Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
|
|
- Elly Sylvia Brahms
- vor 6 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Elektronische Bauelemente WS2012/13 Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Frey Taschenrechner Schriftliche Unterlagen Generelle Hinweise: Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen. Überprüfen Sie als Erstes die Vollständigkeit der Prüfungsangabe anhand der Seitennummerierung. Beschriften Sie die Prüfungsangabe und alle losen Blätter, die Sie abgeben, mit Ihrem Namen. Mobiltelefone ausschalten und wegpacken! Lösungen ohne erkennbaren Lösungsweg werden nicht gewertet. Viel Erfolg!
2 1. Widerstand Das Bild rechts zeigt eine Leiterbahnverbindung von A nach B mit einer Länge von l = 3,5 mm. Die Kupfereiterbahn hat eine Schichtdicke von d = 35 µm und einen spezifischen Widerstand von Cu 0,016 mm 2 /m. a) (*) Wie breit muss die Leiterbahn mindestens sein damit der Leitungsbahnwiderstand kleiner als 10 m ist? b) (*) Ab welcher Frequenz macht sich der Skineffekt für das unter a) angegebene Leiterbahnsystem bemerkbar? Hinweis: Rechnen Sie mit µ = Vs/Am. c) (*) Mit dem unbelasteten Spannungsteiler rechts, soll aus einer Versorgungsspannung von 3 V eine Referenzspannung von U ref = 2 V abgeleitet werden. Legen Sie zuerst sinnvolle Nominalwerte für die Widerstände R 1 und R 2 fest und begründen kurz Ihre Wahl. Bestimmen Sie dann die ökonomischstes Realisierung unter Einhaltung einer (mittleren) Mindestgenauigkeit von e Uref = ± 30 mv. Hinweise: Verwenden Sie das geeignete totale Differential. Betrachten Sie für die Abweichungen nur Fertigungstoleranzen. Verwenden Sie für beide Widerstände die gleiche Normreihe und geben die geeignete E Reihe an. Seite 2/10
3 d) (*) Das Temperaturverhalten von Widerständen kann in linearer Näherung mit dem Temperaturkoeffizienten beschrieben werden. Ergänzen Sie die nachfolgende Tabelle für steigende Temperatur (T ). Temperaturkoeffizienten positiv negativ Leitungstyp 1) Beweglichkeit 2) für T Ladungsträgerdichte 2) für T Widerstand 2) für T Hinweise für die Einträge: 1) Eintrag: Nichtleiter, NL oder Halbleiter, HL oder Leiter, L 2) Eintrag: fallend, oder steigend, oder konstant, = e) Begründen Sie kurz (Stichpunkte) das Temperaturverhalten der Beweglichkeit und der Ladungsträgerdichte für die in d) gemachten Einträge. Das Datenblatt eines Widerstands liefert folgende Angaben: rated power (70 C) 1 W maximum storage temperature 205 C f) (*) Zeichnen Sie die Derating Kurve. Hinweis: Bei Lagerung (storage) fließt kein Strom. (*) Geben Sie den thermischen Widerstand an. Seite 3/10
4 2. Kondensator Das Bild rechts zeigt eine doppelseitige Leiterplatte (zwei Verdrahtungseben). Jeweils auf Vorder und Rückseite verlaufen Leiterbahnen mit einer Breite b = 1 mm, welche sich wie gezeigt an einer Stelle kreuzen. Die Leiterplatte besteht aus FR 4 und hat eine relative Permittivität von r;fr 4 = 4,5 sowie einer Dicke von d = 1,55 mm. a) (*) Berechnen Sie den parasitären Koppelkondensator zwischen der oberen und der unteren Kupferbahn ( 0 = 8, F/m). b) Ist die Berechnung in a) exakt? Begründen Sie Ihre Antwort (Stichworte). c) (*) Die untere Leitung liegt auf 0 V. Wie viele Elektronen werden auf der unteren Leitung bewegt, wenn auf der oberen Leitung ein Spannungssprung von 2 V auf 5 V passiert? Hinweise: q e = C; Falls Sie a) nicht berechnet haben verwenden Sie hier C = 1,6 pf. d) (*) Die messtechnische Charakterisierung eines 10 nf Kondensators ergab folgende Werte für das Ersatzschaltbild: ESR = 12,7 m, Q = 125. Bei welcher Frequenz wurde die Messung durchgeführt? Das Datenblatt eines Elektrolyt Kondensators liefert folgende Angaben: nominal value 100 µf self inductance ESL 100 nh ESR (typical) 20 m e) (*) Wo liegt die Resonanzfrequenz des Kondensators? Seite 4/10
5 f) (*) Zeichnen Sie die Impedanzkurve für den Kondensator in das nachfolgende Diagramm ein. g) (*) Nennen Sie drei Anwendungsfelder von Kondensatoren und die dazugehörige typische Kondensatortechnologie. Seite 5/10
6 3. Netzwerk Das Schaltbild modelliert eine Hochspannungsleitung (Widerstand R) mit Verbraucher R V und zwei Trafos. U E 1 ü 2 = ü1 R ü 1 U A R V a) (*) Geben Sie die A Matrizen der Blöcke Trafo2, Leitung und Trafo1+Verbraucher an. Trafo2 Leitung Trafo1 + Verbraucher b) Ergänzen Sie die A Matrix der gesamten Schaltung. 1ü 1 Nun ist R = R V. c) (*) Welcher Eingangswiderstand ergibt sich für ü 2 = 1 bzw. für ü 2 = 0,01? d) (*) Welche Spannungsübertragung U A /U E ergibt sich für ü 2 = 1 bzw. für ü 2 = 0,01? e) (*) Welchen Vorteil bietet die Übertragung mit zwei Trafos? Kurze (!) Begründung. Seite 6/10
