High Power Infrared Emitter (850 nm) IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 SFH 4059SR

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1 High Power Infrared Emitter (85 nm) IR-Lumineszenzdiode (85 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1. Features: High optical power Double Stack emitter Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1.85 mm Reverse mount Applications Miniature photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits Mobile devices Besondere Merkmale: Sehr hohe Gesamtleistung 2- fach Stack Emitter Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6 mm x 1.85 mm "Reverse mount" Anwendungen Miniaturlichtschranken Industrieelektronik Messen/Steuern/Regeln Mobile Geräte Notes Depending on the mode of operation, these devices emit highly concentrated non visible infrared light which can be hazardous to the human eye. Products which incorporate these devices have to follow the safety precautions given in IEC and IEC Hinweise Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile enthalten, müssen gemäß den Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen und behandelt werden

2 Ordering Information Bestellinformation Type: Irradiance Radiant intensity Ordering Code Typ: Bestrahlungsstärke Strahlstärke Bestellnummer I F = 5 ma, t p = 2 ms I F =5 ma, t p = 2 ms E e [mw/cm 2 ] I e, typ [mw/sr] 16 ( 6.3) 95 Q65111A531 Note: Anm.: I e measured with a detector (1mm diameter) in 1 mm distance (Ω =.1 sr) to the device surface E e measured in the near field with a detector (7.2 mm diameter) in 2 mm distance (Ω =.1 sr) to the device surface I e gemessen mit einem Detektor (1 mm Durchmesser) in einem Abstand von 1mm (Ω =.1 sr) zur Bauteiloberfläche E e gemessen im Nahfeld mit einem Detektor (7.2 mm Durchmesser) in einem Abstand von 2 mm (Ω =.1 sr) zur Bauteiloberfläche Maximum Ratings (T A = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operation and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Reverse voltage Sperrspannung Forward current Durchlassstrom Surge current Stoßstrom (t p 3 µs, D = ) Total power dissipation Verlustleistung 1) page 12 Thermal resistance junction - ambient Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung 1) Seite 12 T op ; T stg C V R 5 V I F 5 ma I FSM.7 A P tot 175 mw R thja 42 K / W Thermal resistance junction - soldering point 2) page 12 2) Seite 12 Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle ESD withstand voltage ESD Festigkeit R thjs 26 K / W V ESD 2 kv

3 Characteristics (T A = 25 C) Kennwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Peak wavelength Emissionswellenlänge (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Centroid Wavelength Schwerpunktwellenlänge (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Spectral bandwidth at 5% of I max Spektrale Bandbreite bei 5% von I max (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Half angle Halbwinkel Dimensions of active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Rise and fall time of I e ( 1% and 9% of I e max ) Schaltzeit von I e ( 1% und 9% von I e max ) (I F = 5 ma, R L = 5 Ω) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Forward voltage Durchlassspannung (I F = 7 ma, t p = 1 µs) Reverse current Sperrstrom (V R = 5 V) Total radiant flux Gesamtstrahlungsfluss (I F =5 ma, t p = 2 ms) Radiant intensity Strahlstärke (I F =5 ma, t p = 2 ms) (typ) λ peak 86 nm (typ) λ centroid 85 nm (typ) λ 3 nm (typ) ϕ ± 15 (typ) L x W.3 x.3 mm x mm (typ) t r, t f 15 ns (typ (max)) V F 2.95 ( 3.45) V (typ (max)) V F 4 V I R not designed for reverse operation µa (typ) Φ e 5 mw I e, typ 95 mw/sr

4 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of I e or Φ e Temperaturkoeffizient von I e bzw. Φ e (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of V F Temperaturkoeffizient von V F (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Temperature coefficient of wavelength Temperaturkoeffizient der Wellenlänge (I F = 5 ma, t p = 2 ms) Grouping (T A = 25 C) Gruppierung (typ) TC I -.5 % / K (typ) TC V -2 mv / K (typ) TC λ.3 nm / K Parameter Min Irradiance Max Irradiance Bezeichnung Min Bestrahlungsstärke Max Bestrahlungsstärke I F = 5 ma, t p = 2 ms E e, min [mw/cm²] -Q R 1 2 -S I F = 5 ma, t p = 2 ms E e, max [mw/cm²] Note: E e measured in the near field with a detector (7.2 mm diameter) in 2 mm distance (Ω =.1 sr) to the device surface Only one group in one packing unit (variation lower 2:1). Anm: E e gemessen im Nahfeld mit einem Detektor (7.2 mm Durchmesser) in einem Abstand von 2 mm (Ω =.1 sr) zur Bauteiloberfläche Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)

