cb'e CcBo Ccv Gee Ccap CEBO CEv CEap bu, b12, ~1. ~2 C11c

Größe: px
Ab Seite anzeigen:

Download "cb'e CcBo Ccv Gee Ccap CEBO CEv CEap bu, b12, ~1. ~2 C11c"

Transkript

1 Literaturverzeichnis [1] Schubert, J.: ROhre und Transistor als Vierpol. (Telefunken-Fachbuch) 2. Aufiage. Franzis-Verlag [2] Kirschbaum, H.D.: Transistorverstii.rker. Band 1 Technische Grundlagen. Teubner Stuttgart. 4. Aufiage 1989 [3] Kirschbaum, H.D.: Transistorverstii.rker. Band 3 Schaltungstechnik Teil2. Teubner Stuttgart. 3.Aufiage 1992 [4] Kulp, M.: Rohren- und Transistorschaltungen, Teil IV-V, Transistortechnik. Vandenhoeck u.r. Gottingen [5] Unger, H.-G., Schultz, W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke II. 2. Aufiage. Vieweg Braunschweig [6] Meinke, H., Gundlach, F.W.(Hrsg.): Taschenbuch der Hochfrequenztechn 3. Aufiage. Springer-Verlag [7] Funktechnische Arbeitsbliitter: Mth 85 Der Transistor und die Vierpol-s-Parameter. Franzis-Verlag. Miinchen [8] RCA Handbuch: Halbleiterschaltungen der Leistungselektronik. Alfred Neye-Enatechnik GmbH. Hamburg [9) Funktechnische Arbeitsblatter: Mth 87 Das Kreisdiagramm. Franzis-Verlag. Miinchen [10) Funktechnische Arbeitsblatter: Mth 88 Das Arbeiten mit dem Kreisdiagramm. Franzis-Verlag. Miinchen [11) Funktechnische Arbeitsblatter: Mth 89 Das Kreisdiagramm {Anwendungsbeispiele). Franzis-Verlag. Miinchen [12) Funktechnische Arbeitsbllitter: Fi 32 AntennenanpaB-Schaltungen im Smith-Diagramm. Franzis-Verlag. Miinchen [13) Geschwinde, H.: Kreis- und Leitungsdiagramme. 3. Aufiage. Franzis-Verlag. Miinchen (14] Stadler, E.: Hochfrequenztechnik. Vogel-Verlag [15) Rothe, H.: Das Kleinsignal-Ersatzschaltbild des Transistors. A.E.U.19{1965) S [16) Ebel, T.: Regelungstechnik. Teubner Stuttgart 1973; 6.Aufiage [17) Bronstein/Semendjajew: Taschenbuch der Mathematik. 8. Aufiage. Verlag Harri Deutsch [18) Telefunken Laborbuch. Band Aufiage. Franzis-Verlag 1961.

2 241 [19] Mausl, R.: Beeinfl.ussung der Eigenschaften eines Verstarkers durch GK. elektronik-industrie (1974). [20] Valvo: Transistor-Kompendium Teil III [21] Tietze, U., Schenk, Ch.: Halbleiter-Schaltungstechnik. 3. Aufl.age. Springer-Verlag 1974; 9.Aufl.age [22] Telefunken Laborbuch. Band Aufl.age. Franzis-Verlag [23] Shea, R.F.: Transistortechnik. 2. Aufl.age. Berliner Union. [24] Gad/Fricke: Grundlagen der Verstarker. Teubner Stuttgart [25] Ebinger, A.: Komplexe Rechnung. (Telefunken-Fachbuch) Elitera-Verlag. Berlin 1973 (26] Michel, H.-J.: Zweitor-Analyse mit Leistungswellen. Teubner Stuttgart [27] Ulbricht, G.: Netzwerkanalyse, Netzwerksynthese und Leitungstheorie. Teubner Stuttgart [28] Freitag, H.: Einfiihrung in die Zweitortheorie. Teubner Stuttgart Die Seitenangaben bei Literaturbeziigen im Buchtext beziehen sich stets auf die erstgenannte Aufl.age. Formelzeichen: Die Formelzeichen aus [2] werden konsequent weiter benutzt und nicht erneut aufgefiihrt. b bu, b12, ~1. ~2 C11c cb'e CcBo Ccv Gee Ccap CEBO CEv CEap em Bandbreite (b = fh - It) siehe Gl.(70) innere Basis-Kollektor-Kapazitat innere Basis-Emitter-Kapazitat Kollektor-Basis-Kapazitat bei offenem Emitter Kollektor-Diffusionskapazitat Kollektor-Emitter-Kapazitat Kollektor-Sperrschichtkapazitat Emitter-Basis-Kapazitat bei offenem Kollektor Emitter-Diffusionskapazitat Emitter-Sperrschichtkapazitat Miller-Kapazitat