7 4. Leuchtdiode und BJT Eine LED arbeitet optimal mit einem Strom von 20 ma. Die Spannung U D ist dann typisch 2,5 V, kann aber im Bereich [2,3V 2,7V] liegen (siehe Kennlinie). U 0 =5V U D I D R I D [ma] typ I D [ma] typ U D [V] U D [V] a) (*) Wie groß muss R sein, damit sich (typisch) der optimale Arbeitspunkt ergibt? b) (*) Wie groß müssten Widerstand R und Spannung U 0 sein, damit für beliebige LED der Strom I D sicher im Bereich [15 ma 25 ma] liegt? (Grafische Lösung!) c) (*) Die Helligkeit einer LED hängt vom Strom ab (nicht von der Spannung). Warum werden LEDs besser in Reihe und nicht parallel geschaltet? Kurze Begründung! d) (*) Bestimmen Sie aus der Kennlinie näherungsweise den typischen Bahnwiderstand. Seite 7/10
8 e) (*) Bestimmen Sie aus der Kennlinie den differentiellen Widerstand r D für I D = 0.3 ma und daraus den Idealitätsfaktor N. (Bahnwiderstand ist vernachlässigbar; T = 300 K) f) Bestimmen Sie zu I D = 0.3 ma die Spannung U D und daraus den Sperrstrom I S der LED. (Bahnwiderstand ist vernachlässigbar!) Mit einem Bipolar Transistor soll der Strom 20 ma durch eine typische LED eingestellt werden. Daten des Transistors siehe rechts. Stromverstärkung B 500 Innenwiderstand r CE Eingangsspannung ( konstant) U BE 0,65 V R 1 10 V g) (*) Durch R 2 soll der 10 fache Basisstrom fließen. Berechnen Sie R 1 und R 2. R h) (*) Ändert sich der Strom, wenn eine beliebige LED eingesetzt wird? Kurze Begründung. i) (*) Ändert sich der Strom wenig oder viel, wenn sich die Stromverstärkung B des Transistors ändert? Kurze Begründung. Seite 8/10
9 5. Transistor Schalter Die Tabelle zeigt Daten des Transistors BSS 83. a) (*) Was sagt die Bezeichnung BSS 83 über den Transistor aus? (Zwei Stichworte) b) (*) Was sagt das Schaltbild über den Transistor aus? (Drei Stichworte) BSS83 max. drain source voltage 10 V max. drain current 50 ma max. power dissipation 230 mw max. junction temperature 125 C thermal resistance 430 K/W drain source leakage current (V DS = 10 V) capacitances: c iss c oss c rss switching times: t on t off 10 na pf ns Kennlinien Diagramm des Transistors: c) (*) Skizzieren Sie grob Sie das Safe Operating Area ins Diagramm. d) (*) Zeichnen Sie das Kleinsignal Ersatzschaltbild des Transistors einschließlich Kapazitäten, aber ohne Bahnwiderstände. Geben Sie auch ungefähre Zahlenwerte zu allen Elementen an für den Arbeitspunkt I D = 15 ma, U DS = 6 V. Seite 9/10
10 Mit dem Transistor wird eine Last Z L an Masse geschaltet. Zunächst ist Z L = 200 Ω rein ohmsch. 10 V Z L U A U St BSS83 e) (*) Zeichnen Sie die Arbeitsgerade und den Arbeitspunkt für U St = 4,5 V ins Diagramm ein. f) Welche Verlustleistung entsteht in diesem Arbeitspunkt und um welche Temperatur erwärmt sich der Transistor dadurch? g) Welchen Widerstand stellt der Kanal dar für U St = 4,5 V und für U St = 0? Hinweis: Reststrom beachten! h) (*) Nun sei Z L eine Serienschaltung aus einem Widerstand und einer Spule. Skizzieren Sie ins Kennlinienfeld oben den ungefähren Verlauf von Strom und Spannung beim Ausschalten (U St von 4,5 V auf 0). i) (*) Nun sei Z L eine LED mit Arbeitspunkt U LED = 3 V und I LED = 25 ma. Welche Steuerspannung U St wird benötigt? Seite 10/10
Bei Aufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, können Sie neu ansetzen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung E/ME-BAC/DIPL Elektronische Bauelemente SS2012 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 18.7.2012 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr. Frey Taschenrechner
MehrAufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, lassen sich unabhängig von anderen Teilaufgaben lösen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Messtechnik 2 Studiengang: Mechatronik, Elektrotechnik Bachelor SS2014 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 23.7.2014 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,
MehrÜbungsaufgaben EBG für Mechatroniker
Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:
MehrDiplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Dauer: 90 Minuten Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2012 Elektronik/Mikroprozessortechnik Matr.-Nr.: Hörsaal:
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrKlausur Grundlagen der Elektrotechnik II (MB, EUT, LUM) Seite 1 von 5
Klausur 15.08.2011 Grundlagen der Elektrotechnik II (MB, EUT, LUM) Seite 1 von 5 Vorname: Matr.-Nr.: Nachname: Aufgabe 1 (6 Punkte) Gegeben ist folgende Schaltung aus Kondensatoren. Die Kapazitäten der
MehrÜbungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012
Übungsaufgaben zum 5. Versuch 13. Mai 2012 1. In der folgenden Schaltung wird ein Transistor als Schalter betrieben (Kennlinien s.o.). R b I b U b = 15V R c U e U be Damit der Transistor möglichst schnell
MehrTechnische Universität Clausthal
Technische Universität Clausthal Klausur im Sommersemester 2013 Grundlagen der Elektrotechnik I Datum: 09. September 2013 Prüfer: Prof. Dr.-Ing. Beck Institut für Elektrische Energietechnik Univ.-Prof.
