Übung Integrierte Schaltungen 4. Übung: Kapazitäten, Arbeitspunkt, Kleinsignalverhalten
|
|
- Alexander Bader
- vor 7 Jahren
- Abrufe
Transkript
1 Übung Integrierte Schaltungen 4. Übung: Kapazitäten, Arbeitspunkt, Kleinsignalverhalten
2 Organisatorisches Termine: lehrangebot_ws/is_ue/
3 Kleinsignalersatzschaltbild Kapazitäten im MOSFET C Inversion C GS /C GD =C G C Verarmung C GB =C G C G C OX -3-2 U FB U G [V] 0 2 U T
4 Kleinsignalersatzschaltbild NMOS-Technologie Kleinsignalersatzschaltbild: U GS u G C GD C GD u D C DB u S C GS U DS u D u G r 0 gm u GS U GS C GS gm u GS a gm u BS U DS r 0 u B C SB a gm u BS u S U BS U BS C GB C SB C DB u B
5 Aufgabe 1: Kleinsignalersatzschaltbild NMOS-Technologie Inverter mit passiver Last: gegeben: Gegebene Konstanten: Beweglichkeit Oxiddicke Dielektrizitätskonstante relative Dielektrizitätszahl von SiO 2 Kanalweite Kanallänge Schwellenspannung
6 Aufgabe 1: Kleinsignalersatzschaltbild DC-Arbeitspunkt Arbeitspunkt des Inverters: Aufgabe: U GS = 5 V, U DS = 3 V, U SB = 0 V a) In welchem Kennlinienbereich des Transistors befindet sich der Arbeitspunkt? b) Berechnen Sie die flächenspezifische Oxidkapazität c OX, den Verstärkungsfaktor β n und die Steilheit gm des Transistors. c) Mit Hilfe des Lastwiderstandes wird die Spannung U DS eingestellt. Wie groß ist R LAST für U DS = 3 V zu wählen, wenn eine Betriebsspannung von U DD = 10 V zur Verfügung steht? d) Geben Sie das Kleinsignalersatzschaltbild für den Inverter im oben angeführten Arbeitspunkt für kleine Frequenzen an. e) Berechnen Sie die Spannungsverstärkung des Inverters für kleine Frequenzen. Erscheint die berechnete Verstärkung sinnvoll anwendbar?
7 Aufgabe 2: Kleinsignalersatzschaltbild DC-Arbeitspunkt Arbeitspunkt des Inverters: Aufgabe: U GS = 2 V, U DS = 3 V, U SB = 0 V a) In welchem Kennlinienbereich des Transistors befindet sich der Arbeitspunkt? b) Berechnen Sie die Steilheit gm des Transistors. c) Mit Hilfe des Lastwiderstandes wird die Spannung U DS eingestellt. Wie groß ist R Last zu wählen, wenn eine Betriebsspannung von U DD = 10 V zur Verfügung steht? Die Kannallängenmodulation des verwendeten Transistors sei dabei vernachlässigbar.
8 Aufgabe 3: Kleinsignalersatzschaltbild hohe Frequenzen Arbeitspunkt des Inverters wie in Aufgabe 2: Aufgabe: U GS = 2 V, U DS = 3 V, U SB = 0 V a) Zeichnen Sie das Kleinsignalersatzschaltbild im gegebenen Arbeitspunkt. Dabei sollen die effektiven Kapazitäten C GS = c OX W L und C GD = 2/3 c OX W L angenommen werden. Bulk-Kapazitäten sollen vernachlässigt werden. Die Kanallängenmodulation des verwendeten Transistors ist wieder zu vernachlässigen. b) Berechnen Sie analytisch die Spannungs-Übertragungsfunktion des Inverters. c) Wie groß ist die Spannungsverstärkung A V für kleine Frequenzen? Vergleichen Sie sie mit der in Aufgabe 1 berechneten Verstärkung. d) Ermitteln Sie die Nullstellen und Polstellen der Übertragungsfunktion.
9 Lösung Aufgabe 1 a) Es gilt: Der Transistor befindet sich im linearen Bereich. b) mit c)
10 Lösung Aufgabe 1 d) Bei kleinen Frequenzen können die Kapazitäten vernachlässigt werden. Bei Handrechnungen werden die Kapazitäten C DB und C SB vernachlässigt. Es gilt für den Transistor T 1 : U SB = konst. = 0 V e) Kirchhoffsches Gesetz: Im Triodenbereich erhält man keine ausreichende Verstärkung!