3 242 Cur Csch cll,c12,c21,c22 Ia lp IPl 11 1: 1:' li I,U ltul If ltcv h 9/lc 911e 9ce 9m 9n, 912, 921! 922 hu, h12, h21, h22 k;u kui Pg Pv Pt1 Pvg pl p2 rw rwciic T/w rst s S' Riickwirkungskapazita.t ( = -C12) Schaltkapazita.t siehe Seite 80 Alpha-Grenzfrequenz Beta-Grenzfrequenz Einsfrequenz ( = h) Gamma-Grenzfrequenz obere Grenzfrequenz der Spannungsverstarkung ohne GK obere Grenzfrequenz der Spannungsverstarkung mit GK untere Grenzfrequenz der Stromverstarkung untere Grenzfrequenz der Spannungsverstarkung ohne GK untere Grenzfrequenz der Spannungsverstarkung mit GK untere Grenzfrequenz der Leistungsverstarkung untere Grenzfrequenz, verursacht durch C, 'llansitfrequenz innerer Basis-Kollektor-Leitwert innerer Basis-Emitter-Leitwert Kollektor-Emitter-Leitwert innere Steuersteilheit ( = S') siehe Gl.(63) siehe Seite 26 und 27 Gegenkopplungsfaktor der Strom-Spannungs-GK Gegenkopplungsfaktor der Spannungs-Strom-GK Gegenkopplungsgrad in db Spannungsverstarkung in db Spannungsverstarkung mit GK in db verfiigbare Leistung der Steuerquelle Eingangswirkleistung ( = Steuerleistung) Ausgangswirkleistung Basis-Bahnwiderstand Riickwirkungszeitkonstante wirksamer Innenwiderstand der Steuerquelle wirksamer Lastwiderstand elektrisch steuerbarer Widerstand aubere Steilheit innere Steilheit ( = 9m)

4 243 v; Betriebs-Stromverstii.rkung Vu Betriebs-Spannungsverstii.rkung v! Spannungsverstii.rkung auf Generatorspannung u 9 bezogen siehe Seite 59 v!* Spannungsverstii.rkung auf Generatorspannung u0 bezogen siehe Seite 59 Vp Klemmen-Leistungsverstii.rkung Vpopt maximale Leistungsverstii.rkung vpii Ubertragungs-Leistungsverstii.rkung Vpv verfiigbare Leistungsverstii.rkung Lw wirksarne lnnenadmittanz der Steuerquelle Lw wirksame Lastadmittanz Y11! Y12, Y21. Y22 siehe Seite 77 ao Niederfrequenzwert von a f3o Niederfrequenzwert von {3 T Laufzeit (transit time) Abkiirzung GK Gegenkopplung An hang Gesetze der komplexen Rechnung ~ = a + jb = 1~1 e;'p Re(~) = a = 1~1 cos <p 1~1 = v'a2 + b2 (~1 ± ~2)* = ~i ± ~2 (~d~2)* = ~i/~2 ~ + ~ = 2Re(~) (~*)* = ~ ~ = a - jb = 1~1 e-j<p Im(~) = b = l~lsin<p (ohne die imag. Einheit j) tan<p = bfa (~1. ~) = ~i. ~2 ~. ~ = 1~1 2 ~- ~ = 2jlm(~)

5 Sachregister Alpha-Grenzfrequenz Darlington- Anfangsstufen Schaltung Anpassung... 65, 89, 238 -Transistor Ausgang... 7 Determinante Ausgangsadmittanz- Dezibel , 194, 206, 233 Betriebs Diffusionskapaszitat- KurzschluB Ernitter Leerlauf Kollektor Ausgangs- -kapazitat Eingang kreis... 7 Eingangsadrnittanz- -spannung... 8 Betriebs strom... 8 KurzschluB widerstand Eingangs- -wirkleistung... 11, 87 -kapazitat Arbeitspunkt kreis... 7 Aussteuerbereich leistung widerstand... 8, 27, 51 Bandbreite... 17, 196 Einsfrequenz Bandrnitte Ernitter-Basis-Kapazitat Bandrnittenfrequenz Ernitterfolger Basisbahnwiderstand , 119 Ernitterkondensator Basispunkt, innerer Ernitter-Schaltung- Basis-Schaltung Ersatzschaltbild , 113, 114 -Ersatzschaltbild 109,146,147,148 Endstufe Beschaltung, aubere Entzerrung Beta-Grenzfrequenz Ersatzschaltbild- BetriebskenngroBen Funktions Betriebsschaltung Giacoletto , 125 Bode-Diagramm , 223, 233 physikalisches bootstrap-schaltung , 189 Transistor Breitbandverstiirker... 17, 194 Vierpol , 91

6 245 Frequenzgang , 199, 224 Innenwiderstand- Frequenzgrenze optimaler , 90 Fourieranalyse... 16, 20 Transistor galvanische Kopplung , 236 Gegenkopplung , 207, 215 Gegenkopplungfrequenzabhii.ngige Spannungs-Spannungs Spannungs-Strom Strom-Spannungs Strom-Strom iiber mehrere Stufen Gegenkopplungsfaktor 160,184,188 Gegenkopplungsgrad , 184 Geha.usekapazitat Gleichstromverstii.rker Grenzfrequenz- Alpha Beta Gamma obere Steilheits Transistor untere , 216, 219, 220 GroBsignalbetrieb GroBsignalverstii.rker HF-Verstii.rker Hohenabsenkung Hohenanhebung h-para.meter Zusammenhang zwischen den- 31 Hybridpara.meter lnnenadmittanz, wirksa.me wirksa.mer Kapazitaten- Betriebs Transistor Kaskadenschaltung Kaskodeschaltung Kettenschaltung Kleinsignalbetrieb... 18, 20 Kleinsignalverstii.rker Klemmen- Leistungsverstii.rkung... 60, 89 Kollektor-Basis-Kapazitat Kollektor-Schaltung Koppelkondensator C Koppelkondensator C Koppelkondensator C Kopplungsart... 19, 216 KurzschluB- -Eingangswiderstand Stromverstii.rkung Lastwiderstandwirksa.mer , 86 optimaler , 90 Laufzeit Leerlauf- -Ausgangsleitwert Spannungsriickwirkung Leistungsanpassung... 65, 89 Leistungsverstii.rker Leistungsverstii.rkung- Klemmen , 89