MehrMusterloesung. 1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B 27. Mai Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten
1. Klausur Grundlagen der Elektrotechnik I-B Name:... Vorname:... Matr.-Nr.:... Bearbeitungszeit: 90 Minuten Trennen Sie den Aufgabensatz nicht auf. Benutzen Sie für die Lösung der Aufgaben nur das mit
MehrDiplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 2010/11 Fach: Elektronik,
MehrDiplomvorprüfung WS 2009/10 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 2009/10 Fach: Elektronik,
MehrSeite 1 von 8 FK 03. W. Rehm. Name, Vorname: Taschenrechner, Unterschrift I 1 U 1. U d U 3 I 3 R 4. die Ströme. I 1 und I
Diplomvorprüfung GET Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Grundlagen der Elektrotechnik,
MehrPraktikum Grundlagen der Elektrotechnik 1 (GET1) Versuch 2
Werner-v.-Siemens-Labor für elektrische Antriebssysteme Prof. Dr.-Ing. Dr. h.c. H. Biechl Prof. Dr.-Ing. E.-P. Meyer Praktikum Grundlagen der Elektrotechnik 1 (GET1) Versuch 2 Spannungsteiler Ersatzspannungsquelle
Mehr2011 Qualifikationsverfahren Multimediaelektroniker / Multimediaelektronikerin Berufskenntnisse schriftlich Basiswissen: Bauteilkunde
2011 Qualifikationsverfahren Multimediaelektroniker / Multimediaelektronikerin Berufskenntnisse schriftlich Basiswissen: Bauteilkunde Name... Vorname... Kandidatennummer... Datum... Zeit 120 Minuten für
MehrDiplomprüfung WS 11/12 Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung Elektronik/Mikroprozessortechnik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Dauer: 90 Minuten Diplomprüfung WS 11/12 Elektronik/Mikroprozessortechnik
MehrArbeitspunkt einer Diode
Arbeitspunkt einer Diode Liegt eine Diode mit einem Widerstand R in Reihe an einer Spannung U 0, so müssen sich die beiden diese Spannung teilen. Vom Widerstand wissen wir, dass er bei einer Spannung von
Mehr5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden
5.0 Halbleiter 5.1.0 Grundlagen 5.2.0 Dioden 5.3.0 Bipolare Transistoren 5.4.0 Feldeffekttransistoren 5.5.0 Integrierte Schaltungen 5.6.0 Schaltungstechnik 5.1.0 Grundlagen Was sind Halbleiter? Stoffe,
MehrGegeben ist die dargestellte Schaltung mit nebenstehenden Werten. Daten: U AB. der Induktivität L! und I 2. , wenn Z L. = j40 Ω ist? an!
Grundlagen der Elektrotechnik I Aufgabe K4 Gegeben ist die dargestellte Schaltung mit nebenstehenden Werten. R 1 A R 2 Daten R 1 30 Ω R 3 L R 2 20 Ω B R 3 30 Ω L 40 mh 1500 V f 159,15 Hz 1. Berechnen Sie
MehrKlausurvorbereitung Elektrotechnik für Maschinenbau. Thema: Gleichstrom
Klausurvorbereitung Elektrotechnik für Maschinenbau 1. Grundbegriffe / Strom (5 Punkte) Thema: Gleichstrom Auf welchem Bild sind die technische Stromrichtung und die Bewegungsrichtung der geladenen Teilchen
MehrProbeklausur Elektronik (B06)
Probeklausur Elektronik (B06) Bitte vor Arbeitsbeginn ausfüllen Name: Vorname: Matrikel-Nummer: Fachsemester: Datum: Unterschrift: Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner ohne Textspeicher 1DIN A4-Blatt:
MehrAufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht)
Aufgabe 1: Emitterfolger als Spannungsquelle (leicht) Ein Emitterfolger soll in bezug auf den Lastwiderstand R L als Spannungsquelle eingesetzt werden. Verwendet werde ein Transistor mit der angegebenen
MehrFormelsammlung Baugruppen
Formelsammlung Baugruppen RCL-Schaltungen. Kondensator Das Ersatzschaltbild eines Kondensators C besteht aus einem Widerstand R p parallel zu C, einem Serienwiderstand R s und einer Induktivität L s in
MehrKlausur 06.09.2010 Grundlagen der Elektrotechnik II (MB, EUT, LUM) Seite 1 von 5
Klausur 06.09.2010 Grundlagen der Elektrotechnik II (M, EUT, LUM) Seite 1 von 5 Aufgabe 1 (4 Punkte) Name: Mit Matr.-Nr.: Lösung r = 30 cm d = 1 mm Q = 7,88 10-6 As ε 0 = 8,85 10-12 As/Vm ε r = 5 Der dargestellte
MehrVervollständigen Sie das Schema mit Stromversorgung und Widerstandsmessgerät!
