HFT-Praktikum Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers (SoSe 2014) BB/1. U Bat C 2. Bild 1: Schaltbild des einstufigen Verstärkers
|
|
- Heini Fischer
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 HFT-Praktikum Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers (SoSe 2014) BB/1 1. Grundsätzliches Ziel des Versuchs ist der Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers für den Frequenzbereich von 50 MHz bis 500 MHz, der eingangs- und ausgangsseitig an 50 Ω angepasst sein soll. Die S-Parameter des Verstärkers sollen gemessen und die Rauschzahl und Rauschtemperatur bestimmt werden. Der Versuch erstreckt sich über drei Labortermine. Während der ersten beiden Termine werden vorbereitende Berechnungen und Messungen durchgeführt. Bei den weiteren Terminen ist dann der Verstärker freitragend auf einer kupferkaschierten Platine aufzubauen, so dass die S-Parameter und die Rauschzahl gemessen werden können. Zu jedem Termin sind die jeweiligen Vorbereitungsaufgaben von jedem Laborteilnehmer schriftlich zu lösen. Diese sind zu Beginn des Termins bei dem Betreuer von jeder Gruppe abzugeben und teilweise vor der Gruppe zu präsentieren bzw. vorzurechnen. Nach den drei Terminen ist spätestens drei Werktage vor der abschließenden Rücksprache am 08. Juli 2014 ein Protokoll abzugeben, welches den Umfang von 20 Seiten nicht übersteigen sollte. Für eine erfolgreiche Durchführung des Versuchs ist die Kenntnis der entsprechenden Kapitel der angegebenen Literatur Voraussetzung. 2. Grundprinzip U Bat C 3 R 2 E R 1 BFR91 C 2 A C 1 Bild 1: Schaltbild des einstufigen Verstärkers Der Verstärker soll eingangs- und ausgangsseitig an 50 Ω betrieben werden. Die Leistungsverstärkung erfordert daher eine Verstärkung von Strom und Spannung. Ohne Impedanztransformation ist dies nur mit einer Emitterschaltung wie zum Beispiel in Abbildung 1 möglich. Als aktives Element soll der npn-silizium-transistor BFR91 verwendet werden (siehe beigefügtes Datenblatt) Kleinsignal-HF-Ersatzschaltbild Um die HF-Eigenschaften des Transistors charakterisieren zu können, wird das aus der Vorlesung bekannte Giacoletto-Ersatzschaltbild verwendet [1]. In Abbildung 2 wurden zusätzlich zum vereinfachten Giacoletto-Ersatzschaltbild an Basis und Kollektor noch Zuleitungsinduktivitäten eingefügt.
2 HFT-Praktikum Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers (SoSe 2014) BB/2 c 12e c csp B C L r b U b L e r e c e 1 r e U b e E Bild 2: Vereinfachtes Giacoletto-Ersatzschaltbild eines bipolaren Transistors mit Zuleitungsinduktivitäten 3. Termin Vorbereitungsaufgaben Gleichstrom-Arbeitspunkt Welche Versorgungsspannung U Bat ist laut Datenblatt maximal zulässig, ohne den Transistor zu gefährden? Wählen Sie eine um 3 Volt niedrigere Versorgungsspannung U Bat! Durch welche zwei Mechanismen wird die Wechselspannungsauslenkung am Kollektor begrenzt, bzw. wann treten starke Verzerrungen auf? Wie muss also die Gleichspannung am Kollektor gewählt werden, um maximale Auslenkungen zu ermöglichen? Der Emittergleichstrom wird durch die maximale Verlustleistung begrenzt. Welcher maximale Strom wäre hier zulässig? Bestimmen Sie die Widerstände R 1 und R 2 für I E = 30 ma! Setzen Sie hierfür eine Gleichstromverstärkung von 50 an Bestimmung der Streuparameter des Transistors Mit Hilfe des Giacoletto-Ersatzschaltbildes lassen sich auch die S-Parameter des Transistors bestimmen. Im Folgenden ist S 11 unter der Annahme zu bestimmen, dass c 12e = c csp = 0 gilt. Bestimmen Sie zunächst r e und c e für β 0 = 80 und ω α = ω T für I E = 30 ma (U T = 25 mv). Bestimmen Sie für eine Zuleitungsinduktivität von L = 1.5 nh den Basisbahnwiderstand r b für möglichst gute Übereinstimmung mit den Werten aus dem Datenblatt. Vergleichen Sie die berechneten Werte mit denen aus dem Datenblatt in einem Smith-Diagramm. Erläutern Sie anhand des Smith-Diagrammes, warum zusätzlich zum normalen Giacoletto-Ersatzschaltbild die Zuleitungsinduktivität gebraucht wird Die Koppelkondensatoren Die Kapazitäten C 1, C 2 und C 3 sind idealerweise unendlich groß. Mit der Kapazität eines Kondensators wächst leider im Allgemeinen die parasitäre Induktivität, so dass der Blindwiderstand für hohe Frequenzen sehr groß wird. Skizzieren Sie den erwarteten Frequenzverlauf von S 11 eines Serienschwingkreises
