Praktikum Versuch Bauelemente. Versuch Bauelemente
|
|
- Alexandra Knopp
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 1 Allgemeines Seite Grundlagen db-echnung Da in der Elektrotechnik häufig mit sehr großen oder sehr kleinen Werten gerechnet wird, benutzt man für diese vorzugsweise die logarithmische Darstellung. So können schwer zu berechnende Größen einfach dargestellt werden. Hierzu wird der Logarithmus zur Basis 10 einer Leistung zu einer Bezugsleistung gebildet. a = 10 log 10 ( P1 P 2 P 1 P 2 = 10 a 10 ) db Beispiel: Kaskadiert man 2 Verstärker mit 12- bzw. 16-facher Leistungsverstärkung, bekommt man eine Gesamtverstärkung von = 192. Logarithmisch ausgedrückt sind das 10,8 db und 12 db, zusammen also 22,8 db Verstärkung Übertragungsfunktion Das Verhalten eines linearen Systems bei harmonischen Eingangssignalen verschiedener Frequenz beschreibt die Übertragungsfunktion: 1.2 Transistoren Übertragungsfunktion = Ausgangsgröße Eingangsgröße Im Versuch wird mit einem bipolaren npn-transistor gearbeitet. Die Anschlüsse bezeichnet man als Basis (B), Kollektor () und Emitter (E). Die Basis-Emitter-Strecke und die Basis-Kollektor-Strecke sind jeweils pn-übergänge, wobei im Normalbetrieb die Basis-Emitter- Strecke im Durchlass und die Basis-Kollektor-Strecke im Sperrbereich betrieben wird. Die Basis- Emitter-Strecke verhält sich daher wie eine Diode in Durchlaßrichtung. Die Pfeilrichtung im Schaltbild gibt die Diodenrichtung an. Der positive Basisstrom fließt beim npn-transistor in die Basis hinein. Fließt ein genügend großer Basisstrom, so fallen an der Basis-Emitter-Strecke ca. 0, 7V ab. Der Basisstrom ist der Steuerstrom. Mit ihm steuert man den Kollektorstrom, sofern eine, der Zählpfeilangabe, positive Kollektor-Emitterspannung anliegt. Der Kollektorstrom ist dann näherungsweise proportional zum Basisstrom. I I B U E U BE Abbildung 1: Schaltbild eines npn-transistors
2 Seite Kennlinien Die Ausgangskennlinien (Abbildung 2) geben den Kollektorstrom in Abhängigkeit von der Kollektor-Emitterspannung mit dem Basisstrom als Parameter an (I = f(u E )). Das Ausgangskennlinienfeld enthält alle wesentlichen Angaben, die für die Dimensionierung der Schaltung notwendig sind. I U E Abbildung 2: Ausgangskennlinien eines Transistors Differentielle Stromverstärkung β Die differentielle Stromverstärkung β gibt die Änderung des Kollektorstromes in Abhängigkeit von der Änderung des Basisstromes an. Die differentielle Stromverstärkung wird auch Wechselstromverstärkung genannt. Man unterscheidet zwischen β und β 0. Während β eine allgemeine Bezeichnung für die differentielle Stromverstärkung ist, bezeichnet β 0 die sogenannte Kurzschlussstromverstärkung. Sie wird angegeben für niedrige Frequenzen und wechselstrommäßigen Kurzschluss der Kollektor-Emitter-Strecke (U E = const.). β 0 = di I di B I B UE =const. UE =const. I I I B U E = const. U E Abbildung 3: Bestimmung der Kurzschlussstromverstärkung β 0 aus den Ausgangskennlinien
3 Seite Differentieller Eingangswiderstand r BE Der differentielle Eingangswiderstand ist der differentielle Widerstand von der Basis-Emitter- Diode, und entspricht der Steigung der Eingangskennlinie im Arbeitspunkt. r BE = du BE di B U BE I B U T I B U T = Temperaturspannung (ca. 25mV bei T = 300K) Differentieller Ausgangswiderstand r E Der differentielle Ausgangswiderstand gibt die Änderung des Kollektorstromes in Abhängigkeit von der Kollektor-Emitter-Spannung bei konstantem Basisstrom an. Der differentielle Ausgangswiderstand kann aus den Ausgangskennlinien bestimmt werden. I Arbeitspunkt I B = const. U E I U E Abbildung 4: Bestimmung des differentiellen Ausgangswiderstandes r E r E = du E di IB =const Der Transistor in der Emitterschaltung U E I IB =const. Man unterscheidet zwischen drei Kleinsignalbetriebsarten des Transistors, nämlich der Emitter-, Kollektor- und Basisschaltung. Hier soll die Emitterschaltung näher betrachtet werden. Die Emitterschaltung hat eine hohe Leistungs-, Strom- und Spannungsverstärkung. Die Ausgangsspannung ist gegenphasig zur Eingangsspannung. Der Arbeitspunkt des Transistors in der Emitterschaltung wird über die Widerstände 1, 2, und E so eingestellt, dass er im aktiven Bereich des Ausgangskennlinienfeldes liegt. Das Wechselspannungssignal wird über 1 in die Schaltung eingekoppelt und über 2 ausgekoppelt. 1 und 2 sind so bemessen, dass sie im relevanten Frequenzbereich niederohmig im Vergleich zum Ein- bzw. Ausgangswiderstand sind. Ebenso ist der Kondensator E im relevanten Frequenzbereich niederohmig im Vergleich zu E, so dass das Emitterpotential wechselspannungsmäßig auf Masse liegt. Da Eingangs- und Ausgangsspannung gegenphasig sind, tritt bei hohen Frequenzen über die parasitäre Kapazität zwischen Kollektor und Basis eine Gegenkopplung auf, die den Einsatz der Emitterschaltung auf niedrige bis mittlere Frequenzen begrenzt.