7 246 maximale , 91, 134 Signalquelle... 8 ijbertragungs Smith-Diagramm verfiigbare Spannungsbegrenzung Leitwertparameter Spannungsriickwirkung, Leerlauf Matrizenschreibweise Spannungssteuerung MeBschaltung, h-parameter Spannungsverstii.rker Miller-Effekt Spannungsverstii.rkung- Miller-Kapazitiit , 185 Betriebs , 87 Mitkopplung , 204 GroBenordnung Leerlauf Niederfrequenz-Verstii.rker S-Parameter Nutzsignal Spektrum- -diskretes Ortskurve... 77, 121, 126 -kontinuierliches Sperrschichtkapazitiit , 116 Parallel-Parallelschaltung Steilheit... 42, 109 Phasenbeziehungen Steilheitsgrenzfrequenz Steuerleistung Quellen, gesteuerte , 109 Steuerspannung... 9 Steuersteilheit, innere R.aumladungskapazitiit Steuerstrecke... 7, 127, 132 RC-Kopplung Steuerquelle... 8 Riickkopplung Storsignal innere Strombegrenzung Riickwirkungs- Stromsteuerung kapazitiit Stromverstii.rkung- -leitwert Betriebs , 86 -zeitkonstante KurzschluB , 125 Stromquelle, gesteuerte Schaltkapazitiit , 117 symmetrische Aussteuerung Schleifenverstii.rkung Schmalbandverstii.rker Tiefenanhebung Schwingfrequenz, maximale Transformator (Nachteile) Selbsterregung Transformator-Kopplung selektiver Verstii.rker Transistor, innerer , 119

8 247 Transitfrequenz , 129 Vierpol, aldiver Transit time Vierpolgleichungen Treiberstufe... 19, 103 -Admittanzform Hybridform Ubertragungsadmittanz, Vierpolparameter KurzschluB- : Vierpoltheorie Ubertragungsgewinn Vollaussteuerung Ubertragungsleistungs- Vorwartssteilheit verstarkung W ellenwiderstand verfiigbare Leistung Widerstand, elektrisch Verstarker- steuerbar... 7 analoger Wirkleistung arten Breitband , 194 y-parameter... 79, 85, 119 einstufiger GroBsignal ZF-Verstarker HF Zuleitungsinduktivitii.t Kleinsignal Leistungs mehrstufiger NF Prinzipschaltbild... 7, 10 Schmalband selektiver Spannungs stufe ZF Verstarkungii.uBere innere Verstarkungs- Bandbreiteprodukt , 197 -faktor, innerer Verzerrungen, lineare Vierpol... 21

9 TEUBNER SfUDIENSKRIPTEN (TSS) UNO LEHRBOCHER FOR INGENIEURE - Eine Auswahl fiir den Elektrotecbniker - Dorrscheidt/Latzel, Grundlagen der Regelungstechnik 2., durchgesehene Auflage. Duyan/Hahnloser/Traeger, PSpice 2., vollstiindig iiberarbeitete und aktualisierte Auflage. Ebel, Regelungstechnik 6., iiberarbeitete Auflage. Ebel, Beispiele und Aufgaben zur Regelungstechnik 4., iiberarbeitete Auflage. Freitag, Einfiibrung in die Zweitortheorie 4., durchgesehene Auflage. Gad/Fricke, " "nrllaeen der Verstiirker Hilpert, H 3., e1 Kirschbaur Band 4., { Ban 4., Ban 3., Klein/Dt Paul, El 3., --- DH =l ~W/ Schlachetzki, Halbleiter-Elektronik Ulbricht, Netzwerkanalyse, Netzwerksynthese und Leitungstheorie Vaske, Berechnung von Gleichstromschaltungen 5., durchgesehene Auflage. Geb. DM 64,-- (TSS) DM 23,80 (TSS) DM 21,80 (TSS) DM 17,80 (TSS) DM 19,80 Kart. DM 54,-- A 18,80 M 23,80 >M 23,80 JM 23,80 DM 32,-- DM 27,80 DM 44,80 (TSS) DM 18,80 (TSS) DM 19,80 Vaske, Berechnung von Wechselstromschaltungen 4., durchgesehene Auflage. TSS: Teubner Studienskri TSB: Teubner Studienbiici

Vorlesung Elektronik I 1 I 2 U 2

Vorlesung Elektronik I 1 I 2 U 2 UniversitätPOsnabrück Fachbereich Physik Vorlesung Elektronik I Dr. W. Bodenberger Verstärker mit Transistoren Abgeschlossener Vierpol in h - Parameter Darstellung. / C 8 EA HF D 2 = H= A JA H, = HI JA

Mehr

Röhre und Transistor als Vierpol

Röhre und Transistor als Vierpol TELEF'UNKEN-FACHBUCH Röhre und Transistor als Vierpol Mit 121 Bildern 1. Auflage FRANZIS-VERLAG MÜNCHEN Verlag der G. Franz'schen Buchdruckerei G. Emil Mayer Inhaltsverzeichnis 1. Vorbemerkungen Seite

Mehr

Kapitel 1. Kleinsignalparameter

Kapitel 1. Kleinsignalparameter Kapitel 1 Kleinsignalparameter Der Name analoge Schaltung drückt aus, dass das Ausgangssignal dieser Schaltung immer stufenlos dem Eingangssignal folgt, d. h. in irgendeiner Form eine Proportionalität

Mehr

Operationsverstärker. 24. Mai Martin Albert

Operationsverstärker. 24. Mai Martin Albert Operationsverstärker - Martin Albert - - 24. Mai 2006 - Gliederung Einführung Grundlagen Grundlegende Schaltungen spezielle Typen 2 Gliederung Einführung Begriff OPV Grundlagen Transistor Grundschaltungen

Mehr

Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................