5 3) page 12 Relative Spectral Emission 3) Seite 12 Relative spektrale Emission (typ) Irel = f(λ), T A = 25 C I rel 1 % 8 OHF4132 3) page 12 Irradiance 3) Seite 12 Bestrahlungsstärke E e /E e (5mA) = f (I F ), Single pulse, t p = 25 μs, T A = 25 C 2 1 Εe Ε (5 ma) e OHF nm λ ma 1 I F

6 Max. Permissible Forward Current Max. zulässiger Durchlassstrom I F = f (T A ), R thja = 42K/W 55 I ma F OHF5588 3) page 12 Forward Current 3) Seite 12 Durchlassstrom I F = f(v F ), single pulse, t p = 1 µs, T A = 25 C 1 ma I F OHF C 1 TA V 5 V F Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 25 C, duty cycle D = parameter OHF t A P I t F D P = IF T T D = s 1 t p Permissible Pulse Handling Capability Zulässige Pulsbelastbarkeit I F = f(t p ), T A = 85 C, duty cycle D = parameter OHF t A P I t F D P = IF T T D = s 1 t p

7 3) page 12 Radiation Characteristics 3) Seite 12 Abstrahlcharakteristik I rel = f(ϕ), T A = 25 C OHF4536 ϕ Package Outline Maßzeichnung Dimensions in mm. / Maße in mm

8 Pad Description Pad Beschreibung 1 Cathode 2 Anode Package Gehäuse Note: Anm: Note: Anm.: Chipled Chipled Package: Epoxy Gehäuse: Epoxydharz Colour: black Farbe: Schwarz Taping Gurtung Note: Anm.: Packaging unit 2 / reel, 18mm Verpackungseinheit 2 / Rolle, 18 mm

9 Recommended Solder Pad Empfohlenes Lötpaddesign

10 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Product complies to MSL Level 3 acc. to JEDEC J-STD-2D.1 3 C T C 217 C t P t L OHA4525 T p 245 C 15 t S C s 3 t Profile Feature Profil-Charakteristik Ramp-up rate to preheat* ) 25 C to 15 C Time t S T Smin to T Smax Ramp-up rate to peak* ) T Smax to T P Liquidus temperature Time above liquidus temperature Peak temperature Time within 5 C of the specified peak temperature T P - 5 K Ramp-down rate* T P to 1 C Time 25 C to T P Symbol Symbol t S T L t L T P t P Minimum 6 Pb-Free (SnAgCu) Assembly Recommendation 2 3 K/s All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component * slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range Maximum OHA4612 Unit Einheit s K/s C s C s K/s s

11 Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. Disclaimer Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist

12 Glossary 1) Thermal resistance: junction -ambient, mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm 2 each 2) 3) Thermal resistance: junction - soldering point, of the device only, mounted on an ideal heatsink (e.g. metal block) Typical Values: Due to the special conditions of the manufacturing processes of LED, the typical data or calculated correlations of technical parameters can only reflect statistical figures. These do not necessarily correspond to the actual parameters of each single product, which could differ from the typical data and calculated correlations or the typical characteristic line. If requested, e.g. because of technical improvements, these typ. data will be changed without any further notice. Glossar 1) Wärmewiderstand: Sperrschicht -Umgebung, bei Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm 2 2) 3) Wärmewiderstand: Sperrschicht - Lötstelle, für das Bauteil, bei Montage auf einer idealen Wärmesenke (z.b. Metall-Block) Typische Werte: Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der Herstellung von LED können typische oder abgeleitete technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen Produktes überein, dessen Werte sich von typischen und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien unterscheiden können. Falls erforderlich, z.b. aufgrund technischer Verbesserungen, werden diese typischen Werte ohne weitere Ankündigung geändert