Technische Grundlagen der Informatik
|
|
- Robert Calvin Grosser
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/ Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik
2 Inhalt Wiederholung Kapazität, Induktivität Halbleiter, Halbleiterdiode Wechselspannung Einfache Logische Schaltungen Schaltungen mit Dioden Transistoren Schaltungen mit Transistoren WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 2
3 Unterstützung Forum und Materialien auf dem Moodle- Server der Hochschule (moodle.igdv.h-da.de) Schlüssel: TGI Tutorien mit Silvia Krug: Di, 14:15-15:45, D10/31 (1D) Di, 16:00-17:30, D10/30 (1C) WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 3
4 Kapazität WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 4
5 Kondensator ladungsspeicherndes Element Besteht aus zwei Elektroden, die durch ein nichtleitendes Dielektrikum getrennt sind. Die Kapazität C eines Kondensators ist der Quotient aus Ladung Q und Spannung U. C = Q/U Die Einheit der Kapazität C ist das Farad [F]. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 5
6 Aufladung eines Kondensators UC [V] Zeit [s] Zeitlicher Verlauf der Aufladung mit R = 200kΩ und C = 100µF. Wie kann der zeitliche Verlauf mathematisch dargestellt werden? t / RC U C(t) = U B(1 e ) WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 6
7 Übung: Aufladekurve eines Kondensators C B t / RC U (t) = U (1 e ) Welche Spannung können Sie am Kondensator nach 20s messen, wenn Sie einen Kondensator mit einem Wert von 100µF und einen Ohmschen Widerstand mit einem Wert von 200kΩ verwenden? Anmerkung: für t=0 war der Kondensator entladen. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 7
8 Aufladung eines Kondensators 20s /100kΩ 200µ F U C(20s) = U B(1 e ) = 1 U B(1 e ) = U (1 1/ e) B = U 1/ e U B 3,16V B UC [V] Zeit [s] Die Zeit, die RC entspricht, wird als Zeitkonstante τ der Schaltung bezeichnet. Aus der Zeitkonstante kann ein unbekannter Ohmscher Widerstand oder eine unbekannte Kapazität eines Schaltkreises ermittelt werden. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 8
9 Entladung eines Kondensators UC [V] Zeit [s] U (t) = U e C B ( t / RC ) WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 9
10 Tiefpass WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 10
11 Hochpass WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 11
12 Induktivität WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 12
13 Induktivität energiespeicherndes Element Besteht aus einer Spule, die elektrisch leitend ist und häufig um einen magnetischen Kern gewickelt ist. Die Induktivität L ist ein Maß für die Spannung U welche die Induktivität einer Stromänderung di/dt entgegen setzt. Die Einheit der Induktivität ist das Henry [H], das als H = Vs/A definiert ist. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 13
14 Transformator Anmerkung: Funktioniert in dieser Weise nur für Wechselspannung. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 14
15 Halbleiter WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 15
16 Leiter, Isolatoren, Halbleiter Leitungsband Bandlücke - LB LB - + Valenzband Leiter (Metalle) Bei elektrischen Leitern sind Elektronen im LB beweglich. VB Isolator Keine freien Ladungsträger im LB vorhanden. Bandlücke ist unüberwindbar Halbleiter WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 16 VB Bandlücke für einzelne Elektronen überwindbar. Elektronen im LB und Löcher im VB
17 LB VB Halbleiter - + Halbleiter I An sich sind auch Halbleiter Isolatoren. Durch thermische Bewegung können jedoch einzelne Elektron-Loch-Paare entstehen. Sowohl Elektronen als auch Löcher sind im Gitter des Kristalls beweglich elektrische Leitung. Leitfähigkeit steigt (exponentiell) mit der Temperatur. Temperatursensoren Die technisch wichtigsten Halbleiter sind: Silizium (Si) Germanium (Ge) Aus beiden Elementen werden hochreine Kristalle aus der Schmelze gezogen und weiter verarbeitet (Wafer). WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 17
18 Halbleiter II Durch Dotierung von Halbleitern mit geringsten Mengen bestimmter Elemente kann man besondere elektronische Eigenschaften erzielen. LB VB - + Donatoren stellen Elektronen im Leitungsband (LB) des Halbleiters zur Verfügung. n-dotierung Die Elektronen bewirken elektrische Leitung LB VB - + Akzeptoren stellen Löcher im Valenzband (VB) des Halbleiters zur Verfügung. p-dotierung Die Löcher bewirken elektrische Leitung WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 18
19 Halbleiter III - Durch Kombination von einem n-dotierten Halbleitern mit einem p-dotierten Halbleitern kann man eine Diode realisieren. - LB n VB LB n VB + - U I p p + U + + Durchlass-Richtung: n-seite liefert Elektronen, p-seite Löcher. Elektronen plumpsen in Löcher (rekombinieren) Strom fließt Sperr-Richtung: Auf n-seite fließen Elektronen weg, Auf p-seite die Löcher. Durch Rekombination verarmt die Übergangszone an Ladungsträgern. kein Strom WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 19
20 Halbleiterdiode WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 20
21 Modell der Diode I 1/R I U U U WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 21
22 Halbleiterdiode Wenn an die p-leitende Seite der Diode eine positive Spannung und an die n-leitende Seite der Diode eine negative Spannung angelegt wird, kann Strom fließen. Liegt die Spannung in umgekehrter Richtung an, sperrt die Diode. Es fließt allerdings trotzdem ein sehr kleiner Strom. Die Halbleiterdiode wirkt daher wie ein Ventil bzw. Gleichrichter. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 22
23 Diodenkennlinien WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 23
24 Elektrische Bauelemente lineare passive Bauelemente Ohmscher Widerstand Kapazität Induktivität nichtlineare passive Bauelemente Dioden aktive Bauelemente Transistoren WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 24
25 Wechselspannung WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 25