Übungen Elektronik Versuch 1 Elektronische Bauelemente In diesem Versuch werden die Eigenschaften und das Verhalten nichtlinearer Bauelemente analysiert. Dazu werden die Kennlinien aufgenommen. Für die
MehrDiplomvorprüfung SS 2010 Fach: Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Grundlagen der Elektrotechnik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Grundlagen
MehrELEKTRONIK - Beispiele - Dioden
ELEKTRONIK - Beispiele - Dioden DI Werner Damböck (D.1) (D.2) geg: U 1 = 20V Bestimme den Vorwiderstand R um einen maximalen Strom von 150mA in der Diode nicht zu überschreiten. Zeichne den Arbeitspunkt
MehrGrundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 12 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 3. Februar 2005 Klausurdauer : 2 Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung
MehrFür alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben.
Für alle Rechnungen aller Aufgabenteile gilt: T = 300 K und n i = 1 10 10 cm 3 sofern nicht anders angegeben. Aufgabe 1: Halbleiterphysik I Punkte 1.1) Skizzieren Sie das Bändermodell eines p-halbleiters.
MehrAufgabe Summe Note Mögliche Punkte Erreichte Punkte
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 1 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 7. April 005 Klausurdauer : Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung DIN
MehrTechnische Universität Kaiserslautern Lehrstuhl Entwurf Mikroelektronischer Systeme Prof. Dr.-Ing. N. Wehn. Probeklausur
Technische Universität Kaiserslautern Lehrstuhl Entwurf Mikroelektronischer Systeme Prof. Dr.-Ing. N. Wehn 22.02.200 Probeklausur Elektrotechnik I für Maschinenbauer Name: Vorname: Matr.-Nr.: Fachrichtung:
MehrKirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007
Protokoll zum Versuch Transistorschaltungen Kirstin Hübner Armin Burgmeier Gruppe 15 10. Dezember 2007 1 Transistor-Kennlinien 1.1 Eingangskennlinie Nachdem wir die Schaltung wie in Bild 13 aufgebaut hatten,
Mehr1. Kennlinien. 2. Stabilisierung der Emitterschaltung. Schaltungstechnik 2 Übung 4
1. Kennlinien Der Transistor BC550C soll auf den Arbeitspunkt U CE = 4 V und I C = 15 ma eingestellt werden. a) Bestimmen Sie aus den Kennlinien (S. 2) die Werte für I B, B, U BE. b) Woher kommt die Neigung
MehrSchaltverhalten von Bipolartransistoren
Gruppe: 2 Team: 19 Fachhochschule Deggendorf Fachbereich Elektrotechnik PRAKTIKUM BAUELEMENTE Schaltverhalten von Bipolartransistoren VERSUCH 2 Versuchsdatum: 07.12.2005 Teilnehmer: Abgabedatum: Blattzahl
MehrAufgaben Wechselstromwiderstände
Aufgaben Wechselstromwiderstände 69. Eine aus Übersee mitgebrachte Glühlampe (0 V/ 50 ma) soll mithilfe einer geeignet zu wählenden Spule mit vernachlässigbarem ohmschen Widerstand an der Netzsteckdose
Mehr3.Transistor. 1 Bipolartransistor. Christoph Mahnke 27.4.2006. 1.1 Dimensionierung
1 Bipolartransistor. 1.1 Dimensionierung 3.Transistor Christoph Mahnke 7.4.006 Für den Transistor (Nr.4) stand ein Kennlinienfeld zu Verfügung, auf dem ein Arbeitspunkt gewählt werden sollte. Abbildung
MehrAufgaben, die mit einem * gekennzeichnet sind, lassen sich unabhängig von anderen Teilaufgaben lösen.
