Schaltungstechnik 1 (Wdh.)
|
|
- Friedrich Pfeiffer
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik Schaltungstechnik 1 (Wdh.) Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Freitag, den :00 10:30 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.: Hörsaal: Platz-Nr.: Dieses Aufgabenheft hat 14 Seiten. Die Gesamtzahl der Punkte beträgt 90. Als Unterlagen für die Prüfung sind maximal 5 beliebig beschriebene Blätter DIN A4 erlaubt. Taschenrechner und Mobiltelefone sind nicht zugelassen. Mit * gekennzeichnete Aufgaben sind ohne Kenntnis des Ergebnisses der vorhergehenden Teilaufgaben lösbar. Es werden nur solche Ergebnisse gewertet, bei denen der Lösungsweg erkennbar ist! Technische Universität München Lehrstuhl für Netzwerktheorie und Signalverarbeitung Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek
2 2 Aufgabe 1 Knotenspannungsanalyse (23 Punkte) In Bild 1 sei eine, aus ohmschen Widerständen, einem idealen Operationsverstärker, unabhängigen Quellen und einer gesteuerten Quelle bestehende, Schaltung gegeben. Es wird angenommen, dass der Operationsverstärker im streng linearen Bereich betrieben wird. Mit Hilfe der Knotenspannungsanalyse soll die Schaltung untersucht werden. G 1 1 G i 2 2 g m u u 1 u u 4 G 2 G 4 Bild 1. Operationsverstärkerschaltung a)* In der gegebenen Schaltung lässt sich jede Spannung und jeder Strom als Summe der Reaktionen auf die unabhängigen Quellen u 1 und i 2 berechnen. Wie bezeichnet man diesen allgemeinen Zusammenhang? b)* Bereiten Sie die Schaltung für eine Knotenspannungsanalyse vor, indem Sie den Operationsverstärker durch das entsprechende Ersatzschaltbild ersetzen und die stromgesteuerten Elemente zu spannungsgesteuerten Elementen wandeln. Übernehmen Sie dabei die Knotennummerierung von Bild 1.
3 Name: Matrikel-Nr.: c)* Geben Sie die Gleichungen der Knotenspannungsanalyse ohne Berücksichtigung des Nullors an u k,1 u k,2 u k,3 u k,4 = Y k u k = i q d) Führen Sie die zur Berücksichtigung des Nullors notwendigen Schritte durch und geben Sie das resultierende Gleichungssystem in Matrixschreibweise an. e)* Bestimmen Sie die Spannung u 4 als Funktion von u 1 und i 2.
4 4 Aufgabe 2 Mehrtore, CMOS-Schaltungen (48 Punkte) In einem bidirektionalen Bussystem für die Übertragung binärer Daten stören sich, aufgrund der Imperfektionen des Isolationsmaterials, die Leitungen in beiden Richtungen gegenseitig. Der nicht-ideale Isolator ist durch Querwiderstände modelliert (siehe Bild 2). Alle Spannungsquellen nehmen entweder den Wert 0V ( logisch 0 ) oder 5V ( logisch 1 ) an. In Teil I, wird der Datenbus als beschaltetes Mehrtor untersucht. In Teil II, soll ein spezieller CMOS-Inverter mit zwei durch u st gesteuerten Inverterschwellspannungen analysiert werden, der für die Rekonstruktion der binären Quelle u eingesetzt wird. In Teil III, wird die Logik zur Ansteuerung des Inverters entworfen. R 3R 3R 3R u 3 u 2 u 1 Logik u Datenbus u e 0A Inverter u a u st Bild 2. Zu untersuchende Schaltung Beachte: Die folgenden drei Aufgabenteile können unabhängig voneinander gelöst werden. Teil I: Analyse des Datenbusses In diesem Teil, soll die Störung auf einer bestimmten Leitung (Strecke von u zu u e ) untersucht werden. Dabei stellen drei andere Leitungen, die durch die Spannungsquellen u 1, u 2 und u 3 angesteuert sind, die Störquellen dar. a)* Geben Sie u e als Funktion von u für u 1 = u 2 = u 3 = 0V an.
5 Name: Matrikel-Nr.: b)* Geben Sie u e als Funktion von u 1 für u = u 2 = u 3 = 0V an. c) Geben Sie nun u e als Funktion von u, u 1, u 2, und u 3 an. Nutzen Sie hierfür die Ergebnisse aus den Teilaufgaben a) und b) sowie das Superpositionsprinzip. d) Welchen Wert kann die Spannung u e maximal annehmen, wenn u = 0V? Und welchen Wert kann u e minimal annehmen, wenn u = 5V? Hinweis: Zur Erinnerung u 1,u 2,u 3 {0V, 5V}.