26 Wechselspannung Wechselspannungen ändern ihre Polarität sinusförmig mit fester Periode. Generatoren liefern meistens eine Wechselspannung. Wechselspannungen können in einfacher Weise transformiert werden. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 26
27 Wechselspannung Ueff = Usin ω t dt = 1 T ( ) 2 U T 0 2 Der Effektivwert der Spannung U eff in Europa ist 230V, der Scheitelwert ca. 325V. Es wird eine Netzfrequenz von 50Hz verwendet. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 27
28 Diodenschaltung? WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 28
29 Gleichrichtung mit Dioden WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 29
30 Oszilloskop Messgerät zur Darstellung des zeitlichen Verlaufs einer Spannung In Richtung der X-Achse wird die Zeit dargestellt, in Richtung der Y-Achse die Spannung. Wie kann der zeitliche Verlauf eines Stroms gemessen werden? Mit Hilfe des dem Strom proportionalen Spannungsabfalls an einem Ohmschen Widerstand. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 30
31 Prinzip eines Oszilloskops WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 31
32 Logische Verknüpfungen: UND/ODER WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 32
33 UND-Verknüpfung Wenn morgen schönes Wetter ist und mein Bruder Zeit hat, gehen wir segeln. Aussage A schönes Wetter und Aussage B mein Bruder Zeit hat müssen zutreffen, damit die Aussage X segeln gehen wahr wird. Binäre Operation WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 33
34 ODER-Verknüpfung Wenn ich eine Erbschaft mache oder im Lotto gewinne, mache ich eine Weltreise. Wenn Aussage A Erbschaft oder Aussage B Lottogewinn zutrifft, oder beide Aussagen zutreffen, wird Aussage X Weltreise machen wahr. Binäre Operation WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 34
35 Negation Wenn meine Schwiegermutter zu Besuch kommt, gehe ich heute Abend nicht ins Theater. Wenn die Aussage A Schwiegermutter kommt zu Besuch wahr ist, kann die Aussage X Theaterbesuch nicht wahr sein. Unäre Operation WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 35
36 Schließer und Öffner X = 0: Schalter offen Schließer X = 1: Schalter geschlossen X = 0: Schalter geschlossen X = 1: Schalter offen Öffner WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 36
37 UND-Verknüpfung X1 X 2 X1 X UND:, WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 37
38 ODER-Verknüpfung X1 X 2 X1 X ODER:, + WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 38
39 Negation X X Negation: X, X,!X WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 39
40 NAND X1 X 2 X1 X WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 40
41 NOR X1 X 2 X1 X WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 41
42 Schaltungen mit Dioden WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 42
43 Dioden als logische Bauelemente In einem Bereich U > U s ist die Diode durchlässig mit einem Widerstand R D, Durchlassbereich. In einem Bereich U < U s sperrt die Diode mit einem annähernd unendlichen Widerstand, Sperrbereich Diese Eigenschaften von Dioden erlauben den Aufbau einfacher logischer Schaltungen Die folgenden Beispiele gehen von positiver Logik aus: High (hohe positive Spannung) = 1 Low (niedrige Spannung) = 0 WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 43
44 Logische Schaltung E 1 E 2 A WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 44
45 ODER-Schaltung E 1 L L H H E 2 L H L H A L H H H Mit einem modifizierten Aufbau kann eine UND-Schaltung realisiert werden. Mit Dioden kann allerdings keine Inverterschaltung realisiert werden. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 45
46 Transistoren WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 46
47 npn-transistor Der (bipolare) Transistor besteht aus zwei n-leitenden Kristallen, zwischen denen sich eine dünne p-schicht befindet. Alle drei Bereiche sind mit einem Anschluss versehen: Collector (C) Basis (B) Emitter (E) Die beiden Übergänge np und pn wirken wie zwei gegeneinander geschaltete Dioden. Ein kleiner Strom zwischen E und B bewirkt Überschwemmung der Basis mit Ladungsträgern, so dass der Transistor zwischen E und C leitend wird. WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 47
48 Transistoren WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 48
49 Inverter-Schaltung Wird der Transistor am Eingang mit einer Spannung (High) größer als die Schwellspannung seiner BE-Diode angesteuert, fließt also ein Strom durch die Basis-Emitter-Diode, so schaltet der Transistor durch und wird niederohmig. Damit ergibt sich am Ausgang eine sehr kleine Spannung (Low). WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 49
50 Logik-Schaltungen Welche Funktion haben die Schaltungen (a) (c)? WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 50
51 Tri-State Inverter WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik 51
Technische Grundlagen der Informatik
Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/2009 2. Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik Inhalt Wiederholung Strom und Spannung Ohmscher Widerstand und Ohmsches Gesetz
Mehr12. Vorlesung. Logix Schaltungsanalyse Elektrische Schaltelemente Logikschaltungen Diode Transistor Multiplexer Aufbau Schaltungsrealisierung
2. Vorlesung Logix Schaltungsanalyse Elektrische Schaltelemente Logikschaltungen Diode Transistor Multiplexer Aufbau Schaltungsrealisierung Campus-Version Logix. Vollversion Software und Lizenz Laboringenieur
MehrTechnische Grundlagen der Informatik
Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/2009 4. Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik Inhalt Wiederholung Wechselspannung Einfache Logische Verknüpfungen Logikschaltungen
MehrTechnische Grundlagen der Informatik
Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/2009 5. Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik Inhalt Wiederholung Feldeffekttransistoren (FET) Logikschaltungen in CMOS-Technologie
Mehr13. Vorlesung. Logix Klausuranmeldung nicht vergessen! Übungsblatt 3 Logikschaltungen. Multiplexer Demultiplexer Addierer.