4 Seite 4 U b E E 1.3 Filter Abbildung 5: Emitterschaltung Filterschaltungen (Siebschaltungen) sind Netzwerke mit geeigneten Übertragungsfunktionen, um Anteile eines Signalgemisches frequenzabhängig zu behandeln. Signale im Durchlassbereich sollten das Filter weitgehend unverfälscht passieren. Signale im Sperrbereich sollten weitgehend unterdrückt werden. Durchlassbereich bedeutet, dass die Amplitude des Signals weniger als 3dB gedämpft ist. Im Sperrbereich ist die Amplitude um mehr als 3dB gedämpft. Die Frequenz, bei der die 3dB überschritten werden, nennt man (3dB-)Grenzfreqenz. Für ein -Filter 1. Ordnung gilt: 1 Grenzfrequenz f g = 2π Tiefpass Bei der Grenzfrequenz f g ist die Amplitude des Signals um den Faktor 1 2 kleiner als bei Gleichspannung. Das bedeutet, das Verstärkungsmaß ist auf 3dB gefallen, oder das Dämpfungsmaß hat den Wert 3dB erreicht. Der Durchlassbereich reicht von Gleichspannung bis zur Grenzfrequenz. Der Sperrbereich beginnt für Frequenzen oberhalb der Grenzfrequenz. Abbildung 6: Schaltbild eines Tiefpasses 1. Ordnung
5 Seite 5 A/dB f g f Abbildung 7: Amplitudengang eines Tiefpasses 1. Ordnung Die Übertragungsfunktion lautet: Hochpass H(ω) = 1 jω 1 jω + = jω Bei der Grenzfrequenz f g ist die Amplitude des Signals um den Faktor 1 2 kleiner, als bei hohen Frequenzen. Das bedeutet, das Verstärkungsmaß ist auf 3dB gefallen, oder das Dämpfungsmaß hat den Wert 3dB erreicht. Der Durchlassbereich beginnt für Frequenzen oberhalb der Grenzfrequenz. Der Sperrbereich reicht von Gleichspannung bis zur Grenzfrequenz. Abbildung 8: Schaltbild eines Hochpasses 1. Ordnung A/dB f g f Abbildung 9: Amplitudengang eines Hochpasses 1. Ordnung
6 Seite 6 Die Übertragungsfunktion lautet: Filter höherer Ordnung H(ω) = 1 + = jω 1 + jω jω Schaltet man zwei Filter so zusammen, daß das Ausgangssignal des ersten das Eingangssignal des folgenden Filters ist (Kettenschaltung), so erhält man ein Filter höherer Ordnung. Die Filter-Ordnung ergibt sich aus der Zahl der unabhängigen Energiespeicher. Mit Filtern höherer Ordnung lassen sich steilere Filterflanken erzielen. Abbildung 10: Schaltbild eines Tiefpasses 2. Ordnung Doppel-T-Filter Das Doppel-T-Filter ist eine Bandsperre, jedoch mit der Eigenheit, dass sich bei idealen Bauteilen bei der esonanzfrequenz f g die gegenläufigen Phasen des Signals additiv überlagern und aufheben. 2 /2 Abbildung 11: Schaltbild des Doppel-T-Filters A/dB f g Abbildung 12: Amplitudengang des Doppel-T-Filters f
7 Seite 7 2 Aufgaben 2.1 Transistor Ausgangskennlinien des Transistors Zur Bestimmung der Ausgangskennlinien des Transistors bauen Sie die Transistorschaltung wie in Abbildung 14 beschrieben auf. Die Werte der Schaltung sind wie folgt zu wählen: Spannung U = 20V Dreieck mit +10V Offset U V t ms Abbildung 13: Spannungsverlauf der Eingangsspannung Frequenz f = 500Hz 1 = 680kΩ 2 = 100Ω Messen Sie auf Kanal 1 des Oszilloskops die Spannung U E und auf Kanal 2 den Strom I mit Hilfe des Spannungsabfalls an 2. Achtung! Die Anzeige von Kanal 2 muss am Oszilloskop auf Invertierend geschalten werden, da der gemessene Strom negativ ist. Nehmen Sie für I B = 5µA, 10µA, 15µA, 20µA, 25µA, 30µA IB 1 ր Amperemeter I U U E = U = 2 Abbildung 14: Schaltung zur Bestimmung der Transistorkennlinien die Ausgangskennlinien des Transistors auf. Der Basisstrom ist mithilfe des Amperemeters genau zu bestimmen. Mit Zuhilfenahme der Kennlinien soll die differentielle Stromverstärkung β, sowie der differentielle Ausgangswiderstand r E bestimmt werden.