6 6 Teil II: Steuerbarer CMOS-Inverter Aus dem vorherigen Teil geht hervor, dass die binäre Spannung u sich nicht mit einem üblichen CMOS-Inverter alleine aus der Spannung u rekonstruieren lässt. Bild 3 zeigt einen speziellen Inverter mit dem Eingang u e und dem Ausgang u a. Durch die Steuerspannung u st soll zwischen zwei möglichen Inverterschwellspannungen umgeschaltet werden. Die Inverterschwellspannung ist die Eingangsspannung, bei der der Übergang zwischen 1 und 0 am Ausgang stattfindet (nicht zu verwechseln mit den Transistorschwellspannungen U th = ±1V). Für die Drainströme der Transistoren im Sättigungsbereich, gilt und i d,i = β i 2 (u gs,i 1V) 2 mit u ds,i u gs,i 1V 0 für i {1, 3, 5}, i d,i = β i 2 (u gs,i + 1V) 2 mit u ds,i u gs,i + 1V 0 für i {2, 4, 6}. Außerdem, gilt β 3 = β 4 = 3β 1 = 3β 2. Hingegen sind β 5 und β 6 so groß, dass die Transistoren T5 und T6 als Schalter (Leerlauf/Kurzschluss je nach Spannung u st ) betrachtet werden können. T6 T4 T2 u st u e T3 T5 T1 u a 5V Bild 3. CMOS-Inverter mit schaltbarer Inverterschwellspannung e)* Vereinfachen Sie die Schaltung aus Bild 3 soweit wie möglich für den Fall u st = 0V. Folglich wird die Drain-Source-Strecke von T5 als Leerlauf und die Drain-Source-Strecke von T6 als Kurzschluss betrachtet.
7 Name: Matrikel-Nr.: f) Bestimmen Sie die erste Inverterschwellspannung u e = U e,1 zahlenmässig für den Fall u st = 0V. Hierzu befinden sich die Transistoren T1, T2 und T4 im Sättigungsbereich. g) Geben Sie für den Fall aus Teilaufgabe f) den Bereich für die Ausgangsspannung u a so an, dass sich die Transistoren T1, T2 und T4 tatsächlich im Sättigungsbereich befinden.
8 8 h) Skizzieren Sie, ausgehend von Ihren bisherigen Ergebnissen, den Verlauf der Kennlinie des Inverters für den Fall u st = 0V. 5V u a 0 5V u e i)* Vereinfachen Sie nun die Schaltung aus Bild 3 soweit wie möglich für u st = 5V. Somit wird die Drain-Source-Strecke von T5 als Kurzschluss und diejenige von T6 als Leerlauf betrachtet. j) Bestimmen Sie die zweite Inverterschwellspannung u e = U e,2 zahlenmässig. Nehmen Sie dabei an, dass sich die Transistoren T1, T2 und T3 im Sättigungsbereich befinden.
9 Name: Matrikel-Nr.: k) Geben Sie für den Fall aus Teilaufgabe j) den Bereich für die Ausgangsspannung u a so an, dass sich die Transistoren T1, T2 und T3 tatsächlich im Sättigungsbereich befinden. l) Skizzieren nun Sie den Verlauf der Kennlinie des Inverters für den Fall u st = 5V. 5V u a 0 5V u e
10 10 Teil III: Logikschaltung Für die Generierung der Steuerspannung u st geht man von folgender Überlegung aus. Falls mindestens zwei der drei Spannungen, u 1, u 2 und u 3, 5V sind, dann begünstigt ihre Interferenz auf die Spannung u e den Wert logisch 1, und deshalb steuert man die obere Inverterschwellspannung. Umgekehrt, wählt man die untere Inverterschwellspannung dann, wenn mindestens zwei der drei Spannungen 0V sind. Die nachgeschaltete Logik trifft also ausgehend von u 1, u 2 und u 3 eine Mehrheitsentscheidung. m)* Geben Sie den Booleschen Ausdruck einer Mehrheitsentscheidungsfunktion f(u 1,u 2,u 3 ) an, die den Wert 1 annimmt wenn mindestens zwei der drei Argumente 1 sind. Die optimale Booleschen Funktion für die Steuerspannung u st ergibt sich zu u st = (u 1 (u 2 u 3 )) (u 2 u 3 ). n)* Zeichnen Sie eine Logikschaltung auf Transistor-Ebene in CMOS-Technologie, die die Funktion u st als Komplex-Gatter realisiert. u 3 u 2 PU u st u 1 PD 5V
11 Name: Matrikel-Nr.: Aufgabe 3 Bipolare Transistoren (19 Punkte) Gegeben sei das folgende Eintor, bestehend aus einem npn-transistor, einem Widerstand, einem idealen Übertrager und einer Spannungsquelle. F i 1 ü:1 i 2 u 1 u 2 u i R i b i c U 0 u be Bild 4: Transistor-Schaltung Die Spannungsquelle U 0 > 0 ist konstant. Es wird angenommen, dass der Transistor sich im Vorwärtsbetrieb befindet. Somit gelte: i b = I s (e u be U T 1) i c = βi b, mit der Stromverstärkung β. Für den idealen Übertrager gilt u 1 = ü u 2 und i 1 = i 2 /ü. a)* Zeigen Sie, dass i b = i β+ü.
12 12 b)* Bestimmen Sie allgemein die Widerstandsbeschreibung des Eintors u = r(i) für allgemeine Bauelementwerte. Nun folgt eine Kleinsignal-Analyse. Für den Transistor soll das Kleinsignal-Ersatzschaltbild aus Bild 5 verwendet werden. b i b r β i b c e Bild 5: Transistor KS-ESB c)* Zeichnen Sie das KS-Ersatzschaltbild des Eintors, indem Sie die Ersatzschaltung aus Bild 5 für den Transistor einsetzen und die konstanten Quellen durch Nullquellen ersetzen.