11 Lösung Aufgabe 2 a) Es gilt: Der Transistor befindet sich im Sättigungsbereich. b) mit
12 Lösung Aufgabe 3 a) weil entfällt r 0 somit G C GD D u IN C GS gm u GS C Last R Last u OUT S b) Kirchhoffsche Gesetze: 1.) 2.) c) aus b) folgt für kleine Frequenzen: - mit aktiver Last:
13 Lösung Aufgabe 3 d) Pol- und Nullstellen: - Nullstellen: - Polstellen: Übertragungsfunktion im s-bereich: - Nullstelle: - Polstelle:
14 Lösung Aufgabe 3 Frequenzgang: mit:
Übung Integrierte Schaltungen 6. Übung: Pseudo-NMOS, CMOS, Verzögerungszeit, Schaltschwelle,Verlustleistung
Übung Integrierte Schaltungen 6. Übung: Pseudo-NMOS, CMOS, Verzögerungszeit, Schaltschwelle,Verlustleistung Organisatorisches Termine: 01.11.2013 15.11.2013 29.11.2013 13.12.2013 10.01.2014 24.01.2014
MehrIntegrierte Schaltungen
Klausur Integrierte Schaltungen 28.03.2014 Hinweise: Beantwortung der Fragen bitte nur auf den Aufgabenbättern! (inkl. Rückseite) Nur vom Assistenten angeheftete und abgezeichnete Zusatzblätter werden
MehrAufgabensammlung. eines Filters: c) Wie stark steigen bzw. fallen die beiden Flanken des Filters?
Aufgabensammlung Analoge Grundschaltungen 1. Aufgabe AG: Gegeben sei der Amplitudengang H(p) = a e eines Filters: a) m welchen Filtertyp handelt es sich? b) Bestimmen Sie die Mittenkreisfrequenz des Filters
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen
Analoge CMOS-Schaltungen Von dem Großsignalschaltbild (Transienten-Analyse) zum Kleinsignalersatzschaltbild (AC-Analyse) 2. Vorlesung Schaltungen: analog Schaltungen: analog Analoge (Verstärker-)Schaltungen
MehrFriedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente. Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel. vhb-kurs Halbleiterbauelemente
Friedrich-Alexander-Universität Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel vhb-kurs Halbleiterbauelemente Übungsaufgaben Teil 3: Feldeffekttransistoren Übung zum vhb-kurs Halbleiterbauelemente Seite 15 Feldeffekttransistoren
MehrIntegrierte Schaltungen
Klausur Integrierte Schaltungen 01.07.2014 Hinweise: Beantwortung der Fragen bitte nur auf den Aufgabenbättern! (inkl. Rückseite) Nur vom Assistenten angeheftete und abgezeichnete Zusatzblätter werden
MehrAufgaben zur Analogen Schaltungstechnik!
Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt Aufgaben Analoge Schaltungstechnik Prof. Dr. D. Ehrhardt 26.4.2017 Seite 1 Aufgaben zur Analogen Schaltungstechnik! Prof. Dr. D. Ehrhardt
MehrSourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET
BEISPIEL 5.5: Sourceschaltung mit selbstleitendem MOSFET R D C R G Versorgungsspannung: U 0 = 12 V Schwellenspannung: U th = 3 V Steuerfaktor: β = 2 ma/v 2 Widerstandswert: R G = 1 MW (a) Dimensionieren
MehrInstitut für Mikrosystemtechnik. Prof. Dr. D. Ehrhardt. Bauelemente und Schaltungstechnik,
Feldeffekttransistoren 1 JFET Sperrschicht - FET (Junction FET) Sperrschicht breitet sich mit Ansteuerung in den Kanal aus und sperrt diesen Es gibt zwei Arten n-kanal, p-kanal 2 JFET Schaltzeichen 3 Das
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen. Miller Operationsverstärker -ein OpAmp für Widerstandslast 1. Teil. Roland Pfeiffer 7. Vorlesung
Analoge CMOS-Schaltungen Miller Operationsverstärker -ein OpAmp für Widerstandslast 1. Teil 7. Vorlesung Operational Transconductance Amplifier OTA Rückblick: Differenzverstärker OTA (genau: OTA mit NMOS-Eingangsstufe
MehrAufgabe 1: Passive Bauelemente (20 Punkte)
1 Aufgabe 1: Passive Bauelemente (20 Punkte) Gegeben ist eine Anordnung, bei dem ein Chip mittels eines dünnen Drahtes (Bonddraht) mit einer Leitung auf einer Platine verbunden ist. Der Bonddraht besteht
Mehr15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider!
15. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Die Letzte leider! 1 Na, wie sieht es aus mit Eurem Schaltungsblick? Schade, das spart Rechenarbeit, aber Sie müssen sich natürlich sicher sein. 2 Aufgabe
MehrGrundlagen der VLSI-Technik
Grundlagen der VLSI-Technik VLSI-Systeme I Prof. Dr. Dirk Timmermann Institut für Angewandte Mikroelektronik und Datentechnik Fakultät für Informatik und Elektrotechnik Universität Rostock Vorteile der
MehrUniversität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Klausur Schaltungstechnik WS16/17
Universität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Klausur Schaltungstechnik WS16/17 Name................................ Vorname................................ Matrikelnummer................................
MehrGrundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik. Schaltungstechnik 1. Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek
Grundlagenorientierungsprüfung für Elektro- und Informationstechnik Schaltungstechnik 1 Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Freitag, den 25.02.2005 9.00 10.30 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.: Hörsaal:
MehrUniversität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Elektronik I, WS 09/10 Übung 15
Universität des Saarlandes Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Elektronik I, WS 09/10 Übung 15 U N S A R I V E R S A V I E I T A S N I S S Aufgabe 1) Metall-Halbleiter-Übergang: Dotierung,Sperrschichtkapazität.
MehrKlausur Impulstechnik I & II
& = 4 4 &. = & 4 4 & Klausur Impulstechnik I & II 1.4.21 Aufgabe 1: 16 Punkte Gegeben seien vier LTI-Netzwerke mit einer Übertragungsfunktion der Form (mit ). Die zugehörigen Pol-Nullstellendiagramme sind
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 22 Aufgabe Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b T2 i c T i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i R Bild
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen
Analoge CMOS-Schaltungen Von dem Großsignalschaltbild (Transienten-Analyse) zum Kleinsignalersatzschaltbild (AC-Analyse) 2. Vorlesung Schaltungen: analog Schaltungen: analog Analoge (Verstärker-)Schaltungen
MehrSchaltungstechnik I. Übungsklausur, 18/
Schaltungstechnik I Übungsklausur, 18/19.01.2010 Es gibt 90 Punkte und 90 Minuten Zeit. Also ein Punkt pro Minute. Erlaubte Hilfsmittel sind: Schreibutensilien und 5 Blätter DIN-A4 Formelsammlung Wir wünschen
Mehr10. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Schaltung Netzwerk & Ersatzschaltbilder ( Views ) Schaltung Schaltbild/Schaltplan/Schematic Arbeitspunktersatzschaltbild Kleinsignalersatzschaltbilder
MehrLösung zu Aufgabe 5.1
Michael Reisch, Halbleiter-Bauelemente,.A., Springer 007 Lösung zu Aufgabe 5.1 Der Ausgangsleitwert eines MOSFET im Widerstandsbereich ist im LEVEL1-Modell λ = 0) im Grenzfall kleiner Werte von V DS gegeben
MehrIntegrierte Schaltungen
Klausur Integrierte Schaltungen 07.03.2013 Hinweise: Beantwortung der Fragen bitte nur auf den Aufgabenbättern! (inkl. Rückseite) Nur vom Assistenten angeheftete und abgezeichnete Zusatzblätter werden
MehrPraktikum Elektronik WS12/13. Versuch 5 MOS Transistoren Betreuer: Michael Maurer,
FRITZ-HÜTTINGER-PROFESSUR FÜR MIKROELEKTRONIK PROF. DR.-ING. YIANNOS MANOLI Praktikum Elektronik WS12/13 Versuch 5 MOS Transistoren Betreuer: Michael Maurer, michael.maurer@imtek.de Gruppe... Name......