8 Seite Transistor in der Emitterschaltung Bauen Sie die Emitterschaltung wie in Abbildung 5 beschrieben auf. Die Werte sind wie folgt zu wählen: Betriebsspannung U b = 20V Eingangsspannung = 100mV Sinus Frequenz f = 100Hz 1 = 100kΩ 2 = 18kΩ = 2, 7kΩ E = 470Ω 1 = 2 = E = 1µF 1. Nehmen Sie den Verlauf der Spannungen und auf. 2. Wie gross ist die Verstärkung des Eingangssignals? 3. Bei welcher Eingangsspannung läuft der Transistorverstärker in die Aussteuergrenzen? (obere und untere!) 4. Wo liegen die Aussteuergrenzen?
9 Seite Filter Tiefpass An einem Tiefpass soll der Amplituden-Frequenzgang gemessen werden. Bauen Sie hierzu das Filter wie in beschrieben auf. Wählen Sie für = 150Ω, für = 1µF und für die Amplitude der Eingangsspannung = 500mV. Nun soll ein Signal auf den Tiefpass gegeben werden, welches das Spektrum zwischen 100Hz und 10kHz abdeckt. Benutzen Sie hierzu die Sweep-Funktion des Funktionsgenerators. Am Oszilloskop ist im MATH -Modus die Funktion FFT zu wählen. Um eine deutliche Darstellung des Frequenzgangs zu gewährleisten, muss die Funktion Nachleuchten auf gesetzt werden. Es ist darauf zu achten, dass das gesamte Spektrum, das vom Funktionsgenerator abgegeben wird auf dem Oszilloskop dargestellt werden kann, da es sonst zu Darstellungsfehlern kommt. 1. Nehmen Sie den Amplituden-Frequenzgang des Filters auf 2. Ermitteln Sie die 3dB-Grenzfrequenz des Filters aus dem Spektrum und rechnerisch 3. Wieviel db beträgt die maximale Dämpfung? Tiefpass 2. Ordnung Bauen Sie die Schaltung des Filters wie in Abbildung 10 beschrieben auf. Es sind die selben Werte wie beim Tiefpass 1. Ordnung zu wählen. Welche Veränderungen machen sich im Vergleich zum Tiefpass 1. Ordnung bemerkbar? Hochpass Bauen Sie die Schaltung des Filters wie in Abbildung 8 beschrieben auf. Die Werte sind wie in Nehmen Sie den Amplituden-Frequenzgang des Filters auf 2. Ermitteln Sie die 3dB-Grenzfrequenz des Filters aus dem Spektrum und rechnerisch 3. Wieviel db beträgt die maximale Dämpfung? Bandsperre (Doppel-T-Filter) Bauen Sie die Schaltung des Filters wie in Abbildung 11 auf. Die Bauteilwerte sind wie folgt zu wählen: = 150Ω = 1µF 1. Nehmen Sie den Amplituden-Frequenzgang des Filters auf 2. Ermitteln Sie die 3dB-Grenzfrequenz des Filters aus dem Spektrum 3. Wieviel db beträgt die maximale Dämpfung?
10 Seite Filter mit Verstärker In diesem Teil des Versuches soll ein Tonsignal über ein Filter an einem Lautsprecher ausgegeben werden. Da der Lautsprecher eine andere Impedanz als der Filter hat, wird an dieser Stelle ein Impedanzwandler benötigt, der die Impedanz der Schaltung an die der Last anpasst. + + Die Gesamtschaltung ist wie folgt aufzubauen: Abbildung 15: Impedanzwandler Filter + zum Verstärker Abbildung 16: Schaltung zu Filtern Als Filter sollen angeschlossen werden: Tiefpass 2. Ordnung Hochpass 2. Ordnung Bandsperre (Doppel-T-Filter) Die Werte der Filter sind aus den vorhergehenden Beispielen zu wählen. Achtung: Als Bezug ist nur die Bezugsspannung der Quelle zu verwenden!