13 Name: Matrikel-Nr.: d) Leiten Sie den Kleinsignalwiderstand r F = u i her. e) Was muss das Übertragungsverhältnis ü bei gegebener Stromverstärkung β erfüllen, damit r F < 0 ist? Hinweis: β,r,r > 0.
14 14 90
4 DIGITALE SCHALTUNGSTECHNIK
Digitale Schaltungstechnik 59 4 DIGITALE SCHALTUNGSTECHNIK Um Daten zu verarbeiten, verwenden Computer als grundlegende Größen logische Variablen, die genau zwei Zustände annehmen können, nämlich den Wert
MehrAufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997
Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 6141 4 10 am 14.03.1997 5 18 6 11 Σ 71 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene Hilfsmittel
MehrÜbungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1
Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik
MehrMB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik
MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester
MehrBeispielklausur 2 - Halbleiterbauelemente. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte
Aufgabe 1: Halbleiterphysik I 1.1) Skizzieren Sie (ausreichend groß) das Bändermodell eines n-halbleiters. Zeichnen Sie das Störstellenniveau, das intrinsische Ferminiveau und das Ferminiveau bei Raumtemperatur,
MehrFür alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.
Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.
MehrKleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik
Kleine Formelsammlung zu Elektronik und Schaltungstechnik Florian Franzmann 21. September 2004 Inhaltsverzeichnis 1 Stromrichtung 4 2 Kondensator 4 2.1 Plattenkondensator...............................
Mehr2 Netze an Gleichspannung
Carl Hanser Verlag München 2 Netze an Gleichspannung Aufgabe 2.13 Die Reihenschaltung der Widerstände R 1 = 100 Ω und R 2 liegt an der konstanten Spannung U q = 12 V. Welchen Wert muss der Widerstand R
MehrSpannungen und Ströme
niversität Koblenz Landau Name:..... Institut für Physik orname:..... Hardwarepraktikum für Informatiker Matr. Nr.:..... Spannungen und Ströme ersuch Nr. 1 orkenntnisse: Stromkreis, Knotenregel, Maschenregel,
MehrAufgabe 1 2 3 4 5 6 Summe Note Mögliche Punkte 13 20 16 23 31 15 118 Erreichte Punkte
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 1 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 11. Oktober 005 Klausurdauer : Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung
MehrAufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, lassen sich unabhängig von anderen Teilaufgaben lösen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Messtechnik 2 Studiengang: Mechatronik, Elektrotechnik Bachelor SS2014 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 23.7.2014 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,
Mehr- Grundlagen der Elektrotechnik I - 81 11.01.01. 5 Gleichströme und Gleichspannungen in linearen Netzwerken 1
- Grundlagen der Elektrotechnik - 8.0.0 5 Gleichströme und Gleichspannungen in linearen Netzwerken 5. Begriffsbestimmungen 5.. Netzwerk, Knoten, Zweig, Schleife, Masche Allgemein besteht eine Schaltung
MehrMarkus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003. Digitaltechnik
Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 1 30.06.2003 Digitaltechnik Markus Kühne www.itu9-1.de Seite 2 30.06.2003 Inhaltsverzeichnis Zustände...3 UND austein ; UND Gatter...4 ODER austein ; ODER Gatter...5 NICHT
MehrTransistor FET. Roland Küng, 2010
Transistor FET Roland Küng, 2010 1 Transistor: FET Im Gegensatz zu den stromgesteuerten Bipolartransistoren sind Feldeffekttransistoren spannungsgesteuerte Schaltungselemente. Die Steuerung erfolgt über
Mehr4. Nichtlineare Bauelemente, Schaltungen und Systeme
4. Nichtlineare Bauelemente, Schaltungen und Systeme (4.1) (4.2) (4.3) (4.4) 4.1 Nichtlineare Bauelemente 4.1.2 Nichtlinearer Widerstand Abb. 4.1. Stromgesteuerte Widerstände (4.5) Spannungsgesteuerte
MehrBei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner
MehrBreitbandverstärker. Samuel Benz. Laborbericht an der Fachhochschule Zürich. vorgelegt von. Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich
Breitbandverstärker Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 7. Juni 2003 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis Vorgaben.
MehrPhysik in der Praxis: Elektronik
MATHEMATISCH-NATURWISSENSCHAFTLICHE FAKULTÄT I INSTITUT FÜR PHYSIK Physik in der Praxis: Elektronik Bonus-Versuch: Feldeffekt-Transistoren und Einführung in die CMOS-Logik Abgabe am 20.02.2011 Übungsgruppe
MehrFeldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren ortrag im Rahmen des Seminars Halbleiterbauelemente on Thomas Strauß Gliederung Unterschiede FET zu normalen Transistoren FET Anwendungsgebiete und orteile Die Feldeffekttransistorenfamilie
MehrFit für die Prüfung Elektrotechnik Effektives Lernen mit Beispielen und ausführlichen Lösungen
Jan Luiken ter Haseborg Christian Schuster Manfred Kasper Fit für die Prüfung Elektrotechnik Effektives Lernen mit Beispielen und ausführlichen Lösungen 18 1 Elektrische Gleichstromnetzwerke det(a 2 )
MehrPS II - Verständnistest 24.02.2010
Grundlagen der Elektrotechnik PS II - Verständnistest 24.02.2010 Name, Vorname Matr. Nr. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 7 Punkte 3 4 2 2 1 5 2 erreicht Aufgabe 8 9 10 11 12 Summe Punkte 4 2 3 3 4 35 erreicht Hinweise:
MehrAufgabensammlung. a) Berechnen Sie den Basis- und Kollektorstrom des Transistors T 4. b) Welche Transistoren leiten, welche sperren?