13. Vorlesung Logix Klausuranmeldung nicht vergessen! Übungsblatt 3 Logikschaltungen Diode Transistor Multiplexer Demultiplexer Addierer 1 Campus-Version Logix 1.1 Vollversion Software und Lizenz Laboringenieur
MehrTechnische Grundlagen der Informatik
Technische Grundlagen der Informatik WS 2008/2009 6. Vorlesung Klaus Kasper WS 2008/2009 Technische Grundlagen der Informatik Inhalt Wiederholung Boolesche Gesetze Boolesche Kürzungsregeln Antivalenz und
MehrOriginaldokument enthält an dieser Stelle eine Grafik! Original document contains a graphic at this position!
FUNKTIONSWEISE Thema : HALBLEITERDIODEN Die Eigenschaften des PN-Überganges werden in Halbleiterdioden genutzt. Die p- und n- Schicht befinden sich einem verschlossenen Gehäuse mit zwei Anschlussbeinen.
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam 9. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben............................... 2 2 Vorbetrachtungen
Mehr4. Dioden Der pn-übergang
4.1. Der pn-übergang Die Diode ist ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen: Eine Diode besteht aus einem Halbleiterkristall, der auf der einen Seite p- und auf der anderen Seite n-dotiert ist. Die
MehrGrundlagen der Rechnerarchitektur
Grundlagen der Rechnerarchitektur [CS3100.010] Wintersemester 2014/15 Tobias Scheinert / (Heiko Falk) Institut für Eingebettete Systeme/Echtzeitsysteme Ingenieurwissenschaften und Informatik Universität
Mehr1 Leitfähigkeit in Festkörpern
1 Leitfähigkeit in Festkörpern Elektrische Leitfähigkeit ist eine physikalische Größe, die die Fähigkeit eines Stoffes angibt, elektrischen Strom zu leiten. Bändermodell Die Leitfähigkeit verschiedener
MehrAufgaben zur Elektrizitätslehre
Aufgaben zur Elektrizitätslehre Elektrischer Strom, elektrische Ladung 1. In einem Metalldraht bei Zimmertemperatur übernehmen folgende Ladungsträger den Stromtransport (A) nur negative Ionen (B) negative
MehrHalbleiter. Das Herz unserer multimedialen Welt. Bastian Inselmann - LK Physik
Halbleiter Das Herz unserer multimedialen Welt Inhalt Bisherig Bekanntes Das Bändermodell Halbleiter und ihre Eigenschaften Dotierung Anwendungsbeispiel: Funktion der Diode Bisher Bekanntes: Leiter Isolatoren
MehrLufthansa B1 Lehrgang Unterrichtsmitschrift Modul M4 Electronic Fundamentals
Halbleiter Halbleiter sind stark abhängig von : - der mechanischen Kraft (beeinflusst die Beweglichkeit der Ladungsträger) - der Temperatur (Zahl und Beweglichkeit der Ladungsträger) - Belichtung (Anzahl
MehrHalbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise
Halbleiter und Transistoren - Prinzip und Funktionsweise Reine Halbleitermaterialien, wie Silizium (Si) oder Germanium (Ge) sind bei Zimmertemperatur fast Isolatoren: bzw. bei sinkender Temperatur HL Isolator
MehrTRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA
TRANSISTORKENNLINIEN 1 (TRA 1) DANIEL DOLINSKY UND JOHANNES VRANA Inhaltsverzeichnis 1. Einleitung... 1 2. Messverfahren... 1 3. Bemerkung zur Fehlerrechnung... 1 4. Stromverstärkungsfaktor... 2 5. Eingangskennlinie...