Mehr

Analogtechnik multimedial

Analogtechnik multimedial Analogtechnik multimedial + cb-ufh Dr.-Ing. Hermann Deitert Prof. Dr.-Ing. habil. Mathias Vogel Mit 85 Bildern, 68 Übungen mit Lösungen und einer CD-ROM Fachbuchverlag Leipzig im Carl Hanser Verlag Inhaltsverzeichnis

Mehr

Schaltungen & Systeme

Schaltungen & Systeme Prof. Dr. P. Pogatzki en für Kommunikationstechniker an der 2/26 Aufgabe 1: Gegeben ist die folgende Schaltung bestehend aus idealen passiven Elementen. R2 R=50 Ohm Port P1 C1 C=1.0 pf L1 L=1.0 nh R=0

Mehr

Aufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?

Aufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters? Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters

Mehr

Vorlesung Elektronik - Eine kleine Backmischung. 12. Juli 2006

Vorlesung Elektronik - Eine kleine Backmischung. 12. Juli 2006 Vorlesung Elektronik - Eine kleine Backmischung 2. Juli 2006 Inhaltsverzeichnis Einführung 3 2 Grundformeln zur Berechnung 3 2. Allgemeine Halbleiterformeln.................................. 3 2.2 pn-übergang/diode.......................................

Mehr

Abbildung 16: Differenzverstärker

Abbildung 16: Differenzverstärker U: Latex-docs/Angewandte Physik/2004/VorlesungWS04-05, 4. November 2004 20 1.2.3 Differenzverstärker Das Prinzipschaltbild eines Differenzverstärkers ist in Abb. 16 gezeigt. Es handelt sich Abbildung 16:

Mehr

HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN

HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN Höhere Abteilung für Elektronik Technische Informatik Klasse / Jahrgang: 3BHELI Gruppe: 2 / a Übungsleiter: Prof. Dum Übungsnummer: V/3 Übungstitel: Transistor

Mehr

Kapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines

Kapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines Kapitel 2 Grundschaltungen 2.1 Allgemeines Die bisherige Beschreibung der Transistoren hatte sich auf den Fall beschränkt, dass die Emitter- bzw. Source-Elektrode die dem Eingang und dem Ausgang gemeinsame

Mehr

Uwe Naundorf. Analoge Elektronik. Grundlagen, Berechnung, Simulation. Hüthig Verlag Heidelberg

Uwe Naundorf. Analoge Elektronik. Grundlagen, Berechnung, Simulation. Hüthig Verlag Heidelberg Uwe Naundorf Analoge Elektronik Grundlagen, Berechnung, Simulation Hüthig Verlag Heidelberg Inhaltsverzeichnis 1 Bauelemente 1 1.1 Nichtlinearer Widerstand 1 1.1.1 Allgemeine Beschreibung 1 1.1.2 Großsignalverhalten

Mehr

Kennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1

Kennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1 Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5

Mehr

4. Bipolar-Transistoren

4. Bipolar-Transistoren 4. ipolar-transistoren 1. Funktionsweise eines npn-transistors 2. Kennlinien 3. Transistor-Grundschaltungen 4. Frequenzverhalten Funktionsprinzip eines npn-transistors andverlauf: p-asis ist steuerbare

Mehr

PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR

PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker

Mehr

Projektlabor Sommersemester 2009 Mathis Schmieder. Operationsverstärker 1

Projektlabor Sommersemester 2009 Mathis Schmieder. Operationsverstärker 1 Operationsverstärker Projektlabor Sommersemester 2009 Mathis Schmieder Operationsverstärker 1 Was ist ein OPV? Gliederung Geschichte des Operationsverstärkers Genereller Aufbau und Funktion Ideale und

Mehr

A1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe

A1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen

Mehr

RC - Breitbandverstärker

RC - Breitbandverstärker Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll

Mehr

Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen

Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung

Mehr

NF Verstärker mit Germaniumtransistoren

NF Verstärker mit Germaniumtransistoren NF Verstärker mit Germaniumtransistoren Allgemeines Der vorliegende NF Verstärker ist mit Germaniumtransistoren aufgebaut und liefert bei einer Betriebsspannung von 9 V eine Ausgangsleistung von 1,3 W

Mehr

Praktikum Elektronik

Praktikum Elektronik Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel. (0351) 462 2437 ~ Fax (0351)

Mehr

Grundschaltungen der Analogtechnik

Grundschaltungen der Analogtechnik Grundschaltungen der Analogtechnik Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) mit Kondensator Zweipuls-Mittelpunktschaltung (M2) Zweipuls Brückenschaltung (B2) Zweipuls Brückenschaltung

Mehr

NTB Druckdatum: ELA I

NTB Druckdatum: ELA I GLEICHSTROMLEHRE Einführende Grundlagen - Teil 1 Elektrische Ladung Elektrische Stromdichte N elektrische Ladung Stromstärke Anzahl Elektronen Elementarladung elektrische Stromdichte Querschnittsfläche

Mehr

Versuch B1/4: Zweitore

Versuch B1/4: Zweitore Versuch B1/4: Zweitore 4.1 Grundlagen 4.1.1 Einleitung Ein elektrisches Netzwerk, das von außen durch vier Anschlüsse zugänglich ist, wird Zweitor genannt. Sind in einen Zweitor keine Quellen vorhanden,

Mehr

Verstärker in Emitter-Schaltung

Verstärker in Emitter-Schaltung Verstärker in Emitter-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 2.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis 1

Mehr

SS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker

SS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische

Mehr

Abschlussprüfung. Elektronische Bauelemente. Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor. Name: Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing.