Aufgabensammlung Digitale Grundschaltungen 1. Aufgabe DG Gegeben sei folgende Schaltung. Am Eingang sei eine Spannung von 1,5V als High Pegel und eine Spannung von 2V als Low Pegel definiert. R C = 300Ω;
MehrVersuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker
Bergische Universität Wuppertal Praktikum Fachbereich E Werkstoffe und Grundschaltungen Bachelor Electrical Engineering Univ.-Prof. Dr. T. Riedl WS 20... / 20... Hinweis: Zu Beginn des Praktikums muss
MehrDer Feldeffekttransistor
Gruppe: 2/19 Versuch: 1 Fachhochschule Deggendorf Fachbereich Elektrotechnik PRAKTIKUM BAUELEMENTE Der Feldeffekttransistor VERSUCH 1 Versuchsdatum: 23.11.2005 Teilnehmer: Abgabedatum: Blattzahl (inklusive
MehrPrüfung Sommersemester 2015 Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten
Prüfung GET Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Prüfung Sommersemester 2015 Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten F. Palme Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, 1 DIN-A4-Blatt Matr.-Nr.:
Mehr2 Gleichstrom-Schaltungen
für Maschinenbau und Mechatronik Carl Hanser Verlag München 2 Gleichstrom-Schaltungen Aufgabe 2.1 Berechnen Sie die Kenngrößen der Ersatzquellen. Aufgabe 2.5 Welchen Wirkungsgrad hätte die in den Aufgaben
MehrName (in Druckbuchstaben): Matrikelnummer: Unterschrift:
20-minütige Klausur zur Vorlesung Lineare Modelle im Sommersemester 20 PD Dr. Christian Heumann Ludwig-Maximilians-Universität München, Institut für Statistik 2. Oktober 20, 4:5 6:5 Uhr Überprüfen Sie
MehrRS-Flipflops. Parameterabhängige Nullstellenprobleme mit Umkehr- und Verzweigungspunkten. Proseminar Numerik, WiSe 02/03
RS-Flipflops Parameterabhängige Nullstellenprobleme mit Umkehr- und Verzweigungspunkten Proseminar Numerik, WiSe /3 1 Grundbegriffe der Digitaltechnik Die digitale Schaltungstechnik beschäftigt sich mit
MehrGrundlagen der Elektrotechnik 2 für WIng Teil 2 S.2
Teil 2 S.1 1 2 3 4 5 6 7 8 Summe Note 20 10 13 10 6 8 14 24 105............ Name Vorname Matr.-Nr. Unterschrift Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, Zeichenmaterial 2 Blätter = 4 Seiten selbst geschriebene
Mehr1. Gleichstrom 1.4 Berechnungsverfahren für die Netzwerke Überlagerungsprinzip Maschenstromverfahren Knotenpotenzialverfahren Zweipoltheorie
Überlagerungsprinzip Maschenstromverfahren Knotenpotenzialverfahren Zweipoltheorie 1 Überlagerungsprinzip (Superposition) Vorgehensweise: Jede Energiequelle wird getrennt betrachtet Resultierende Gesamtwirkung
MehrAmateurfunk-Kurs Ortsverband C Ø1, Vaterstetten 16.01.06
Netzteil 1 Netzgerätetechnik Die bei fast allen elektronischen Geräten benötigte Betriebspannung ist eine Gleichspannung, die üblicherweise in einem Bereich von 6..24 V liegt. Um diese Betriebspannungen
MehrInhaltsverzeichnis. Teil I. Grundlagen
Inhaltsverzeichnis Teil I. Grundlagen 1 Erklärung der verwendeten Größen 2 Passive RC- und LRC-Netzwerke 2.1 Der Tiefpaß 2.2 Der Hochpaß 2.3 Kompensierter Spannungsteiler.... 2.4 Passiver KC-Bandpaß 2.5
MehrFehlerrechnung. Aufgaben
Fehlerrechnung Aufgaben 2 1. Ein digital arbeitendes Längenmeßgerät soll mittels eines Parallelendmaßes, das Normalcharakter besitzen soll, geprüft werden. Während der Messung wird die Temperatur des Parallelendmaßes
MehrHardwarepraktikum der Fakultät für Informatik der Technischen Universität Dortmund Skriptum Dr. Karl-Heinz Temme Wintersemester 2015/16
Hardwarepraktikum der Fakultät für Informatik der Technischen Universität Dortmund Skriptum Dr. Karl-Heinz Temme Wintersemester 2015/16 1-1 Kapitel 1 Vorwort In diesem Praktikum sollen Sie ihre in der
MehrKlausur 23.02.2010, Grundlagen der Elektrotechnik I (BSc. MB, SB, VT, EUT, BVT, LUM) Seite 1 von 6. Antwort (ankreuzen) (nur eine Antwort richtig)
Klausur 23.02.2010, Grundlagen der Elektrotechnik I (BSc. MB, SB, VT, EUT, BVT, LUM) Seite 1 von 6 1 2 3 4 5 6 Summe Matr.-Nr.: Nachname: 1 (5 Punkte) Drei identische Glühlampen sind wie im Schaltbild
MehrC04 Operationsverstärker Rückkopplung C04
Operationsverstärker ückkopplung 1. LITEATU Horowitz, Hill The Art of Electronics Cambridge University Press Tietze/Schenk Halbleiterschaltungstechnik Springer Dorn/Bader Physik, Oberstufe Schroedel 2.