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrMathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen
Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung
MehrTransistorkennlinien und -schaltungen
ELS-44-1 Transistorkennlinien und -schaltungen 1 Vorbereitung 1.1 Grundlagen der Halbleiterphysik Lit.: Anhang zu Versuch 27 1.2 p-n-gleichrichter Lit.: Kittel (14. Auflage), Einführung in die Festkörperphysik
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrVORBEREITUNG: TRANSISTOR
VORBEREITUNG: TRANSISTOR FREYA GNAM, GRUPPE 26, DONNERSTAG 1. TRANSISTOR-KENNLINIEN Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement, das zum Schalten und zum Verstärken von elektrischen Strömen
MehrAufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?
Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 6. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 25. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. ipolartransistoren 2. Kennlinienfelder
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
MehrVerstärker in Emitter-Schaltung
Verstärker in Emitter-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 2.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis 1
MehrElektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5
G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 1/25 Elektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5 G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 G. Kemnitz
MehrElektrizitätslehre und Magnetismus
Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.
MehrElektronik II 4. Groÿe Übung
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 9. Juni 2015 1/15 Elektronik II 4. Groÿe Übung G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 9. Juni 2015 G.
MehrAUSWERTUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER
AUSWERTUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER FREYA GNAM, TOBIAS FREY 1. EMITTERSCHALTUNG DES TRANSISTORS 1.1. Aufbau des einstufigen Transistorverstärkers. Wie im Bild 1 der Vorbereitungshilfe wurde
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
MehrVersuch P2-59: Operationsverstärker
Versuch P2-59: Operationsverstärker Sommersemester 2005 Gruppe Mi-25: Bastian Feigl Oliver Burghard Inhalt Vorbereitung 0.1 Einleitung... 2 1 Emitterschaltung eines Transistors...2 1.1 Einstufiger Transistorverstärker...
MehrNPN C C Abb.1: Schaltsymbol und schematische Darstellung eines NPN-Transistors
Theorie Transistor Ein Transistor ist ein, in der modernen Elektronik, unerlässliches Halbleiterbauelement. Es gibt zwei wichtige verschiedene Arten von Transistoren: die bipolaren Transistoren und die
Mehr0Elementare Transistorschaltungen
Teilanfang E1 0Elementare Transistorschaltungen VERSUCH Praktikanten: Rainer Kunz Rolf Paspirgilis Links Versuch E1 Elementare Transistorschaltungen Q In diesem Protokoll: O»Einleitung«auf Seite 3 O»Transistoren«auf
MehrAFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand
Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe
Mehrpn-übergang, Diode, npn-transistor, Valenzelektron, Donatoren, Akzeptoren, Ladungsträgerdiffusion, Bändermodell, Ferminiveau
Transistor 1. LITERATUR: Berkeley, Physik; Kurs 6; Kap. HE; Vieweg Dorn/Bader und Metzler, Physik; Oberstufenschulbücher Beuth, Elektronik 2; Kap. 7; Vogel 2. STICHWORTE FÜR DIE VORBEREITUNG: pn-übergang,
MehrVerstärker in Kollektor-Schaltung
Verstärker in Kollektor-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 16.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis
MehrÜbung Grundlagen der Elektrotechnik B
Übung Grundlagen der Elektrotechnik B 1 Übertragungsfunktion, Filter Gegeben sei die folgende Schaltung: R U 2 1. Berechnen Sie die Übertragungsfunktion H( jω)= U 2. 2. Bestimmen Sie die Zeitkonstante.
MehrP2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER. Vorbereitung
Physikalisches Anfängerpraktikum Teil 2 P2-59,60,61: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSÄRKER Vorbereitung Gruppe 34 Marc Ganzhorn Tobias Großmann 16. Juli 2006 1 Einleitung In diesem Versuch sollen die beiden
MehrKennlinien von Dioden: I / A U / V. Zusammenfassung Elektronik Dio.1
Kennlinien von Dioden: I / A / V I = I S (e / T ) mit : T = kt / e 6mV I S = Sperrstrom Zusammenfassung Elektronik Dio. Linearisiertes Ersatzschaltbild einer Diode: Anode 00 ma I F r F 00 ma ΔI F Δ F 0,5
MehrVorbereitung Operationsverstärker
Vorbereitung Operationsverstärker Marcel Köpke & Axel Müller 30.05.2012 Inhaltsverzeichnis 1 Emitterschaltung eines Transistors 4 1.1 Einstuger, gleichstromgegengekoppelter Transistorverstärker.......
