensoren Thermosensoren Sensoren (Fühler, Wandler) sind Einrichtungen, die eine physikalische Grösse normalerweise in ein elektrisches Signal umformen. Die Messung der Temperatur gehört wohl zu den häufigsten Aufgaben

Mehr

Leseprobe. Uwe Probst. Leistungselektronik für Bachelors. Grundlagen und praktische Anwendungen ISBN: 978-3-446-42734-1

Leseprobe. Uwe Probst. Leistungselektronik für Bachelors. Grundlagen und praktische Anwendungen ISBN: 978-3-446-42734-1 Leseprobe Uwe Probst Leistungselektronik für Bachelors Grundlagen und praktische Anwendungen ISBN: 978-3-446-42734-1 Weitere Informationen oder Bestellungen unter http://www.hanser.de/978-3-446-42734-1

Mehr

Versuch B1/5: Die Halbleiterdiode als Gleichrichter

Versuch B1/5: Die Halbleiterdiode als Gleichrichter Versuch B1/5: Die Halbleiterdiode als Gleichrichter 5.1 Physik der Halbleiterdiode 5.1.1 n und p Leitung im Halbleiter Wie auch in isolierenden Materialien findet man in Halbleitern für die Elektronen

Mehr

Elektrik Grundlagen 1

Elektrik Grundlagen 1 Elektrik Grundlagen. Was versteht man unter einem Stromlaufplan? Er ist die ausführliche Darstellung einer Schaltung in ihren Einzelheiten. Er zeigt den Stromverlauf der Elektronen im Verbraucher an. Er

Mehr

MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik

MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester

Mehr

Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte)

Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte) 1 Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte) Gegeben ist die Planarspule gemäß Abb. 1.1. Die Leiterbahnen sind aus Kupfer, das Trägermaterial ist Teflon. Die Spule soll als Filterelement (Drossel) für ein 1 GHz-Signal

Mehr

Widerstandskennlinien

Widerstandskennlinien Physikalisches Anfängerpraktikum 2 Gruppe Mo-16 Sommersemester 2006 Jens Küchenmeister (1253810) Julian Merkert (1229929) Versuch: P2-52 Widerstandskennlinien - Vorbereitung - Vorbemerkung Der elektrische

Mehr

Messübungen Elektronische Bauteile

Messübungen Elektronische Bauteile ufgaben von Harald Gorbach MÜ3.1 DR und LDR 1. oltage Dependent Resistor Bei der Messung soll das erhalten des spannungsabhängigen Widerstandes ( aristor) bei steigender Spannung untersucht werden. Schaltung

Mehr

Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997

Aufg. P max 1 10 Klausur Elektrotechnik 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997 Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 6141 4 10 am 14.03.1997 5 18 6 11 Σ 71 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene Hilfsmittel

Mehr

Thyristor. n3 + N. Bild 1: Prinzipieller Aufbau und Ersatzschaltbild eines Thyristors

Thyristor. n3 + N. Bild 1: Prinzipieller Aufbau und Ersatzschaltbild eines Thyristors Beuth Hochschule für Technik Berlin Fachbereich VI Informatik und Medien Labor für utomatisierungstechnik, B054 WiSe 2009/2010 Elektrische Systeme Labor (ESÜ29) Studiengang Technische Informatik Thyristor

Mehr

16.Erzeugung ungedämpfter elektromagnetischer Schwingungen

16.Erzeugung ungedämpfter elektromagnetischer Schwingungen 16.Erzeugung ungedämpfter elektromagnetischer Schwingungen Wird bei einem elektromagnetischen Schwingkreis eine Schwingung erzeugt, so tritt stets das Problem auf, dass diese gedämpft wird. Es werden jedoch

Mehr

Experiment Audio-Elektronik

Experiment Audio-Elektronik Experiment Audio-Elektronik Workshop April 2008 2008 Schweizerische Gesellschaft für Mechatronische Kunst 1 Überblick 1. Grundbegriffe der Elektronik 2. Löttechnik 3. Bauteilkunde 4. Experiment Oszillator

Mehr

In TARGET 3001! simulierte Schaltungen

In TARGET 3001! simulierte Schaltungen In TARET 31! simulierte Schaltungen Technisches ymnasium Inhaltsverzeichnis 1 Kennlinien Diode, ZDiode, LED... 1.1 Kennlinie Diode... 1. Kennlinie rote LED... 1.3 Kennlinie ZDiode... Diodenschaltungen

Mehr

Inhalt. Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe. Universität Stuttgart

Inhalt. Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe. Universität Stuttgart Universität Stuttgart Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Abt. Elektrische Energiewandlung Prof. Dr.-Ing. N. Parspour Inhalt 4 Halbleiterelektronik Diode... 4-1 4.1 Leitungsmechanismus

Mehr