MehrUnipolarer Transistor
SZ für Elektrotechnik resden Fachschule für Technik nipolarer Transistor r.-ing. we Heiner Leichsenring www.leichsenring-homepage.de Gliederung Grundtypen und Funktionsweise Grundschaltungen 3 Kennlinien
MehrKLAUSUR DIGITALTECHNIK SS 00
Aufgabe 1 (20P) KLAUSUR DIGITALTECHNIK SS 00 Entwerfen Sie ein Flipflop unter ausschließlicher Verwendung eines Dreifach-UND und dreier Zweifach-ODER. Beschreiben Sie das Verhalten ( Zustandsdiagramm,
MehrÜbung Halbleiterschaltungstechnik
Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2011/12 Übungsleiter: Hannes Antlinger Martin Heinisch Thomas Voglhuber-Brunnmaier Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 4040 Linz, Internet:
MehrDer Bipolar-Transistor und die Emitterschaltung Gruppe B412
TECHNISCHE UNIVERSITÄT MÜNCHEN Der Bipolar-Transistor und die Emitterschaltung Gruppe B412 Patrick Christ und Daniel Biedermann 16.10.2009 1. INHALTSVERZEICHNIS 1. INHALTSVERZEICHNIS... 2 2. AUFGABE 1...
MehrLaborübung Gegentaktendstufe Teil 1
Inhaltsverzeichnis 1.0 Zielsetzung...2 2.0 Grundlegendes zu Gegentaktverstärkern...2 3.0 Aufgabenstellung...3 Gegeben:...3 3.1.0 Gegentaktverstärker bei B-Betrieb...3 3.1.1 Dimensionierung des Gegentaktverstärkers
MehrDigitaltechnik. TI-Tutorium. 29. November 2011
Digitaltechnik TI-Tutorium 29. November 2011 Themen Schaltsymbole Transistoren CMOS nächstes Übungsblatt 2 Aufgaben Schaltsymbole Widerstand npn-transistor Widerstand pnp-transistor Glühlampe pmos Transistor
MehrDaniell-Element. Eine graphische Darstellung des Daniell-Elementes finden Sie in der Abbildung 1.
Dr. Roman Flesch Physikalisch-Chemische Praktika Fachbereich Biologie, Chemie, Pharmazie Takustr. 3, 14195 Berlin rflesch@zedat.fu-berlin.de Physikalisch-Chemische Praktika Daniell-Element 1 Grundlagen
MehrFachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik. Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik
FH D FB 4 Fachhochschule Düsseldorf Fachbereich Maschinenbau und Verfahrenstechnik Elektro- und elektrische Antriebstechnik Prof. Dr.-Ing. Jürgen Kiel Praktikum Elektrotechnik und Antriebstechnik Versuch
MehrLabor Einführung in die Elektrotechnik
Laborleiter: Ostfalia Hochschule für angewandte Wissenschaften Fakultät Elektrotechnik Labor Einführung in die Elektrotechnik Prof. Dr. M. Prochaska Laborbetreuer: Versuch 2: Erstellen technischer Berichte,
MehrInstitut für Informatik. Aufgaben zum Seminar Technische Informatik
UNIVERSITÄT LEIPZIG Institut für Informatik bt. Technische Informatik Dr. Hans-Joachim Lieske ufgaben zum Seminar Technische Informatik ufgabe 2.4.1. - erechnung einer Transistorschaltung mit Emitterwiderstand
MehrKennlinienaufnahme elektronische Bauelemente
Messtechnik-Praktikum 06.05.08 Kennlinienaufnahme elektronische Bauelemente Silvio Fuchs & Simon Stützer 1 Augabenstellung 1. a) Bauen Sie eine Schaltung zur Aufnahme einer Strom-Spannungs-Kennlinie eines
Mehr3. Halbleiter und Elektronik
3. Halbleiter und Elektronik Halbleiter sind Stoe, welche die Eigenschaften von Leitern sowie Nichtleitern miteinander vereinen. Prinzipiell sind die Elektronen in einem Kristallgitter fest eingebunden
MehrPraktikum Elektronik WS12/13 Versuch 1 Einführung in P-Spice
FRITZ-HÜTTINGER-PROFESSUR FÜR MIKROELEKTRONIK PROF. DR.-ING. YIANNOS MANOLI ALBERT-LUDWIGS- UNIVERSITÄT FREIBURG Praktikum Elektronik WS12/13 Versuch 1 Einführung in P-Spice Betreuer Dipl.-Ing. Christian
MehrFH Jena Prüfungsaufgaben Prof. Giesecke FB ET/IT Binäre Rechenoperationen WS 11/12
FB ET/IT Binäre Rechenoperationen WS /2 Name, Vorname: Matr.-Nr.: Zugelassene Hilfsmittel: beliebiger Taschenrechner eine selbsterstellte Formelsammlung Wichtige Hinweise: Ausführungen, Notizen und Lösungen
MehrFH Jena Prüfungsaufgaben Prof. Giesecke FB ET/IT Binäre Rechenoperationen WS 09/10
FB ET/IT Binäre Rechenoperationen WS 9/ Name, Vorname: Matr.-Nr.: Zugelassene Hilfsmittel: beliebiger Taschenrechner eine selbst erstellte Formelsammlung Wichtige Hinweise: Ausführungen, Notizen und Lösungen
MehrÜbungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
MehrStatische Timing-Analyse
2.6 Statische Timing Analyse Statische Timing-Analyse Überblick Delay Elmore-Delay Wire-Load-Modell Pfad-Problem Pfade/Cones Kritischer Pfad Setup- und Hold- Zeit Ein- und Ausgänge Falsche Pfade Slack
Mehr7. Unipolare Transistoren, MOSFETs
