Verfahren Temperatur, C Ätzrate, µm/min Bemerkungen H 3 PO (1120 C)

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1 Verfahren Temperatur, C Ätzrate, µm/min Bemerkungen H 3 PO 4 Na 2 B 4 O 7 PbF 2 NaHSO 4 V 2 O 5 H 2 Si (1120 C) wellig, keine konstante Ätzrate glatte Oberfläche, Abtragen mechanischer Fehler Abhängigkeit der Ätzund Aufwachsrate von der Silizium Aufdampfgeschwindigkeit Wachstumsrate von Silizium auf korund in Abhängigkeit von der Temperatur bei konstanter Auftreffrate

2 Grenzbedingung für das Aufwachsen von Si auf Korund in Abhängigkeit von der Auftreffrate und Temperatur

3 Schematische Darstellung der Herstellung einer SOI-Struktur durch laterale Festphasenepitaxie Schematische darstellung der Wachstumsphasen während der lateralen CVD: (a) Vertikales Wachstum, (b) Laterales Wachstum vor der Koaleszenz, (c) Bildung einer durchgängigen Schicht.

4 Schematische Darstellung der Profilformen für unterschiedliche Kristallitorientierungen bei der Graphoepitaxie

5 Schematische Darstellung eines Graphitstreifenrekristallisationssystems Schematische Darstellung eines rf-rekristallisationssystems

6 Tempraturprofile in der Nähe des Si- Schmelzpunktes Zusammenhang zwischen Leistungsdichte und Scangeschwindigkeit

7 Abhängigkeit des Abstandes zwischen den Kleinwinkelkorngrenzen vom Temperaturgradienten in der Rekristallisationszone Abhängigkeit des Abstandes zwischen den Kleiwinkelkorngrenzen als Funktion der Scangeschwindigkeit

8 Schematische Darstellung der Bildung von großen Kristalliten im ZMR-Prozeß Mikrostruktur einer ZMR-Schicht auf Siliziumdioxid Dynamik der Kristallitgröße und der Kleinwinkelkorngrenzen in Abhängigkeit vom Temperaturgradienten

9 Schematische Darstellung des SPEAR-Prozesses (a) und des DSPE- Prozesses (b)

10 Evolution der oberen und unteren Grenzfläche in Abhängigkeit von der Implantationsdosis Evolution der vergrabenen SiO 2 -Schicht als Funktion der Synthesebedingungen

11 Blasenbildungszeit als Funktion der Temperungstemperatur Temperaturabhängigkeit der Blasenbildung und des Schichtabhebens

12 Prozeßsequenz des Smart CUT Prozesses Mikrokavität im SiC erzeugt für den Smart CUT

13 SOI BI-CMOS: (a) Bipolartransistor in der SOI-Schicht, (b) Bipolartransistor in einer selektiv gewachsenen Si-Schicht.

14 Schematische Darstellung einer JCMOS- Struktur Schematische Darstellung eines 3D CMOS IC mit einem n-kanal Ttransistor in der SOI- Schicht und einem p-kanal Transistor im Si Substrat Struktur eines Verarmungsdünnschichttransistors

15 Abhängigkeit der Keimdichte von der Abscheidetemperatur für das SiH 4 -H 2 - Verfahren für 1000 C und 1100 C Substarttemperatur. Abhängigkeit der Oberflächenperfektion von Si-Schichten vom Substratmaterial: (a) Verneuil-; (b) Chochralski-Spinell

16 Baufehlerdichte in SOS-Schichten als Funktion der Distanz von der Grenzfläche SIMS-Al-Profile in Si-Schichten auf Korund unterschiedlicher Herstellungsverfahren

17 Abhängigkeit der Akzeptorenkonzentration von der Abscheidetemperatur (2 µm/min, d = 2 µm Abhängigkeit der hallbeweglichkeit von der Abscheidetemperatur: (A) 10 µm Si auf (1102)Al 2 O 3, (B) 2 µm Si auf (1102)Al 2 O 3, (C) 2 µm Si auf (0001)Al 2 O 3, (D) 15 µm Si auf (0001)Al 2 O 3, (E) 2 µm Si auf (111)- Spinell

18 Hall-Löcherbeweglichkeiten in Si auf Korund und Spinell unterschiedlicher Orientierung in Abhängigkeit von der Schichtdicke Hall-Elektronenbeweglichkeiten in Si auf korund und Spinell unterschiedlicher Orientierungen in Abhängigkeit von der Schichtdicke

19 Hallbeweglichkeiten in Si in Abhängigkeit von der Löcherkonzentration Einfluß der Substratorientierung auf die Hallbeweglichkeit

20 Abhängigkeit der Hallbeweglichkeit von der Abscheidetemperatur. Abscheidung durch Silanpyrolyse bei 1075 C, getempert bei 1100 C in O 2, N 2 n-kanal-fet-beweglichkeiten und h:2h-halbwertsbreiten in Abhängigkeit von der Schichtdicke

21 SOI Technologie (a) kon- ventioneller MOS- Transistor, (b) teilweise verarmter MOS-Transistor, (c) vollständig verarmter MOS-Transistor

22 SOI Technologie Querschnitt durch einen CMOS-Inverter mit Latchup - Wegen (a) und CMOS-Inverter (b), sowie einer Darstellung der Drainkapazitäten.

23 SOI Technologie Kontaktformierung auf flachen pn-übergängen für die klassische Si- Technologie (a) und die SOI-Technologie (b).

24 Eigenschaften von Saphir Substrate im Angebot

25 Verneuill-Verfahren

26 Eigenschaften von einkristallinen Saphir Kristallstruktur

27 EFG-Verfahren Eigenschaften von EFG Saphir:

28 Zonenschmelzen von Saphir-Substraten:

29 Reichweiten und Kristallschädigung bei der Ionenimplantation (Simulationen)