Name: Elektrotechnik Mechatronik Abschlussprüfung Messtechnik 2 Studiengang: Mechatronik, Elektrotechnik Bachelor SS2013 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 24.7.2013 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann,
MehrPhysik-Übung * Jahrgangsstufe 8 * Elektrische Widerstände Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 8 * Elektrische Widerstände Blatt 1 Geräte: Netzgerät mit Strom- und Spannungsanzeige, 2 Vielfachmessgeräte, 4 Kabel 20cm, 3 Kabel 10cm, 2Kabel 30cm, 1 Glühlampe 6V/100mA,
MehrÜbungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1
Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik Übungsaufgaben zur Vorlesung Elektrotechnik 1 Fachhochschule Esslingen - Hochschule für Technik Fachbereich Informationstechnik
Mehrvon Alexander Wenk 2005, Alexander Wenk, 5079 Zeihen
Repetition Elektrotechnik für Elektroniker im 4. Lehrjahr von Aleander Wenk 05, Aleander Wenk, 5079 Zeihen Inhaltsverzeichnis Temperaturabhängigkeit von Widerständen 1 Berechnung der Widerstandsänderung
MehrSommersemester 2014, Dauer: 90 min Elektronik/Mikroprozessortechnik
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Sommersemester 2014, Dauer: 90 min Elektronik/Mikroprozessortechnik Matr.-Nr.: Name, Vorname:
MehrPraktikum Elektronik
Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel. (0351) 462 2437 ~ Fax (0351)
MehrAufgabe 1 2 3 4 5 6 Summe Note Mögliche Punkte 13 20 16 23 31 15 118 Erreichte Punkte
Universität Siegen Grundlagen der Elektrotechnik für Maschinenbauer Fachbereich 1 Prüfer : Dr.-Ing. Klaus Teichmann Datum : 11. Oktober 005 Klausurdauer : Stunden Hilfsmittel : 5 Blätter Formelsammlung
Mehrm kg b) Wie groß muss der Durchmesser der Aluminiumleitung sein, damit sie den gleichen Widerstand wie die Kupferleitung hat?
Aufgabe 1: Widerstand einer Leitung In einem Flugzeug soll eine Leitung aus Kupfer gegen eine gleich lange Leitung aus Aluminium ausgetauscht werden. Die Länge der Kupferleitung beträgt 40 m, der Durchmesser
MehrExperimentelle Bestimmung der Ersatzschaltbilder von SMD- Bauelementen
Vortrag über die Bachelor Arbeit Experimentelle Bestimmung der Ersatzschaltbilder von SMD- Bauelementen von Ouajdi Ochi Fachgebiet Hochfrequenztechnik Prof. Dr-Ing. K.Solbach Freitag, 28. Mai 2010 Universität
MehrVersuch E 2 Feldeffekt - Transistor
Labor für Elektronische Bauelemente Prof. Dr.- Ing. Gerhard Steeger Grundlagenpraktikum, Teil2 im Studiengang Elektrotechnik u. Informationstechnik Versuch E 2 Feldeffekt - Transistor Semester: WS / SS
MehrSchaltungen mit mehreren Widerständen
Grundlagen der Elektrotechnik: WIDERSTANDSSCHALTUNGEN Seite 1 Schaltungen mit mehreren Widerständen 1) Parallelschaltung von Widerständen In der rechten Schaltung ist eine Spannungsquelle mit U=22V und
MehrÜbungsaufgaben Elektrotechnik (ab WS2011)
Flugzeug- Elektrik und Elektronik Prof. Dr. Ing. Günter Schmitz Aufgabe 1 Übungsaufgaben Elektrotechnik (ab WS2011) Gegeben sei eine Zusammenschaltung einiger Widerstände gemäß Bild. Bestimmen Sie den
MehrGrundlagen der Elektrotechnik: Wechselstromwiderstand Xc Seite 1 R =
Grundlagen der Elektrotechnik: Wechselstromwiderstand Xc Seite 1 Versuch zur Ermittlung der Formel für X C In der Erklärung des Ohmschen Gesetzes ergab sich die Formel: R = Durch die Versuche mit einem
MehrBearbeitungszeit: 30 Minuten
Vorname: Studiengang: Platz: Aufgabe: 1 2 3 Gesamt Punkte: Bearbeitungszeit: 30 Minuten Zugelassene Hilfsmittel: - eine selbsterstellte, handgeschriebene Formelsammlung (1 Blatt DIN A4, einseitig beschrieben,
MehrAbschlussprüfung an Fachoberschulen im Schuljahr 2000/2001
Abschlussprüfung an Fachoberschulen im Schuljahr 2000/2001 Haupttermin: Nach- bzw. Wiederholtermin: 2.0.2001 Fachrichtung: Technik Fach: Physik Prüfungsdauer: 210 Minuten Hilfsmittel: Formelsammlung/Tafelwerk
MehrPraktikum Physik. Protokoll zum Versuch: Kennlinien. Durchgeführt am 15.12.2011. Gruppe X. Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.