7.1. Funktionsweise Die Bezeichnung MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) deutet auf den Aufbau dieses Transistors hin: Das Halbleiterelement ist mit einer sehr dünnen, isolierenden
MehrVersuch EL-V4: Feldeekttransistoren
Versuch EL-V4: Feldeekttransistoren Inhaltsverzeichnis 1 Einleitung 2 2 Grundlagen 2 2.1 MOSFET..................................... 2 2.2 JFET....................................... 3 2.3 Übersicht der
MehrVerwendet man zur Darstellung nur binäre Elemente ( bis lat.: zweimal) so spricht man von binärer Digitaltechnik.
Kursleiter : W. Zimmer 1/24 Digitale Darstellung von Größen Eine Meßgröße ist digital, wenn sie in ihrem Wertebereich nur eine endliche Anzahl von Werten annehmen kann, also "abzählbar" ist. Digital kommt
MehrVersuch 17.2 Der Transistor
Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de
MehrTNF. Musterlösungen Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2012/13. Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel
TNF Musterlösungen Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 212/13 Übungsleiter: Christian Diskus Martin Heinisch Erwin Reichel Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69, 44 Linz, Internet:
MehrGrundlagen der Technischen Informatik. Sequenzielle Netzwerke. Institut für Kommunikationsnetze und Rechnersysteme. Paul J. Kühn, Matthias Meyer
Institut für Kommunikationsnetze und Rechnersysteme Grundlagen der Technischen Informatik Paul J. Kühn, Matthias Meyer Übung 2 Sequenzielle Netzwerke Inhaltsübersicht Aufgabe 2.1 Aufgabe 2.2 Prioritäts-Multiplexer
MehrFachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum. Praktikum Nr. 2. Thema: Widerstände und Dioden
Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 2 Name: Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Widerstände und Dioden Versuch durchgeführt
MehrP = U eff I eff. I eff = = 1 kw 120 V = 1000 W
Sie haben für diesen 50 Minuten Zeit. Die zu vergebenen Punkte sind an den Aufgaben angemerkt. Die Gesamtzahl beträgt 20 P + 1 Formpunkt. Bei einer Rechnung wird auf die korrekte Verwendung der Einheiten
MehrVersuch 21. Der Transistor
Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor
MehrNr. 11 Transistor als Verstärker Teil A
Nr. 11 Transistor als Verstärker Teil Der Transistor ( Transmitting Resistor ), was so etwas wie steuerbarer Widerstand bedeutet, hat vor Jahrzehnten durch blösung der Elektronenröhre eine technische Revolution
MehrElektronik II 2. Groÿe Übung
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1/31 Elektronik II 2. Groÿe Übung G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 4. Mai 2015 1. Brückengleichrichter
MehrElektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente
Elektronik-Grundlagen I Elektronische Bauelemente - Einführung für Studierende der Universität Potsdam - H. T. Vierhaus BTU Cottbus Technische Informatik P-N-Übergang HL-Kristall, Einkristall p-dotiert
MehrBauanleitung für den Kronleuchter des Grafen Zahl
Bauanleitung für den Kronleuchter des Grafen Zahl Grundschaltung: Masse ( ) 0k 0k Wechseltaster zwei Widerstände nach R S RS-NAND-Flipflop (RS-Latch) zum Entprellen der Wechseltaster (CMOS-IC 0) ODER-Gatter
MehrLabor Mikroelektronik. Prof. Dr.-Ing. Frank Kesel Dipl.-Ing.(FH) Manuel Gaiser Dipl.-Ing.(FH) Uwe Halmich. Versuch 2: CMOS-Inverter
Labor Mikroelektronik Prof. Dr.-Ing. Frank Kesel Dipl.-Ing.(FH) Manuel Gaiser Dipl.-Ing.(FH) Uwe Halmich Versuch 2: CMOS-Inverter Stand: 19.4.2010 1 Aufgabenstellung Sie sollen in diesem Versuch einen
MehrVersuch 21. Der Transistor. Wintersemester 2005 / 2006. Daniel Scholz. physik@mehr-davon.de
Physikalisches Praktikum für das Hauptfach Physik Versuch 21 Der Transistor Wintersemester 2005 / 2006 Name: Mitarbeiter: EMail: Gruppe: Daniel Scholz Hauke Rohmeyer physik@mehr-davon.de B9 Assistent:
MehrWiderstände I (Elektrischer Widerstand, Reihen- und Parallelschaltung)
Übungsaufgaben Elektrizitätslehre Klassenstufe 8 Widerstände I (Elektrischer Widerstand, Reihen- und Parallelschaltung) 4 ufgaben mit ausführlichen Lösungen (3 Seiten Datei: E-Lehre_8_1_Lsg) Eckhard Gaede
MehrVersuch P1-63 Schaltlogik Vorbereitung
Versuch P1-63 Schaltlogik Vorbereitung Gruppe Mo-19 Yannick Augenstein Versuchsdurchführung: 16. Januar 2012 1 Inhaltsverzeichnis Einführung 3 1 Grundschaltungen 3 1.1 AND.......................................