MehrOperationsverstärker. Sascha Reinhardt. 17. Juli 2001
Operationsverstärker Sascha Reinhardt 17. Juli 2001 1 1 Einführung Es gibt zwei gundlegende Operationsverstärkerschaltungen. Einmal den invertierenden Verstärker und einmal den nichtinvertierenden Verstärker.
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrArbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung
Berechnung einer Emitterschaltung mit Arbeitspunkt-Stabilisierung durch Strom-Gegenkopplung Diese Schaltung verkörpert eine Emitterschaltung mit Stromgegenkopplung zur Arbeitspunktstabilisierung. Verwendet
MehrDipl.-Ing. Peter Zeh VDI Laborübung Analogelektronik HTW Berlin
Name, Vorname Signum Datum: 1. Studiengang: B2ET 2. Gruppe: 3. Anlagenverzeichnis: Note: 1. Lernziele Arbeitspunkteinstellung am, dynamisches Verhalten von Verstärkerstufen, Ursachen für nichtlineare Verzerrungen,
MehrPSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang
MehrVersuchsprotokoll zum Versuch Nr. 9 Hoch- und Tiefpass
In diesem Versuch geht es darum, die Kennlinien von Hoch- und Tiefpässen aufzunehmen. Die Übertragungsfunktion aller Blindwiderstände in Vierpolen hängt von der Frequenz ab, so daß bestimmte Frequenzen
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrPhysik in der Praxis: Elektronik
MATHEMATISCH-NATURWISSENSCHAFTLICHE FAKULTÄT I INSTITUT FÜR PHYSIK Physik in der Praxis: Elektronik 2. Versuch: Bipolar-Transistoren und die Verstärker-Grundschaltungen Abgabe am 7.12.21 Übungsgruppe 9
MehrTransistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung
Transistor als Analogverstärker: rker: die Emitterschaltung a.) Wahl der Versorgungsspannung b.) Arbeitspunkteinstellung, Wahl des Transistors c.) Temperaturabhängigkeit des Arbeitspunkts d.) Einfügen
MehrHÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN
HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN Höhere Abteilung für Elektronik Technische Informatik Klasse / Jahrgang: 3BHELI Gruppe: 2 / a Übungsleiter: Prof. Dum Übungsnummer: V/3 Übungstitel: Transistor
MehrGrundlagen der Elektrotechnik 3. Übungsaufgaben
Campus Duisburg Grundlagen der Elektrotechnik 3 Nachrichtentechnische Systeme Prof. Dr.-Ing. Ingolf Willms Version Juli 08 Aufgabe 1: Man bestimme die Fourier-Reihenentwicklung für die folgende periodische
MehrVorbemerkung. [disclaimer]
Vorbemerkung Dies ist ein abgegebenes Praktikumsprotokoll aus dem Modul physik33. Dieses Praktikumsprotokoll wurde nicht bewertet. Es handelt sich lediglich um meine Abgabe und keine Musterlösung. Alle
MehrAngewandte Elektrotechnik. Übungen
Angewandte Elektrotechnik Übungen Sönke Carstens-Behrens Wintersemester 2009/2010 RheinAhrCampus 1 Übungen Angewandte Elektrotechnik, WS 2009/2010 2 RheinAhrCampus, S. Carstens-Behrens Angewandte Elektrotechnik,
Mehr6. Vorverstärkerschaltungen
6.1 Transistorkennlinien und Arbeitsbereich 6.1.1 Eingangskennlinie I B =f(u BE ) eines NPN-Transistors Die Eingangskennlinie beschreibt das Verhalten des Transistors zwischen der Basis und dem Emitter.
MehrINSTITUT FÜR ANGEWANDTE PHYSIK Physikalisches Praktikum für Studierende der Ingenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11
NSTTUT FÜR ANGEWANDTE PHYSK Physikalisches Praktikum für Studierende der ngenieurswissenschaften Universität Hamburg, Jungiusstraße 11 Transistorverstärker 1 Ziel Der Transistor ist ein viel verwendetes
MehrAufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrPraktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2
Werner-v.-Siemens-Labor für elektrische Antriebssysteme Prof. Dr.-Ing. Dr. h.c. H. Biechl Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2 Messungen mit dem Oszilloskop Lernziel: Dieser Praktikumsversuch
MehrVerbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik
erbundstudiengang Wirtschaftsingenieurwesen (Bachelor) Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik und Elektronik ersuch 6 ntersuchungen an einem bipolaren Transistor Teilnehmer: Name orname Matr.-Nr. Datum
MehrSkriptum zur 2. Laborübung. Transiente Vorgänge und Frequenzverhalten
Elektrotechnische Grundlagen (LU 182.692) Skriptum zur 2. Laborübung Transiente Vorgänge und Frequenzverhalten Martin Delvai Wolfgang Huber Andreas Steininger Thomas Handl Bernhard Huber Christof Pitter
MehrUnterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 8 Mittwoch 6.7.8 Prof. Dr. Höcht Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: nterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
Mehr1 Leistungsanpassung. Es ist eine Last mit Z L (f = 50 Hz) = 3 Ω exp ( j π 6. b) Z i = 3 exp(+j π 6 ) Ω = (2,598 + j 1,5) Ω, Z L = Z i
Leistungsanpassung Es ist eine Last mit Z L (f = 50 Hz) = 3 Ω exp ( j π 6 ) gegeben. Welchen Wert muss die Innenimpedanz Z i der Quelle annehmen, dass an Z L a) die maximale Wirkleistung b) die maximale
MehrNF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = Hz).