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen
Analoge CMOS-Schaltungen Versorgung von Analogschaltungen 4. Vorlesung Rückblick -Einfluß der Versorgungsspannung -Beispiel: MOS-R-Inverter -PSPICE-Simulationen -Lösung: differentieller Aufbau -zusätzliche
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 26.07.2012 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 2 3 4 5 6 Punkte 15 12 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle
Mehr10. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 7.2.26 Schaltung Netzwerk & Ersatzschaltbilder ( Views ) Schaltung Schaltbild/Schaltplan/Schematic Arbeitspunktersatzschaltbild Kleinsignalersatzschaltbilder
MehrDiplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten
Diplomprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Maschinenbau Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Diplomprüfung SS 2011 Elektronik/Mikroprozessortechnik, 90 Minuten Matr.-Nr.: Name, Vorname:
Mehr11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
11. Übung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 1 Aufgabe (Klausur WS07/08: 40 min, 22 Punkte) - die Killeraufgabe, aber warum? Bootstrapschaltung und Kleinsignal-Transistormodell Gegeben ist die in
MehrDiplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2011 Fach: Elektronik,
MehrKlausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 2007/2008 1
Klausur Grundlagen der Schaltungstechnik WS 007/008 Hinweis: Die Darstellung der Lösungswege muß vollständig, klar und kontrollierbar sein. Achten Sie dazu bitte insbesondere bei Ersatzschaltbildern auf
MehrAufgabe 1: Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte)
Aufgabe : Integrierte Hochfrequenzspule (20 Punkte) Im Folgenden soll die Realisierung einer integrierten Spule zur Anwendung in einem Oszillator für ein 77 GHz KFZ-Radar betrachtet werden. Bei diesen
MehrÜbungsaufgaben zur Vorlesung HFT1-Komponenten
Übungsaufgaben zur Vorlesung HFT1-Komponenten Aufgabenübersicht 1. Frequenzverhalten von Kleinsignalverstärkerschaltungen 2. Operationsverstärker 1 3. Selektivverstärker 1: Einstufige Selektivverstärker,
MehrPrüfung aus Seite 1 von 7 Analoge Integrierte Schaltungen,
Prüfung aus Seite 1 von 7 Analoge Integrierte Schaltungen, 354.026 29.1.2009 Beispiel 1 (30 %): Schaltung lt. Schaltplan Berechnen Sie den Drainstrom von M1. V DD =1,8V µ n C ox =100µA/V² V TH = 0,5V =0
MehrÜbung Integrierte Schaltungen 2. Übung: Metallleitungen: Abhängigkeiten, Toleranzen Modellierung
Übung Integrierte Schaltungen 2. Übung: Metallleitungen: Abhängigkeiten, Toleranzen Modellierung Organisatorisches Termine: 01.11.2013 15.11.2013 29.11.2013 13.12.2013 http://www.meis.tu-berlin.de/menue/studium_und_lehre/
MehrElektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5
G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 1/25 Elektronik II Grosse Übung zu Foliensatz E2_F5 G. Kemnitz Institut für Informatik, TU Clausthal (E2-GF5) 9. Juni 2017 G. Kemnitz
Mehr14. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
14. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik 1 Differenzverstärker Kleinsignal-ESB 0 V4 V5 RD1 1k RD2 1k 4 5 1 G1 G2 2 u aus1 V1 V3 V2 u aus2 V1 U SU S 1 3 SU S 1 U V2 gm1 gm2 RD1 V1 V2 gm1
MehrTransistor- und Operationsverstärkerschaltungen
Name, Vorname Testat Besprechung: 23.05.08 Abgabe: 30.05.08 Transistor- und Operationsverstärkerschaltungen Aufgabe 1: Transistorverstärker Fig.1(a): Verstärkerschaltung Fig.1(b): Linearisiertes Grossignalersatzschaltbild
MehrFachprüfung. Schaltungen & Systeme BA
Fachprüfung Schaltungen & Systeme BA 15. Juli 2004 Prüfer: Prof. Dr. P. Pogatzki Bearbeitungszeit: 2 Stunden Name:... Matr.-Nr.:... Unterschrift:... Punkte Aufgabe.1.2.3.4.5.6.7.8.9 Summe 1. 2. 3. 4. 5.
MehrSchaltungstechnik
KLAUSUR Schaltungstechnik 6.07.01 Prof. Dr.-Ing. habil. F. Ellinger Dauer: 180 min. Aufgabe 1 3 4 5 6 Punkte 15 1 17 13 10 11 78 Modellgleichungen Für die Klausur werden folgende Transistormodelle verwendet
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen. OTA -ein OpAmp für Kondensatorlast 1. Teil. Roland Pfeiffer 5. Vorlesung
Analoge CMOS-Schaltungen OTA -ein OpAmp für Kondensatorlast 1. Teil 5. Vorlesung Versorgung von Analogschaltungen Rückblick: Differenzverstärker Überführung in Differenzverstärker (genau: differentieller
MehrAnaloge CMOS-Schaltungen. Miller Operationsverstärker -ein OpAmp für Widerstandslast 1. Teil. Roland Pfeiffer 7. Vorlesung
Analoge CMOS-Schaltungen Miller Operationsverstärker -ein OpAmp für Widerstandslast 1. Teil 7. Vorlesung OpAmp Bekannt unter anderem aus der Vorlesung von Prof. Jungemann: Operationsverstärker OpAmp Analoge
MehrFeldeffekttransistoren
Feldeffekttransistoren JFET MOSFET Kanalwiderstand: R K L A Fläche Leitfähigkeit Seite 1 MOSFET Seite 2 Bandverbiegung p-substrat n-substrat Verarmung Inversion Seite 3 Poisson-Gleichung (1D) 2 d e n (
MehrPSpice 2. Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice Versuch 10 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang
MehrPrüfung aus Seite 1 Analoge Integrierte Schaltungen,
Prüfung aus Seite 1 Analoge Integrierte Schaltungen, 354.026 29.12.2010 Beispiel 1: (30%) Eine integrierte Schaltung verwendet sowohl eine Sourcfolger (SF) als auch eine Sourceschaltung (CS), siehe Skizze.