3 HFT-Praktikum Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers (SoSe 2014) BB/3 in einem Smith-Diagramm. Bestimmen Sie den Frequenzverlauf von S 21 für mindestens 6 Kombinationen von L = nh und C = pf für einen Bereich von 1 MHz bis 2 GHz und geben Sie die jeweilige Resonanzfrequenz an Praktischer Teil Im praktischen Teil erhalten Sie zunächst eine Einführung in das Programm Ansoft Designer, sofern keine Vorkenntnisse aus der Rechenübung zu Hochfrequenztechnik I vorliegen. Ansoft Designer dient der Bestimmung von S-Parametern sowie dem Design von Mikrowellenschaltungen. Im Rahmen dieses Labors wird nur die erstgenannte Anwendung genutzt. Folgende Punkte sind im Rahmen dieses Termins zu bearbeiten: Machen Sie sich mit den grundlegenden Befehlen der Menüführung vertraut. Entwerfen Sie eine LC Reihenschaltung und bestimmen Sie S 11 (Smith-Chart) und S 21 entsprechend der dritten Vorbereitungsaufgabe. Wie ändert sich der Verlauf von S 11, wenn zusätzlich zur Kapazität (LC Reihenschaltung) auch mögliche Zuleitungen berücksichtigt wird? Nehmen Sie hierbei an, dass die Kapazität mit C = 50 pf und L = 10 nh zwei Zuleitungen mit jeweils einer Induktivität von 10 nh und einer Kapazität von 1 pf aufweist. Welche Annahme wurde bei der Beschreibung der Zuleitungen mit jeweils nur einer Kapazität und Induktivität gemacht? Entwerfen Sie eine Schaltung entsprechend dem Giacoletto-Ersatzschaltbild mit r b = 45 Ω, c 12e = 0.65 pf und c csp = 0.1 pf. Verwenden Sie hierbei die bereits vorgegebene gesteuerte Stromquelle aus der Datei stromquelle.s2p. Achten Sie besonders auf das richtige Verschalten der Stromquelle. 4. Termin Vorbereitungsaufgaben Leiten Sie die in Anhang A angegebenen S-Parameter für eine gesteuerte Stromquelle analytisch her. Bestimmen Sie mit Hilfe des Programmes Ansoft Designer die Streuparameter des Transistors. Vergleichen Sie sie mit den Werten im Datenblatt sowie mit dem analytisch bestimmten S 11. Zeichnen Sie dazu S 11 und S 22 in ein Smith-Diagramm. Die Ortskurven von S 12 und S 21 sind in ein Diagramm für Polarkoordinaten und als Betrag in kartesischen Koordinaten zu zeichnen. Versuchen Sie durch sinnvolle Modifikation der Parameter bzw. weitere parasitäre Komponenten die Übereinstimmung zwischen Simulation und Datenblatt zu verbessern.
4 HFT-Praktikum Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers (SoSe 2014) BB/ Praktischer Teil: Leitungsinduktivitäten Machen Sie sich mit dem Netzwerkanalysator genauer vertraut. Zunächst soll die parasitäre Induktivität der Anschlussdrähte untersucht werden. Dazu wird ein Koppelkondensator viermal hintereinander mit jeweils verschiedenen Längen der Anschlussdrähte zwischen die BNC-Buchsen der Platine gelötet. Mit dem Netzwerkanalysator lassen sich nun die Streuparameter der LC-Reihenschaltung bestimmen. Die Induktivität lässt sich ungefähr mit der aufgedruckten Kapazität aus der Resonanzfrequenz bestimmen. Zeichnen Sie die Induktivität über der Länge auf und formulieren Sie daraus eine Merkregel Induktivität pro Länge in nh/mm! Beachten Sie diese Merkregel beim Aufbau des Verstärkers und schätzen Sie den Einfluss der Induktivitäten bei f = 1 GHz ab! Analog zu den Vorbereitungsaufgaben ist der nutzbare Frequenzbereich verschiedener Kondensatoren, d.h. Kapazitäten und Induktivitäten entsprechend der Anschlussdrähte, zu bestimmen. Dazu werden die Kondensatoren wiederum in Transmission zwischen die beiden BNC-Buchsen gelötet. Geben Sie den Verlauf von S 11 im Smith Diagramm und von S 21 in kartesischen Koordinaten an. Vergleichen Sie Ihre Messergebnisse mit den vorher durchgeführten Simulationen (Termin 1). Für den Verstärker sollte der nutzbare Frequenzbereich ( S 21 3 db) mindestens von 50 MHz bis 500 MHz reichen entsprechend einer geringen Güte Q des resultierenden Schwingkreises. Nimmt man als einzige ohmsche Elemente die beiden Leitungswellenwiderstände mit 50 Ω an, so ergibt sich die Güte des Schwingkreises zu Q = ω 0 L/100 Ω mit ω0 2 = 1/LC. Wählen Sie nach den Messungen einen geeigneten Kondensator aus! 4.3. Praktischer Teil: Messung der Streuparameter Die Verstärkerschaltung aus Abbildung 1 ist freitragend auf der Kupfer-kaschierten Platine aufzubauen. Berücksichtigen Sie hierbei den Einfluss der Zuleitungsinduktivitäten! Erläutern Sie die Funktion der Kapazität C 3 (C 3 1 nf). Die S-Parameter des Verstärkers sollen nun zwischen 4 MHz und 1.3 GHz gemessen und skizziert werden (Transmission nur als Betrag, Reflexion im Smithdiagramm). Da der Netzwerkanalysator je nach Modell eventuell nur in eine Richtung messen kann, müssen in diesem Fall Ein- und Ausgang des Verstärkers vertauscht werden, um S 12 und S 22 messen zu können. Wie groß ist der Gewinn bei 110 MHz? Vergleichen Sie die gemessenen S-Parameter mit den vorher berechneten und denen aus dem Datenblatt. Wie lassen sich eventuelle Abweichungen erklären? Gehen Sie hierbei auf etwaige Abweichungen des simulierten Modells von dem tatsächlich Laboraufbau ein. 5. Termin Vorbereitungsaufgaben Wie sind Rauschzahl und Rauschtemperatur definiert?