Praktikum Physik Protokoll zum Versuch: Kennlinien Durchgeführt am 15.12.2011 Gruppe X Name 1 und Name 2 (abc.xyz@uni-ulm.de) (abc.xyz@uni-ulm.de) Betreuer: Wir bestätigen hiermit, dass wir das Protokoll
MehrAufgabe 1: Planarspule (20 Punkte)
1 Aufgabe 1: Planarspule (20 Punkte) Gegeben ist die Planarspule gemäß Abb. 1.1. Die Leiterbahnen sind aus Kupfer, das Trägermaterial ist Teflon. Die Spule soll als Filterelement (Drossel) für ein 1 GHz-Signal
MehrVorlage für Expertinnen und Experten
2012 Qualifikationsverfahren Multimediaelektroniker / Multimediaelektronikerin Berufskenntnisse schriftlich Basiswissen: Elektrotechnik Vorlage für Expertinnen und Experten Zeit 120 Minuten für alle 3
MehrVersuch 21. Der Transistor
Physikalisches Praktikum Versuch 21 Der Transistor Name: Christian Köhler Datum der Durchführung: 07.02.2007 Gruppe Mitarbeiter: Henning Hansen Assistent: Jakob Walowski testiert: 3 1 Einleitung Der Transistor
MehrE-Labor im WS / SS. Versuch Nr. 2(M) Kennlinienüberlagerung aktiver/passiver Zweipol. Fakultät II Abteilung Maschinenbau. Gruppe:
Fakultät II Abteilung Maschinenbau im WS / SS ersuch Nr. 2(M) Kennlinienüberlagerung aktiver/passiver Zweipol Gruppe: Name orname Matr.-Nr. Semester erfasser(in) Teilnehmer(in) Teilnehmer(in) Professor(in)
MehrMB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8. Wintersemester 2014/15 Elektronik
MB-Diplom (4. Sem.) / MB-Bachelor (Schwerpunkt Mechatronik, 5. Sem.) Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen, Taschenrechner Matr.-Nr.: Hörsaal: Wintersemester
MehrMusterlösung. Aufg. P max 1 13 Klausur "Elektrotechnik" am
Musterlösung Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 13 Klausur "Elektrotechnik" 2 7 3 15 6141 4 10 am 02.10.1996 5 9 6 16 Σ 70 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 2 h. Zugelassene
MehrTG TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN Seite 1 37 STÜTZKURS 2 AUFGABENSAMMLUNG 3 DRITTES LEHRJAHR. Kapitel 5
TG TECHNOLOGISCHE GRUNDLAGEN Seite 1 1 Eine Glühbirne soll bei 6V und 300mA brennen. Sie haben aber nur ein Netzgerät mit 15V zur Verfügung. Wie gross muss der Vorwiderstand sein und welche Leistung verbraucht
MehrFachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI
Fachbereich Elektrotechnik u. Informatik Praktikum ElektronikI Fachhochschule Münster University of Applied Sciences Versuch: 3 Gruppe: Datum: Antestat: Teilnehmer: Abtestat: (Name) (Vorname) Versuch 3:
MehrVersuch 14: Transistor
Versuch 14: Transistor Transistoren werden sowohl als Schalter (in der Digitaltechnik) als auch als Verstärker betrieben. Hier sollen die Grundlagen des Transistors als Verstärkerelement erlernt werden,
MehrVersuch 3: Kennlinienfeld eines Transistors der Transistor als Stromverstärker
Bergische Universität Wuppertal Praktikum Fachbereich E Werkstoffe und Grundschaltungen Bachelor Electrical Engineering Univ.-Prof. Dr. T. Riedl WS 20... / 20... Hinweis: Zu Beginn des Praktikums muss
MehrR 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω
Probeklausur Elektronik, W 205/206. Gegeben ist die folgende Schaltung: R U q R 3 R 2 R 4 U L 2 mit Uq= 0 V R= 800 Ω R2=, kω R3= 480 Ω R4= 920 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen Gesetze
MehrElektrotechnik Protokoll - Nichtlineare Widerstände
Elektrotechnik Protokoll - Nichtlineare Widerstände André Grüneberg Andreas Steffens Versuch: 17. Januar 1 Protokoll: 8. Januar 1 Versuchsdurchführung.1 Vorbereitung außerhalb der Versuchszeit.1.1 Eine
MehrPrüfung Sommersemester 2014 Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten
PrÄfung GET Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, 1 DIN-A4-Blatt Prüfung Sommersemester 2014 Grundlagen der Elektrotechnik Dauer: 90 Minuten Matr.-Nr.: Hörsaal:
MehrDiplomprüfung Elektronik WS 2007/2008 Donnerstag
FH München F 3 Maschinenbau Diplomprüfung Elektronik WS 27/28 Donnerstag 3..28 Prof. Dr. Höcht (Prof. Dr. ortstock) Zugelassene Hilfsmittel: Alle eigenen Dauer der Prüfung: 9 Minuten Name: Vorname: Sem.:
Mehr2 Gleichstrom-Schaltungen
für Maschinenbau und Mechatronik Carl Hanser Verlag München 2 Gleichstrom-Schaltungen Aufgabe 2.1 Berechnen Sie die Kenngrößen der Ersatzquellen. Aufgabe 2.5 Welchen Wirkungsgrad hätte die in den Aufgaben
MehrDaniell-Element. Eine graphische Darstellung des Daniell-Elementes finden Sie in der Abbildung 1.
Dr. Roman Flesch Physikalisch-Chemische Praktika Fachbereich Biologie, Chemie, Pharmazie Takustr. 3, 14195 Berlin rflesch@zedat.fu-berlin.de Physikalisch-Chemische Praktika Daniell-Element 1 Grundlagen
MehrFach BK4 Elektrotechnik Serie A. Prüfungsdatum. Kandidat / Nr. ... ... Allgemeine Bestimmungen: Notenschlüssel: Erreichte Punktzahl: Note: Visum:.../.