25.10.2014_Nachlese_DB6UV Wir haben diesmal einen NF-Verstärker (Niederfrequenz-Verstärker) gebaut. NF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = 18000
Mehr3. Schaltungsentwicklung - Beispiel Taschenlichtorgel
3. - Beispiel Taschenlichtorgel Anforderungen: Drei farbige LEDs, Mikrofoneingang, Empfindlichkeitseinstellung, kleines Format, geringe Betriebsspannung und Leistung, geringster Material- und Arbeitsaufwand.
MehrPraktikum, Bipolartransistor als Verstärker
18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon
MehrA1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage für alle nachfolgenden Aufgaben und wird von jedem Studenten im Selbststudium erarbeitet.
Wirtschaftsingenieurwesen Grundlagen der Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr. Ing. Hoffmann Übung 4 Bipolartransistor als Schalter und Verstärker Übung 4: 07.06.2018 A1: Die Aufgabe 1 ist Grundlage
MehrMessung kleiner Spannungssignale - Verstärker I
Messtechnik-Praktikum 13.05.08 Messung kleiner Spannungssignale - Verstärker I Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie einen Übertrager mit Eisenkern (Transformator) auf. Versuchen
MehrDer ideale Op-Amp 2. Roland Küng, 2009
Der ideale Op-Amp 2 Roland Küng, 2009 Reiew Reiew o f(, 2 ) L: o /2 + 2 Strom-Spannungswandler Photodiode liefert Strom proportional zur Lichtmenge Einfachstes Ersatzbild: Stromquelle V out -R 2 i in Anwendung:
MehrElektronik Prof. Dr.-Ing. Heinz Schmidt-Walter
6. Aktive Filter Filterschaltungen sind Schaltungen mit einer frequenzabhängigen Übertragungsfunktion. Man unterscheidet zwischen Tief, Hoch und Bandpässen sowie Sperrfiltern. Diesen Filtern ist gemeinsam,
MehrÜbungsserie, Operationsverstärker 1
1. April 1 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Operationsverstärker 1 Aufgabe 1. Komparator Die Bezeichnung Komparator steht für Vergleicher. Gegeben ist die Schaltung in Abb. 1a. Die u ref u ref
MehrDiplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,
Mehr19. Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker
9. Frequenzgangkorrektur am Operationsverstärker Aufgabe: Die Wirkung komplexer Koppelfaktoren auf den Frequenzgang eines Verstärkers ist zu untersuchen. Gegeben: Eine Schaltung für einen nichtinvertierenden
MehrGrundschaltungen der Analogtechnik
Grundschaltungen der Analogtechnik Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) Einpuls-Mittelpunktschaltung (M1) mit Kondensator Zweipuls-Mittelpunktschaltung (M2) Zweipuls Brückenschaltung (B2) Zweipuls Brückenschaltung
MehrVersuch P2-59: Operationsverstärker
Versuch P2-59: Operationsverstärker Sommersemester 2005 Gruppe Mi-25: Bastian Feigl Oliver Burghard Inhalt Auswertung 1 Emitterschaltung eines Transistors...2 1.1 Einstufiger Transistorverstärker... 2
MehrOperationsverstärker
Operationsverstärker Martin Adam Versuchsdatum: 17.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 23. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
MehrTransistorgrundschaltungen Versuch P1-50, 51, 52
Vorbereitung Transistorgrundschaltungen Versuch P1-50, 51, 52 Iris Conradi Gruppe Mo-02 17. Dezember 2010 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis Vorbemerkungen 3 1 Transistor-Kennlinien 5 1.1 Eingangskennlinie...............................