MehrMikroprozessor - und Chiptechnologie
Mikroprozessor - und Chiptechnologie I 1 1 Halbleiterfunktionen 2 8 Halbleiterbauelemente 8 Halbleiterbauelemente 8.1 Grundlagen 8.2 Dioden 8.3 Transistoren 8.4 Einfache Grundschaltungen Als halbleitend
MehrUniversität - GH Essen Fachbereich 7 Physik PHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER. E 7 - Dioden
niversität - GH Essen Fachbereich 7 Physik 20.9.01 PHYSIKALISCHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER Versuch: E 7 - Dioden 1. Grundlagen nterschied zwischen Leitern, Halbleitern und Isolatoren, Dotierung von Halbleitern
MehrEds = 0. Wichtigste Punkte der Vorlesung am Punktladungen: (als Spezialfall "Kugel" aus allgemeinerem Gesetz) elektr. Feld: Feldlinienbild:
Vorlesung "Grundlagen der Elektrotechnik II" SS 2011 Wichtigste Punkte der Vorlesung am 06.04.11 Punktladungen: E = 1 Q = 1 Q ε ε 4π r2 ε A o (als Spezialfall "Kugel" aus allgemeinerem Gesetz) ε o = 8,85
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 5. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 18. Mai 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. Aufbau der Materie 2. Energiebändermodell
Mehr5.5 Drehstrom, Mehrphasenwechselstrom
5.5 Drehstrom, Mehrphasenwechselstrom Mehrere (hier: N = 3) Wechselspannungen gleicher Frequenz und äquidistanter Phasenverschiebung 2p/N (hier: 2,09 rad oder 120 ) n 1 U n U0 cos t 2p N Relativspannung
MehrKlausur , Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5
Klausur 18.09.2009, Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5 1 (6 Punkte) Matr.-Nr.: In der Schaltung sind die beiden Lampen identisch und die Batterie sei eine ideale Spannungsquelle.
Mehr5. Kennlinien elektrischer Leiter
KL 5. Kennlinien elektrischer Leiter 5.1 Einleitung Wird an einen elektrischen Leiter eine Spannung angelegt, so fliesst ein Strom. Als Widerstand des Leiters wird der Quotient aus Spannung und Strom definiert:
MehrAtom-, Molekül- und Festkörperphysik
Atom-, Molekül- und Festkörperphysik für LAK, SS 2013 Peter Puschnig basierend auf Unterlagen von Prof. Ulrich Hohenester 10. Vorlesung, 27. 6. 2013 Halbleiter, Halbleiter-Bauelemente Diode, Solarzelle,
Mehr2. Vorlesung: Boolesche Algebra
2. Vorlesung: Boolesche Algebra Wiederholung Codierung, Decodierung Boolesche Algebra UND-, ODER-Verknüpfung, Negation Boolesche Postulate Boolesche Gesetze 1 Wiederholung 2 Bits und Bitfolgen Bit: Maßeinheit
MehrDiplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,
MehrAnaloge und digitale Signale
Analoge und digitale Signale Binär Erster binärer Zustand Zweiter binärer Zustand Schalter geschlossen Schalter geöffnet Impuls vorhanden Impuls nicht vorhanden Transistor leitend Transistor sperrt Spannung
MehrGegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Bild1. Aufgabenstellungen
Übung1 Gegeben ist eine Schaltung nach Bild1 mit zwei Siliziumdioden: Werte: R1= 2 kω Bild1 R2= 1kΩ U0= 6V Aufgabenstellungen Lösung Berechnen Sie die von dem Widerstand R2 aufgenommene Leistung, wenn
Mehr3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
MehrFrequenzverhalten eines Kondensators Ein Kondensator hat bei 50 Hz einen kapazitiven Blindwiderstand von
TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN LÖSUNGSSATZ INDUKTION, EINPHASEN-WECHSELSTROM PETITIONEN KONDENSATOR IM WECHSELSTROMKIS 7 Frequenzverhalten eines Kondensators Ein Kondensator hat bei 0 Hz einen kapazitiven Blindwiderstand
MehrUmdruck zum Versuch. Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und. Anwendung von Messgeräten
Universität Stuttgart Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik Umdruck zum Versuch Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und Anwendung von Messgeräten Bitte bringen Sie zur Versuchsdurchführung
MehrDelton T. Hörn. Grundlagen der ELEKTRONIK. Übersetzt und bearbeitet von Alfred Eibimayr. Markt&Technik Verlag AG ^2/1.2*5(0*0
^2/1.2*5(0*0 Delton T. Hörn Grundlagen der ELEKTRONIK Übersetzt und bearbeitet von Alfred Eibimayr Markt&Technik Verlag AG Vorwort 11 1 Was ist Elektronik? 13 Elektronische Bauelemente 13 Basis-Schaltungen
Mehr2. Halbleiterbauelemente
Fortgeschrittenpraktikum I Universität Rostock» Physikalisches Institut 2. Halbleiterbauelemente Name: Daniel Schick Betreuer: Dipl. Ing. D. Bojarski Versuch ausgeführt: 20. April 2006 Protokoll erstellt:
MehrArbeitsbereich Technische Aspekte Multimodaler Systeme (TAMS) Praktikum der Technischen Informatik T2 2. Kapazität. Wechselspannung. Name:...