5 HFT-Praktikum Aufbau eines HF-Breitbandverstärkers (SoSe 2014) BB/5 Wie ergibt sich die Rauschzahl für beliebig viele hintereinandergeschaltete Vierpole? Machen Sie sich mit der 3-dB-Methode zur Messung der Rauschzahl vertraut (siehe [2]). Wie kann diese Methode auch ohne 3-dB-Dämpfungsglied durchgeführt werden? 5.2. Praktischer Teil Verbinden Sie den Ausgang des Verstärker mit dem Spektrumanalysator, wobei an den Eingang des Verstärkers ein offenes, langes Koaxialkabel angeschlossen wird. Bestimmen Sie das Leistungsspektrum im Bereich von 80 bis 120 MHz. Welche Frequenzen sind für eine Messung der Rauschzahl des Verstärkers ungeeignet. Geben Sie die Ursache an. Die Messung der Rauschzahl soll bei 110 MHz mit dem selektiven Voltmeter und dem Vorverstärker nach der 3-dB-Methode erfolgen. Gemessen wird die Gesamtrauschzahl des BFR91A- Verstärkers, des HP-Vorverstärkers und des Voltmeters. Um die Rauschzahl des BFR91A-Verstärkers ermitteln zu können, muss die Reihenfolge von BFR91A-Verstärker und HP-Vorverstärker variiert werden. Berechnen Sie die Rauschzahl und die Rauschtemperatur des BFR91A-Verstärkers! Literatur [1] Prof. K. Petermann, Skript zur Vorlesung Hochfrequenztechnik I+II [2] F. Landstorfer, H. Graf: Rauschprobleme der Nachrichtentechnik, R. Oldenbourg Verlag, 1981 A. S-Parameter für eine gesteuerte Stromquelle Die S-Parameter einer gesteuerten Stromquelle sind in der Datei stromquelle.s2p wie folgt nach Betrag S ij und Phase φ abgelegt (Steilheit 1/r e ). Hierbei wurde ein Leitungswellenwiderstand von 50 Ω und eine Steilheit von 1/r e = 1.2S angenommen. Z L U 1 U 2 1 r e U 1 Z L S ij φ S S 21 2Z L /r e 180 S S
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt
MehrPraktikum Elektronik
Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel. (0351) 462 2437 ~ Fax (0351)
MehrÜbungsaufgaben EBG für Mechatroniker
Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:
MehrU L. Energie kt ist groß gegenüber der Aktivierungs-
Probeklausur 'Grundlagen der Elektronik', SS 20. Gegeben ist die nebenstehende Schaltung. R 3 R R L U q 2 U q = 8 V R = 700 Ω =,47 kω R 3 = 680 Ω R L = 900 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrHalbleiterbauelemente
Halbleiterbauelemente Martin Adam Versuchsdatum: 10.11.2005 Betreuer: DI Bojarski 16. November 2005 Inhaltsverzeichnis 1 Versuchsbeschreibung 2 1.1 Ziel................................... 2 1.2 Aufgaben...............................
MehrPraktikum, Bipolartransistor als Verstärker
18. März 2015 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Praktikum, Bipolartransistor als Verstärker Einführung Die Schaltung in Abb. 1 stellt einen Audio Verstärker dar. Damit lassen sich die Signale aus einem Mikrofon
MehrOstfalia Hochschule für angewandte Wissenschaften Fakultät Elektrotechnik
Ostfalia Hochschule für angewandte Wissenschaften Fakultät Elektrotechnik Labor Mess- und Elektrotechnik Laborleiter: Prof. Dr. Ing. Prochaska Versuch 5: Laborbetreuer: Schwingkreise 1. Teilnehmer: Matrikel-Nr.:
MehrVortrag über die Bachelorarbeit
Vortrag über die Bachelorarbeit angefertigt von Mohamed Ahmed bei Prof. Dr.-Ing. K. Solbach Fachgebiet Hochfrequenztechnik an der Universität Duisburg-Essen Thema: Begrenzverstärker mit Polyphasen- Phasenschieber
MehrPraktikumsteam: Von der Studentin bzw. dem Studenten auszufüllen. Name / Vorname. Matrikelnummer. Unterschrift
Praktikumsteam: Dr.-rer.nat. Michael Pongs Dipl.-Ing. Aline Kamp B. Eng. B.Eng. Alphonsine Bindzi Effa Von der Studentin bzw. dem Studenten auszufüllen Name / Vorname Matrikelnummer Unterschrift Von einem
MehrLabor Elektronik. Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker. Teilnehmer: ... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...)