MehrVersuch 14: Transistor
Versuch 14: Transistor Transistoren werden sowohl als Schalter (in der Digitaltechnik) als auch als Verstärker betrieben. Hier sollen die Grundlagen des Transistors als Verstärkerelement erlernt werden,
MehrFeldeffekt-Transistor
5. Der Feldeffekt-Transistor 5.1. Einleitung Im Kapitel über den bipolaren Transistor (Engl.: Bipolar junction transistor oder BJT) haben wir gesehen, dass der Ausgangsstrom auf dem Kollektor proportional
MehrLeistungselektronik Grundlagen und Standardanwendungen. Übung 6: Verlustleistung und Kühlung
Lehrstuhl für Elektrische Antriebssysteme und Leistungselektronik Technische Universität München Arcisstraße 21 D 8333 München Email: eal@ei.tum.de Internet: http://www.eal.ei.tum.de Prof. Dr.-Ing. Ralph
MehrZulassungsprüfung für den Master-Studiengang in Elektrotechnik und Informationstechnik an der Leibniz Universität Hannover
Zulassungsprüfung für den Master-Studiengang in Elektrotechnik und Informationstechnik an der Leibniz Universität Hannover Zulassungsjahr: 202 (Sommersemester) Allgemeine Informationen: Der deutschsprachige
MehrKirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007
Protokoll zum Versuch Transistorschaltungen Kirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007 1 Transistor-Kennlinien 1.1 Eingangskennlinie Nachdem wir die Schaltung wie in Bild 13 aufgebaut hatten,
MehrStatische Kennlinien von Halbleiterbauelementen
Elektrotechnisches rundlagen-labor I Statische Kennlinien von Halbleiterbauelementen Versuch Nr. 9 Erforderliche eräte Anzahl ezeichnung, Daten L-Nr. 1 Netzgerät 0... 15V 103 1 Netzgerät 0... 30V 227 3
MehrModul. Elektrotechnik. Grundlagen. Kurs 1
Berner Fachhochschule BFH Hochschule für Technik und Informatik HTI Fachbereich Elektro- und Kommunikationstechnik EKT Modul Elektrotechnik Grundlagen Kurs 1 Inhaltsverzeichnis und Sachwortregister STR
MehrThyristor. n3 + N. Bild 1: Prinzipieller Aufbau und Ersatzschaltbild eines Thyristors
Beuth Hochschule für Technik Berlin Fachbereich VI Informatik und Medien Labor für utomatisierungstechnik, B054 WiSe 2009/2010 Elektrische Systeme Labor (ESÜ29) Studiengang Technische Informatik Thyristor
MehrKleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen
Dr.-Ing. G. Strassacker STRASSACKER lautsprechershop.de Kleinsignalverhalten von Feldeffekttransistoren 1 Theoretische Grundlagen 1.1 Übersicht Fets sind Halbleiter, die nicht wie bipolare Transistoren
MehrUNIVERSITÄT BIELEFELD
UNIVERSITÄT BIELEFELD Elektrizitätslehre GV: Gleichstrom Durchgeführt am 14.06.06 Dozent: Praktikanten (Gruppe 1): Dr. Udo Werner Marcus Boettiger Philip Baumans Marius Schirmer E3-463 Inhaltsverzeichnis
MehrJFET MESFET: Eine Einführung
JFET MESFET: Eine Einführung Diese Präsentation soll eine Einführung in den am einfachsten aufgebauten Feldeffektransistor, den Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, JFET bzw. non-insulated-gate-fet,
MehrDIE FILES DÜRFEN NUR FÜR DEN EIGENEN GEBRAUCH BENUTZT WERDEN. DAS COPYRIGHT LIEGT BEIM JEWEILIGEN AUTOR.