Mehr7. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag
+ - Grundlagen der echnertechnologie Sommersemester 200 Wolfgang Heenes. Aufgabenblatt mit Lösungsvorschlag 0.06.200 Schaltungen mit Bipolartransistoren Aufgabe : Analyse einer Schaltung mit Bipolartransistor
Mehr1.Einleitung: 1.1Versuchsaufbau:
1.Einleitung: Bei diesem Versuch soll ein Teil eines Kennlinienfeldes eines bestimmten Transistor mit einem Oszilloskop sichtbar gemacht werden (siehe erster Quadrant in Abbildung 1). Die notwendige Variation
MehrVersuchsauswertung: Operationsverstärker
Praktikum Klassische Physik II Versuchsauswertung: Operationsverstärker (P-59,6,6) Christian Buntin, Jingfan Ye Gruppe Mo- Karlsruhe, 7. Mai Inhaltsverzeichnis Emitterschaltung eines Transistors. Einstufiger
MehrSommersemester Elektronik / Mikroprozessortechnik Dauer: 90 Minuten
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Sommersemester 2013 Elektronik / Mikroprozessortechnik Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name,
MehrOperationsverstärker Versuch P2-59,60,61
Vorbereitung Operationsverstärker Versuch P2-59,60,61 Iris Conradi und Melanie Hauck Gruppe Mo-02 27. Mai 2011 Inhaltsverzeichnis Inhaltsverzeichnis 1 Emitterschaltung eines Transistors 3 1.1 Einstufiger
MehrWintersemester 2012/13
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Unterlagen, Taschenrechner Wintersemester 2012/13 Schriftliche Prüfung im Fach Elektronik/Mikroprozessortechnik,
MehrSS 98 / Platz 1. Versuchsprotokoll. (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4. Differenzverstärker
Dienstag, 19.5.1998 SS 98 / Platz 1 Dennis S. Weiß & Christian Niederhöfer Versuchsprotokoll (Elektronik-Praktikum) zu Versuch 4 Differenzverstärker 1 Inhaltsverzeichnis 1 Problemstellung 3 2 Physikalische
MehrE l e k t r o n i k I
Fachhochschule Südwestfalen Hochschule für Technik und Wirtschaft E l e k t r o n i k I Dr.-Ing. Arno Soennecken EEX European Energy Exchange AG Neumarkt 9-19 04109 Leipzig Vorlesung Bipolare Transistoren
MehrET-Praktikumsbericht 3. Semester I (Versuch 4, Zeit-/Frequenzverhalten von Vierpolen) Inhaltsverzeichnis 1 Der RC-Tiefpass Messung bei konstante
Praktikumsbericht Elektrotechnik 3.Semester Versuch 4, Vierpole 7. November Niels-Peter de Witt Matrikelnr. 8391 Helge Janicke Matrikelnr. 83973 1 ET-Praktikumsbericht 3. Semester I (Versuch 4, Zeit-/Frequenzverhalten
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrVersuchsvorbereitung P2-59: Operationsverstärker
Versuchsvorbereitung P2-59: Operationsverstärker Kathrin Ender, Michael Walz Gruppe 10 21. Juni 2008 Inhaltsverzeichnis 1 Emitterschaltung eines Transistors 2 1.1 Einstuger Transistorverstärker..........................
MehrOperationsverstärker Versuchsvorbereitung
Versuche P2-59,60,61 Operationsverstärker Versuchsvorbereitung Thomas Keck und Marco A. Harrendorf, Gruppe: Mo-3 Karlsruhe Institut für Technologie, Bachelor Physik Versuchstag: 23.05.2011 1 1 Einleitung
MehrInstitut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik,
Feldeffekttransistoren 1 JFET Sperrschicht - FET (Junction FET) Sperrschicht breitet sich mit Ansteuerung in den Kanal aus und sperrt diesen Es gibt zwei Arten n-kanal, p-kanal 2 JFET Schaltzeichen 3 Das
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 2: Der Differenzverstärker
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 2: Der Differenzverstärker Oliver Neumann Sebastian Wilken 10. Mai 2006 Inhaltsverzeichnis 1 Eigenschaften des Differenzverstärkers 2 2 Verschiedene Verstärkerschaltungen
MehrVersuch C 13: Transistorverstärker 1. Literatur: Stichworte: 2. Grundlagen Abb. 1: 2.1 Transistor als Verstärker
- C13.1 - - C13.2 - Versuch C 13: Transistorverstärker 1. Literatur: W. Walcher, Praktikum der Physik Gerthsen-Kneser-Vogel, Physik Kohlrausch, Praktische Physik, Bd. 2 Unger/Schultz, Elektronische Bauelemente
Mehr2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle
6 V UA(UE) 0. 1. 2. U E Abbildung 2.4: Kennlinie zu den Messwerten in Tabelle 2.1. 2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle Die LED des Optokopplers wird mittels Jumper kurzgeschlossen. Dadurch muss der Phototransistor
MehrDiplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
Mehr4. Bipolar-Transistoren