Universität Hamburg, Fachbereich Informatik Arbeitsbereich Technische Aspekte Multimodaler Systeme (TAMS) Praktikum der Technischen Informatik T2 2 Kapazität Wechselspannung Name:... Bogen erfolgreich
MehrNvK-Gymnasium Bernkastel-Kues Widerstände. Physik Elektronik 1 U 5V = R= 20 = 0,25A R 20 1V 1A
Widerstände I R 20 = Ω U 5V I = R= 20 = Ω 0,25A U = R I 10 100Ω = 1kΩ ± 5% 402 100Ω = 40, 2kΩ ± 2% 1Ω = 1V 1A Widerstände U = R I 1Ω = 1V 1A 12 100 kω = 1, 2MΩ ± 5% 56 10Ω = 560Ω ± 10% 47 100Ω = 4,7kΩ
MehrVersuch E21 - Transistor als Schalter. Abgabedatum: 24. April 2007
Versuch E21 - Transistor als Schalter Sven E Tobias F Abgabedatum: 24. April 2007 Inhaltsverzeichnis 1 Thema des Versuchs 3 2 Physikalischer Kontext 3 2.1 Halbleiter und ihre Eigenschaften..................
MehrNANO III. Operationen-Verstärker 1. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen
NANO III Operationen-Verstärker Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen Verwendete Gesetze Gesetz von Ohm = R I Knotenregel Σ ( I ) = 0 Maschenregel Σ ( ) = 0 Ersatzquellen Überlagerungsprinzip
Mehr4. Klausur Thema: Wechselstromkreise
4. Klausur Thema: Wechselstromkreise Physik Grundkurs 0. Juli 2000 Name: 0 = 8, 8542$ 0 2 C Verwende ggf.:,, Vm 0 =, 2566$ 0 6 Vs Am g = 9, 8 m s 2 0. Für saubere und übersichtliche Darstellung, klar ersichtliche
MehrAmateurfunkkurs. Themen Übersicht. Erstellt: Landesverband Wien im ÖVSV. 1 Widerstand R. 2 Kapazität C. 3 Induktivität L.
Amateurfunkkurs Landesverband Wien im ÖVSV Erstellt: 2010-2011 Letzte Bearbeitung: 20. Februar 2016 Themen 1 2 3 4 5 6 Zusammenhang zw. Strom und Spannung am Widerstand Ein Widerstand... u i Ohmsches Gesetz
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrVorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen
Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen
MehrFestkörperelektronik 2008 Übungsblatt 6
Lichttechnisches Institut Universität Karlsruhe (TH) Prof. Dr. rer. nat. Uli Lemmer Dipl.-Phys. Alexander Colsmann Engesserstraße 13 76131 Karlsruhe Festkörperelektronik 6. Übungsblatt 10. Juli 2008 Die
MehrHeute werden Elektronenröhren durch moderne Halbleiterbauelemente ersetzt. Röhrendiode Elektronenröhren
Heute werden Elektronenröhren durch moderne Halbleiterbauelemente ersetzt. Röhrendiode Elektronenröhren Transistoren Halbleiterdiode Der Transistor Der Transistor ist ein aktives auelement, der über einen
MehrHalbleiter, Dioden. wyrs, Halbleiter, 1
Halbleiter, Dioden Halbleiter, 1 Inhaltsverzeichnis Aufbau & physikalische Eigenschaften von Halbleitern Veränderung der Eigenschaften mittels Dotierung Vorgänge am Übergang von dotierten Materialen Verhalten
MehrElektrizitätslehre und Magnetismus
Elektrizitätslehre und Magnetismus Othmar Marti 02. 06. 2008 Institut für Experimentelle Physik Physik, Wirtschaftsphysik und Lehramt Physik Seite 2 Physik Klassische und Relativistische Mechanik 02. 06.
MehrElektrizitätslehre 3.