Labor Elektronik Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker Teilnehmer:... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...) Datum der Simulation: 09.12.2008 Datum der Messung: 23.12.2008 Allgemeines: Labor Elektronik,...,
MehrAufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?
Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters
MehrRechenübung HFT I (WiSe 2015/2016) Einführung, Leitungsgleichungen. Jürgen Bruns Hochfequenztechnik / Photonics RÜ HFT 1
Rechenübung HFT I (WiSe 2015/2016) Einführung, Leitungsgleichungen Jürgen Bruns Hochfequenztechnik / Photonics RÜ HFT 1 Organisatorisches zur Rechenübung HFT I o zweiwöchentlich (1 SWS) o bestandene HA
MehrBESTIMMUNG DES WECHSELSTROMWIDERSTANDES IN EINEM STROMKREIS MIT IN- DUKTIVEM UND KAPAZITIVEM WIDERSTAND.
Elektrizitätslehre Gleich- und Wechselstrom Wechselstromwiderstände BESTIMMUNG DES WECHSELSTROMWIDERSTANDES IN EINEM STROMKREIS MIT IN- DUKTIVEM UND KAPAZITIVEM WIDERSTAND. Bestimmung des Wechselstromwiderstandes
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrMathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen
Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung
MehrAbschlussprüfung Schaltungstechnik 2
Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer
Mehr1 Grundprinzip eines Bipolartransistors
Hochfrequenztechnik I Bipolare Transistoren BPT/1 1 Grundprinzip eines Bipolartransistors Ein bipolarer Transistor besteht aus einer pnp-schichtenfolge (pnp-transistor) bzw. einer npn-schichtenfolge (npn-transistor).
MehrUmdruck zum Versuch. Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und. Anwendung von Messgeräten
Universität Stuttgart Fakultät Informatik, Elektrotechnik und Informationstechnik Umdruck zum Versuch Basis 1 Eigenschaften einfacher Bauelemente und Anwendung von Messgeräten Bitte bringen Sie zur Versuchsdurchführung
MehrRechenübung HFT I (WiSe 2013/2014)
Rechenübung HFT I (WiSe 2013/2014) Einführung Leitungsgleichungen Organisatorisches zur Rechenübung HFT I zweiwöchentlich (1 SWS) bestandene HA (Simulation) ist Voraussetzung für die Klausur UE HFT bestandene
MehrBei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Elektronische Bauelemente WS2012/13 Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 23.1.2013 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,
MehrSkriptum zur 2. Laborübung. Transiente Vorgänge und Frequenzverhalten
Elektrotechnische Grundlagen (LU 182.692) Skriptum zur 2. Laborübung Transiente Vorgänge und Frequenzverhalten Martin Delvai Wolfgang Huber Andreas Steininger Thomas Handl Bernhard Huber Christof Pitter
MehrPraktikum 2: Diode, Logische Schaltungen mit Dioden und Feldeffekttransistoren
PraktikantIn 1 Matrikelnr: PraktikantIn 2 Matrikelnr: Datum: Aufgabe 2 durchgeführt: Aufgabe 3 durchgeführt: Aufgabe 4a durchgeführt: Aufgabe 4b durchgeführt: Aufgabe 4c durchgeführt: Aufgabe 4d durchgeführt:
MehrSimulation eines Klasse-C-Verstärkers mittels ADS
University of Applied Sciences FH Aachen FB5 Elektrotechnik und Informationstechnik Mikrowellentechnik Simulation eines Klasse-C-Verstärkers mittels ADS 17. Januar 2011 Lehrgebiet Hoch- und Höchstfrequenztechnik
MehrElektromagnetische Schwingkreise
Grundpraktikum der Physik Versuch Nr. 28 Elektromagnetische Schwingkreise Versuchsziel: Bestimmung der Kenngrößen der Elemente im Schwingkreis 1 1. Einführung Ein elektromagnetischer Schwingkreis entsteht
MehrA1 A2 A3 A4 A5 A6 Summe
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 25. Mai 2004 Name:............................. Vorname:............................. Matr.-Nr.:............................. Bitte den Laborbeteuer ankreuzen
MehrKapitel 1. Kleinsignalparameter
Kapitel 1 Kleinsignalparameter Der Name analoge Schaltung drückt aus, dass das Ausgangssignal dieser Schaltung immer stufenlos dem Eingangssignal folgt, d. h. in irgendeiner Form eine Proportionalität
MehrDiplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Dauer: 90 Minuten Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik Matr.-Nr.: Hörsaal:
MehrPrüfung Elektronik 1
Prof. Dr.-Ing. J. Siegl 01. Februar 2007 Georg Simon Ohm Fachhochschule Nürnberg FB Elektrotechnik-Feinwerktechnik-Informationstechnik; Vorname: Unterschrift Name: Matrikelnummer: Prüfung Elektronik 1
MehrDiplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,
MehrTransistorschaltungen
Transistorschaltungen V DD in Volt 3 2 V Ein - UTh,P V Ein - UTh,N 1-1 0 1 2 3 U Th,P U Th,N V Ein in Volt a) Schaltung b) Übertragungsfunktion Bipolar Transistorschaltung im System I Ein C Ein? V CC I
MehrGrundlagenpraktikum Elektrotechnik Teil 1 Versuch 4: Reihenschwingkreis
ehrstuhl ür Elektromagnetische Felder Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg Vorstand: Pro. Dr.-Ing. Manred Albach Grundlagenpraktikum Elektrotechnik Teil Versuch 4: eihenschwingkreis Datum:
MehrÜbungsaufgaben Elektrotechnik
Flugzeug- Elektrik und Elektronik Prof. Dr. Ing. Günter Schmitz Aufgabe 1 Übungsaufgaben Elektrotechnik Gegeben sei eine Zusammenschaltung einiger Widerstände gemäß Bild. Bestimmen Sie den Gesamtwiderstand
MehrKlausur WS2010: HF 54xxx / HF 54xxx. Mikrowellentechnik
Name: Matr.-Nr.: Unterschrift: Klausur WS2010: HF 54xxx / HF 54xxx Mikrowellentechnik Tag der Prüfung: 10.10.2010 Zeit: 08:30-11:30 Prüfer: Prof. Dr.-Ing. H. Heuermann 1. Tragen Sie Ihren Namen und Ihre
MehrHochschule für angewandte Wissenschaften Hamburg, Department F + F. Versuch 4: Messungen von Kapazitäten und Induktivitäten
1 Versuchsdurchführung 1.1 Messen des Blindwiderstands eines Kondensators Der Blindwiderstand C eines Kondensators soll mit Hilfe einer spannungsrichtigen Messschaltung (vergleiche Versuch 1) bei verschiedenen
MehrDiplomprüfung Elektronik WS 2004/2005 Dienstag,
FH München FB 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik WS 4/5 Dienstag,..5 Prof. Dr. Höcht Prof. Dr. Kortstock Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: Unterschrift:
MehrHÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN
HÖHERE TECHNISCHE BUNDESLEHRANSTALT HOLLABRUNN Höhere Abteilung für Elektronik Technische Informatik Klasse / Jahrgang: 3BHELI Gruppe: 2 / a Übungsleiter: Prof. Dum Übungsnummer: V/3 Übungstitel: Transistor
MehrTransistor Verstärker. Roland Küng, 2011
Transistor Verstärker Roland Küng, 2011 1 Design Flow 2.Sem. Rep. Arbeitspunkt (Bias) Kleinsignal-Ersatz BJT FET BJT FET 3 Grundschaltungen NF: Koppel- C s HF: Miller Mehrstufig ASV 4.Sem. 2 Repetition
MehrVersuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente
Versuch 5.1a: Transistorverstärker und digitale Bauelemente Ziel des Versuchs: Im ersten Teil des Versuchs wird eine einfache Spannungsverstärkerschaltung untersucht. Die Frequenzabhängigkeit der Spannungsverstärkung
MehrVerstärker in Emitter-Schaltung
Verstärker in Emitter-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 2.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis 1
MehrAC-DC Transfer Normale für kleine Stromstärken
Physikalisch-Technische Bundesanstalt Braunschweig und Berlin Nationales Metrologieinstitut AC-DC Transfer Normale für kleine Stromstärken Torsten Funck Arbeitsgruppe 2.13 Wechselstrom-Gleichstrom Transfer,
MehrKapitel 2. Grundschaltungen. 2.1 Allgemeines
Kapitel 2 Grundschaltungen 2.1 Allgemeines Die bisherige Beschreibung der Transistoren hatte sich auf den Fall beschränkt, dass die Emitter- bzw. Source-Elektrode die dem Eingang und dem Ausgang gemeinsame
MehrRobert-Bosch-Gymnasium
Seite - 1 - L-C-Schwingkreis niedriger Frequenz in Meißner-Schaltung 1. Theoretische Grundlagen Eine Parallelschaltung von Kondensator und Spule wirkt, nachdem der Kondensator aufgeladen wurde, als elektromagnetischer
MehrDer Bipolar-Transistor
Universität Kassel F 16: Elektrotechnik / Informatik FG FSG: Fahrzeugsysteme und Grundlagen der Elektrotechnik Wilhelmshöher Allee 73 D-34121 Kassel Prinzip des Transistors Seite: 2 Aufbau des ipolar-transistors,
MehrKomplexe Zahlen und ihre Anwendung in der Elektrotechnik
Praktikum für die Schüler der BOB Rosenheim im Rahmen des Workshops Komplexe Zahlen und ihre Anwendung in der Elektrotechnik SCHALTUNG 1 I ein Gegeben ist die Reihenschaltung eines Widerstandes R 10 k
MehrVersuchsprotokoll von Thomas Bauer und Patrick Fritzsch. Münster, den
E6 Elektrische Resonanz Versuchsprotokoll von Thomas Bauer und Patrick Fritzsch Münster, den.. INHALTSVERZEICHNIS. Einleitung. Theoretische Grundlagen. Serienschaltung von Widerstand R, Induktivität L
MehrMusterloesung. Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:...