Abschlussprüfung. Elektronische Bauelemente. Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor. Name: Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Name: Abschlussprüfung Elektronische Bauelemente WS2010/11 Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 26.1.2011 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder

Mehr

8. Endstufenschaltungen

8. Endstufenschaltungen 8.1 Einleitung Wie im Kapitel über die Audiotechnik bereits diskutiert, ist es die Aufgabe des Leistungsverstärkers, auch Endstufe genannt, den Innenwiderstand der Schaltung so weit herabzusetzen, dass

Mehr

Verstärker in Kollektor-Schaltung

Verstärker in Kollektor-Schaltung Verstärker in Kollektor-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 16.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis

Mehr

Günter / Kusmin: Aufgabensammlung zur Höheren Mathematik, Band 1 5.Auflage, 1966, 507 Seiten VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften

Günter / Kusmin: Aufgabensammlung zur Höheren Mathematik, Band 1 5.Auflage, 1966, 507 Seiten VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften Günter / Kusmin: Aufgabensammlung zur Höheren Mathematik, Band 1 5.Auflage, 1966, 507 Seiten VEB Deutscher Verlag der Wissenschaften Analytische Geometrie, Differentialrechnung, Höhere Algebra, Integralrechnung,

Mehr

Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen

Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild

Mehr

19. Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker

19. Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker 9. Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker Aufgabe: Die Wirkung komplexer Koppelfaktoren auf den Frequenzgang eines Verstärkers ist zu untersuchen. Gegeben: Eine Schaltung für einen nichtinvertierenden

Mehr

E l e k t r o n i k I

E l e k t r o n i k I Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Bipolare Transistoren

Mehr

1 Grundprinzip eines Bipolartransistors

1 Grundprinzip eines Bipolartransistors Hochfrequenztechnik I Bipolare Transistoren BPT/1 1 Grundprinzip eines Bipolartransistors Ein bipolarer Transistor besteht aus einer pnp-schichtenfolge (pnp-transistor) bzw. einer npn-schichtenfolge (npn-transistor).

Mehr

Referat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005

Referat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005 Holger Markmann Referat Operationsverstärker Wintersemester 2004/2005... 1 Prinzipieller Aufbau eines OPs... 1 Grundschaltungen eines OPs mit dazugehörigen Kennlinien... 2 Frequenzverhalten eines OPs...

Mehr

Elektrotechnik und Elektronik für Informatiker

Elektrotechnik und Elektronik für Informatiker Elektrotechnik und Elektronik für Informatiker Band 1 Grundgebiete der Elektrotechnik Von Prof. Dr.-Ing. Reinhold Paul Technische Universität Hamburg-Harburg 2., durchgesehene Auflage Mit 282 Bildern und

Mehr

Funktionsprinzip: P P. Elektrische Leistung (DC) Leistungs- Verstärker. Lautsprecher. Thermische Verlustleistung (Wärme) Wirkungsgrad:

Funktionsprinzip: P P. Elektrische Leistung (DC) Leistungs- Verstärker. Lautsprecher. Thermische Verlustleistung (Wärme) Wirkungsgrad: eistungsverstärker Funktionsprinzip: Elektrische eistung () Elektrische Signale (AC) Ue(t) eistungs- Verstärker Elektr. eistung (AC) autsprecher neumatische eistung uftdruckänderung Thermische Verlustleistung

Mehr

Ersatzschaltbild eines Operationsverstärkers für den Betrieb bei niederen Frequenzen

Ersatzschaltbild eines Operationsverstärkers für den Betrieb bei niederen Frequenzen Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Prof. Dr.-Ing. J. Roth-Stielow Ersatzschaltbild eines Operationsverstärkers für den Betrieb bei niederen Frequenzen Unterlagen zur Vorlesung Regelungstechnik

Mehr

von Robert PAPOUSEK 4.2 Gegentaktverstärker: Bild 1:PRINZIP DER DARLINGTONSCHALTUNG

von Robert PAPOUSEK 4.2 Gegentaktverstärker: Bild 1:PRINZIP DER DARLINGTONSCHALTUNG von Robert PAPOUSEK INHALTSVERZEICHNIS: 1.Anforderungen an Leistungsverstärker 2.Grundlagen 3.Leistungsstufen: 3.1 Parallelschalten von Transistoren 4. A- und B-Betrieb: 4.1 Eintaktverstärker 4.2 Gegentaktverstärker

Mehr

Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2

Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer

Mehr

Der Bipolar-Transistor

Der Bipolar-Transistor Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,

Mehr

Elektronik für Nebenfächler

Elektronik für Nebenfächler 11-1 Elektronik für Nebenfächler Vorbereitung: Halbleiter und deren charakteristische Eigenschaften, einfache Halbleiterbauelemente: Heißleiter NTC, Kaltleiter PTC, Photowiderstand LDR, Eigenleitung, Störstellenleitung,

Mehr

1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12

1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12 Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten

Mehr

Aufgabe 1 Bipolare Transistoren

Aufgabe 1 Bipolare Transistoren 2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild

Mehr

7. Kenndaten eines Audioverstärkers

7. Kenndaten eines Audioverstärkers 7.1 Allgemeines Im Kapitel über die Audiotechnik wurde bereits diskutiert, dass ein Vollverstärker meist zweistufig aufgebaut ist. Die erste Stufe, auch Vorstufe genannt, dient vor allem dazu die Spannung

Mehr

Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung

Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen

Mehr

rtllh Grundlagen der Elektrotechnik Gert Hagmann AULA-Verlag

rtllh Grundlagen der Elektrotechnik Gert Hagmann AULA-Verlag Gert Hagmann Grundlagen der Elektrotechnik Das bewährte Lehrbuch für Studierende der Elektrotechnik und anderer technischer Studiengänge ab 1. Semester Mit 225 Abbildungen, 4 Tabellen, Aufgaben und Lösungen

Mehr

E l e k t r o n i k III

E l e k t r o n i k III Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k III Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig im WS 2003/04 Elektronik III

Mehr

PSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik

PSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang

Mehr

Labor Elektronik. Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker. Teilnehmer: ... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...)