4. ipolar-transistoren 1. Funktionsweise eines npn-transistors 2. Kennlinien 3. Transistor-Grundschaltungen 4. Frequenzverhalten Funktionsprinzip eines npn-transistors andverlauf: p-asis ist steuerbare
MehrC03 Transistor. 2. Zur Vorbereitung: Die Kennlinien des Transistors. 1 Eingangskennlinie Ausgangskennlinie Rückwirkungskennlinie
C03 Transistor 1 Ziele In diesem Versuch werden Eigenschaften und Anwendungen eines npn-transistors (BD 135) untersucht. Dazu werden Sie Schaltungen aufbauen und ausprobieren und seine Kennlinien nutzen
MehrÜbungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor
Übungen zur Elektrodynamik und Optik Übung 1: Der Transistor Oliver Neumann Sebastian Wilken 3. Mai 2006 Zusammenfassung In dieser Experimentalübung werden wir den Transistor als Spannungsverstärker für
MehrAbschlussprüfung Schaltungstechnik 2
Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer
Mehr8. Endstufenschaltungen
8.1 Einleitung Wie im Kapitel über die Audiotechnik bereits diskutiert, ist es die Aufgabe des Leistungsverstärkers, auch Endstufe genannt, den Innenwiderstand der Schaltung so weit herabzusetzen, dass
MehrElektrische Filter Erzwungene elektrische Schwingungen
Elektrizitätslehre und Schaltungen Versuch 38 ELS-38-1 Elektrische Filter Erzwungene elektrische Schwingungen 1 Vorbereitung 1.1 Wechselstromwiderstände (Lit.: Gerthsen) 1.2 Schwingkreise (Lit.: Gerthsen)
MehrOperationsverstärker I Grundschaltungen und Eigenschaften 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker Operationsverstärker I Grundschaltungen und Eigenschaften 1 Theoretische Grundlagen STRASSACKER lautsprechershop.de 1.1 Einleitung Operationsverstärker (abgekürzt: OPs) sind kompliziert
Mehr( ) R U V = Phasendrehung I R. invertierender Verstärker (Weiterführung): Eingangswiderstand:
invertierender erstärker (Weiterführung: Phasendrehung 0, 80 Eingangswiderstand: e e re e re e ( Nicht-invertierender erstärker - erzeugt keine Phasendrehung zwischen Ein- und Ausgangssignal Betrachtung
MehrÜbungsserie, Operationsverstärker 3 Verstärkerschaltungen
Elektronik 1 Martin Weisenhorn 1. April 219 Übungsserie, Operationsverstärker 3 Verstärkerschaltungen Aufgabe 1. Dimensionierung eines Subtrahierers Ein Subtrahierer soll die Differenzverstärung V D =
MehrTransistorschaltungen
Physikalisches Anfängerpraktikum Gruppe Mo-6 Wintersemester 2005/06 Julian Merkert (229929) Versuch: P-5 Transistorschaltungen - Vorbereitung - Vorbemerkung Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement,
MehrMuster zu Kurztest Nr. 2 Fach EK 2
Muster zu Kurztest Nr. Fach EK Auswahl von Aufgaben Prüfung Thema: OpAmp Nichtidealitäten und Filter, 3 Aufgaben, 45 Min. Aufgabe : Einfluss von Offset-Spannung und Biasstrom 9 Punkte Ein Opamp mit I Bias
MehrLabor Elektronik. Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker. Teilnehmer: ... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...)
Labor Elektronik Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker Teilnehmer:... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...) Datum der Simulation: 09.12.2008 Datum der Messung: 23.12.2008 Allgemeines: Labor Elektronik,...,
MehrAufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt
MehrUniversität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Klausur Schaltungstechnik WS16/17
Universität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Klausur Schaltungstechnik WS16/17 Name................................ Vorname................................ Matrikelnummer................................
Mehrvon Robert PAPOUSEK 4.2 Gegentaktverstärker: Bild 1:PRINZIP DER DARLINGTONSCHALTUNG
von Robert PAPOUSEK INHALTSVERZEICHNIS: 1.Anforderungen an Leistungsverstärker 2.Grundlagen 3.Leistungsstufen: 3.1 Parallelschalten von Transistoren 4. A- und B-Betrieb: 4.1 Eintaktverstärker 4.2 Gegentaktverstärker
Mehr4.3 Der Bipolartransistor
4.3 Der Bipolartransistor Der Transistor wurde 1947 vom Forscherteam Shockley, Bardeen und Brattain erfunden (zunächst als Spitzentransistor, ein Jahr später dann als Flächentransistor). Er war das erste
MehrArbeitsbereich Technische Aspekte Multimodaler Systeme (TAMS) Praktikum der Technischen Informatik T2 2. Kapazität. Wechselspannung. Name:...
Universität Hamburg, Fachbereich Informatik Arbeitsbereich Technische Aspekte Multimodaler Systeme (TAMS) Praktikum der Technischen Informatik T2 2 Kapazität Wechselspannung Name:... Bogen erfolgreich
Mehr