MehrPrüfung aus Seite 1. Analoge Integrierte Schaltungen,
Prüfung aus Seite 1 Analoge Integrierte Schaltungen, 354.026 05.12.2012 Beispiel 1: (20%) Eine integrierte Schaltung verwendet sowohl eine Sourcfolger (SF) als auch eine Sourceschaltung (CS), siehe Skizze.
MehrTransistor Verstärker. Roland Küng, 2011
Transistor Verstärker Roland Küng, 2011 1 Design Flow 2.Sem. Rep. Arbeitspunkt (Bias) Kleinsignal-Ersatz BJT FET BJT FET 3 Grundschaltungen NF: Koppel- C s HF: Miller Mehrstufig ASV 4.Sem. 2 Repetition
MehrAufgabe 1: Passive Bauelemente (20 Punkte)
Aufgabe : Passive Bauelemente (20 Punkte) Konstanten: Dielektrizitätskonstante ε 0 = 8,854 0 2 As/Vm Gegeben sei der Metall-Kunststoff-Kondensator (MK) aus Abbildung.. d d Kunststoff Film ( εr= 3.3) Elektrode
MehrGrundlagen der Schaltungstechnik
Technische Universität Ilmenau 25. Juli 2007 Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik FG Elektronische Schaltungen und Systeme Prof. Dr.-Ing. R. Sommer AUFGABE 1 (15MIN): Klausur Grundlagen
MehrFall 1: Diode D1 sperrt (u D1 < 0), Diode D2 leitet (i D2 > 0) Fall 2: Diode D1 leitet (i D1 > 0), Diode D2 sperrt (u D2 < 0)
2 Aufgabe 1 Operationsverstärker (31 Punkte) Zuerst soll folgende Schaltung mit einem Operationsverstärker, linearen Widerständen und idealen Dioden untersucht werden. R 1 i z =0 R 1 u D2 D2 i D2 u e u
MehrProseminar Statische CMOS- Schaltungen. Thema: CMOS-NOR-Gatter Gehalten von: Björn Fröhlich Prof. Dr. Zehendner SS05 - FSU Jena
Statische CMOS- Schaltungen Thema: CMOS-NOR-Gatter Gehalten von: Björn Fröhlich Prof. Dr. Zehendner SS05 - FSU Jena Inhaltsübersicht 1. allgemeiner Aufbau 2. Gleichstrom Transfer Charakteristik 3. Transiente
MehrPROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR
PROTOKOLL ZUM VERSUCH TRANSISTOR CHRISTIAN PELTZ Inhaltsverzeichnis 1. Versuchsbeschreibung 1 1.1. Ziel 1 1.2. Aufgaben 1 2. Versuchsdurchführung 3 2.1. Transistorverstärker (bipolar) 3 2.2. Verstärker
MehrElektrotechnische Grundlagen, WS 00/01 Musterlösung Übungsblatt 5
Elektrotechnische Grundlagen, WS 00/01 Musterlösung Übungsblatt 5 Prof. Baitinger / Lammert Besrechung: 15.01.2001 b) Die Diode wird in der Schaltung nach Abb. 1-2 betrieben. Berechnen Sie jeweils die
MehrAufgabe 1 Bipolare Transistoren
2 Aufgabe 1 Bipolare Transistoren (22 Punkte) Gegeben sei die folgende Transistor-Schaltung bestehend aus einem pnp- und einem npn-transistor. i b2 i c2 i b1 T2 i c1 T1 i 2 R 2 i a =0 u e u a U 0 i 1 R
MehrFinale: 15. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik
Finale: 15. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik genießt den Ausblick und haltet ihn in Erinnerung Hoffnung auf Wieder! Noch wenige Meter! 1 Grundschaltungen für Verstärker Kaskode U DD
Mehrx 1 + u y 2 = 2 0 x 2 + 4u 2.
3. Übung: Regelkreis Aufgabe 3.1. Gegeben sind die beiden linearen zeitkontinuierlichen Systeme 3 2 2 ẋ 1 = 6 5 x 1 + 1 u 1 6 2 3 [ ] y 1 = 2 x 1 (3.1a) (3.1b) und [ ] [ ] 8 15 1 ẋ 2 = x 2 + 6 1 4 [ ]
MehrAC-Verhalten von Halbleiterbauelementen
Interdisziplinäres Laborpraktikum Master ET Versuch 76 AC-Verhalten von Halbleiterbauelementen Institut für Nanoelektronik Technische Universität Hamburg-Harburg Inhalt. Einleitung. Literatur. Der Transistor.