Labor Elektronik. Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker. Teilnehmer: ... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...) Labor Elektronik Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker Teilnehmer:... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...) Datum der Simulation: 09.12.2008 Datum der Messung: 23.12.2008 Allgemeines: Labor Elektronik,...,

Mehr

Elektrotechnik für Ingenieure - Formelsammlung

Elektrotechnik für Ingenieure - Formelsammlung Elektrotechnik für Ingenieure - Formelsammlung Elektrotechnik kompakt Bearbeitet von Wilfried Weißgerber 5. Auflage 2015. Buch. XV, 204 S. Kartoniert ISBN 978 3 658 09089 0 Format (B x L): 16,9 x 24,1

Mehr

Nachzulesen unter: Kirchhoff sche Gesetze, Ohm'sches Gesetz für Gleich- und Wechselstrom, Operationsverstärker.

Nachzulesen unter: Kirchhoff sche Gesetze, Ohm'sches Gesetz für Gleich- und Wechselstrom, Operationsverstärker. 248/ 248/2 248 Spannungsverstärker Ziel des Versuchs: Man soll sich mit den grundlegenden Eigenschaften eines idealen und realen Operationsverstärkers vertraut machen und die Kennlinien des Verstärkers

Mehr

Institut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik,

Institut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik, Feldeffekttransistoren 1 JFET Sperrschicht - FET (Junction FET) Sperrschicht breitet sich mit Ansteuerung in den Kanal aus und sperrt diesen Es gibt zwei Arten n-kanal, p-kanal 2 JFET Schaltzeichen 3 Das

Mehr

Analoge Signalverarbeitung

Analoge Signalverarbeitung Lutz v. Wangenheim Analoge Signalverarbeitung Systemtheorie, Elektronik, Filter, Oszillatoren, Simulationstechnik Mit 119 Abbildungen STUDIUM VIEWEG+ TEUBNER In halt 1 Allgemeine System- und Riickkopplungstheorie

Mehr

AFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand

AFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin.  Stand Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe

Mehr

Breitbandverstärker. Samuel Benz. Laborbericht an der Fachhochschule Zürich. vorgelegt von. Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich

Breitbandverstärker. Samuel Benz. Laborbericht an der Fachhochschule Zürich. vorgelegt von. Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Breitbandverstärker Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 7. Juni 2003 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis Vorgaben.

Mehr

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes

Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder

Mehr

Schaltungstechnik

Schaltungstechnik KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle

Mehr

Unipolar-Transistor, FET, MOSFET

Unipolar-Transistor, FET, MOSFET msw / Kern 01-2016 FET-Uebersicht 1/6 Unipolar-Transistor, FET, MOSFET Ueberblick und Kurzrepetition FET/MOSFET (vs. Bipolartransistor) Inhalt: - FET/MOSFET anschauliche Betrachtung anhand Modell - Begriffe

Mehr

Aufgabe 1: Resistiver Touchscreen (20 Punkte)

Aufgabe 1: Resistiver Touchscreen (20 Punkte) 1 Aufgabe 1: Resistiver Touchscreen (20 Punkte) Gegeben sind zwei Widerstandsfilme aus Indiumzinnoxid, die auf einen Glasträger aufgedampft wurden. Diese sollen zur Realisierung eines berührungsempfindlichen

Mehr

Strukturbildung und Simulation technischer Systeme. Leseprobe aus Kapitel 6 Transformatoren und Übertrager des Buchs

Strukturbildung und Simulation technischer Systeme. Leseprobe aus Kapitel 6 Transformatoren und Übertrager des Buchs Leseprobe aus Kapitel 6 Transformatoren und Übertrager des Buchs Strukturbildung und Simulation technischer Systeme Weitere Informationen zum Buch finden Sie unter strukturbildung-simulation.de 7.3.1 Der

Mehr

Kapitel 5. Leistungsendstufen. 5.1 Der dynamische Lautsprecher

Kapitel 5. Leistungsendstufen. 5.1 Der dynamische Lautsprecher Kapitel 5 Leistungsendstufen 5.1 Der dynamische Lautsprecher In aller Regel arbeiten Leistungsendstufen auf einen Lautsprecher und nicht auf ohmsche Lasten (Ausname Ohrhörer). In Bild 5.1 ist der rotationssymmetrische

Mehr

Leistungsendstufen. Marcel Franke Projekt Labor SoSe 2010 Gruppe 4: Audio TU Berlin

Leistungsendstufen. Marcel Franke Projekt Labor SoSe 2010 Gruppe 4: Audio TU Berlin Leistungsendstufen Marcel Franke Projekt Labor SoSe 2010 Gruppe 4: Audio TU Berlin Gliederung 1) Leistungsendstufe 2) Klasse A Endstufe 3) Klasse B Endstufe 4) Gegentakt AB Endstufe 5) Klasse D Endstufe

Mehr

Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente

Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente Ziel des Versuchs: Im ersten Teil des Versuchs wird eine einfache Spannungsverstärkerschaltung untersucht. Die Frequenzabhängigkeit der Spannungsverstärkung

Mehr

Praktikum: Schaltungstechnik II Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann

Praktikum: Schaltungstechnik II Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Fachbereich Ingenieurwissenschaften Institut für Informatik, Automatisierung und Elektronik Praktikum: Schaltungstechnik II Vorlesung: Prof. Dr.-Ing. Matthias Viehmann Versuch: ST II-1, 90 min Thema: Transistorschaltungen

