vhb - Halbleiterbauelemente
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- Dennis Kurzmann
- vor 6 Jahren
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1 ehrstuhl für lektrosche auelemete vhb - Halbleterbauelemete Prof. r. Heer Ryssel Prof. r. ors Schmtt-adsedel Überscht wchtger Formel (relevat für müdlche Prüfuge) Stad Feb. 7 ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
2 Wchtge Formel - adugsträger m Halbleter adugsträgerkozetrato m thermodyamsche Glechgewcht g V ex V ex F ex F l F F l F F V, V g F V F : trssche adugsträgerkozetrato :Glechgewchtsdchte lektroe, öcher : ffektve Zustadsdchte für lektroe m etugsbad : ffektve Zustadsdchte für öcher m Valezbad : adabstad : Fermveau : Valezbadkate : etugsbadkate : trssches Fermveau F V l V ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
3 Wchtge Formel - adugsträger m Halbleter Trasortegeschafte adugsträgertrasort m elektrsche Feld ρ σ j rft σ ( μ μ ) ρ σ μ, µ j rft j rft j,rft j,rft (v v ) (µ µ ) : sezfscher Wderstad : etfähgket : eweglchket der lektroe, öcher : elektrsche Feldstärke : rftstromdchte ffusosstrom ( x,t ) j,ff x j,ff j ff ( x,t ) x j,ff j,ff, : ffusoskoeffzet für lektroe, öcher : ffusosstromdchte j ff ( x,t ) x ( x,t ) x ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
4 Wchtge Formel - adugsträger m Halbleter usglech vo adugsträgerüberschuss Rekombatosrate R: R b b : Prootoaltätskostate Thermsche Geeratosrate G th : G th b ettorekombatosrate U: U R - G th Δ(t) Ijekto vo Mortätsladugsträger örtlche Vertelug der Mortätsladugsträger (esel: öcher m -) x Δ( x ) Δ( x )ex Δ() ex x Δ : Überschusslöcherkozetrato : ffusosläge der öcher x ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
5 Wchtge Formel - adugsträger m Halbleter Kotutätsglechuge (für öcher) ( x,t ) t j ( x,t ) x G R G R : Geeratosrate für öcher : Rekombatosrate für öcher Posso-Glechug ( x,t ) x ρ( x,t ) mt ρ( x,t ) ( ) ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
6 ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg Wchtge Formel - Halbleterdode ffusossaug U ff Wete der Raumladugszoe w R ff l T k U ff R U ) (U w Serrschchtkaaztät S w R S ffusosstromdchte U ex J j S,, S J τ τ
7 Wchtge Formel - Feldeffekttrasstore ulkotetal φ - : φ l - : φ l ustrttsarbet des Halbleters φ ustrttsarbetsdfferez φ M Flachbadsaug U F Wete der Raumladugszoe w R satzsaug U Th U g φ χ φ w U M F R Th φ φ M M φ Q U φ F φ S Q χ φ φ M Q φ S Q : lektroeafftät : ustrttsarbet des Metalls : Isolatorkaaztät : Isolatorladug : Oberflächeotetal : Substratdoterug : Halbleterladug ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
8 Wchtge Formel - Feldeffekttrasstore Gesamtkaaztät eer M-Struktur flächebezogee Isolatorkaaztät x x : Isolatordcke flächebezogee Halbleterkaaztät w R Strom-Saugsbezehuge MOS-Trasstore (esel -Kaal) earer erech: I β(ug UTh ) U für U << U G -U Th Trodeberech: U I β (UG UTh ) U für U U G -U Th Sättgugsberech I β (UG UTh ) für U G -U Th U β μ W ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
9 Wchtge Formel - olartrasstore Strom-Saugsbezehuge m ormalbetreb mtterstrom I : I, d,,,, U ex Kollektorstrom I : I, d, U ex assstrom I : I I - I d, bzw.,,,, U : Querschttsfläche : eutrale asswete : ffusoskoeffzet der lektroe der ass bzw. der öcher m mtter : Mortätsladugsträgerkozetrato (lektroe) der ass : Mortätsladugsträgerkozetrato (öcher) m mtter : ffusosläge der Mortätsladugsträger (öcher) m mtter : ass-mtter-saug ehrstuhl lektrosche auelemete Uverstät rlage-ürberg
Elektrische Charakterisierung von Halbleiterbauelementen
Elektrsche harakterserug vo Halbleterbauelemete Eletug Grudlage zur Beschrebug vo Halbleter Bädermodell, Ladugsträgerdchte Da de elektrosche Egeschafte ees Halbleters durch zwe uvollstädg besetzte Bäder
κ Κα π Κ α α Κ Α
κ Κα π Κ α α Κ Α Ζ Μ Κ κ Ε Φ π Α Γ Κ Μ Ν Ξ λ Γ Ξ Ν Μ Ν Ξ Ξ Τ κ ζ Ν Ν ψ Υ α α α Κ α π α ψ Κ α α α α α Α Κ Ε α α α α α α α Α α α α α η Ε α α α Ξ α α Γ Α Κ Κ Κ Ε λ Ε Ν Ε θ Ξ κ Ε Ν Κ Μ Ν Τ μ Υ Γ φ Ε Κ Τ θ
4 Der Bipolartransistor
#WHDWWPF9KMWPYGKGFG$KRQNVPKVQ 4 Der polartrasstor desem Abschtt solle de wchtgste Grudlage zum Verstäds der geschafte des polartrasstors, we se für aaloge ud dgtale Schaltuge otwedg sd, aufgezegt werde.
25. Halbleiter Undotierte Halbleiter Fermi-Faktor f (W,T)
.0.04 5. Halbleter 5. Udoterte Halbleter 5.. erm-aktor f, ür = 0 K: alezbad: vollstädg besetzt mt Elektroe Letugsbad: leer ez. derstad usfrere der Ladugsträger ür > 0 K: Elektroe werde ageregt ud köe mt
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg. Lehrstuhl für Elektronische Bauelemente. Prof. Dr.-Ing. H. Ryssel. vhb-kurs Halbleiterbauelemente
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Stochastik Formeln von Gerald Meier
Stochast Formel vo Gerald Meer Grudbegrffe ud Operatoe umöglches Eregs scheres Eregs Ω A mplzert B Glechhet A B AB cht A A A ud B A B A oder B A B A ohe B A \ B A B dsjut A B de Morga A B A B Elemetareregs
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Formel für tatstk ud Wahrschelchketstheore (Dutter) Fehler a: fpalmater@gmal.com Cotets Beschrebede tatstk... Kegröße vo Verteluge... Verteluge... 3 Wahrschelchketstheore... 3 Grudlage... 4 Erwartug &
Formelzusammenstellung
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Es ist dann nämlich 2 2 2
Ege Bemerkuge zum Sklrprodukt See U,V,W Vektorräume üer eem Körper K. Ee Aldug ϕ :U V W heßt ler, we λ, λ, µ, µ K, u, u U, v, v V : ϕ( λ u + λ u, µ v + µ v ) = λ µ ϕ( u, v ) + λ µ ϕ( u, v ) + λ µ ϕ( u,
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IV Eführug Fehlerrechug Fehlerrechuge werde durchgeführt, um de Vertraueswürdgket vo Meßergebsse beurtele zu köe. Uter dem Fehler eer Messug versteht ma de Abwechug ees Meßergebsses vom (grudsätzlch ubekate
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