Kantonale Prüfungskommission Lehrabschlussprüfung Elektromonteure Fach BK4 Elektrotechnik Serie A Prüfungsdatum Kandidat / Nr................ Allgemeine Bestimmungen: ie Aufgaben dürfen nur an der Lehrabschlussprüfung
MehrPS II - Verständnistest 24.02.2010
Grundlagen der Elektrotechnik PS II - Verständnistest 24.02.2010 Name, Vorname Matr. Nr. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 7 Punkte 3 4 2 2 1 5 2 erreicht Aufgabe 8 9 10 11 12 Summe Punkte 4 2 3 3 4 35 erreicht Hinweise:
MehrAufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 4 10 am 14.03.1997
Name, Vorname: Matr.Nr.: Hinweise zur Klausur: Aufg. P max 1 10 Klausur "Elektrotechnik" 2 14 3 8 6141 4 10 am 14.03.1997 5 18 6 11 Σ 71 N P Die zur Verfügung stehende Zeit beträgt 1,5 h. Zugelassene Hilfsmittel
MehrRLC-Schaltungen Kompensation
EST ELEKTRISCHE SYSTEMTECHNIK Kapitel 16 RLC-Schaltungen Kompensation Verfasser: Hans-Rudolf Niederberger Elektroingenieur FH/HTL Vordergut 1, 8772 Nidfurn 055-654 12 87 Ausgabe: Oktober 2011 Ich bin das
MehrWiederholung der Grundlagen (Schülerübungen)
Wiederholung der Grundlagen (Schülerübungen) 1. Baue die abgebildete Schaltung auf und messe bei verschiedenen Widerständen jeweils den Strom I: Trage deine Ergebnisse in die Tabelle ein: R ( ) U (V) I
MehrVorbereitung zum Versuch
Vorbereitung zum Versuch elektrische Messverfahren Armin Burgmeier (347488) Gruppe 5 2. Dezember 2007 Messungen an Widerständen. Innenwiderstand eines µa-multizets Die Schaltung wird nach Schaltbild (siehe
Mehr4 Kondensatoren und Widerstände
4 Kondensatoren und Widerstände 4. Ziel des Versuchs In diesem Praktikumsteil sollen die Wirkungsweise und die Frequenzabhängigkeit von Kondensatoren im Wechselstromkreis untersucht und verstanden werden.
MehrPS II - Verständnistest
Grundlagen der Elektrotechnik PS II - Verständnistest 01.03.2011 Name, Vorname Matr. Nr. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 7 Punkte 4 2 2 5 3 4 4 erreicht Aufgabe 8 9 10 11 Summe Punkte 3 3 3 2 35 erreicht Hinweise:
MehrAFu-Kurs nach DJ4UF. Technik Klasse A 06: Transistor & Verstärker. Amateurfunkgruppe der TU Berlin. Stand
Technik Klasse A 06: Transistor & Amateurfunkgruppe der TU Berlin http://www.dk0tu.de Stand 04.05.2016 This work is licensed under the Creative Commons Attribution-ShareAlike 3.0 License. Amateurfunkgruppe
MehrPhysik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor Blatt 1
Physik-Übung * Jahrgangsstufe 9 * Der Transistor latt 1 Aufbau eines Transistors Ein npn-transistor entsteht, wenn man zwei n-dotierte Schichten mit einer dünnen dazwischen liegenden p-dotierten Schicht
MehrElektronik ist die technische Grundlage für die Verarbeitung von Signalen und Daten.
Elektronik ist die technische Grundlage für die Verarbeitung von Signalen und Daten. Die Elektronik setzt sich hierarchisch zusammen aus Bauelementen Baugruppen Geräten und Netzwerken. Der Schlüssel für
MehrNTB Druckdatum: ELA I
GLEICHSTROMLEHRE Einführende Grundlagen - Teil 1 Elektrische Ladung Elektrische Stromdichte N elektrische Ladung Stromstärke Anzahl Elektronen Elementarladung elektrische Stromdichte Querschnittsfläche
Mehro die durchzuführenden Versuchspunkte. Zu einigen Aufgaben sind als Zusätzliche Vorbereitung kleinere Rechnungen durchzuführen.
Versuch : Diode Fassung vom 26.02.2009 Versuchsdatum: Gruppe: Teilnehmer: Semester: A: Vorbereitung: (vor Beginn des Praktikums durchführen!) 1. Siehe hierzu auch die Laborordnung. (s. Anhang) Informieren
MehrSchaltungstechnik 1 (Wdh.)
Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik Schaltungstechnik 1 (Wdh.) Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Freitag, den 13.4.27 9. 1.3 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.: Hörsaal:
MehrVersuch 17.2 Der Transistor
Physikalisches A-Praktikum Versuch 17.2 Der Transistor Praktikanten: Gruppe: Julius Strake Niklas Bölter B006 Betreuer: Johannes Schmidt Durchgeführt: 11.09.2012 Unterschrift: E-Mail: niklas.boelter@stud.uni-goettingen.de
MehrÜbung Bauelemente und Schaltungstechnik. Wintersemester 2005/2006
Übung Bauelemente und Schaltungstechnik Wintersemester 2005/2006 Prof. Dr. Dietmar Ehrhardt Universität Siegen im Februar 2006 Übung 1 - Widerstände und Heißleiter 1.1 Gegeben sei ein Schichtwiderstand
MehrVersuchsprotokoll von Thomas Bauer und Patrick Fritzsch. Münster, den
E Wheatstonesche Brücke Versuchsprotokoll von Thomas Bauer und Patrick Fritzsch Münster, den 7..000 INHALTSVEZEICHNIS. Einleitung. Theoretische Grundlagen. Die Wheatstonesche Brücke. Gleichstrombrücke
MehrDer Transistor als Verstärker
6 Der Transistor als Verstärker 6.1 Verstärker mit n-kanal MOSFET Aufgabenstellung Gegeben sei die in Abb. 6.1 (links) dargestellte Verstärkerschaltung mit der Betriebsspannung U B = 15 V und dem Drainwiderstand
MehrDimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern
Dimensionierung vom Transistor Wechselspannungsverstärkern mit NPN Transistor Schaltung Werte: V 1 = BC141; R L = 1 kω U B = 15 V Vorgaben: Der Arbeitspunkt des Transistors ist so einzustellen, dass U
Mehr4.2 Gleichstromkreise
4.2 Gleichstromkreise Werden Ladungen transportiert, so fließt ein elektrischer Strom I dq C It () [] I A s dt Einfachster Fall: Gleichstrom; Strom fließt in gleicher ichtung mit konstanter Stärke. I()
Mehr1. Einleitung. 1.1 Funktionsweise von npn Transistor. Seite 1 von 12
Seite 1 von 12 1. Einleitung Der Bipolartransistor ist ein Halbleiterbauelement welches aus einer npn bzw pnp Schichtfolge besteht (Er arbeitet mit zwei unterschiedlich gepolten pn Übergängen). Diese Halbleiterschichten
MehrEntstehung der Diffusionsspannung beim pn-übergang
2. Halbleiterdiode 2.1 pn-übergang Die elementare Struktur für den Aufbau elektronischer Schaltungen sind aneinander grenzende komplementär dotierte Halbleitermaterialien. Beim Übergang eines n-dotierten
MehrVersuchsvorbereitung P1-51
Versuchsvorbereitung P1-51 Tobias Volkenandt 22. Januar 2006 Im Versuch zu TRANSISTOREN soll weniger die Physik dieses Bauteils erläutern, sondern eher Einblicke in die Anwendung von Transistoren bieten.
MehrKapitel 1: Diode. Abb. 1.1. Schaltzeichen und Aufbau einer Diode. Metall
Kapitel 1: Diode Die Diode ist ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlüssen, die mit Anode (anode,a) und Kathode (cathode,k) bezeichnet werden. Man unterscheidet zwischen Einzeldioden, die für die Montage
MehrPraktikum Elektronik für Wirtschaftsingenieure. Messungen mit Multimeter und Oszilloskop
Praktikum Elektronik für Wirtschaftsingenieure Versuch Messungen mit Multimeter und Oszilloskop 1 Allgemeine Hinweise Die Aufgaben zur Versuchsvorbereitung sind vor dem Versuchstermin von jedem Praktikumsteilnehmer
Mehr16 Übungen gemischte Schaltungen
6 Übungen gemischte Schaltungen 6. Aufgabe Gemischt (Labor) a) Berechne alle Ströme und Spannungen und messe diese nach! 3 = Rges = + 3 = 4,39kΩ 3 =,939kΩ Iges= Rges =2,46mA=I U = * I = 5,32V = U3 = U
MehrSFH 900. Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900
Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches SFH 900 feo06270 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Reflexlichtschranken
Mehr1. Ablesen eines Universalmessgerätes und Fehlerberechnung
Laborübung 1 1-1 1. Ablesen eines Universalmessgerätes und Fehlerberechnung Wie groß ist die angezeigte elektrische Größe in den Bildern 1 bis 6? Mit welchem relativen Messfehler muss in den sechs Ableseübungen
MehrDie Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor
Die Arbeitspunkteinstellung beim Bipolartransistor In der Schaltungstechnik stellt sich immer wieder das Problem der Arbeitspunkteinstellung eines Bipolartransistors (BJT). Bauteiltoleranzen des Transistors
MehrGrundlagen der Elektrotechnik 2: Lösungen zur Klausur am 17. Juli 2012
Fachhochschule Südwestfalen - Meschede Prof. Dr. Henrik Schulze Grundlagen der Elektrotechnik 2: Lösungen zur Klausur am 17. Juli 2012 Aufgabe 1 Die folgende Schaltung wird gespeist durch die beiden Quellen
MehrElektrotechnik I MAVT
Prof. Dr. Q. Huang Elektrotechnik MAVT Prüfung H07 BSc 23.08.2007 1. [30P] DC-Aufgaben (a) [9P] Betrachten Sie die Schaltung in Abbildung 1 und lösen Sie die nachfolgenden Aufgaben. Vereinfachen Sie die
MehrSpannungsstabilisierung mit Z-Dioden
Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden von B. Kainka, Auszug aus: Grundwissen Elektronik Die Spannung eines einfachen Netzgeräts ist in hohem Maße von der Belastung abhängig. Auch bei Batterieversorgung
Mehr