Elektrizitätslehre 3. Elektrischer Strom Strom = geordnete Bewegung der Ladungsträgern Ladungsträgern: Elektronen Ionen Strom im Vakuum Strom im Gas Strom in Flüssigkeit (Lösung) Strom im Festkörper Leiter
MehrGrundlagen der Elektrotechnik: Wechselstromwiderstand Xc Seite 1 R =
Grundlagen der Elektrotechnik: Wechselstromwiderstand Xc Seite 1 Versuch zur Ermittlung der Formel für X C In der Erklärung des Ohmschen Gesetzes ergab sich die Formel: R = Durch die Versuche mit einem
MehrDiplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,
MehrE Technologische Grundlagen
E Technologische Grundlagen 2002, Franz J. Hauck, Verteilte Systeme, Univ. Ulm, [2005sTI1ETech.fm, 20050517 14.57] http://wwwvs.informatik.uniulm.de/teach/ws04/avo/ E.1 1 Einordnung Ebene 6 Ebene 5 Ebene
MehrInduktion. Bewegte Leiter
Induktion Bewegte Leiter durch die Kraft werden Ladungsträger bewegt auf bewegte Ladungsträger wirkt im Magnetfeld eine Kraft = Lorentzkraft Verschiebung der Ladungsträger ruft elektrisches Feld hervor
MehrElektronik NATURWISSENSCHAFT UND TECHNIK. 1. Halbleiter Messung der Beleuchtungsstärke (Zusatzexperiment)
1. Halbleiter 1.1. Ein belichtungsabhängiger Widerstand (LDR) 1 LDR-Widerstand 4 Verbindungsleitungen 1.2. Messung der Beleuchtungsstärke (Zusatzexperiment) 1 LDR-Widerstand 4 Verbindungsleitungen 1. Halbleiter
MehrDiplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Dauer: 90 Minuten Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik Matr.-Nr.: Hörsaal:
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
Mehr4. GV: Wechselstrom. Protokoll zum Praktikum. Physik Praktikum I: WS 2005/06. Protokollanten. Jörg Mönnich - Anton Friesen - Betreuer.
Physik Praktikum I: WS 005/06 Protokoll zum Praktikum 4. GV: Wechselstrom Protokollanten Jörg Mönnich - Anton Friesen - Betreuer Marcel Müller Versuchstag Dienstag, 0.1.005 Wechselstrom Einleitung Wechselstrom
MehrBipolartransistor- npn
Transistor gesteuertes Bauelement (transfer resistor) durch eine angelegte Spannung oder elektrischen Stromsteuerbarer elektrischer Widerstand zum Schalten oder Verstärken von elektrischen Signalen bipolar
MehrGrundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes
Grundlagen der Rechnertechnologie Sommersemester 2010 10. Vorlesung Dr.-Ing. Wolfgang Heenes 22. Juni 2010 TechnischeUniversitätDarmstadt Dr.-Ing. WolfgangHeenes 1 Inhalt 1. Vorbesprechung drittes Labor
MehrWechselstromkreis E 31
E 3 kreis kreis E 3 Aufgabenstellung. Bestimmung von Phasenverschiebungen zwischen Strom und Spannung im kreis.2 Aufbau und ntersuchung einer Siebkette 2 Physikalische Grundlagen n einem kreis (Abb.) befinde
MehrAusarbeitung: MOSFET
Ausarbeitung: MOSFET Inhaltverzeichnis: 1. Einleitung 2. Definition 3. Aufbau 4. Kennlinien 5. Anwendungen 6. Vor- & Nachteile 7. Quellen 1 1.Einleitung: Die erste begrifflich ähnliche MOSFET- Struktur
MehrEin- und Ausschaltvorgang am Kondensator ******
6.2.3 ****** Motivation Bei diesem Versuch werden Ein- und Ausschaltvorgänge an RC-Schaltkreisen am PC vorgeführt. 2 Experiment Abbildung : Versuchsaufbau zum Eine variable Kapazität (C = (0 bis 82) nf)
Mehr-Dioden- -Strom- und Spannungsmessung bei einer Halbleiterdiode-
-Dioden- Dioden sind Bauelemente, durch die der Strom nur in eine Richtung fliessen kann. Sie werden daher häufig in Gleichrichterschaltungen eingesetzt. Die Bezeichnung Diode ist aus der griechischen
Mehr1 Grundlagen der Elektrizitätslehre
1 GRUNDLAGEN DER ELEKTRIZITÄTSLEHRE 1 1 ( 1 ) S t r o m q u e l l e ( ) S c h a l t e r ( 3 ) G l ü h b i r n e O 3 Abbildung 1: Ein einfacher Stromkreis I = 0 : I > 0 : ( 1 ) S t r o m l e i t e r ( )
MehrKondensator und Spule
Hochschule für angewandte Wissenschaften Hamburg Naturwissenschaftliche Technik - Physiklabor http://www.haw-hamburg.de/?3430 Physikalisches Praktikum ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
MehrAufgabe Summe Note Mögliche Punkte Erreichte Punkte
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 1 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 7. April 005 Klausurdauer : Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung DIN
MehrGrundlagen der Elektrotechnik 3. Übungsaufgaben
Campus Duisburg Grundlagen der Elektrotechnik 3 Nachrichtentechnische Systeme Prof. Dr.-Ing. Ingolf Willms Version Juli 08 Aufgabe 1: Man bestimme die Fourier-Reihenentwicklung für die folgende periodische
MehrFestkörperelektronik 2008 Übungsblatt 5
Lichttechnisches Institut Universität Karlsruhe (TH) Prof. Dr. rer. nat. Uli Lemmer Dipl.-Phys. Alexander Colsmann Engesserstraße 13 76131 Karlsruhe Festkörperelektronik 5. Übungsblatt 26. Juni 2008 Die
MehrKomplexe Widerstände
Komplexe Widerstände Abb. 1: Versuchsaufbau Geräteliste: Kondensator 32μ F 400V, Kapazitätsdekade, Widerstandsdekade, Widerstand ( > 100Ω), Messwiderstand 1Ω, verschiedene Spulen, Funktionsgenerator Speicheroszilloskop,
MehrDielektrizitätskonstante
Dielektrizitätskonstante Spannung am geladenen Plattenkondensator sinkt, wenn nichtleitendes Dielektrikum eingeschoben wird Ladung bleibt konstant : Q = C 0 U 0 = C D U D Q + + + + + + + + + + + - - -
MehrSchülerexperimente zur Elektronik
Schülerexperimente zur Elektronik Walter Sova Diodenschaltungen 1) Welche Lämpchen leuchten jeweils bei den Schalterstellungen? 2) Für den Durchlassbereich eines bestimmten Diodentyps wurde die dargestellte
MehrNF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = Hz).