MehrElektronische Schaltungen - Teil 1
Elektronische Schaltungen Musterprüfung Seite 1 von 16 Elektronische Schaltungen - Teil 1 Arbeitszeit: 45 min Hilfsmittel: keine, auch keine Taschenrechner Aufgabe 1 (ähnlich GÜ 1-1) a) Entwerfen und zeichnen
MehrDiplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 9 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung WS 11/12 Fach: Elektronik,
MehrVL 0433 L608 Integrierte digitale Schaltungen H.Klar. Foliensatz 5: Inverter
Foliensatz 5: Inverter 1 4 Grundschaltungen Nachdem in den vorhergehenden Kapiteln die technologischen und physikalischen Grundlagen gelegt wurden, werden nun in den folgenden Abschnitten die wichtigsten
MehrAufgabe 1: Passive Bauelemente (20 Punkte)
1 Aufgabe 1: Passive Bauelemente (0 Punkte) Kondensatoren erfüllen in elektronischen Schaltungen eine Vielzahl von Aufgaben. Im Folgenden sollen daher verschiedene Realisierungen von Kondensatoren untersucht
MehrGrundlagen - Labor. Praktikumsübung. Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen
GRUNDLAGENLABOR 1(15) Fachbereich Systems Engineering Grundlagen - Labor Praktikumsübung Laborversuch GL-24 / Bipolar-Transistor, MOSFET, J-FET Kennlinien und Anwendungen Versuchsziele: Kennenlernen von
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2018/19 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrMathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski. Transistor. Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen
Mathias Arbeiter 28. April 2006 Betreuer: Herr Bojarski Transistor Eigenschaften einstufiger Transistor-Grundschaltungen Inhaltsverzeichnis 1 Transistorverstärker - Bipolar 3 1.1 Dimensionierung / Einstellung
MehrDie gegebene Schaltung kann dazu verwendet werden um kleine Wechselspannungen zu schalten.
1. Beispiel: Kleinsignalschalter/Diodenarbeitspunkt (33Punkte) Die gegebene Schaltung kann dazu verwendet werden um kleine Wechselspannungen zu schalten. Gegeben: Boltzmann-Konstante: k=1.38*10-23 J/K
MehrÜbungen zu Design Analoger Schaltkreise
Übungen zu Design Analoger Schaltkreise Lösungen und Ergebnisse der Praktikumsaufgaben Andreas Vetter 22. April 2014 Inhaltsverzeichnis 1. Aufgabe 4 2. Aufgabe 9 2.1. Aufgabenstellung...............................
MehrVersuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen. Vorbereitung. Von Jan Oertlin. 4. November 2009
Versuch P1-50,51,52 - Transistorgrundschaltungen Vorbereitung Von Jan Oertlin 4. November 2009 Inhaltsverzeichnis 0. Funktionsweise eines Transistors...2 1. Transistor-Kennlinien...2 1.1. Eingangskennlinie...2
MehrPraktikum Elektronik
Fakultät Elektrotechnik Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden University of Applied Sciences Friedrich-List-Platz 1, 01069 Dresden ~ PF 120701 ~ 01008 Dresden ~ Tel. (0351) 462 2437 ~ Fax (0351)
MehrA1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung
A1 VU Schaltungstechnik A1 Prüfung 05.05.2009 1 Kreuzen Sie die richtige Antwort an: 1.1 Mit welcher Schaltung erreicht man die gewünschte Ausgangsspannung U a lt. Diagramm. (U e und U st lt. Diagramm)
MehrSchaltungstechnik 1. Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek. Mittwoch, den Uhr
Grundlagenorientierungsprüfung für Elektroingenieure Schaltungstechnik 1 Univ.-Prof. Dr. techn. Josef A. Nossek Mittwoch, den 27.02.2002 9.00 10.30 Uhr Name: Vorname: Matrikel-Nr.: Hörsaal: Platz-Nr.:
Mehr9. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Filtersynthese
9. Vorlesung Grundlagen der analogen Schaltungstechnik Filtersynthese 08..08 Analyse eines Filters. Ordnung (Aufgabe 7) 0 V V R C 3 0. C R v OPI 4 V.0 E.0 E.0 E0.0 E.0 E Frequency M agnitude d B P hase
MehrDiplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik, Dauer: 90 Minuten
Diplomvorprüfung Elektronik Seite 1 von 8 Hochschule München FK 03 Fahrzeugtechnik Zugelassene Hilfsmittel: Taschenrechner, zwei Blatt DIN A4 eigene Aufzeichnungen Diplomvorprüfung SS 2010 Fach: Elektronik,
MehrAbschlussprüfung Schaltungstechnik 2
