Elektronische Bauelemente

Ähnliche Dokumente
Werkstoffe der Elektrotechnik im Studiengang Elektrotechnik

17. Halbleiter (I) 1 Prof. Beatriz Roldán Cuenya

Elektronik Für Studenten des FB WI Prof. M. Hoffmann FB ET/IT

κ Κα π Κ α α Κ Α

18. Halbleiter (II) 1 Prof. Beatriz Roldán Cuenya

Grundlegende Eigenschaften der Atomkerne: β-zerfall (Teil I)

Fachhochschule Hannover vorgezogene Wiederholungsklausur





O. Univ.-Prof. Dr. Fritz Scheuch, Wirtschaftsuniversität Wien / Institut für MarketingManagement

Konfidenzintervalle. Praktische Übung Stochastik SS 2017 Lektion 10 1

R. Brinkmann Seite Achsenschnittpunkte von e- Funktionen und Exponentialgleichungen

n i (cm -3 ) bei 300K Si 1,17 1,12 0,19 0,98 1, Ge 0,75 0,67 0,082 1,57 2, GaAs 1,52 1,43 0, m * l t m


Elektronische Bauelemente

Lösungen zur Klausur Maß- und Integrationstheorie WS 2012/13

Logarithmusfunktionen

Diagramm. 1.2 Geben Sie das elektrische Potential an der Kugeloberfläche an!

Elektronische Bauelemente

Hinweise zur Korrektur und Bewertung der Abiturprü fungsarbeiten in PHYSIK. als Leistungskursfach. Nicht fü r den Prü fling bestimmt

Musterlösung für die Klausur zur Vorlesung Stochastik I im WiSe 2014/2015

T 1 Th T 1. 1 T 1 h Th

1. Wahrscheinlichkeitsrechnung. 2. Diskrete Zufallsvariable. 3. Stetige Zufallsvariable. 4. Grenzwertsätze. 5. Mehrdimensionale Zufallsvariable

L Hospital - Lösungen der Aufgaben B1

Statistik und Wahrscheinlichkeitsrechnung

Teilaufgabe 1.1 (3 BE) Berechnen Sie die Wahrscheinlichkeit dafür, dass ein im Flughafen zufällig herausgegriffener Pauschalreisender ( ) =

Anhang zum Abschnitt Festkörper

Anwendungen der Rotationsspektroskopie

Übungsaufgaben "Vektorrechnung"

Beweis des Primzahlsatzes nach Newman

Die Spektren der Atome

Sicher zubereiten! So geht's!

Halbleiter II. x 1 2 e ax dx = Γ ( ) verwendet werden. Außerdem gilt. 1. intrinsische Halbleiter. 4π 2 ( 2m. k b T ) a

Bei 95%iger Konfidenz wäre der Mittelwert der GG zwischen 1421,17DM und 1778,83DM zu erwarten.

Eigenschaften trigonometrischer Reihen. Trigonometrische Reihen. Reihenentwicklung. Reihenentwicklung. Fourierreihenentwicklung

dt Beschleunigung dt Spezialfälle: Gleichförmige Bewegung v = v y = v t sin t + h 2 y tan x x h 2v cos Formelsammlung für MBB/ EGB und WPB

Stochastik im SoSe 2018 Übungsblatt 2

:46 1/9 Kinder gut betreut

Warum ist es interessant? Isotope, Radioaktive Zerfälle und Strahlungen. Aufbau des Atoms. Aufbau des Atomkernes. L. Smeller

Innovative Spaltenböden Güte überwacht Güte geprüft EN geprüft

ˆ Dichtefunktion: ƒ X ( ) = F ( ) bei differenzierbarer Verteilungsfunktion (stetige Zufallsvariable) (, ) E [X] = E X 1

Klausur vom

Teilaufgabe 1.0 Bei der Firma Kohl kommen morgens alle im Büro Beschäftigten nacheinander ins Großraumbüro.

Aussagenlogik Schnelldurchlauf

2. Solarmodule und Solargeneratoren

Etablierung eines Qualitätsmanagementsystems (QMS) für Lehre und Studium an der TU Berlin

Kostengünstig und einfach das

Klausur (Mathematik II) - Sommersemester 2013

Seminar De Rham Kohomologie und harmonische Differentialformen - 2. Sitzung

1.1 Mengensysteme. Ω Grundmenge, 2 Ω Potenzmenge, A 2 Ω Mengensystem. Definition 1.1: a) A stabil ( stabil, \-stabil), wenn für A, B A auch A B A