25.10.2014_Nachlese_DB6UV Wir haben diesmal einen NF-Verstärker (Niederfrequenz-Verstärker) gebaut. NF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = 18000
MehrKlausurvorbereitung Elektrotechnik für Maschinenbau. Thema: Gleichstrom
Klausurvorbereitung Elektrotechnik für Maschinenbau 1. Grundbegriffe / Strom (5 Punkte) Thema: Gleichstrom Auf welchem Bild sind die technische Stromrichtung und die Bewegungsrichtung der geladenen Teilchen
MehrHinweis: Bei a) und b) fehlt der Transformator!
1. Zeichnen Sie einen Einweggleichrichter inkl. Transformator b) einen Zweiweggleichrichter inkl. Transformator c) Brückengleichrichter inkl. Transformator b) c) U di=0,45 U 1 U di=0,45 U 1 U di=0,9 U
MehrLogikausgang Grundschaltungen in CMOS-Technik
Logikausgang Grundschaltungen in CMOS-Technik X Liers - PEG-Vorlesung WS00/0 - Institut für Informatik - FU Berlin 49 Logikausgang Grundschaltungen CS INV in CMOS-Technik (Tristate) Transistor leitet X
MehrDuE-Tutorien 17 und 18
DuE-Tutorien 17 und 18 Tutorien zur Vorlesung Digitaltechnik und Entwurfsverfahren Christian A. Mandery TUTORIENWOCHE 5 AM 02.12.2011 KIT Universität des Landes Baden-Württemberg und nationales Forschungszentrum
MehrAuswertung. C16: elektrische Leitung in Halbleitern
Auswertung zum Versuch C16: elektrische Leitung in Halbleitern Alexander FufaeV Partner: Jule Heier Gruppe 434 Einleitung In diesem Versuch sollen wir die elektrische Leitung in Halbleitern untersuchen.
MehrE Technologische Grundlagen
1 Einordnung E Technologische Grundlagen Ebene 6 Ebene 5 Ebene 4 Ebene 3 Ebene 2 Ebene 1 Ebene 0 roblemorientierte Sprache Assemblersprache etriebssystem ISA (Instruction Set Architecture) Mikroarchitektur
MehrViel Erfolg!! Aufgabe 1: Operationsverstärker (ca. 10 Punkte) Seite 1 von 8. Wintersemester 2016/17 Elektronik
Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Wintersemester 2016/17 Elektronik Matr.-Nr.: Name, Vorname: Hörsaal: Unterschrift: Prof. Dr.-Ing. Tilman
Mehr5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren
5. Tutorium Digitaltechnik und Entwurfsverfahren Tutorium Nr. 13 Alexis Tobias Bernhard Fakultät für Informatik, KIT Universität des Landes Baden-Württemberg und nationales Forschungszentrum in der Helmholtz-Gemeinschaft
MehrFAKULTÄT FÜR ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK
Elektronik 1 - Bauelemente Vorlesung 5, 09.11.2017 Nils Pohl FAKULTÄT FÜR ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK Lehrstuhl für Integrierte Systeme Organisatorisches Terminübersicht 02.11. 12:15 Vorlesung
MehrVorlesung 5: Magnetische Induktion
Vorlesung 5: Magnetische Induktion, georg.steinbrueck@desy.de Folien/Material zur Vorlesung auf: www.desy.de/~steinbru/physikzahnmed georg.steinbrueck@desy.de 1 WS 2016/17 Magnetische Induktion Bisher:
MehrGrundlagen Elektronik
Grundlagen Elektronik Halbleiter Aufbau und Eigenschaften von Silizium Herstellung eines Halbleiters 1. Diode Der PN-Übergang & Die Diffusionsspannung Eigenschaften einer Halbleiterdiode Erklärung der
MehrDetektoren in der Kern- und Teilchenphysik Szintillationsdetektoren Ionisationsdetektoren Halbleiterdetektoren
Wechselwirkung geladener Teilchen in Materie Physik VI Sommersemester 2008 Detektoren in der Kern- und Teilchenphysik Szintillationsdetektoren Ionisationsdetektoren Halbleiterdetektoren Szintillationsdetektoren
MehrElektrizitätsleitung in Halbleitern
Elektrizitätsleitung in Halbleitern Halbleiter sind chemische Elemente, die elektrischen Strom schlecht leiten. Germanium, Silicium und Selen sind die technisch wichtigsten Halbleiterelemente; aber auch
MehrLabor für Grundlagen der Elektrotechnik. EE1- ETP1 Labor 4. Weitere Übungsteilnehmer: Messung von Kapazitäten und Induktivitäten