Name: Platz: Abschlussprüfung Schaltungstechnik 2 Studiengang: Mechatronik SS2009 Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 22.7.2009 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder Nicht programmierbarer
MehrFall 1: Diode D1 sperrt (u D1 < 0), Diode D2 leitet (i D2 > 0) Fall 2: Diode D1 leitet (i D1 > 0), Diode D2 sperrt (u D2 < 0)
2 31 Aufgabe 1 Operationsverstärker (31 Punkte) Zuerst soll folgende Schaltung mit einem Operationsverstärker, linearen Widerständen und idealen Dioden untersucht werden. i z =0 u D2 D2 i D2 u e u D1 D1
MehrAufgabe 1: Resistiver Touchscreen (20 Punkte)
1 Aufgabe 1: Resistiver Touchscreen (20 Punkte) Gegeben sind zwei Widerstandsfilme aus Indiumzinnoxid, die auf einen Glasträger aufgedampft wurden. Diese sollen zur Realisierung eines berührungsempfindlichen
MehrGleichungen für MOS-Transistoren
Seite 1 MICROSWISS-ZENTRUM NORD-OST Ingenieurschule Rapperswil Autor: Daniel Brugger Version: 3.3 Datum: 1. April 1999 File: w_zu_l.doc Gleichungen für MOS-Transistoren Inhalt: 1. Einführung 2. Allgemeine
MehrDer MOS-Transistor stellt das Grundbauelement der CMOS-Schaltungstechnik dar. Er ist
Anhang A MOS-Feldeekt-Transistor Der MOS-Transistor stellt das Grundbauelement der CMOS-Schaltungstechnik dar. Er ist in den verschiedenen Lehrbüchern ausführlich beschrieben worden - angefangen von seinen
MehrPSpice 1. Versuch 9 im Informationselektronischen Praktikum. Studiengang Elektrotechnik und Informationstechnik
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik Institut für Mikro- und Nanoelektronik Fachgebiet Elektronische Schaltungen und Systeme PSpice 1 Versuch 9 im Informationselektronischen Praktikum Studiengang
Mehr6. Bipolare Transistoren Funktionsweise. Kollektor (C) NPN-Transistor. Basis (B) n-halbleiter p n-halbleiter. Emitter (E) Kollektor (C)
6.1. Funktionsweise NPN-Transistor Kollektor (C) E n-halbleiter p n-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) PNP-Transistor Kollektor (C) E p-halbleiter n p-halbleiter C Basis (B) B Emitter (E) 1 Funktionsweise
MehrÜbungsaufgaben EBG für Mechatroniker
Übungsaufgaben EBG für Mechatroniker Aufgabe E0: Ein Reihen- Schwingkreis wird aus einer Luftspule und einem Kondensator aufgebaut. Die technischen Daten von Spule und Kondensator sind folgendermaßen angegeben:
MehrAufgabe 1: Schaltender Transistor
Aufgabe 1: Schaltender Transistor Zur verlustarmen und stufenlosen Steuerung der Heckscheibenheizung eines Autos wird ein schaltender Transistor eingesetzt. Durch die Variation der Einschaltdauer des Transistors
MehrAbschlussprüfung. Elektronische Bauelemente. Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor. Name: Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing.
Name: Abschlussprüfung Elektronische Bauelemente WS2010/11 Mechatronik + Elektrotechnik Bachelor Prüfungstermin: Prüfer: Hilfsmittel: 26.1.2011 (90 Minuten) Prof. Dr.-Ing. Großmann, Prof. Dr.-Ing. Eder
MehrELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 Prof. Dr.-Ing. Johann Siegl. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor. P4 Praktikum zum Feldeffekttransistor
1 von 5 15.03.2008 11:47 ELEKTRONIK 2 SCHALTUNGSTECHNIK P4-1/5 a) Der Feldeffekttransistor findet vielfältige Anwendung in Elektroniksystemen. Die wichtigsten Anwendungen sind der Feldeffekttransistor
MehrIntegrierte Digitalschaltungen Vom Transistor zu Integrierten Systemen Vorlesung 8,
Integrierte Digitalschaltungen Vom Transistor zu Integrierten Systemen Vorlesung 8, 18.05.2017 Nils Pohl FAKULTÄT FÜR ELEKTROTECHNIK UND INFORMATIONSTECHNIK Lehrstuhl für Integrierte Systeme Organisatorisches
MehrRC - Breitbandverstärker
Ernst-Moritz-Arndt-Universität Greifswald Fachbereich Physik Elektronikpraktikum Protokoll-Nr.: 5 RC - Breitbandverstärker Protokollant: Jens Bernheiden Gruppe: 2 Aufgabe durchgeführt: 30.04.1997 Protokoll
MehrKlausur Elektronik II
Klausur Elektronik II Sommersemester 2008 Name:................................................ Vorname:............................................. Matrikelnummer:.......................................