Mehr

Musterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten

Musterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit

Mehr

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L9 Arbeitspunkteinstellung von Transistoren 1 von 19 15.03.2008 11:41 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L9-1/19 Damit in einer Anwendung ein Transistor bestimmte, geforderte Eigenschaften aufweist, muss der Bipolartransistor oder Feldeffekttransistor

Mehr

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L10 Kleinsignalanalyse von Transistorschaltungen

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. L10 Kleinsignalanalyse von Transistorschaltungen 1 von 18 15.03.2008 11:42 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK L10-1/18 a) b) Zur Verstärkung kleiner Signale (im allgemeinen < ca. 10mV) werden Bipolartransistoren oder Feldeffekttransistoren verwendet. Damit

Mehr

Praktikum Elektronik für Wirtschaftsingenieure

Praktikum Elektronik für Wirtschaftsingenieure Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel.(0351) 462 2437 ~ Fax (0351)

Mehr

Unison Research UNICO 150

Unison Research UNICO 150 Unison Research UNICO 150 Ein neuer Hybrid-Vollverstärker entworfen nach den wissenschaftlichen und klanglichen Vorstellungen des Unison Entwicklungsteams. Unsere Anforderungen haben zu einem Ergebnis

Mehr

evtl. C th,j / C th,c Kühlkörper NTC's ("negative temperature coefficient" Heißleiter) Sonstiges Temperatur, die an der Sperrschicht abfällt: T J

evtl. C th,j / C th,c Kühlkörper NTC's (negative temperature coefficient Heißleiter) Sonstiges Temperatur, die an der Sperrschicht abfällt: T J Kühlkörper Temperatur, die an der Sperrschicht abfällt: T J P V ( th,jc th,ck th,k T anfänglicher Temperaturanstieg: (um Temperatursensoren zu dimensionieren (Überwachung P V0 th J τ th T t P V0 C th,k

Mehr

Heiner Herberg. Elektronik. Einführung für alle Studiengänge. Mit 529 Abbildungen. Herausgegeben von Otto Mildenberger. vieweg

Heiner Herberg. Elektronik. Einführung für alle Studiengänge. Mit 529 Abbildungen. Herausgegeben von Otto Mildenberger. vieweg Heiner Herberg Elektronik Einführung für alle Studiengänge Mit 529 Abbildungen Herausgegeben von Otto Mildenberger vieweg VI Inhaltsverzeichnis 1 Einführung 1 1.1 Grandlegende Gesetze 1 1.1.1 Ohmsche Gesetz

Mehr

Elektronik II, Foliensatz 5 Verstärker

Elektronik II, Foliensatz 5 Verstärker G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli 2013 1/43 Elektronik II, Foliensatz 5 Verstärker G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli

Mehr

Thomas Panhofer OPV - Eigenschaften 14. Februar 2001 OPV- EIGENSCHAFTEN. Seite 1

Thomas Panhofer OPV - Eigenschaften 14. Februar 2001 OPV- EIGENSCHAFTEN. Seite 1 OPV- EIGENSCHAFTEN Seite 1 INHALTSVERZEICHNIS Thema Seite 1) Allgemeines... 1 2) Aufbau... 1 3) Idealer OPV... 2 4) Realer OPV... 2 5) Ausgangsaussteuerbarkeit... 3 6) Kenndaten... 4 6.1. Leerlaufverstärkung...

Mehr

Physikalische und 1 mathematische Grundlagen Formeln der Mechanik Formeln der Elektrotechnik

Physikalische und 1 mathematische Grundlagen Formeln der Mechanik Formeln der Elektrotechnik Physikalische und 1 mathematische Grundlagen 11...48 Formeln der Mechanik 49...70 2 Formeln der Elektrotechnik 71...122 3 Formeln der Elektronik 123...154 4 Sachwortregister 155...160 5 Bibliografische

Mehr

Grundlagen der Elektrotechnik

Grundlagen der Elektrotechnik 2008 AGI-Information Management Consultants May be used for personal purporses only or by libraries associated to dandelon.com network. Ingo Wolff Grundlagen der Elektrotechnik Einführung in die elektrischen

Mehr

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe

PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe 18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,

Mehr

Inhaltsverzeichnis. Zusammenstellung häufig verwendeter Formelzeichen und Abkürzungen

Inhaltsverzeichnis. Zusammenstellung häufig verwendeter Formelzeichen und Abkürzungen 2008 AGI-Information Management Consultants May be used for personal purporses only or by libraries associated to dandelon.com network. Grundlagen der Hochfrequenz- Schaltungstechnik von Bernhard Huder

Mehr

Schaltungen und Bausteine der Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik (HMT)

Schaltungen und Bausteine der Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik (HMT) Schaltungen und Bausteine der (HMT) [ S] S S 11 12 = S21 S22 Prof. Dr. M. Hein Seite 1 : 1/2 1. Einführung Bedeutung und Zielsetzung Übersicht über HF-Bauelemente und jüngere Entwicklungen 2. Schaltungen

Mehr

Passive lineare Netzwerke

Passive lineare Netzwerke Prof. Dr.-Ing. habil. P. Vielhauer Passive lineare Netzwerke Mikusinski-Operatoren Leitungstheorie Vieltortheorie Netzwerksynthese tt VEB VERLAG TECHNIK BERLIN Inhaltsverzeichnis I. Mathematische Grundlagen

Mehr

Harald Hartl Edwin Krasser Wolfgang Pribyl Peter Söser Gunter Winkler Elekronische Schaltungstechnik Mit Beispielen in PSpice