Makroökonomie I/Grundlagen der Makroökonomie

Erweiterung: (3) Arbeitslosenunterstützung als Versicherungsleistung

Statistik und Wahrscheinlichkeitsrechnung

Lösungsvorschlag Probeklausur zur Elementaren Wahrscheinlichkeitsrechnung

5-1 Elementare Zahlentheorie

Inklusionskiste für Kinder mit besonderem Förderbedarf

1.4 Streuung an Kristallen

Konfliktmanagement in der Psychiatrie. Christoph Hebborn, Fachkraft für Arbeitssicherheit Klinikum Oberberg GmbH

Studio-Programm - industrial chic. MÖBel FÜR AUSgeSchlAFene

Stochastik - Lösung (BSc D-MAVT / BSc D-MATH / BSc D-MATL)

Formelsammlung - Grundlagen der Elektrotechnik II. Elektrische Ladung. F (l) d l = Q U U = Q U. J d A. mit ρ 0 = spez. Widerstand bei T = T 0

de Moivre-Laplace Kolloquium zur Bachelorarbeit 28. August 2013 Hochschule München Fakultät für Informatik und Mathematik

Abiturprüfung Mathematik 13 Technik B I - Lösung mit CAS

SPORT-THIEME-AKADEMIE 2018 KOORDINATIVE HERAUSFORDERUNGEN FÄHIGKEITEN SPIELERISCH ENTDECKEN UND ERWEITERN HANS-PETER ESCH.

Formelsammlung. Energietechnik. für Techniker

e = lim ( n n) und Folgerungen

Wenn ich einmal reich wär'

Lösung Klausur. p(t) = (M + dm)v p(t + dt) = M(v + dv) + dm(v + dv u) Wir behalten nur die Terme der ersten Ordnung und erhalten.

3. Grundbegrie der Schätztheorie

Zinsratenmodelle in stetiger Zeit: Teil II

Wechselwirkung ionisierender Strahlung mit Materie II

Zylinder unter Randstörung - Radiale Ringlast plus Krempelmoment

Nachrichtentechnische Kenngrößen

HOCHSCHULE HANNOVER Name... Fakultät II Abt. M WS 2016/2017 Matrikelnummer... Übungsklausur Experimentalphysik 2

Inhaltsverzeichnis Ladungsträger im Halbleiter Halbleiterdiode ohne äußere Beschaltung Halbleiterdiode mit äußerer Beschaltung MIS-Kondenstor

Klausur zu Theoretische Physik 2 Klassische Mechanik

Lineare Abbildungen und Matrizen

X B. Gleichrichtwert u oder i u = i = Nur bei sinusförmigem Wechselstrom! Formelsammlung Wechselstrom - Seite 1 von 10

Formel- und Tabellensammlung zum Aktuariellen Grundwissen

Korrekturliste zum Studienbuch Statistik

Name:...Vorname:... Seite 1 von 8. FH München, FB 03 Grundlagen der Elektrotechnik SS Matrikelnr.:... Hörsaal:... Platz:...

Direkt-Vertrieb Hersteller vertreibt seine Ware direkt an den Kunden (B2C; B2B)

Diskrete Wahrscheinlichkeitstheorie Wiederholungsklausur

Kosmologie. Wintersemester 2015/16 Vorlesung # 13,

Elastizität und Bruchmechanik

1 J = 1 N. 1 m = 1Nm = 1 Wattsekunde (1 Ws) Formelzeichen SI-Einheit Abkürzung Definition. T Kelvin K. Joule pro Kilogrammkelvin.

Ziel: Erhöhung der Grenzfrequenz, erreicht mit PIN-, Lawinen-, Metall-Halbleiter- und Heterodioden

Wir nutzen diese. Foto: Kurhan Fotolia.com

1. Generator für finite Elemente

Gleichungen für MOS-Transistoren

(1,y,0) e y dy + z 2. d) E muß rotationsfrei sein, also konservatives Feld

Funktionsbeschreibung

StudiumPlus- SS 2017 Torsten Schreiber


Kapitel 8: Unendlich teilbare Verteilungen

4. Thermische Eigenschaften von Kristallen - spezifische Wärme

Autowaschanlage. Der Steuerungsablauf für eine Autowaschanlage soll mit einer speicherprogrammierbaren Steuerung realisiert werden.

Transkript:

Elktroisch Baulmt Für Studt ds FB ET / IT Prof. M. Hoffma Hadout 5 Photolitu i Halblitr Hiwis: Bi d Hadouts hadlt s sich um auswählt Schlüsslfoli ud Zusammfassu. Di Hadouts rrästir icht d vollstädi Ihalt dr Vorlsu.