MehrWintersemester 2012/13
Diplomprüfung im Studiengang MB Seite 1 von 8 Hochschule München Fakultät 03 Zugelassene Hilfsmittel: alle eigenen Unterlagen, Taschenrechner Wintersemester 2012/13 Schriftliche Prüfung im Fach Elektronik/Mikroprozessortechnik,
MehrR 4 R 3. U q U L R 2. Probeklausur Elektronik, W 2015/ Gegeben ist die folgende Schaltung: R 1 1. R2= 1,1 kω
Probeklausur Elektronik, W 205/206. Gegeben ist die folgende Schaltung: R U q R 3 R 2 R 4 U L 2 mit Uq= 0 V R= 800 Ω R2=, kω R3= 480 Ω R4= 920 Ω a) Berechnen Sie durch Anwendung der Kirchhoffschen Gesetze
MehrFragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik
Fragenkatalog zur Übung Halbleiterschaltungstechnik WS 2017/18 Übungsleiter: Christian Diskus Thomas Voglhuber-Brunnmaier Herbert Enser Institut für Mikroelektronik und Mikrosensorik Altenbergerstr. 69,
MehrVerstärker in Kollektor-Schaltung
Verstärker in Kollektor-Schaltung Laborbericht an der Fachhochschule Zürich vorgelegt von Samuel Benz Leiter der Arbeit: B. Obrist Fachhochschule Zürich Zürich, 16.12.2002 Samuel Benz Inhaltsverzeichnis
MehrKlausur Elektronische Schaltungen
Fakultät für Mathematik und Informatik Elektronische Schaltungen 58084 Hagen 02331 987 1166 Klausur Elektronische Schaltungen Prüfungsnummern 2063, 2996,21421, 27110 15. September 2012 Bearbeitungszeit
Mehr2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle
6 V UA(UE) 0. 1. 2. U E Abbildung 2.4: Kennlinie zu den Messwerten in Tabelle 2.1. 2.5.3 Innenwiderstand der Stromquelle Die LED des Optokopplers wird mittels Jumper kurzgeschlossen. Dadurch muss der Phototransistor
MehrLabor Elektronik. Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker. Teilnehmer: ... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...)
Labor Elektronik Laborbericht zu Versuch: Transistorverstärker Teilnehmer:... (Author) Tong Cha (Mat.-Nr:...) Datum der Simulation: 09.12.2008 Datum der Messung: 23.12.2008 Allgemeines: Labor Elektronik,...,
MehrKlausur , Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5
Klausur 18.09.2009, Grundlagen der Elektrotechnik II (BSc. MB, EUT) Seite 1 von 5 1 (6 Punkte) Matr.-Nr.: In der Schaltung sind die beiden Lampen identisch und die Batterie sei eine ideale Spannungsquelle.
MehrElektronik II, Foliensatz 5 Verstärker
G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli 2013 1/43 Elektronik II, Foliensatz 5 Verstärker G. Kemnitz Institut für Informatik, Technische Universität Clausthal 5. Juli
MehrVordiplomprüfung Grundlagen der Elektrotechnik III
Vordiplomprüfung Grundlagen der Elektrotechnik III 16. Februar 2007 Name:... Vorname:... Mat.Nr.:... Studienfach:... Abgegebene Arbeitsblätter:... Bitte unterschreiben Sie, wenn Sie mit der Veröffentlichung
MehrNetzteil. Skriptum zum Praktikum Elektronik II Schaltungstechnik SS Christian Wern
UNIVERSITÄT DES SAARLANDES Lehrstuhl für Elektronik und Schaltungstechnik Prof. Dr.-Ing. Michael Möller U N S A R I V E R S A V I E I T A S N I S S Skriptum zum Praktikum Elektronik II Schaltungstechnik
Mehr1. Gleichstrom 1.2 Aktive und passive Zweipole, Gleichstromschaltkreise
Elektrischer Grundstromkreis Reihenschaltung von Widerständen und Quellen Verzweigte Stromkreise Parallelschaltung von Widerständen Kirchhoffsche Sätze Ersatzquellen 1 2 Leerlauf, wenn I=0 3 4 Arbeitspunkt
Mehr