Harald Hartl Edwin Krasser Wolfgang Pribyl Peter Söser Gunter Winkler Elekronische Schaltungstechnik Mit Beispielen in PSpice Harald Hartl Edwin Krasser Wolfgang Pribyl Peter Söser Gunter Winkler Elekronische Schaltungstechnik Mit Beispielen in PSpice ein Imprint von Pearson Education München Boston San Francisco Harlow, England

Mehr

Transistor. Wechselstromersatzschaltbild

Transistor. Wechselstromersatzschaltbild niversity of pplied Sciences ologne ampus ummersbach. Danielak T-0 Stand: 9.03.006; 0 uf den vorangegangenen Seiten wurde der rbeitspunkt des s durch eine Beschaltung von Widerständen definiert. Die rbeitspunkte

Mehr

VERSTÄRKER. Best Of Elektronik. Florian Kurcz

VERSTÄRKER. Best Of Elektronik.  Florian Kurcz Best Of Elektronik www.kurcz.at Inhaltsverzeichnis 1 Kleinsignalgrundschaltungen... 1 1.1 Emitterschaltung... 1 1.1.1 Emitterschaltung ohne Signalrückkopplung... 1 1.1.2 Emitterschaltung mit Signalrückkopplung...

Mehr

Kippschaltung. Machen Sie sich mit den Grundschaltungen des Operationsverstärkers vertraut:

Kippschaltung. Machen Sie sich mit den Grundschaltungen des Operationsverstärkers vertraut: In diesem Versuch lernen Sie prominente en kennen. Eine wichtige Rolle hierbei werden die astabilen en einnehmen. Diese kippen zwischen zwei Zuständen hin und her und werden auch Multivibratoren genannt.

Mehr

Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1

Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik

Mehr

Operationsverstärker Bastian Bertholdt Projektlabor WS 2010/2011

Operationsverstärker Bastian Bertholdt Projektlabor WS 2010/2011 Operationsverstärker Bastian Bertholdt Projektlabor WS 2010/2011 Übersicht Definition Idealer OPV / ESB Historische Entwicklung Aufbau Funktion Anwendungsbeispiele & Grundschaltungen Erläutern des invertierenden

Mehr

3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung

3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung 1 Bipolartransistor. 1.1 Dimensionierung 3.Transistor Christoph Mahnke 7.4.006 Für den Transistor (Nr.4) stand ein Kennlinienfeld zu Verfügung, auf dem ein Arbeitspunkt gewählt werden sollte. Abbildung

Mehr

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2

Bipolartransistoren. Humboldt-Universität zu Berlin Institut für Physik Elektronik-Praktikum. Versuch 2 Versuch 2 Bipolartransistoren 1. Einleitung In diesem Versuch werden zunächst die elementaren Eigenschaften bipolarer Transistoren untersucht. Anschließend erfolgt ihr Einsatz in einigen Verstärker- Grundschaltungen.

Mehr

Inhaltsverzeichnis. 1 Schaltungen und Systeme der Wechselstromtechnik... 13

Inhaltsverzeichnis. 1 Schaltungen und Systeme der Wechselstromtechnik... 13 Inhaltsverzeichnis 1 Schaltungen und Systeme der Wechselstromtechnik... 13 1.1 Netzwerkberechnung mittels komplexer Rechnung... 13 1.1.1 Ausgleichsvorgang und stationäre Lösung... 13 1.1.2 Komplexe Darstellung

Mehr

Prüfungsklausur. Elektronik II Halbleiterbauelemente , Uhr. Matrikel-Nummer:

Prüfungsklausur. Elektronik II Halbleiterbauelemente , Uhr. Matrikel-Nummer: niversität des Saarlandes Naturwissenschaftlich-Technische Fakultät II - Physik und Mechatronik - Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik niv.-prof. Dr. A. Blum Prüfungsklausur Elektronik II Halbleiterbauelemente

Mehr

Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009

Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009 Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2

Mehr

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor

ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor 1 von 5 15.03.2008 11:47 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 a) Der Feldeffekttransistor findet vielfältige Anwendung in Elektroniksystemen. Die wichtigsten Anwendungen sind der Feldeffekttransistor

Mehr

Das kleine Werkbuch Elektronik

Das kleine Werkbuch Elektronik FRANZIS RATGEBER Dieter Nührmann Das kleine Werkbuch Elektronik Datensammlungen - Bauelemente - Grundschaltungen Mit 465 Abbildungen 3., neu bearbeitete und erweiterte Aufloge FRANZIS Teil I Tabellen,

Mehr

R 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω

R 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω Probeklausur Elektronik, W 205/206. Gegeben ist die folgende Schaltung: R U q R 3 R 2 R 4 U L 2 mit Uq= 0 V R= 800 Ω R2=, kω R3= 480 Ω R4= 920 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen Gesetze

Mehr

Grundgebiete der Elektrotechnik 2

Grundgebiete der Elektrotechnik 2 Grundgebiete der Elektrotechnik 2 Wechselströme, Drehstrom, Leitungen, Anwendungen der Fourier-, der Laplace- und der Z-Transformation von Prof. Dr.-Ing. Horst Clausert, TU Darmstadt Prof. Dr.-Ing. Günther

Mehr

Überblick über Smith-Diagramm. Roland Pfeiffer 22. Vorlesung

Überblick über Smith-Diagramm. Roland Pfeiffer 22. Vorlesung Überblick über Smith-Diagramm Roland Pfeiffer 22. Vorlesung Gliederung Smith-Diagramm-was ist das? Normierte kartesische Impedanz-Ebene, Reflexionsfaktor-Ebene Darstellung von R,C und L im Smith-Impedanz-Diagramm

Mehr

Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien

Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien 15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später

Mehr