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai 2003 berlin Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der
MehrGrundlagen der Elektrotechnik III
1 Vordiplomprüfung Grundlagen der Elektrotechnik III 06. April 2006 Name:... Vorname:... Mat.Nr.:... Studienfach:... Abgegebene Arbeitsblätter:... Bitte unterschreiben Sie, wenn Sie mit der Veröffentlichung
MehrAufgabe E1: Aufgabe E2: Aufgabe E3: Fachhochschule Aachen Lehrgebiet Flugzeug- Elektrik und Elektronik Prof. Dr. G. Schmitz
Aufgabe E1: Gegeben sei eine Leuchtdiode (LED), die an einer Gleichspannung von 3V betrieben werden soll. Dabei soll sich ein Strom von 10mA einstellen. a) erechnen Sie den erforderlichen Vorwiderstand,
MehrPSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang
MehrPraktikum Elektronik
Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel. (0351) 462 2437 ~ Fax (0351)
MehrÜbungsserie, Bipolartransistor 1
13. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Übungsserie, Bipolartransistor 1 Aufgabe 1. Invertierender Verstärker Die Abbildung 1 stellt einen invertierenden Verstärker dar. Es sei = 10 kω und = 1 kω.
MehrMWT Versuch 3. ADS-Simulation Verstärker F-Betrieb. von. Heinz Schuster
MWT Versuch 3 ADS-Simulation Verstärker F-Betrieb von Heinz Schuster Aachen, den 07.01.2012 1 VERSUCHSAUSWERTUNG In diesem Versuch werden mit Hilfe der Software Advanced Design System (ADS) Agilent die
MehrPraktikum EE2 Grundlagen der Elektrotechnik. Name: Testat : Einführung
Fachbereich Elektrotechnik Ortskurven Seite 1 Name: Testat : Einführung 1. Definitionen und Begriffe 1.1 Ortskurven für den Strom I und für den Scheinleistung S Aus den Ortskurven für die Impedanz Z(f)
MehrVorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen
Vorbereitung zum Versuch Transistorschaltungen Armin Burgmeier (47488) Gruppe 5 9. Dezember 2007 0 Grundlagen 0. Halbleiter Halbleiter bestehen aus Silizium- oder Germanium-Gittern und haben im allgemeinen
MehrKlausur Grundlagen der Elektrotechnik II (MB, EUT, LUM) Seite 1 von 5
Klausur 15.08.2011 Grundlagen der Elektrotechnik II (MB, EUT, LUM) Seite 1 von 5 Vorname: Matr.-Nr.: Nachname: Aufgabe 1 (6 Punkte) Gegeben ist folgende Schaltung aus Kondensatoren. Die Kapazitäten der
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrRechenübung HFT I. Impedanzanpassung Mehrfachreflexionen
Rechenübung HFT I Impedanzanpassung Mehrfachreflexionen Was bedeutet Impedanzanpassung (engl. matching) So nennt man das Anpassen von Eingangs- und Ausgangswiderständen aneinander Was bedeutet Impedanzanpassung
MehrLaborübung, NPN-Transistor Kennlinien
15. März 2016 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, NPN-Transistor Kennlinien Einführung In diesem Praktikum soll das Ausgangskennlinienfeld des NPN-Transistors BC337 ausgemessen werden, um später
MehrVorbereitung zum Versuch
Vorbereitung zum Versuch elektrische Messverfahren Armin Burgmeier (347488) Gruppe 5 2. Dezember 2007 Messungen an Widerständen. Innenwiderstand eines µa-multizets Die Schaltung wird nach Schaltbild (siehe
MehrFachhochschule Köln University of Applied Sciences Cologne Campus Gummersbach. Musterprüfung
Fachhochschule Köln University of Applied Sciences Cologne Campus Gummersbach Prof. Dr. Jürgen Weber Einführung in die Elektrotechnik I Name Matrikelnummer Hinweise zur Prüfung Neben der Prüfungsordnung
MehrPraktikum Elektronik für Wirtschaftsingenieure
Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel.(0351) 462 2437 ~ Fax (0351)
MehrRechenübung HFT I. Smithdiagramm Impedanztransformation
Rechenübung HFT I Smithdiagramm Impedanztransformation Organisatorisches zur Rechenübung HFT I UPDATE! Anmeldung für die Klausur: Bis 01.02.2010 im Sekretariat HFT 4 - (Bachelor und Diplom) Klausur wird
Mehr2. Parallel- und Reihenschaltung. Resonanz
Themen: Parallel- und Reihenschaltungen RLC Darstellung auf komplexen Ebene Resonanzerscheinungen // Schwingkreise Leistung bei Resonanz Blindleistungskompensation 1 Reihenschaltung R, L, C R L C U L U
MehrWintersemester 2012/13
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Unterlagen, Taschenrechner Wintersemester 2012/13 Schriftliche Prüfung im Fach Elektronik/Mikroprozessortechnik,
MehrKlausur WS04/05: HF 5471
Name: Matr.-Nr.: Unterschrift: Klausur WS04/05: HF 5471 Grundlagen der Hoch- und Höchstfrequenztechnik Tag der Prüfung: 01.02.2005 Zeit: 08:30-11:30 Prüfer: Prof. Dr.-Ing. H. Heuermann 1. Tragen Sie Ihren
MehrLabor Einführung in die Elektrotechnik
Ostfalia Hochschule für angewandte Wissenschaften Fakultät Elektrotechnik Labor Einführung in die Elektrotechnik Laborleiter: Prof. Dr. M. Prochaska Laborbetreuer: Versuch 1: Laboreinführung, Stromund
MehrUnterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
FH München FK 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik SS 8 Mittwoch 6.7.8 Prof. Dr. Höcht Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.: nterschrift: Hörsaal: Platz-Nr.:
MehrLabor Einführung in die Elektrotechnik
Ostfalia Hochschule für angewandte Wissenschaften Fakultät Elektrotechnik Labor Einführung in die Elektrotechnik Laborleiter: Prof. Dr. Laborbetreuer: Versuch 1: Laboreinführung, Stromund Spannungsmessungen
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle
Mehr1. Ein Messsender erzeugt 1 V Ausgangsspannung und soll um 106 db abgeschwächt werden. Wie gross ist das Ausgangssingal?