Photolitu i Halblitr Dr ir hotolktrisch Effkt / dr ir Fotoffkt: Erzuu quasifrir, hotoiduzirtr Ladusträr durch Absortio dr Eri ifalldr Photo im Ir vo Halblitr Photoiduzirt Paarbildu Aru Erhöhu Ladusträrkoztratio Erhöhu Rkombiatiosrat r Störu ds thrmisch Glichwichts ds Halblitrs Rkombiatio hotoiduzirtr Ladusträr schrittwis Rlaxatio brzt Lbsdaur τ dr hotoiduzirt Ladusträr Eistllu is u Glichwichts vo Paarbildu ud Rkombiatio bi Eistrahlu E L itrisischr Halblitr mit Badlück E G - Halblitr mit Badlück ΔE D - Halblitr mit Badlück ΔE A E D E ΔE Photo D E Photo E G E Photo E A ΔEA E V + r r hot hot hot r + hot r hotoiduzirt itrisisch Ladusträr hotoiduzirt Eilitu hotoiduzirt xtrisisch Ladusträr hotoiduzirt Störstlllitu E L + quasifri hotoiduzirt Elktro im Litusbad quasifri hotoiduzirt Dfktlktro im Valzbad Litusbad Halblitr; E V Valzbad Halblitr; E D Litusbad Doator; E D Litusbad Akztor

Photolitu i Halblitr Photolitu: Ädru dr lktrisch Litfähikit bzw. ds lktrisch Widrstads is Fstkörrs utr Absortio vo lktromatischr Strahlu Di Eri dr Photo E Photo muss midsts dr Bidusri ΔE dr Elktro E G, ΔE D, odr ΔE A ds Halblitrs tsrch: E Photo = h f c = h λ E Strahlusfluss Φ: Ei Maß für di istrahlt Gsamtri Φ [V], [W], [Joul], [Lux], [Cadla],v ~ EPhoto f Grzfrquz λ Grzwlllä -15 h = 4,1 10 Vs lakschs Wirkusquatum c 300.000.000 m/s Lichtschwidikit γ=0,9 γ=0,8 Strahlusflussdicht S : Strahlusfluss Φ bzo auf di bstrahlt Fläch A [W/m ], [Joul/m ] S ( λ ) =Φ ( λ)/ A Photowidrstad: RS ( )~ 1 S γ RS ( ) = R S γ D D γ S S Strahlusflussdicht i W/m RS ( ) strahlusabhäir Widrstad i Ω S Duklstrahldicht i W/m D RD Duklwidrstad i Ω GS ( ) strahlusabhäir Litwrt i Ω -1 γ Stilhit, ihitlos, tyisch 0,5 bis 1, 1 γ=0,7 γ=0,65 γ=0,65 Bluchtusstärk E v [Lux] Strahlusflussdicht S [W/m ] 3

Photolitu i Halblitr Ladusträrdicht ds hotoaktivirt Halblitrs für E F E F mit quasi-frmilvl dr Elktro E F ( T) = Ei + kt l( / i) quasi-frmilvl dr Dfktlktro E F ( T) = Ei kt l( / i) Gschwidikit v ud Bwlichkit µ dr Elktro im lktrisch Fld E: Gsamtstrom I = Stromfluss dr Elktro I + Stromfluss dr Dfktlktro I : Elktrostrom = f (thrmisch rirt Elktro + hotoiduzirt Elktro) Löchrstrom = f (thrmisch rirt Dfktlktro + hotoiduzirt Dfktlktro Szifisch Litfähikit σ: Szifischr Widrstad ρ = 1/σ: Widrstad R = ρ l /A: ( T ) ( T ) v =µ E Gschwidikit v P ud Bwlichkit µ P dr Dfktlktro im lktrisch Fld E: v Q I = = I + I t I= v A+ v A σ = ( µ + µ ) 1 ρ= ( µ + µ ) R 1 l = ( µ + µ ) A T v, µ Φ v, µ =µ E T v, µ i ( T ) E F ( T, Φ) E mit Elmtarladu = 1,6 10-19 As kt F ( T, Φ) T T Φ Φ Φ v, µ T I, I, I Φ I, I, I T σ Φ σ T ρ Φ ρ T R Φ R 4

Photolitu i Halblitr Dyamischs Vrhalt ds Photowidrstads Aufrud dr brzt Lbsdaur τ dr hotoiduzirt Ladusträr stllt sich ach ir Auslichszit t i Glichwicht zwisch dr Etsthu hotoiduzirtr Ladusträr ud dr Rkombiatio i. Widrstadsädru rairt trä auf Ädru dr Eistrahlu la Auslichszit bi Ei- ud Ausschaltvora Asrchzit t r : R(t r ) / R D (t=0) = 63% idri Grzfrquz f 5

Photolitu i Halblitr Dr ir hotolktrisch Effkt ist abhäi vo dm Absortiosvrhalt ds vrwdt Halblitrmatrials. R(λ) R(λ 0 ) λ =530 m E G =,3 V Cadmiumsulfid Cadmiumslid λ =653 m E G = 1,9 V rlativ sktral Emfidlichkit Wlllä E G [V] Wlllä λ [µm] λ [µm] 6