Weitere Files findest du auf www.semestra.ch/files DIE FILES DÜRFEN NUR FÜR DEN EIGENEN GEBRAUCH BENUTZT WERDEN. DAS COPYRIGHT LIEGT BEIM JEWEILIGEN AUTOR. Energie E= 1 Q r 4 r 2 r F = E q W 12 =Q E ds
MehrTeil 1: Digitale Logik
Teil 1: Digitale Logik Inhalt: Boolesche Algebra kombinatorische Logik sequentielle Logik kurzer Exkurs technologische Grundlagen programmierbare logische Bausteine 1 Analoge und digitale Hardware bei
MehrNANO III. Operationen-Verstärker. Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen
NANO III Operationen-Verstärker Eigenschaften Schaltungen verstehen Anwendungen Verwendete Gesetze Gesetz von Ohm = R I Knotenregel Σ ( I ) = Maschenregel Σ ( ) = Ersatzquellen Überlagerungsprinzip Voraussetzung:
MehrTheoretische Grundlagen
Theoretische Grundlagen m eistungsbereich oberhalb 0,75 kw ("integral horsepower") sind etwa 7% der gefertigten elektrischen Maschinen Gleichstrommaschinen. Haupteinsatzgebiete sind Hüttenund Walzwerke,
MehrELEXBO A-Car-Engineering
1 Aufgabe: -Bauen Sie alle Schemas nacheinander auf und beschreiben Ihre Feststellungen. -Beschreiben Sie auch die Unterschiede zum vorherigen Schema. Bauen Sie diese elektrische Schaltung auf und beschreiben
MehrAufgaben Wechselstromwiderstände
Aufgaben Wechselstromwiderstände 69. Eine aus Übersee mitgebrachte Glühlampe (0 V/ 50 ma) soll mithilfe einer geeignet zu wählenden Spule mit vernachlässigbarem ohmschen Widerstand an der Netzsteckdose
MehrSchalten mittels Transistor
Manfred Kämmerer Technische Informatik Seite 1 Schalten mittels Transistor Der Transistor, der in Abbildung 1 gezeigten Schaltung (BC 237), arbeitet als elektronischer Schalter in Emitterschaltung. Die
MehrZusatzinfo LS11. Funktionsprinzipien elektrischer Messgeräte Version vom 26. Februar 2015
Funktionsprinzipien elektrischer Messgeräte Version vom 26. Februar 2015 1.1 analoge Messgeräte Fließt durch einen Leiter, welcher sich in einem Magnetfeld B befindet ein Strom I, so wirkt auf diesen eine
MehrPraktikum Nr. 3. Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik. Versuchsbericht für das elektronische Praktikum
Fachhochschule Bielefeld Fachbereich Elektrotechnik Versuchsbericht für das elektronische Praktikum Praktikum Nr. 3 Manuel Schwarz Matrikelnr.: 207XXX Pascal Hahulla Matrikelnr.: 207XXX Thema: Transistorschaltungen
MehrAS Praktikum M.Scheffler, C.Koegst, R.Völz Amplitudenmodulation mit einer Transistorschaltung - 1 1. EINFÜHRUNG...2 2. VERSUCHSDURCHFÜHRUNG...
- 1 Inhaltsverzeichnis 1. EINFÜHRUNG...2 1.1 BESTIMMUNG DES MODULATIONSGRADS...3 1.1.1 Synchronisation auf die Modulationsfrequenz...4 1.1.2 Synchronisation auf die Trägerfrequenz...4 1.1.3 Das Modulationstrapez...4
MehrHochschule Bremerhaven
Hochschule Bremerhaven NSTTUT FÜ AUTOMATSEUNGS- UND EEKTOTEHNK Name: Matr Nr: ProfDr-ngKaiMüller Übungsklausur ETT2 / PT/VAT/SBT SS04 Bearbeitungszeit 20 Minuten --- Unterlagen gestattet --- Note: 2 3
MehrAufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, lassen sich unabhängig von anderen Teilaufgaben lösen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Messtechnik 2 Studiengang: Mechatronik, Elektrotechnik Bachelor SS2013 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 24.7.2013 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,
Mehr1 Wiederholung einiger Grundlagen
TUTORIAL MODELLEIGENSCHAFTEN Im vorliegenden Tutorial werden einige der bisher eingeführten Begriffe mit dem in der Elektrotechnik üblichen Modell für elektrische Netzwerke formalisiert. Außerdem soll
MehrElektrische Bauelemente
Auswertung Elektrische Bauelemente Carsten Röttele Stefan Schierle Versuchsdatum: 22. 05. 2012 Inhaltsverzeichnis 1 Temperaturabhängigkeit von Widerständen 2 2 Kennlinien 4 2.1 Kennlinienermittlung..............................
Mehr1. 2 1.1. 2 1.1.1. 2 1.1.2. 1.2. 2. 3 2.1. 2.1.1. 2.1.2. 3 2.1.3. 2.2. 2.2.1. 2.2.2. 5 3. 3.1. RG58
Leitungen Inhalt 1. Tastköpfe 2 1.1. Kompensation von Tastköpfen 2 1.1.1. Aufbau eines Tastkopfes. 2 1.1.2. Versuchsaufbau.2 1.2. Messen mit Tastköpfen..3 2. Reflexionen. 3 2.1. Spannungsreflexionen...3
MehrDieses Werk ist copyrightgeschützt und darf in keiner Form vervielfältigt werden noch an Dritte weitergegeben werden. Es gilt nur für den
1 Einleitung Die Hochspannungsgleichstromübertragung (HGÜ) gewinnt durch die Nutzung regenerativer Energien zunehmend an Bedeutung. Die Yunnan-Guangdong HGÜ in China, welche die Energie aus den Wasserkraftwerken
MehrPraktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.
Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll
MehrStatische Timing-Analyse
Navigation Statische Timing-Analyse Delay Elmore-Delay Wire-Load-Modell Pfad-Problem Pfade/Cones Kritischer Pfad... Breitensuche Setup- und Hold-Zeit Ein- und Ausgänge Sensibilisierbarkeit Slack-Histogramm
Mehr