1. Ein Messsender erzeugt 1 V Ausgangsspannung und soll um 106 db abgeschwächt werden. Wie gross ist das Ausgangssingal? 2. Auf ein 80 m langes Kabel werden 0,6 V gegeben. Dieses Kabel hat eine Dämpfung
Mehr1 Elektrotechnik. 1.1 Schaltungsbeispiele mit idealen Spannungs- und Stromquellen zur Vereinfachung oder Komplexitätserhöhung von Aufgaben
1 Elektrotechnik 1.1 Schaltungsbeispiele mit idealen Spannungs- und Stromquellen zur Vereinfachung oder Komplexitätserhöhung von Aufgaben 1.1.1 Widerstand parallel zur idealen Spannungsquelle I R1 I R2
Mehr2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle
6 V UA(UE) 0. 1. 2. U E Abbildung 2.4: Kennlinie zu den Messwerten in Tabelle 2.1. 2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle Die LED des Optokopplers wird mittels Jumper kurzgeschlossen. Dadurch muss der Phototransistor
MehrBei der Bearbeitung aller Teilaufgaben ist von folgenden vereinfachenden Voraussetzungen auszugehen:
Aufgabe 5 Institut für Leistungselektronik und Elektrische Antriebe Prof. Dr.-Ing. J. Roth-Stielow Ein Zusatzaggregat aus dem LKW-Bereich mit einer Nennbetriebsspannung von 24 V soll zu Testzwecken über
MehrPhysik-Übung * Jahrgangsstufe 8 * Elektrische Widerstände Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 8 * Elektrische Widerstände Blatt 1 Geräte: Netzgerät mit Strom- und Spannungsanzeige, 2 Vielfachmessgeräte, 4 Kabel 20cm, 3 Kabel 10cm, 2Kabel 30cm, 1 Glühlampe 6V/100mA,
Mehr5.3 Möglichkeiten zur Arbeitspunkteinstellung
5 Einfache Verstärkerschaltungen 5.3. Arbeitspunkteinstellung 50 Verschiebung des AP zufolge Temperaturschwankungen Schwankungen der Versorgungsspannung U 0 Aufgabe 22 Berechnung des Temperatureinflusses
MehrLo sung zu UÜ bung 1. I Schaltung Ersatzquellenberechnung. 1.1 Berechnung von R i
Lo sung zu UÜ bung 1 I Schaltung 1 Schaltbild 1: 1.Schaltung mit Spannungsquelle 1. Ersatzquellenberechnung 1.1 Berechnung von R i Zunächst Ersatzschaltbild von den Klemmen aus betrachtet zeichnen: ESB
MehrSpule mit und ohne ferromagnetischen Kern
Spule mit und ohne ferromagnetischen Kern Auf Basis der in der Vorlesung gelernten theoretischen Grundlagen sollen nun die Eigenschaften einer Luftspule und einer Spule mit ferromagnetischem Kern untersucht
MehrRechenübung HFT I. Streumatrix Einführung zur CAD-Hausaufgabe
Rechenübung HFT I Streumatrix Einführung zur CAD-Hausaufgabe Beschreibung von Vierpolen/Zweitoren Bisher: Beschreibung der Leitung Zi Ui ZL, γ, l Ue Ze Beschreibung von Vierpolen/Zweitoren Bisher: Beschreibung
MehrProtokollbuch. Friedrich-Schiller-Universität Jena. Physikalisch-Astronomische Fakultät SS Messtechnikpraktikum
Friedrich-Schiller-Universität Jena Physikalisch-Astronomische Fakultät SS 2008 Protokollbuch Messtechnikpraktikum Erstellt von: Christian Vetter (894) Helena Kämmer (92376) Christian.Vetter@Uni-Jena.de
MehrPrÄfung Wintersemester 2015/16 Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten
PrÄfung GET Seite 1 von 8 Hochschule MÄnchen FK 03 Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, 1 DIN-A4-Blatt PrÄfung Wintersemester 2015/16 Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: HÅrsaal:
MehrVersuch P1-70,71,81 Elektrische Messverfahren. Auswertung. Von Ingo Medebach und Jan Oertlin. 26. Januar 2010
Versuch P1-70,71,81 Elektrische Messverfahren Auswertung Von Ingo Medebach und Jan Oertlin 26. Januar 2010 Inhaltsverzeichnis 1. Aufgabe...2 I 1.1. Messung des Innenwiderstandes R i des µa-multizets im
MehrDiplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrKlausur , Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5
Klausur 18.09.2009, Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5 1 (6 Punkte) Matr.-Nr.: In der Schaltung sind die beiden Lampen identisch und die Batterie sei eine ideale Spannungsquelle.