Department Informations- und Elektrotechnik Studiengruppe: Übungstag: Professor: abor für Grundlagen der Elektrotechnik EE1- ETP1 abor 4 Testat: Protokollführer (Name, Vorname): Weitere Übungsteilnehmer:
MehrPraktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2
Werner-v.-Siemens-Labor für elektrische Antriebssysteme Prof. Dr.-Ing. Dr. h.c. H. Biechl Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 2 (GET2) Versuch 2 Messungen mit dem Oszilloskop Lernziel: Dieser Praktikumsversuch
Mehr4. Übung: PLA & Schaltungen Abteilung Verteilte Systeme, Universität Ulm
Technische Informatik I 6 4. Übung: PLA & Schaltungen Technische Informatik I 6 Aufgabe : PAL und PLA a) Eine ganzzahlige Division zweier -it inärzahlen soll mit Hilfe eines PLA realisiert werden. Dabei
MehrDie Diode. Roland Küng, 2009
Die Diode Roland Küng, 2009 Halbleiter Siliziumgitter Halbleiter Eine aufgebrochene kovalente Bindung (Elektronenpaar) produziert ein Elektron und ein Loch Halbleiter Typ n z.b. Phosphor Siliziumgitter
MehrElektronik. Für Studenten des FB WI Prof. M. Hoffmann FB ET/IT. Handout 4 Halbleiterdioden
Elektronik ür Studenten des B WI Prof. M. Hoffmann B ET/IT Handout 4 Halbleiterdioden Definition und unktion pn-übergang mit äußerer Spannung Kennlinien und Parameter Ersatzschaltbild Anwendungsbeispiele
Mehr4. Feldeffekttransistor
4. Feldeffekttransistor 4.1 Aufbau und Funktion eines Sperrschicht-FETs (J-FET) Eine ganz andere Halbleiterstruktur gegenüber dem Bipolartransistor weist der Feldeffektransistor auf. Hier wird ein dotierter
MehrDokumentation und Auswertung. Labor. Kaiblinger, Poppenberger, Sulzer, Zöhrer. 2.1 Prüfen von Transistoren 2.2 Schaltbetrieb 2.3 Kleinsignalverstärker
TGM Abteilung Elektronik und Technische Informatik Übungsbetreuer Dokumentation und Auswertung Prof. Zorn Labor Jahrgang 3BHEL Übung am 17.01.2017 Erstellt am 21.01.2017 von Übungsteilnehmern Übungsteilnehmer
MehrPrüfung Elektronik 1
Prof. Dr.-Ing. J. Siegl 01. Februar 2007 Georg Simon Ohm Fachhochschule Nürnberg FB Elektrotechnik-Feinwerktechnik-Informationstechnik; Vorname: Unterschrift Name: Matrikelnummer: Prüfung Elektronik 1
MehrStoffplan ELT Wintersemester
Stoffplan ELT Wintersemester 1 Physikalische Grundlagen I 1.1 Strom 1.1.1 Ladung 1.1.2 Definition und Messung von Strom 1.1.3 Stromkreis, Begriff der Reihen- und Parallelschaltung, Knotenregel 1.2 Spannung
MehrDiplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik,
MehrElektronische Eigenschaften von Halbleitern
Elektronische Eigenschaften von Halbleitern In der Vorlesung Elektronische Schaltungen lernen Sie das Verhalten verschiedener Halbleiterbauelemente kennen: Dioden, Bipolare Transistoren, Feldeffekttransistoren
MehrDotierung. = gezieltes Verunreinigen des Si-Kristalls mit bestimmten Fremdatomen. n-dotierung Einbau. von Atomen mit 3 Valenzelektronen
Halbleiter Dotierung = gezieltes Verunreinigen des Si-Kristalls mit bestimmten Fremdatomen. n-dotierung Einbau von Atomen mit 5 Valenzelektronen = Donatoren Elektronengeber (P, Sb, As) p-dotierung Einbau
Mehr5 Elektronik. Detaillierte Lernziele: 5.1 Mechanische Widerstände. Ich kann anhand der Farbcodetabelle Widerstandswerte (inkl. Toleranz) bestimmen.
5 ELEKTRONIK 5 Elektronik Detaillierte Lernziele: 5.1 Mechanische Widerstände Ich kann anhand der Farbcodetabelle Widerstandswerte (inkl. Toleranz) bestimmen. Ich weiss, was z.b. die IEC-Normreihe E24
MehrHalbleiter, Dioden. wyrs, Halbleiter, 1
Halbleiter, Dioden Halbleiter, 1 Inhaltsverzeichnis Aufbau & physikalische Eigenschaften von Halbleitern Veränderung der Eigenschaften mittels Dotierung Vorgänge am Übergang von dotierten Materialen Verhalten
Mehr