MehrLabor Einführung in die Elektrotechnik
Ostfalia Hochschule für angewandte Wissenschaften Fakultät Elektrotechnik Labor Einführung in die Elektrotechnik Laborleiter: Prof. Dr. M. Prochaska Laborbetreuer: Versuch 1: Laboreinführung, Stromund
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild
MehrLaborübung, Diode. U Ri U F
8. März 2017 Elektronik 1 Martin Weisenhorn Laborübung, Diode 1 Diodenkennlinie dynamisch messen Die Kennlinie der Diode kann auch direkt am Oszilloskop dargestellt werden. Das Oszilloskop bietet nämlich
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen
Analoge CMOS-Schaltungen Von dem Großsignalschaltbild (Transienten-Analyse) zum Kleinsignalersatzschaltbild (AC-Analyse) 2. Vorlesung Schaltungen: analog Schaltungen: analog Analoge (Verstärker-)Schaltungen
MehrPHYSIKALISCHES PRAKTIKUM FÜR ANFÄNGER LGyGe
18.2.08 PHYSIKALISHES PRAKTIKM FÜR ANFÄNGER LGyGe Versuch: E 8 - Transistor 1. Grundlagen pnp- bzw. npn-übergang; Ströme im und Spannungen am Transistor, insbesondere Strom- und Spannungsverstärkung; Grundschaltungen,
MehrGRUNDLAGEN DER ELEKTROTECHNIK
GRUNDLAGEN DER ELEKTROTECHNIK Versuch 4: Messungen von Kapazitäten und Induktivitäten 1 Versuchsdurchführung 1.1 Messen des Blindwiderstands eines Kondensators Der Blindwiderstand X C eines Kondensators
MehrKlausur (Musterlösung)
. Klausur (Musterlösung) Grundlagen der Elektronik SS 007. August 007 Name Matrikelnummer Studiengang Augabe Thema Max. Punkte Erreichte Punkte Transistor 7 auschen 6.5 3 OPV 8 4 Leitung 6.5 Summe 8 Hinweise:
MehrNF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = Hz).
25.10.2014_Nachlese_DB6UV Wir haben diesmal einen NF-Verstärker (Niederfrequenz-Verstärker) gebaut. NF ist der Frequenzbereich den wir hören können. Er geht von 40 Hz (Herz) bis 18 khz (Kilo-Herz = 18000
MehrElektrische Messverfahren Versuchsauswertung
Versuche P1-70,71,81 Elektrische Messverfahren Versuchsauswertung Marco A. Harrendorf, Thomas Keck, Gruppe: Mo-3 Karlsruhe Institut für Technologie, Bachelor Physik Versuchstag: 22.11.2010 1 1 Wechselstromwiderstände
MehrAUSWERTUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER
AUSWERTUNG: TRANSISTOR- UND OPERATIONSVERSTÄRKER FREYA GNAM, TOBIAS FREY 1. EMITTERSCHALTUNG DES TRANSISTORS 1.1. Aufbau des einstufigen Transistorverstärkers. Wie im Bild 1 der Vorbereitungshilfe wurde
MehrMusterlösung. Aufg. P max 1 13 Klausur "Elektrotechnik" am
Musterlösung Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 13 Klausur "Elektrotechnik" 2 7 3 15 6141 4 10 am 02.10.1996 5 9 6 16 Σ 70 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 2 h. Zugelassene
MehrGegeben ist die dargestellte Schaltung mit nebenstehenden Werten. Daten: U AB. der Induktivität L! und I 2. , wenn Z L. = j40 Ω ist? an!
Grundlagen der Elektrotechnik I Aufgabe K4 Gegeben ist die dargestellte Schaltung mit nebenstehenden Werten. R 1 A R 2 Daten R 1 30 Ω R 3 L R 2 20 Ω B R 3 30 Ω L 40 mh 1500 V f 159,15 Hz 1. Berechnen Sie
MehrVersuch E01a Grundlegende elektrische Schaltungen
Fakultät für Physik und Geowissenschaften Physikalisches Grundpraktikum Versuch E01a Grundlegende elektrische Schaltungen Aufgaben 1. Bauen Sie eine Reihenschaltung bestehend aus drei Widerständen mit
Mehr